JPH0789573B2 - 半導体素子容器 - Google Patents
半導体素子容器Info
- Publication number
- JPH0789573B2 JPH0789573B2 JP61138817A JP13881786A JPH0789573B2 JP H0789573 B2 JPH0789573 B2 JP H0789573B2 JP 61138817 A JP61138817 A JP 61138817A JP 13881786 A JP13881786 A JP 13881786A JP H0789573 B2 JPH0789573 B2 JP H0789573B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- metallized layer
- layer
- sealing
- metallization layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子容器に係り、特に高周波帯で使用さ
れるマイクロ波半導体素子用容器に関する。
れるマイクロ波半導体素子用容器に関する。
高周波トランジスタの容器は、高周波化が進むにつれ、
容器を構成する基体は、より小形化が進むが、同時に気
密性あるいは組立作業性についての問題が生じる。特に
気密性を重視した容器としては、例えば第２図に示す如
く、絶縁性容器基体101上に固着された絶縁性壁部材４
を設けた構造をとり、この壁部材４の上面には封止用メ
タライズ層５を設け、さらにキャップ111の周辺部に封
止用メタライズ層７を設けて、上下のメタライズ層5,7
が、封止用金属６例えば金スズをはさんで、密着封止す
る（第１の従来例）。また、作業性を重視した容器とし
ては、第３図に示す如く、容器基体101上のキャップ封
止面に印刷セラミック205を設け、キャップ211の封止面
上に設けられたガラス材207とによって、封止する第２
の従来例がある。
容器を構成する基体は、より小形化が進むが、同時に気
密性あるいは組立作業性についての問題が生じる。特に
気密性を重視した容器としては、例えば第２図に示す如
く、絶縁性容器基体101上に固着された絶縁性壁部材４
を設けた構造をとり、この壁部材４の上面には封止用メ
タライズ層５を設け、さらにキャップ111の周辺部に封
止用メタライズ層７を設けて、上下のメタライズ層5,7
が、封止用金属６例えば金スズをはさんで、密着封止す
る（第１の従来例）。また、作業性を重視した容器とし
ては、第３図に示す如く、容器基体101上のキャップ封
止面に印刷セラミック205を設け、キャップ211の封止面
上に設けられたガラス材207とによって、封止する第２
の従来例がある。
第２図に示す従来例は、絶縁性壁部材４を設けること
で、例えば金スズのような封止用金属６が使用でき、気
密性に優れた容器を実現できるが、組立工程中において
ペレット供給時のアームあるいはコレットが、又ワイヤ
ボンディング時のウエッジあるいはキャピラリーが、こ
の壁部材４に接触するため、組立工程の作業性を非常に
悪くし、自動化への大きな障害となっている。
で、例えば金スズのような封止用金属６が使用でき、気
密性に優れた容器を実現できるが、組立工程中において
ペレット供給時のアームあるいはコレットが、又ワイヤ
ボンディング時のウエッジあるいはキャピラリーが、こ
の壁部材４に接触するため、組立工程の作業性を非常に
悪くし、自動化への大きな障害となっている。
第３図に示す従来例は、第２図に示すような壁部材４は
なく、組立時の自動化への障害はないが、封止材料にガ
ラス材207等の絶縁物しか使用できない。このため、金
スズのような金属を用いるものに比べ、気密性の点で劣
ったものしかできず、信頼度の高い製品を製造できな
い。このように、従来の構造をもつ容器は、気密性と組
立作業性とのうちどちらかを犠牲にしたものであった。
なく、組立時の自動化への障害はないが、封止材料にガ
ラス材207等の絶縁物しか使用できない。このため、金
スズのような金属を用いるものに比べ、気密性の点で劣
ったものしかできず、信頼度の高い製品を製造できな
い。このように、従来の構造をもつ容器は、気密性と組
立作業性とのうちどちらかを犠牲にしたものであった。
本発明の目的は、前記問題点を解決し、気密性と組立作
業性とを両立させることができるようにした半導体素子
容器を提供することにある。
業性とを両立させることができるようにした半導体素子
容器を提供することにある。
本発明の半導体素子容器の構成は、絶縁性容器基体の上
主表面のうち略中央部を高い位置に、前記略中央部の周
囲部を低い位置になるように２段の形状にし、前記高い
位置に、半導体素子を固着させるメタライズ層及び入出
力電極導出のメタライズ層を形成し、前記高い位置と前
記低い位置との間の前記基体の側表面に前記入出力電極
導出のメタライズ層に続くメタライズ層を形成し、前記
低い位置に前記側表面上のメタライズ層に続くメタライ
ズ層を形成し、前記低い位置に前記側表面上のメタライ
ズ層に離間して絶縁性壁部材を設け、前記高い位置と前
記部材の上主表面とが略同一の高さとなるように前記部
材を形成し、前記部材の上主表面のメタライズ層とキャ
ップのメタライズ層とが金属で封止されることを特徴と
する。
主表面のうち略中央部を高い位置に、前記略中央部の周
囲部を低い位置になるように２段の形状にし、前記高い
位置に、半導体素子を固着させるメタライズ層及び入出
力電極導出のメタライズ層を形成し、前記高い位置と前
記低い位置との間の前記基体の側表面に前記入出力電極
導出のメタライズ層に続くメタライズ層を形成し、前記
低い位置に前記側表面上のメタライズ層に続くメタライ
ズ層を形成し、前記低い位置に前記側表面上のメタライ
ズ層に離間して絶縁性壁部材を設け、前記高い位置と前
記部材の上主表面とが略同一の高さとなるように前記部
材を形成し、前記部材の上主表面のメタライズ層とキャ
ップのメタライズ層とが金属で封止されることを特徴と
する。
次に図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の半導体素子容器を示す断面
図である。同図に示すように、本半導体素子容器は、凸
形絶縁性容器基体１の上主表面と絶縁性壁部材４の上主
表面が、ほぼ同じ高さになるように形成する。凸形絶縁
性容器基体１上に設けられたメタライズ層２には、トラ
ンジスタペレット10が固着される。また、このメタライ
ズ層２は、少くとも接地側リード15に電気的に接続され
ている。入力側リード３は、入力側電極導出用メタライ
ズ層８と電気的に接続されている。絶縁性壁部材４の上
面に設けられた封止用メタライズ層５は、キャップ11に
設けられた封止用メタライズ層７と共に、封止用金属６
によって、容器とキャップ11とを気密封止する。入力側
電極配線用のワイヤ9,出力側電極配線用のワイヤ12,出
力側リード14に電気的に接続されている出力側電極導出
用メタライズ層13等が設けられる。
図である。同図に示すように、本半導体素子容器は、凸
形絶縁性容器基体１の上主表面と絶縁性壁部材４の上主
表面が、ほぼ同じ高さになるように形成する。凸形絶縁
性容器基体１上に設けられたメタライズ層２には、トラ
ンジスタペレット10が固着される。また、このメタライ
ズ層２は、少くとも接地側リード15に電気的に接続され
ている。入力側リード３は、入力側電極導出用メタライ
ズ層８と電気的に接続されている。絶縁性壁部材４の上
面に設けられた封止用メタライズ層５は、キャップ11に
設けられた封止用メタライズ層７と共に、封止用金属６
によって、容器とキャップ11とを気密封止する。入力側
電極配線用のワイヤ9,出力側電極配線用のワイヤ12,出
力側リード14に電気的に接続されている出力側電極導出
用メタライズ層13等が設けられる。
第１図に示したように、基体１の上主表面のうち高い位
置に形成されたメタライズ層8,13は、高い位置と低い位
置との間の側表面のメタライズ層とそれぞれ電気的に接
続され、さらに低い位置の上主表面のメタライズ層とそ
れぞれ電気的に接続されている。また、部材４と側表面
上のメタライズ層とは離間している。
置に形成されたメタライズ層8,13は、高い位置と低い位
置との間の側表面のメタライズ層とそれぞれ電気的に接
続され、さらに低い位置の上主表面のメタライズ層とそ
れぞれ電気的に接続されている。また、部材４と側表面
上のメタライズ層とは離間している。
以上説明したように、本発明によれば、トランジスタペ
レット・マウント面である容器基体上面と封止面である
壁部材上面とが、ほぼ同一の高さに形成できるため、組
立の作業性がよく、金属封止ができるため、気密性にも
すぐれた高信頼度で量産性のある容器が実現できる等の
効果が得られる。さらに、本発明によれば、側表面のメ
タライズ層が、絶縁性壁部材と離間しているため、この
部材上の封止用金属と封止時に短絡事故を発生する心配
がなく、また特にマイクロ波半導体素子に適した、低損
失の容器が得られるという効果がある。
レット・マウント面である容器基体上面と封止面である
壁部材上面とが、ほぼ同一の高さに形成できるため、組
立の作業性がよく、金属封止ができるため、気密性にも
すぐれた高信頼度で量産性のある容器が実現できる等の
効果が得られる。さらに、本発明によれば、側表面のメ
タライズ層が、絶縁性壁部材と離間しているため、この
部材上の封止用金属と封止時に短絡事故を発生する心配
がなく、また特にマイクロ波半導体素子に適した、低損
失の容器が得られるという効果がある。
尚前記実施例の説明は、FET型トランジスタを想定して
いるが、バイポーラ型トランジスタの場合につても同様
である。
いるが、バイポーラ型トランジスタの場合につても同様
である。
第１図は本発明の実施例の半導体素子容器を示す断面
図、第２図は第１の従来例のマイクロ波半導体素子用容
器を示す断面図、第３図は第２の従来例のマイクロ波半
導体素子用容器を示す断面図である。 １……凸形絶縁性容器基体、２……ペレット固着用メタ
ライズ層、３……入力側リード、４……絶縁性壁部材、
５……容器側封止用メタライズ層、６……封止用金属、
７……キャップ側封止用メタライズ層、８……入力側電
極導出用メタライズ層、９……入力側電極配線用ワイ
ヤ、10……トランジスタペレット、11……キャップ、12
……出力側電極配線用ワイヤ、13……出力側電極導出用
メタライズ層、14……出力側リード、15……接地側リー
ド、101……絶縁性容器基体、111,211……キャップ、20
5……印刷セラミック、207……封止用ガラス材。
図、第２図は第１の従来例のマイクロ波半導体素子用容
器を示す断面図、第３図は第２の従来例のマイクロ波半
導体素子用容器を示す断面図である。 １……凸形絶縁性容器基体、２……ペレット固着用メタ
ライズ層、３……入力側リード、４……絶縁性壁部材、
５……容器側封止用メタライズ層、６……封止用金属、
７……キャップ側封止用メタライズ層、８……入力側電
極導出用メタライズ層、９……入力側電極配線用ワイ
ヤ、10……トランジスタペレット、11……キャップ、12
……出力側電極配線用ワイヤ、13……出力側電極導出用
メタライズ層、14……出力側リード、15……接地側リー
ド、101……絶縁性容器基体、111,211……キャップ、20
5……印刷セラミック、207……封止用ガラス材。
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁性容器基体の上主表面のうち略中央部
を高い位置に、前記略中央部の周囲部を低い位置になる
ように２段の形状にし、前記高い位置に、半導体素子を
固着させるメタライズ層及び入出力電極導出のメタライ
ズ層を形成し、前記高い位置と前記低い位置との間の前
記基体の側表面に前記入出力電極導出のメタライズ層に
続くメタライズ層を形成し、前記低い位置に前記側表面
上のメタライズ層に続くメタライズ層を形成し、前記低
い位置に前記側表面上のメタライズ層に離間して絶縁性
壁部材を設け、前記高い位置と前記部材の上主表面とが
略同一の高さとなるように前記部材を形成し、前記部材
の上主表面のメタライズ層とキャップのメタライズ層と
が金属で封止されることを特徴とする半導体素子容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61138817A JPH0789573B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 半導体素子容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61138817A JPH0789573B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 半導体素子容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62293742A JPS62293742A (ja) | 1987-12-21 |
| JPH0789573B2 true JPH0789573B2 (ja) | 1995-09-27 |
Family
ID=15230928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61138817A Expired - Lifetime JPH0789573B2 (ja) | 1986-06-13 | 1986-06-13 | 半導体素子容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0789573B2 (ja) |
-
1986
- 1986-06-13 JP JP61138817A patent/JPH0789573B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62293742A (ja) | 1987-12-21 |
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