JPH0778902A - 回路素子の実装構造 - Google Patents

回路素子の実装構造

Info

Publication number
JPH0778902A
JPH0778902A JP5172531A JP17253193A JPH0778902A JP H0778902 A JPH0778902 A JP H0778902A JP 5172531 A JP5172531 A JP 5172531A JP 17253193 A JP17253193 A JP 17253193A JP H0778902 A JPH0778902 A JP H0778902A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor
circuit element
conductor layer
ground
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5172531A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideshi Suzaki
秀史 須崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP5172531A priority Critical patent/JPH0778902A/ja
Publication of JPH0778902A publication Critical patent/JPH0778902A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/682Shapes or dispositions thereof comprising holes having chips therein
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/67Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
    • H10W70/68Shapes or dispositions thereof
    • H10W70/685Shapes or dispositions thereof comprising multiple insulating layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H10W72/07554Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting changes in dispositions
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/547Dispositions of multiple bond wires
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50Bond wires
    • H10W72/541Dispositions of bond wires
    • H10W72/547Dispositions of multiple bond wires
    • H10W72/5473Dispositions of multiple bond wires multiple bond wires connected to a common bond pad
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90Bond pads, in general
    • H10W72/931Shapes of bond pads
    • H10W72/932Plan-view shape, i.e. in top view
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 回路素子の実装状態で接地導体のインピーダ
ンスの小さい、回路性能の優れた回路素子の実装構造を
提供する。 【構成】 内部に導体層3を有する多層基板1の中央部
にキャビティ2を形成する。このキャビティ2の周囲部
に第1の導体層3と第2の導体層10A〜10Dを階層的に
露出形成する。前記第1の導体層3を接地導体15とし、
第2の導体層10A〜10Bを信号導体として、回路素子21
の接地端子16A〜16,18A〜18Dを接地導体15をボンデ
ィングワイヤ23で接続し、信号端子17A〜17Dと信号導
体10A〜10Dとを同様にボンディングワイヤ23で接続
し、良好な接地を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、回路基板に搭載する回
路素子の実装構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2には、従来の回路素子の実装構造が
示されている。この回路素子21は四角形状を呈してお
り、その周縁部には信号端子17A,17B,17C,17Dが
それぞれ設けられている。この各17A〜17Dの両側に
は、各信号端子17A〜17Dを挟んだ位置に接地端子16
A,18A〜16D,18Dが隙間8を介してそれぞれ設けら
れている。この回路素子21は回路基板22上に搭載されて
おり、回路素子21の周りの回路基板22上には回路素子21
の前後、左右に、前記信号端子17A〜17Dと接続する信
号導体14A〜14Dが設けられており、これら信号導体14
A〜14Dの両側には各信号導体14A〜14Dを挟んで、前
記回路素子21に設けた各接地端子16A,18A〜16D,18
Dと接続するための各接地導体15A,19A〜15D,19D
が隙間20を介してそれぞれ設けられている。
【0003】前記各接地端子16A,18A〜16D,18Dは
ボンディングワイヤ23によって接地導体15A,19A〜15
D,19Dとそれぞれ接続されており、各信号端子17A〜
17Dは同様にボンディングワイヤ23によって各信号導体
14A〜14Dとそれぞれ接続されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記回
路素子21の実装構造では、各信号導体14A〜14Dと、こ
れを挟む各2個の接地導体との隙間20が極めて狭いた
め、各接地導体15A,19A〜15D,19Dの導体幅Eを十
分に大きくすることができない。そのため、これら接地
導体の断面積は導体幅が狭いので小さくなり、接地導体
の抵抗値が大きくなる。これにより高周波、高速動作の
際に、接地導体の線路でインピーダンスが大きくなり、
回路性能が悪化して回路素子の応答が遅くなって支障を
生ずるという問題があった。
【0005】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、回路素子の実装状態で、
接地導体のインピーダンスの小さい、回路性能の優れた
回路素子の実装構造を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明の回路素子の実装構造は、回路素子が回路基板に実
装され、回路素子の接地端子が回路基板の接地導体に、
回路素子の信号端子が回路基板の信号導体にそれぞれ接
続されている回路素子の実装構造において、前記回路基
板は内部に1層以上の導体層を有する多層基板により構
成され、この多層基板にはキャビティが設けられ、この
キャビティ内に回路素子が実装されており、キャビティ
の周囲部に第1の導体層と第2の導体層が階層的に露出
形成され、その一方側の導体層を接地導体とし、他方側
の導体層はパターン形成して信号導体としたことを特徴
として構成されている。
【0007】
【作用】回路基板として内部に導体層を有する多層基板
にキャビティを設け、このキャビティの周囲部に多層基
板の一部を取り除いた第1の導体層と第2の導体層を階
層的に露出形成し、一方側の導体層を接地導体とし、他
方側の導体層を信号導体とする。回路素子の実装状態に
おいて、前記接地導体は断面積が極めて大きいので良好
な接地が図れる。これにより、接地導体の低インピーダ
ンス化が図れ、高周波、高速動作が可能となる。
【0008】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、本実施例の説明において、従来例と同一の
名称部分には同一符号を付し、その詳細な重複説明は省
略する。図1には本実施例の回路素子の実装構造が示さ
れている。
【0009】図1において、回路基板1としては内部に
導体層3を有する多層基板1が用いられ、この多層基板
1は下層基板4の上面に導体層3が形成され、この導体
層3の上側に上側基板5が積層され、その基板5の上側
に導体層10A〜10Dが形成されている。この多層基板1
の所望位置には、キャビティ2が設けられている。この
キャビティ2内にトランジスタや電子部品等の半導体チ
ップの回路素子21が実装されており、キャビティ2の周
囲部には第1の導体層3と第2の導体層10A〜10Dが階
層的に露出形成されている。前記第1の導体層3は全面
が接地導体15となり、第2の導体層10A〜10Dは信号導
体としてパターン形成されている。そして、第1の導体
層3はボンディングワイヤ23によって回路素子21の各接
地端子16A,18A〜16D,18Dと接続されており、第2
の導体層10A〜10Dは同様にボンディングワイヤ23によ
って回路素子21の各信号端子17A〜17Dと接続されてい
る。
【0010】次に、本実施例の回路素子の実装構造の作
製方法を図1に基づいて説明する。まず、内部に導体層
3を有する多層基板(実施例では2層基板)1の中央部
に四角形状のキャビティ2を形成する。この四角形状の
キャビティ2の周囲部の上層基板5の内側を取り除き、
キャビティ2の周囲部に下層基板4上の第1の導体層3
を露出させる。この露出した導体層3を接地導体15とし
て機能させる。また、多層基板1の上面のキャビティ2
の周囲部にパターニングにより第2の導体層10A〜10D
を形成し、この導体層10A〜10Dを信号導体14A〜14D
として機能させる。
【0011】この多層基板1のキャビティ2内に回路素
子21を搭載し、回路素子21の各信号端子17A〜17Dをボ
ンディングワイヤ23によって回路基板としての多層基板
1上の信号導体10A〜10Dと接続し、回路素子21の各接
地端子16A,18A〜16D,18Dを同様にボンディングワ
イヤ23によって接地導体15としての第1の導体層3とそ
れぞれ接続して、回路素子21を回路基板1に実装する。
【0012】本実施例によれば、多層基板1の内側に接
地導体15として全面に第1の導体層3を設けたので、接
地導体15は断面積が大きいため、その抵抗値は小さくな
り、良好な接地が可能となる。これにより、接地導体の
低インピーダンス化が図れ、高周波、高速動作時おいて
も、回路性能の悪化の虞がない。
【0013】なお、本発明は上記実施例に限定されるこ
とはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、上記
実施例では、多層基板1に設けたキャビティ2の周囲部
の第1の導体層3を接地導体とし、パターニングにより
形成した第2の導体層10A〜10Dを信号導体としたが、
第1の導体層3をパターニングして信号導体とし、上側
基板5上の導体層全面を接地導体としてもよい。
【0014】また、上記実施例では、回路素子21として
トランジスタや電子部品等を用いたが、本発明は、これ
らの回路素子以外の素子の実装構造に適用することがで
きる。
【0015】
【発明の効果】本発明は、多層基板の内部に第1の導体
層と第2の導体層を階層的に露出形成し一方側の導体層
を接地導体とする構成としたので、接地導体は断面積の
大きい低抵抗の導体層となり、良好な接地が図れる。こ
れにより、接地導体の低インピーダンス化が図れ、高周
波や高速動作が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施例の回路素子の実装構造の説明図であ
る。
【図2】従来の回路素子の実装構造の説明図である。
【符号の説明】
1 多層基板 2 キャビティ 3 第1の導体層 10A〜10D 第2の導体層 16A〜16D,18A〜18D 接地端子 17A〜17D 信号端子 21 回路基板 23 ボンディングワイヤ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回路素子が回路基板に実装され、回路素
    子の接地端子が回路基板の接地導体に、回路素子の信号
    端子が回路基板の信号導体にそれぞれ接続されている回
    路素子の実装構造において、前記回路基板は内部に1層
    以上の導体層を有する多層基板により構成され、この多
    層基板にはキャビティが設けられ、このキャビティ内に
    回路素子が実装されており、キャビティの周囲部に第1
    の導体層と第2の導体層が階層的に露出形成され、その
    一方側の導体層を接地導体とし、他方側の導体層はパタ
    ーン形成して信号導体としたことを特徴とする回路素子
    の実装構造。
JP5172531A 1993-06-18 1993-06-18 回路素子の実装構造 Pending JPH0778902A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5172531A JPH0778902A (ja) 1993-06-18 1993-06-18 回路素子の実装構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5172531A JPH0778902A (ja) 1993-06-18 1993-06-18 回路素子の実装構造

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0778902A true JPH0778902A (ja) 1995-03-20

Family

ID=15943644

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5172531A Pending JPH0778902A (ja) 1993-06-18 1993-06-18 回路素子の実装構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0778902A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009050843A1 (ja) * 2007-10-19 2009-04-23 Advantest Corporation 電子デバイス

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009050843A1 (ja) * 2007-10-19 2009-04-23 Advantest Corporation 電子デバイス
JPWO2009050843A1 (ja) * 2007-10-19 2011-02-24 株式会社アドバンテスト 電子デバイス
US7947908B2 (en) 2007-10-19 2011-05-24 Advantest Corporation Electronic device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2682477B2 (ja) 回路部品の実装構造
JP2799472B2 (ja) 電子部品搭載用基板
JPH06260368A (ja) コンデンサおよびシールドケース
JPH0318112A (ja) チップ型ノイズフィルタの取付け構造
JPH0318113A (ja) ノイズフィルタの取付け構造
US4785141A (en) Wiring structure of termination circuit
JPH0778902A (ja) 回路素子の実装構造
JP2002164658A (ja) モジュール基板
JP2001015885A (ja) 高周波用電子回路及び高周波用電子回路へのチップ三端子コンデンサの実装構造
JPH01185943A (ja) 半導体集積回路装置
JP3169254B2 (ja) 多層配線基板
JPH09307202A (ja) 混成集積回路
JPH03258101A (ja) 回路基板
JP2988599B2 (ja) 配線板および高速icパッケージ
JPS61131497A (ja) 多層プリント基板
JP2556044Y2 (ja) 電子素子搭載基板
JP2000151306A (ja) 半導体装置
JP4795154B2 (ja) ノイズフィルタ実装基板
JP2519449B2 (ja) プリント基板の製造方法
JP3237398B2 (ja) マイクロ波半導体集積回路モジュール
JP2001060827A (ja) マイクロストリップライン型電圧制御発振器
JP2919010B2 (ja) 半導体集積回路実装構造
JPH0136992B2 (ja)
JP2003163308A (ja) シールドされた準同軸導体を有する基板上に形成された集積デカップリングネットワーク
JPS63288097A (ja) 高周波回路基板