JPH0778867A

JPH0778867A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0778867A
Application number: JP6053032A
Authority: JP
Inventors: Makoto Yamada; 真山田; Hisanobu Sugiyama; 寿伸杉山
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1993-07-13
Filing date: 1994-02-25
Publication date: 1995-03-20
Anticipated expiration: 2017-05-27
Also published as: JP3285108B2

Abstract

(57)【要約】【目的】ボロンの濃度が高い拡散層をフィールド酸化
膜下に有する半導体装置を製造する。【構成】フィールド酸化膜としてのＳｉＯ₂膜１６を
形成する際の酸化防止膜としてのＳｉＮ膜１３とこのＳ
ｉＮ膜１３をパターニングするために用いたレジスト１
４とをマスクにして、ボロン３２をイオン注入する。こ
のため、ＳｉＮ膜１３のみをマスクにする場合に比べて
深い位置にまでボロン３２をイオン注入することがで
き、ボロン３２を含む拡散層３３をＳｉＯ₂膜１６下に
形成しても、ボロン３２はＳｉＯ₂膜１６中に取り込ま
れ難い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本願の発明は、フィールド酸化膜
下に拡散層を有する半導体装置の製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】拡散層で抵抗素子を形成する場合におい
て、特に、高抵抗の抵抗素子を得るために低濃度の拡散
層を半導体基板の表面に形成すると、重金属による汚染
等で抵抗値が不安定になる。そこで、フィールド酸化膜
下に形成した拡散層を抵抗素子にすることが考えられて
いる。

【０００３】図６は、抵抗素子を形成すべき抵抗素子領
域１０にＰ型の拡散層から成る抵抗素子を有する半導体
装置を製造する本願の発明の第１従来例を示している。
この第１従来例では、図６（ａ）に示す様に、Ｓｉ基体
１１上の全面にパッド用のＳｉＯ₂膜１２とＳｉＮ膜１
３とを順次に形成し、ＳｉＮ膜１３上の全面にレジスト
１４を塗布する。そして、レジスト１４のうちでフィー
ルド領域を形成すべき部分を開口するパターニングを行
う。その後、図６（ｂ）に示す様に、レジスト１４をマ
スクにしてＳｉＮ膜１３をパターニングする。

【０００４】次に、レジスト１４を除去し、Ｐチャネル
トランジスタを形成すべきＰチャネルトランジスタ領域
（図示せず）を別のレジストで覆う。そして、Ｎチャネ
ルトランジスタを形成すべきＮチャネルトランジスタ領
域（図示せず）と抵抗素子領域１０とで、図６（ｃ）に
示す様に、ＳｉＮ膜１３をマスクにして、チャネルスト
ッパを形成するためのボロン１５をＳｉ基体１１中にイ
オン注入する。

【０００５】また、Ｐチャネルトランジスタ領域でも、
同様にして、チャネルストッパを形成するためのリン等
のＮ型不純物をＳｉ基体１１中にイオン注入する。そし
て、イオン注入したボロン１５及びリン等を活性化させ
るアニールと、ＳｉＮ膜１３を酸化防止膜とするＬＯＣ
ＯＳ酸化とを行う。この結果、図６（ｄ）に示す様に、
Ｓｉ基体１１の総てのフィールド領域にフィールド酸化
膜であるＳｉＯ₂膜１６が形成される。

【０００６】また、Ｎチャネルトランジスタ領域及びＰ
チャネルトランジスタ領域のＳｉＯ₂膜１６下に、拡散
層から成るチャネルストッパが形成されると同時に、抵
抗素子領域１０のＳｉＯ₂膜１６下に、Ｎチャネルトラ
ンジスタ領域のチャネルストッパと同様にボロン１５を
含む拡散層１７から成る抵抗素子が形成される。その
後、更に従来公知の工程を実行して、この半導体装置を
完成させる。

【０００７】図７は、Ｎチャネルトランジスタ領域２０
及びＰチャネルトランジスタ領域３０のフィールド酸化
膜下に拡散層から成るチャネルストッパを有する半導体
装置を製造する本願の発明の第２従来例を示している。
この第２従来例では、図７（ａ）に示す様に、Ｐ型のＳ
ｉ基体１１上の全面にパッド用のＳｉＯ₂膜１２を形成
する。

【０００８】その後、Ｐチャネルトランジスタ領域３０
のＳｉ基体１１中にＮ型不純物をイオン注入して、Ｎウ
ェル２１を形成する。そして、ＳｉＯ₂膜１２上にＣＶ
Ｄ法でＳｉＮ膜１３を堆積させ、このＳｉＮ膜１３のう
ちでフィールド領域を形成すべき部分を開口するパター
ニングを行う。

【０００９】次に、図７（ｂ）に示す様に、Ｐチャネル
トランジスタ領域３０をレジスト２２で覆う。そして、
このレジスト２２とＳｉＮ膜１３とをマスクにして、Ｎ
チャネルトランジスタ領域２０のＳｉ基体１１中にボロ
ン１５やＢＦ₂等のＰ型不純物をイオン注入して、ボロ
ン１５等を含む拡散層２３を形成する。

【００１０】次に、図７（ｃ）に示す様に、レジスト２
２を除去した後、今度は逆にＮチャネルトランジスタ領
域２０をレジスト２４で覆う。そして、このレジスト２
４とＳｉＮ膜１３とをマスクにして、Ｐチャネルトラン
ジスタ領域３０のＳｉ基体１１中にリン２５等のＮ型不
純物をイオン注入して、リン２５等を含む拡散層２６を
形成する。

【００１１】次に、図７（ｄ）に示す様に、レジスト２
４を除去した後、ＳｉＮ膜１３を酸化防止膜とするＬＯ
ＣＯＳ酸化を行う。この結果、Ｓｉ基体１１の総てのフ
ィールド領域にフィールド酸化膜であるＳｉＯ₂膜１６
が形成されると同時に、拡散層２３、２６から成るチャ
ネルストッパがＳｉＯ₂膜１６下に形成される。その
後、更に従来公知の工程を実行して、この半導体装置を
完成させる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図６に示し
た第１従来例においてボロン１５がＳｉＮ膜１３を貫通
すると、抵抗素子としての拡散層１７を選択的に形成す
ることができない。また、図７に示した第２従来例にお
いてボロン１５やリン２５がＳｉＮ膜１３を貫通する
と、Ｎチャネルトランジスタ領域２０やＰチャネルトラ
ンジスタ領域３０における素子活性領域の不純物濃度が
変化して、トランジスタの閾値電圧が変化してしまう。

【００１３】一方、ボロン１５やリン２５が貫通しない
様にＳｉＮ膜１３の膜厚を厚くすると、今度はＳｉＯ₂
膜１６の端部に加わる応力が強くなって、この端部近傍
のＳｉ基体１１に結晶欠陥等が発生してしまう。従っ
て、図６、７に示した第１及び第２従来例におけるイオ
ン注入を行うためには、膜厚の薄いＳｉＮ膜１３でもボ
ロン１５やリン２５が貫通しない様に加速エネルギを低
くせざるを得ず、Ｓｉ基体１１の十分に深い位置にまで
はボロン１５やリン２５をイオン注入することができな
かった。

【００１４】リン２５のイオン注入の位置が浅くても、
このリン２５はＬＯＣＯＳ酸化時にＳｉＯ₂膜１６とＳ
ｉ基体１１との界面に偏析するので、チャネルストッパ
としての拡散層２６の形成にはあまり影響がない。しか
し、ボロン１５のイオン注入の位置が浅いと、図６
（ｄ）に示す様に、イオン注入したボロン１５の一部が
ＳｉＯ₂膜１６中に取り込まれて、拡散層１７、２３中
のボロン１５の濃度が低下する。このため、抵抗素子と
しての拡散層１７の抵抗値が不安定になると共に、チャ
ネルストッパとしての拡散層２３の素子分離特性が劣化
していた。

【００１５】これに対しては、ＳｉＯ₂膜１６中に取り
込まれる量を考慮して、ボロン１５を予め高濃度にイオ
ン注入しておくことも考えられる。しかし、ボロン１５
を高濃度にイオン注入しても、少なくともＳｉＯ₂膜１
６とＳｉ基体１１との界面では、ボロン１５の濃度が局
所的に低下する。また、ボロン１５をあまり高濃度にイ
オン注入すると、今度はＮチャネルトランジスタ領域２
０中の素子活性領域におけるＮ⁺型の拡散層（図示せ
ず）と拡散層１７、２３との接合耐圧の低下等が生じ
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】請求項１の半導体装置の
製造方法は、半導体基体１１上に酸化防止膜１３を形成
する工程と、前記半導体基体１１のうちのフィールド領
域を開口したパターンのマスク層１４を前記酸化防止膜
１３上に形成する工程と、前記マスク層１４をマスクに
して前記酸化防止膜１３をパターニングする工程と、こ
のパターニングの後に、少なくとも前記マスク層１４を
マスクにして、前記フィールド領域にボロン３２をイオ
ン注入する工程と、このイオン注入の後に、前記酸化防
止膜１３をマスクにして前記フィールド領域にフィール
ド酸化膜１６を形成すると共に、前記ボロン３２を含む
拡散層３３を前記フィールド酸化膜１６下に形成する工
程とを有することを特徴としている。

【００１７】請求項２の半導体装置の製造方法は、請求
項１の半導体装置の製造方法において、前記拡散層３３
をチャネルストッパにすることを特徴としている。

【００１８】請求項３の半導体装置の製造方法は、請求
項１または２の半導体装置の製造方法において、前記ボ
ロン３２の前記イオン注入を前記半導体基体１１の全面
に対して行い、Ｐチャネルトランジスタ領域３０では、
Ｎ型の不純物２５で前記ボロン３２を補償することによ
って、Ｎ型の拡散層２６を形成することを特徴としてい
る。

【００１９】請求項４の半導体装置の製造方法は、請求
項１または２の半導体装置の製造方法において、前記マ
スク層１４とは別のマスク層２２でＰチャネルトランジ
スタ領域３０を覆い、前記マスク層１４及び前記別のマ
スク層２２をマスクにして、前記ボロン３２の前記イオ
ン注入を行うことを特徴としている。

【００２０】請求項５の半導体装置の製造方法は、請求
項４の半導体装置の製造方法において、前記マスク層１
４を硬質化してから、前記別のマスク層２２で前記Ｐチ
ャネルトランジスタ領域３０を覆うことを特徴としてい
る。

【００２１】請求項６の半導体装置の製造方法は、半導
体基体１１のうちのフィールド領域を開口したパターン
の第１のマスク層１４及び酸化防止膜１３を前記半導体
基体１１上に形成する工程と、前記第１のマスク層１４
を残した状態で、前記半導体基体１１のうちで抵抗素子
を形成すべき抵抗素子領域１０以外の領域２０、３０を
第２のマスク層３１で覆う工程と、前記第１のマスク層
１４及び前記酸化防止膜１３と前記第２のマスク層３１
とをマスクにして、前記抵抗素子領域１０のうちの前記
フィールド領域に不純物３２をイオン注入する工程と、
前記酸化防止膜１３をマスクにして前記フィールド領域
にフィールド酸化膜１６を形成して、前記不純物３２を
含む拡散層３３から成る前記抵抗素子を前記フィールド
酸化膜１６下に形成する工程とを有することを特徴とし
ている。

【００２２】請求項７の半導体装置の製造方法は、請求
項６の半導体装置の製造方法において、前記不純物３２
としてボロンを用いることを特徴としている。

【００２３】

【作用】請求項１の半導体装置の製造方法では、酸化防
止膜１３をパターニングするためのマスク層１４でボロ
ン３２のイオン注入を阻止しているので、このマスク層
１４の厚さを選定することによって、フィールド領域に
フィールド酸化膜１６を形成しても、このフィールド酸
化膜１６中に取り込まれ難い深さにまで高エネルギでボ
ロン３２をイオン注入することができる。

【００２４】請求項２の半導体装置の製造方法では、フ
ィールド領域にフィールド酸化膜１６を形成しても、こ
のフィールド酸化膜１６中に取り込まれ難い深さにまで
高エネルギでボロン３２をイオン注入することができる
ので、ボロン３２の濃度が高いチャネルストッパ３３を
形成することができる。

【００２５】請求項３の半導体装置の製造方法では、Ｎ
型の不純物２５でボロン３２を補償することによってＮ
型の拡散層２６を形成しているので、Ｐチャネルトラン
ジスタ領域３０及びその他の領域２０に対して別個にフ
ィールド酸化膜１６下の拡散層２６、３３を形成する場
合に比べて、マスク工程が少ない。

【００２６】請求項４の半導体装置の製造方法では、フ
ィールド領域を開口したパターンのマスク層１４とＰチ
ャネルトランジスタ領域３０を覆う別のマスク層２２と
をマスクにしてボロン３２をイオン注入しており、Ｐチ
ャネルトランジスタ領域３０以外の領域２０のフィール
ド領域にのみ選択的にボロン３２をイオン注入すること
ができるので、Ｎ型の不純物２５でボロン３２を補償す
ることが困難な場合でも、Ｐチャネルトランジスタ領域
３０以外の領域２０のフィールド酸化膜１６下に選択的
に拡散層３３を形成することができる。

【００２７】請求項５の半導体装置の製造方法では、フ
ィールド領域を開口したパターンのマスク層１４を硬質
化してから、別のマスク層２２でＰチャネルトランジス
タ領域３０を覆っているので、この別のマスク層２２を
パターニングする際に、フィールド領域を開口したパタ
ーンのマスク層１４を残すことができる。

【００２８】請求項６、７の半導体装置の製造方法で
は、抵抗素子領域１０のうちのフィールド領域以外の領
域では第１のマスク層１４及び酸化防止膜１３によって
不純物３２のイオン注入を阻止し、抵抗素子領域１０以
外の領域２０、３０では第２のマスク層３１によって不
純物３２のイオン注入を阻止している。従って、第１及
び第２のマスク層１４、３１の厚さを選定することによ
って、フィールド領域にフィールド酸化膜１６を形成し
ても、このフィールド酸化膜１６中に取り込まれ難い深
さにまで高エネルギで不純物３２をイオン注入すること
ができる。

【００２９】

【実施例】以下、本願の発明の第１〜第３実施例を、図
１〜５を参照しながら説明する。なお、図６、７に示し
た第１及び第２従来例と対応する構成部分には、同一の
符号を付してある。

【００３０】図１〜３が、ボロンを含む拡散層から成る
抵抗素子を有する半導体装置の製造に適用した第１実施
例を示している。この第１実施例でも、図１（ａ）、図
２（ａ）及び図３（ａ）に示す様に、抵抗素子領域１
０、Ｎチャネルトランジスタ領域２０及びＰチャネルト
ランジスタ領域３０において、図６に示した第１従来例
と同様に、レジスト１４のうちでフィールド領域を形成
すべき部分を開口するパターニングを行う。

【００３１】但し、この第１実施例では、パターニング
後のレジスト１４にＵＶキュアリングを行って、レジス
ト１４を硬質化させる。その後、図１（ｂ）、図２
（ｂ）及び図３（ｂ）に示す様に、レジスト１４をマス
クにしてＳｉＮ膜１３をパターニングする。

【００３２】次に、図１（ｃ）、図２（ｃ）及び図３
（ｃ）に示す様に、レジスト１４を残したまま、全面に
更に別のレジスト３１を塗布し、このレジスト３１のう
ちで抵抗素子領域１０の部分を開口するパターニングを
行う。この時、レジスト１４は硬質化されているので、
レジスト３１の現像時にレジスト１４が除去されること
はない。

【００３３】その後、レジスト１４及びＳｉＮ膜１３と
レジスト３１とをマスクにして、後にＳｉＯ₂膜１６を
形成した時にこのＳｉＯ₂膜１６中には取り込まれ難い
深さにまで達するエネルギで、抵抗素子領域１０のＳｉ
基体１１中にボロン３２をイオン注入する。

【００３４】次に、レジスト３１、１４を除去してか
ら、図１（ｄ）、図２（ｄ）及び図３（ｄ）に示す様
に、全面に別のレジスト２４を塗布し、このレジスト２
４のうちでＰチャネルトランジスタ領域３０の部分を開
口するパターニングを行う。そして、レジスト２４とＳ
ｉＮ膜１３とをマスクにして、Ｐチャネルトランジスタ
領域３０のＳｉ基体１１中にリン２５等のＮ型不純物を
イオン注入する。

【００３５】次に、レジスト２４を除去してから、図１
（ｅ）、図２（ｅ）及び図３（ｅ）に示す様に、全面に
別のレジスト２２を塗布し、このレジスト２２のうちで
抵抗素子領域１０及びＮチャネルトランジスタ領域２０
の部分を開口するパターニングを行う。そして、レジス
ト２２とＳｉＮ膜１３とをマスクにして、抵抗素子領域
１０及びＮチャネルトランジスタ領域２０のＳｉ基体１
１中にボロン１５をイオン注入する。

【００３６】次に、レジスト２２を除去してから、イオ
ン注入したボロン１５、３２及びリン２５を活性化させ
るアニールと、ＳｉＮ膜１３を酸化防止膜とするＬＯＣ
ＯＳ酸化とを行う。

【００３７】この結果、図１（ｆ）、図２（ｆ）及び図
３（ｆ）に示す様に、Ｓｉ基体１１の総てのフィールド
領域にフィールド酸化膜であるＳｉＯ₂膜１６が形成さ
れる。また、Ｎチャネルトランジスタ領域２０及びＰチ
ャネルトランジスタ領域３０のＳｉＯ₂膜１６下に、ボ
ロン１５を含む拡散層２３から成るチャネルストッパ及
びリン２５を含む拡散層２６から成るチャネルストッパ
が形成されると同時に、抵抗素子領域１０のＳｉＯ₂膜
１６下に、主にボロン１５を含む拡散層１７と主にボロ
ン３２を含む拡散層３３とから成る抵抗素子が形成され
る。

【００３８】その後、図示してはいないが、従来公知の
工程を実行して、Ｎチャネルトランジスタ領域２０にＮ
チャネルトランジスタを形成し、Ｐチャネルトランジス
タ領域３０にＰチャネルトランジスタを形成する。

【００３９】以上の様な第１実施例では、抵抗素子領域
１０のフィールド領域にＳｉＯ₂膜１６を形成しても、
ボロン３２はＳｉＯ₂膜１６中に取り込まれ難いので、
高抵抗で且つ抵抗値が安定している抵抗素子を形成する
ことができる。また、チャネルストッパと同時にフィー
ルド酸化膜下に形成した拡散層を電界緩和用のオフセッ
トとして用いている高耐圧トランジスタであるＬＯＤ
（LOCOS OFFSET DRAIN）トランジスタに拡散層３３を用
いれば、その電流値を安定させることができる。

【００４０】なお、以上の第１実施例では、拡散層１
７、３３を形成するためにボロン１５、３２を用いてい
るが、ボロン以外の不純物を用いて抵抗素子としての拡
散層を形成する場合にも、本願の発明を適用することが
できる。

【００４１】図４は、Ｎチャネルトランジスタ領域２０
及びＰチャネルトランジスタ領域３０のフィールド酸化
膜下に拡散層から成るチャネルストッパを有する半導体
装置の製造に適用した第２実施例を示している。この第
２実施例でも、図４（ａ）に示す様に、レジスト１４を
マスクにしてＳｉＮ膜１３のうちでフィールド領域を形
成すべき部分を開口するパターニングを行うまでは、図
７に示した第２従来例と実質的に同様の工程を実行す
る。

【００４２】しかし、この第２実施例では、第２従来例
の様にはこの状態からレジスト１４を除去せず、レジス
ト１４をそのまま残す。そして、このレジスト１４とＳ
ｉＮ膜１３とをマスクにして、且つ後にＳｉＯ₂膜１６
を形成した時にこのＳｉＯ₂膜１６中には取り込まれ難
い深さにまで達するエネルギで、Ｓｉ基体１１中にボロ
ン３２をイオン注入して、ボロン３２を含む拡散層３３
を形成する。従って、Ｎチャネルトランジスタ領域２０
のみならずＰチャネルトランジスタ領域３０にも、拡散
層３３が形成される。

【００４３】次に、図４（ｂ）に示す様に、レジスト１
４を除去した後、Ｎチャネルトランジスタ領域２０をレ
ジスト２４で覆う。そして、このレジスト２４とＳｉＮ
膜１３とをマスクにして、Ｐチャネルトランジスタ領域
３０のＳｉ基体１１中にリン２５等のＮ型不純物をイオ
ン注入する。

【００４４】このときのリン２５等のドーズ量は、先に
イオン注入したボロン３２をＬＯＣＯＳ酸化後に補償す
ることができる様に設定する。従って、Ｎチャネルトラ
ンジスタ領域２０には拡散層３３が残り、Ｐチャネルト
ランジスタ領域３０にはリン２５等を含む拡散層２６が
形成される。

【００４５】次に、図４（ｃ）に示す様に、レジスト２
４を除去した後、ＳｉＮ膜１３を酸化防止膜とするＬＯ
ＣＯＳ酸化を行う。この結果、Ｓｉ基体１１の総てのフ
ィールド領域にフィールド酸化膜であるＳｉＯ₂膜１６
が形成されると同時に、拡散層２６、３３から成るチャ
ネルストッパがＳｉＯ₂膜１６下に形成される。その
後、更に従来公知の工程を実行して、この半導体装置を
完成させる。

【００４６】以上の様な第２実施例では、Ｎチャネルト
ランジスタ領域２０のフィールド領域にＳｉＯ₂膜１６
を形成しても、ボロン３２はＳｉＯ₂膜１６中に取り込
まれ難く、拡散層３３中のボロン３２の濃度が低下し難
いので、この拡散層３３の素子分離特性が優れている。
また、この様に素子分離特性が優れている拡散層３３
は、高耐圧トランジスタにおいて特に有用である。

【００４７】また、以上の第２実施例ではリン２５でボ
ロン３２を補償しているが、ＬＯＣＯＳ酸化時に、ボロ
ン３２がＳｉＯ₂膜１６中に取り込まれ易いのに対し
て、リン２５はＳｉＯ₂膜１６とＳｉ基体１１との界面
に偏析するので、リン２５のドーズ量をあまり多くしな
くても補償を行うことができる。しかも、この様な補償
を行うことによって、図４と図７との比較からも明らか
な様に、以上の第２実施例ではレジスト２２の塗布、パ
ターニング及び除去等の工程が不要である。

【００４８】図５は、図４に示した第２実施例と同様に
Ｎチャネルトランジスタ領域２０及びＰチャネルトラン
ジスタ領域３０のフィールド酸化膜下に拡散層から成る
チャネルストッパを有する半導体装置の製造に適用した
第３実施例を示している。この第３実施例でも、図５
（ａ）に示す様に、Ｎチャネルトランジスタ領域２０及
びＰチャネルトランジスタ領域３０において、レジスト
１４のうちでフィールド領域を形成すべき部分を開口す
るパターニングを行うまでは、図４に示した第２実施例
と実質的に同様の工程を実行する。

【００４９】しかし、この第３実施例では、パターニン
グ後のレジスト１４にＵＶキュアリングを行って、レジ
スト１４を硬質化させる。そして、図５（ｂ）に示す様
に、このレジスト１４をマスクにしたＲＩＥでＳｉＮ膜
１３をパターニングする。

【００５０】次に、図５（ｃ）に示す様に、全面にレジ
スト２２を塗布し、このレジスト２２のうちでＮチャネ
ルトランジスタ領域２０の部分を開口するパターニング
を行う。この時、レジスト１４は硬質化されているの
で、レジスト２２の現像時にレジスト１４が除去される
ことはない。

【００５１】その後、レジスト２２とＳｉＮ膜１３とを
マスクにして、Ｎチャネルトランジスタ領域２０のＳｉ
基体１１中にボロン３２やＢＦ₂等のＰ型不純物をイオ
ン注入して、ボロン３２等を含む拡散層３３を形成す
る。そして、レジスト２２、１４を除去し、既述の第２
従来例における図７（ｃ）以降の工程と実質的に同様の
工程を実行して、この半導体装置を完成させる。

【００５２】以上の様な第３実施例では、上述の第２実
施例の様にリン２５でボロン３２を補償することが困難
な場合でも、Ｐチャネルトランジスタ領域３０のＳｉＯ
₂膜１６下にチャネルストッパとしての拡散層２６を選
択的に形成することができるので、工程の自由度が多
い。

【００５３】

【発明の効果】請求項１の半導体装置の製造方法では、
フィールド領域にフィールド酸化膜を形成しても、この
フィールド酸化膜中に取り込まれ難い深さにまで高エネ
ルギでボロンをイオン注入することができるので、ボロ
ンの濃度が高い拡散層をフィールド酸化膜下に有する半
導体装置を製造することができる。

【００５４】請求項２の半導体装置の製造方法では、ボ
ロンの濃度が高いチャネルストッパを形成することがで
きるので、素子分離特性が優れていて信頼性の高い半導
体装置を製造することができる。

【００５５】請求項３の半導体装置の製造方法では、Ｐ
チャネルトランジスタ領域及びその他の領域に対して別
個にフィールド酸化膜下の拡散層を形成する場合に比べ
てマスク工程が少ないので、フィールド酸化膜下に拡散
層を有する半導体装置を低コストで製造することができ
る。

【００５６】請求項４の半導体装置の製造方法では、Ｎ
型の不純物でボロンを補償することが困難な場合でも、
Ｐチャネルトランジスタ領域以外の領域のフィールド酸
化膜下に選択的に拡散層を形成することができるので、
工程の自由度が多い。

【００５７】請求項５の半導体装置の製造方法では、Ｐ
チャネルトランジスタ領域を覆う別のマスク層をパター
ニングする際に、フィールド領域を開口したパターンの
マスク層を残すことができるので、Ｐチャネルトランジ
スタ領域以外の領域のフィールド酸化膜下に選択的に拡
散層を形成することができる。

【００５８】請求項６、７の半導体装置の製造方法で
は、フィールド領域にフィールド酸化膜を形成しても、
このフィールド酸化膜中に取り込まれ難い深さにまで高
エネルギで不純物をイオン注入することができるので、
抵抗値が安定な抵抗素子を有する半導体装置を製造する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願の発明の第１実施例における抵抗素子領域
の状態を工程順に示す側断面図である。

【図２】第１実施例におけるＮチャネルトランジスタ領
域の状態を工程順に示す側断面図である。

【図３】第１実施例におけるＰチャネルトランジスタ領
域の状態を工程順に示す側断面図である。

【図４】本願の発明の第２実施例を工程順に示す側断面
図である。

【図５】本願の発明の第３実施例を工程順に示す側断面
図である。

【図６】本願の発明の第１従来例における抵抗素子領域
の状態を工程順に示す側断面図である。

【図７】本願の発明の第２従来例を工程順に示す側断面
図である。

【符号の説明】

１０抵抗素子領域１１Ｓｉ基体１３ＳｉＮ膜１４レジスト１６ＳｉＯ₂膜２０Ｎチャネルトランジスタ領域２２レジスト２５リン３０Ｐチャネルトランジスタ領域３１レジスト３２ボロン３３拡散層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基体上に酸化防止膜を形成する工
程と、前記半導体基体のうちのフィールド領域を開口したパタ
ーンのマスク層を前記酸化防止膜上に形成する工程と、前記マスク層をマスクにして前記酸化防止膜をパターニ
ングする工程と、このパターニングの後に、少なくとも前記マスク層をマ
スクにして、前記フィールド領域にボロンをイオン注入
する工程と、このイオン注入の後に、前記酸化防止膜をマスクにして
前記フィールド領域にフィールド酸化膜を形成すると共
に、前記ボロンを含む拡散層を前記フィールド酸化膜下
に形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置
の製造方法。
【請求項２】前記拡散層をチャネルストッパにするこ
とを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記ボロンの前記イオン注入を前記半導
体基体の全面に対して行い、Ｐチャネルトランジスタ領域では、Ｎ型の不純物で前記
ボロンを補償することによって、Ｎ型の拡散層を形成す
ることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置
の製造方法。
【請求項４】前記マスク層とは別のマスク層でＰチャ
ネルトランジスタ領域を覆い、前記マスク層及び前記別のマスク層をマスクにして、前
記ボロンの前記イオン注入を行うことを特徴とする請求
項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記マスク層を硬質化してから、前記別
のマスク層で前記Ｐチャネルトランジスタ領域を覆うこ
とを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】半導体基体のうちのフィールド領域を開
口したパターンの第１のマスク層及び酸化防止膜を前記
半導体基体上に形成する工程と、前記第１のマスク層を残した状態で、前記半導体基体の
うちで抵抗素子を形成すべき抵抗素子領域以外の領域を
第２のマスク層で覆う工程と、前記第１のマスク層及び前記酸化防止膜と前記第２のマ
スク層とをマスクにして、前記抵抗素子領域のうちの前
記フィールド領域に不純物をイオン注入する工程と、前記酸化防止膜をマスクにして前記フィールド領域にフ
ィールド酸化膜を形成して、前記不純物を含む拡散層か
ら成る前記抵抗素子を前記フィールド酸化膜下に形成す
る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項７】前記不純物としてボロンを用いることを
特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。