JPH079443Y2 - Ｍｓｗフィルタ - Google Patents
ＭｓｗフィルタInfo
- Publication number
- JPH079443Y2 JPH079443Y2 JP11158988U JP11158988U JPH079443Y2 JP H079443 Y2 JPH079443 Y2 JP H079443Y2 JP 11158988 U JP11158988 U JP 11158988U JP 11158988 U JP11158988 U JP 11158988U JP H079443 Y2 JPH079443 Y2 JP H079443Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- msw
- yig thin
- filter
- yig
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 32
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案はMSWフィルタに関し、特にたとえばMSFVWモー
ドを用いたMSWフィルタに関する。
ドを用いたMSWフィルタに関する。
（従来技術） 第３図はこの考案の背景となる従来のMSWフィルタの一
例を示す斜視図である。このMSWフィルタ１は、YIG（イ
ットリウム，アイアン，ガーネット）薄膜２を含み、YI
G薄膜２は、GGG（ガドリニウム，ガリウム，ガーネッ
ト）基板３の一方主面上に形成されている。さらに、YI
G薄膜２上には２つの入出力アンテナ４および５が間隔
を隔てて設けられていて、これらのアンテナ４および５
は、それらの一方端が接地され、それらの他方端が入力
端子６および出力端子７にそれぞれ接続されている。YI
G薄膜２の上方には磁石８が配置され、この磁石８によ
って、YIG薄膜２の面に直交する方向に磁界が印加され
る。
例を示す斜視図である。このMSWフィルタ１は、YIG（イ
ットリウム，アイアン，ガーネット）薄膜２を含み、YI
G薄膜２は、GGG（ガドリニウム，ガリウム，ガーネッ
ト）基板３の一方主面上に形成されている。さらに、YI
G薄膜２上には２つの入出力アンテナ４および５が間隔
を隔てて設けられていて、これらのアンテナ４および５
は、それらの一方端が接地され、それらの他方端が入力
端子６および出力端子７にそれぞれ接続されている。YI
G薄膜２の上方には磁石８が配置され、この磁石８によ
って、YIG薄膜２の面に直交する方向に磁界が印加され
る。
この入力端子６からアンテナ４に入力信号を印加すると
YIG薄膜２に静磁波（MSW）が発生し、この静磁波をうけ
てアンテナ５から出力端７に出力信号が取り出される。
YIG薄膜２に静磁波（MSW）が発生し、この静磁波をうけ
てアンテナ５から出力端７に出力信号が取り出される。
（考案が解決しようとする課題） しかしながら、このような従来のMSWフィルタでは、そ
の周波数帯域幅が20MHz以下と小さい。
の周波数帯域幅が20MHz以下と小さい。
それゆえに、この考案の主たる目的は、周波数帯域幅の
大きいMSWフィルタを提供することである。
大きいMSWフィルタを提供することである。
（課題を解決するための手段） この考案は、YIG薄膜と、YIG薄膜の両端に形成されるア
ンテナとを含むMSWフィルタであって、YIG薄膜は飽和磁
化の異なる部分が順次並ぶように形成され、アンテナは
YIG薄膜の飽和磁化の異なる部分を横切るように形成さ
れる、MSWフィルタである。
ンテナとを含むMSWフィルタであって、YIG薄膜は飽和磁
化の異なる部分が順次並ぶように形成され、アンテナは
YIG薄膜の飽和磁化の異なる部分を横切るように形成さ
れる、MSWフィルタである。
（作用） YIG薄膜の飽和磁化の異なった部分が、それぞれ異なっ
た周波数帯域を有するMSWフィルタを形成する。
た周波数帯域を有するMSWフィルタを形成する。
（考案の効果） この考案によれば、YIG薄膜の飽和磁化の異なった部分
の周波数帯域が重なりあって、全体として大きい周波数
帯域幅を有するMSWフィルタを得ることができる。
の周波数帯域が重なりあって、全体として大きい周波数
帯域幅を有するMSWフィルタを得ることができる。
この考案の上述の目的，その他の目的，特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例） 第１図はこの考案の一実施例を示す斜視図である。この
MSWフィルタ10はYIG（イットリウム、アイアン，ガーネ
ット）薄膜12を含む。このYIG薄膜12は、台としてのGGG
（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板14の一方
主面上に形成される。このYIG薄膜12は、たとえば３種
類の材料で形成される。これらの３種類の材料は、それ
ぞれ異なった飽和磁化４πMs0,4πMs1および４πMs2を
有する。これらの飽和磁化の異なった部分12a,12bおよ
び12cが順次並ぶように配置されることによって、YIG薄
膜12が形成されている。
MSWフィルタ10はYIG（イットリウム、アイアン，ガーネ
ット）薄膜12を含む。このYIG薄膜12は、台としてのGGG
（ガドリニウム，ガリウム，ガーネット）基板14の一方
主面上に形成される。このYIG薄膜12は、たとえば３種
類の材料で形成される。これらの３種類の材料は、それ
ぞれ異なった飽和磁化４πMs0,4πMs1および４πMs2を
有する。これらの飽和磁化の異なった部分12a,12bおよ
び12cが順次並ぶように配置されることによって、YIG薄
膜12が形成されている。
さらに、YIG薄膜12の両端には、入力アンテナ16および
出力アンテナ18が形成される。これらの入力アンテナ16
および出力アンテナ18は、YIG薄膜12の飽和磁化の異な
る部分12a,12bおよび12cを横切るように形成される。入
力アンテナ16の一端は接地され、他端には入力端子20が
接続される。さらに、出力アンテナ18の一端は接地さ
れ、他端には出力端子22が接続される。
出力アンテナ18が形成される。これらの入力アンテナ16
および出力アンテナ18は、YIG薄膜12の飽和磁化の異な
る部分12a,12bおよび12cを横切るように形成される。入
力アンテナ16の一端は接地され、他端には入力端子20が
接続される。さらに、出力アンテナ18の一端は接地さ
れ、他端には出力端子22が接続される。
YIG薄膜12の上方には磁石24が配置され、この磁石24に
よって、YIG薄膜12の面に直交する方向に磁界が印加さ
れる。したがって、このMSWフィルタ10は、MSFVWモード
を用いたフィルタとなる。
よって、YIG薄膜12の面に直交する方向に磁界が印加さ
れる。したがって、このMSWフィルタ10は、MSFVWモード
を用いたフィルタとなる。
このMSWフィルタ10を使用する場合、入力端子20から入
力アンテナ16に入力信号が印加される。この入力信号に
応じて、YIG薄膜12に静磁波（MSW）が発生する。そし
て、この静磁波をうけて出力アンテナ18から出力端子22
に出力信号が取り出される。
力アンテナ16に入力信号が印加される。この入力信号に
応じて、YIG薄膜12に静磁波（MSW）が発生する。そし
て、この静磁波をうけて出力アンテナ18から出力端子22
に出力信号が取り出される。
このとき、YIG薄膜12の飽和磁化の異なる部分12a,12bお
よび12cには、それぞれ異なった周波数帯域を有するフ
ィルタが形成される。YIG薄膜12に印加される磁界の強
さをH0（kGauss）としたとき、YIG薄膜12の飽和磁化の
異なる部分12a,12bおよび12cにおける共振周波数f1（GH
z），f2（GHz）およびf3（GHz）は、それぞれ f1＝2.8x（H0−４πMs0） f2＝2.8x（H0−４πMs1） f3＝2.8x（H0−４πMs2） で表される。つまり、このMSWフィルタ10は、第２図に
示すように、３つの共振周波数f1，f2，およびf3の重な
り合った周波数帯域幅を有するフィルタとなる。したが
って、このMSWフィルタ10では、30MHz以上の大きい周波
数帯域幅を得ることができる。
よび12cには、それぞれ異なった周波数帯域を有するフ
ィルタが形成される。YIG薄膜12に印加される磁界の強
さをH0（kGauss）としたとき、YIG薄膜12の飽和磁化の
異なる部分12a,12bおよび12cにおける共振周波数f1（GH
z），f2（GHz）およびf3（GHz）は、それぞれ f1＝2.8x（H0−４πMs0） f2＝2.8x（H0−４πMs1） f3＝2.8x（H0−４πMs2） で表される。つまり、このMSWフィルタ10は、第２図に
示すように、３つの共振周波数f1，f2，およびf3の重な
り合った周波数帯域幅を有するフィルタとなる。したが
って、このMSWフィルタ10では、30MHz以上の大きい周波
数帯域幅を得ることができる。
なお、上述の実施例ではYIG薄膜12を３つの飽和磁化を
有する材料で形成したが、４つの飽和磁化を有する材料
で形成するなど、その数は任意に変更可能である。
有する材料で形成したが、４つの飽和磁化を有する材料
で形成するなど、その数は任意に変更可能である。
また、上述の実施例では、MSFVWモードを用いたMSWフィ
ルタとしたが、YIG薄膜12の面に平行な磁界を印加する
ことによって、MSSWモードやMSBVWモードを用いたMSWフ
ィルタとすることも可能である。このような場合でも、
MSWフィルタ10の周波数帯域幅を大きくすることができ
る。
ルタとしたが、YIG薄膜12の面に平行な磁界を印加する
ことによって、MSSWモードやMSBVWモードを用いたMSWフ
ィルタとすることも可能である。このような場合でも、
MSWフィルタ10の周波数帯域幅を大きくすることができ
る。
第１図はこの考案の一実施例を示す斜視図である。 第２図は第１図に示すMSWフィルタの周波数特性を示す
グラフである。 第３図はこの考案の背景となる従来のMSWフィルタの一
例を示す斜視図である。 図において、10はMSWフィルタ、12はYIG薄膜、12a,12b
および12cはYIG薄膜の飽和磁化の異なる部分、16は入力
アンテナ、18は出力アンテナを示す。
グラフである。 第３図はこの考案の背景となる従来のMSWフィルタの一
例を示す斜視図である。 図において、10はMSWフィルタ、12はYIG薄膜、12a,12b
および12cはYIG薄膜の飽和磁化の異なる部分、16は入力
アンテナ、18は出力アンテナを示す。
Claims (1)
- 【請求項１】YIG薄膜と、前記YIG薄膜の両端に形成され
るアンテナとを含むMSWフィルタであって、 前記YIG薄膜は飽和磁化の異なる部分が順次並ぶように
形成され、 前記アンテナは前記YIG薄膜の飽和磁化の異なる部分を
横切るように形成される、MSWフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11158988U JPH079443Y2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | Ｍｓｗフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11158988U JPH079443Y2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | Ｍｓｗフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0232230U JPH0232230U (ja) | 1990-02-28 |
| JPH079443Y2 true JPH079443Y2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=31349768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11158988U Expired - Lifetime JPH079443Y2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | Ｍｓｗフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079443Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP11158988U patent/JPH079443Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0232230U (ja) | 1990-02-28 |
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