JPH0794993A - ノイズ吸収装置 - Google Patents
ノイズ吸収装置Info
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- JPH0794993A JPH0794993A JP26169293A JP26169293A JPH0794993A JP H0794993 A JPH0794993 A JP H0794993A JP 26169293 A JP26169293 A JP 26169293A JP 26169293 A JP26169293 A JP 26169293A JP H0794993 A JPH0794993 A JP H0794993A
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- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N nickel ferrite Chemical group [Ni]=O.O=[Fe]O[Fe]=O NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 インダクタンスと容量とで構成されるノイズ
吸収装置における応答特性を改善し、かつ小型でサージ
耐量特性を高める。 【構成】 ２つの端子板１，２にそれぞれ磁界率の高い
非金属の被膜４，５を形成してインダクタンス素子Ｌ
１，Ｌ２を形成し、別の１つの端子板３にツェナーダイ
オードＺＤ８を搭載し、これら３つの端子板の各一端部
を外部端子Ｔ１〜Ｔ３として構成し、かつ前者の２つの
端子板にそれぞれボンディングワイヤ９，１０によりツ
ェナーダイオード８を接続する。インダクタンス素子と
ツェナーダイオードを薄型素子として構成できるため、
装置の薄型化、小型化が可能となり、かつツェナーダイ
オードの低容量値によって応答特性を高め、サージ耐量
特性の向上を容易なものとする。
吸収装置における応答特性を改善し、かつ小型でサージ
耐量特性を高める。 【構成】 ２つの端子板１，２にそれぞれ磁界率の高い
非金属の被膜４，５を形成してインダクタンス素子Ｌ
１，Ｌ２を形成し、別の１つの端子板３にツェナーダイ
オードＺＤ８を搭載し、これら３つの端子板の各一端部
を外部端子Ｔ１〜Ｔ３として構成し、かつ前者の２つの
端子板にそれぞれボンディングワイヤ９，１０によりツ
ェナーダイオード８を接続する。インダクタンス素子と
ツェナーダイオードを薄型素子として構成できるため、
装置の薄型化、小型化が可能となり、かつツェナーダイ
オードの低容量値によって応答特性を高め、サージ耐量
特性の向上を容易なものとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種電子機器から出力さ
れ、或いは電子機器に入力されるノイズを吸収するため
の装置に関し、特にノイズ吸収特性の改善及び小型化を
図ったノイズ吸収装置に関する。
れ、或いは電子機器に入力されるノイズを吸収するため
の装置に関し、特にノイズ吸収特性の改善及び小型化を
図ったノイズ吸収装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ノイズ吸収装置として、図５
（ａ）及び（ｂ）に示す回路構成のものが提案されてい
る。同図（ａ）は、外部端子Ｔ１とＴ２′との間にイン
ダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を直列に接続し、かつこれら
の接続点と外部端子Ｔ３との間にコンデンサＣを接続し
たものである。また、同図（ｂ）はコンデンサに代えて
バリスタＶを接続したものである。このノイズ吸収装置
では、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２と、コンデンサＣ
或いはバリスタＶの容量成分とで外部端子Ｔ１とＴ３
間、或いはＴ２とＴ３間に入力された急峻な波形のノイ
ズを吸収し、他方の端子間に出力されることを防止する
ものである。
（ａ）及び（ｂ）に示す回路構成のものが提案されてい
る。同図（ａ）は、外部端子Ｔ１とＴ２′との間にイン
ダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を直列に接続し、かつこれら
の接続点と外部端子Ｔ３との間にコンデンサＣを接続し
たものである。また、同図（ｂ）はコンデンサに代えて
バリスタＶを接続したものである。このノイズ吸収装置
では、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２と、コンデンサＣ
或いはバリスタＶの容量成分とで外部端子Ｔ１とＴ３
間、或いはＴ２とＴ３間に入力された急峻な波形のノイ
ズを吸収し、他方の端子間に出力されることを防止する
ものである。
【０００３】図６は図５（ａ）の具体的な構成を示す図
であり、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２としてフェライ
トビーズＦ１，Ｆ２はマンガン系またはニッケル系のフ
ェライト磁心を円筒型に成形し、かつ高温で焼成した構
成とされ、このフェライトビーズＦ１，Ｆ２に外部端子
Ｔ１，Ｔ２に接続された配線を挿通させている。また、
コンデンサＣは単体部品のものが用いられ、前記外部端
子Ｔ１，Ｔ２とＴ３に接続されている。そして、これら
を樹脂Ｒによりパッケージした構成とされている。
であり、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２としてフェライ
トビーズＦ１，Ｆ２はマンガン系またはニッケル系のフ
ェライト磁心を円筒型に成形し、かつ高温で焼成した構
成とされ、このフェライトビーズＦ１，Ｆ２に外部端子
Ｔ１，Ｔ２に接続された配線を挿通させている。また、
コンデンサＣは単体部品のものが用いられ、前記外部端
子Ｔ１，Ｔ２とＴ３に接続されている。そして、これら
を樹脂Ｒによりパッケージした構成とされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のノイ
ズ吸収装置では、容量素子としてコンデンサやバリスタ
を利用しているが、これらの素子の容量は比較的に大き
なものであるため、ノイズ吸収時における応答特性が劣
化され、急峻なノイズの吸収効果が低いという問題があ
る。また、インダクタンス素子としフェライトビーズを
用いているため、その円筒形状によって装置の小型化が
難しいという問題もある。更に、小型化を図るためにフ
ェライトビーズやコンデンサ、バリスタを小型化する
と、ノイズ吸収に必要なサージ耐量特性が低下するとい
う問題もある。本発明の目的は、ノイズ吸収時の応答特
性を改善し、かつ小型でサージ耐量特性を高めたノイズ
吸収装置を提供することにある。
ズ吸収装置では、容量素子としてコンデンサやバリスタ
を利用しているが、これらの素子の容量は比較的に大き
なものであるため、ノイズ吸収時における応答特性が劣
化され、急峻なノイズの吸収効果が低いという問題があ
る。また、インダクタンス素子としフェライトビーズを
用いているため、その円筒形状によって装置の小型化が
難しいという問題もある。更に、小型化を図るためにフ
ェライトビーズやコンデンサ、バリスタを小型化する
と、ノイズ吸収に必要なサージ耐量特性が低下するとい
う問題もある。本発明の目的は、ノイズ吸収時の応答特
性を改善し、かつ小型でサージ耐量特性を高めたノイズ
吸収装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は導電部材の表面
に磁界率の高い非鉄金属の被膜を形成したインダクタン
ス素子と、このインダクタンス素子に接続したツェナー
ダイオードとで構成したことを特徴とする。ここで、２
つのインダクタンス素子を直列に接続し、この接続点に
ツェナーダイオードを接続する。例えば、２つの導電部
材にそれぞれインダクタンス素子を形成し、別の１つの
導電部材にツェナーダイオードを搭載し、前記３つの導
電部材の各一端部を外部端子として構成し、前者の２つ
の導電部材の他端部をそれぞれボンディングワイヤによ
りツェナーダイオードに接続する。また、ボンディング
ワイヤをスパイラル状に加工する。
に磁界率の高い非鉄金属の被膜を形成したインダクタン
ス素子と、このインダクタンス素子に接続したツェナー
ダイオードとで構成したことを特徴とする。ここで、２
つのインダクタンス素子を直列に接続し、この接続点に
ツェナーダイオードを接続する。例えば、２つの導電部
材にそれぞれインダクタンス素子を形成し、別の１つの
導電部材にツェナーダイオードを搭載し、前記３つの導
電部材の各一端部を外部端子として構成し、前者の２つ
の導電部材の他端部をそれぞれボンディングワイヤによ
りツェナーダイオードに接続する。また、ボンディング
ワイヤをスパイラル状に加工する。
【０００６】
【作用】インダクタンス素子は、所定のインダクタンス
成分を得る場合でもインダクタンス素子を薄型の素子と
して形成でき、ツェナーダイオードはシリコン基板によ
り薄型に形成できるため、ノイズ吸収装置を薄く、かつ
小型に形成することが可能となる。また、インダクタン
ス素子の磁束効果と、ツェナーダイオードの容量とでノ
イズ吸収を行うが、ツェナーダイオードの低容量値によ
って良好な応答特性を示し、急峻な立上りのノイズ吸収
が可能となる。更に、ツェナーダイオードのチップサイ
ズを適宜に変更することにより、サージ耐量の増大が可
能となる。
成分を得る場合でもインダクタンス素子を薄型の素子と
して形成でき、ツェナーダイオードはシリコン基板によ
り薄型に形成できるため、ノイズ吸収装置を薄く、かつ
小型に形成することが可能となる。また、インダクタン
ス素子の磁束効果と、ツェナーダイオードの容量とでノ
イズ吸収を行うが、ツェナーダイオードの低容量値によ
って良好な応答特性を示し、急峻な立上りのノイズ吸収
が可能となる。更に、ツェナーダイオードのチップサイ
ズを適宜に変更することにより、サージ耐量の増大が可
能となる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の回路構成図であり、第１
及び第２の外部端子Ｔ１，Ｔ２間にインダクタンス素子
Ｌ１，Ｌ２を直列接続し、これらインダクタンス素子Ｌ
１，Ｌ２の接続点と第３の外部端子Ｔ３との間に容量素
子としてツェナーダイオードＺＤを接続している。図２
は図１の回路を具体化した一例の内部構成を示す平面図
と側面図であり、３つの外部端子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３とし
て銅等の金属板を加工した端子板１，２，３を平面三角
配置し、その２つの外部端子Ｔ１，Ｔ２の表面一部に前
記インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２として、酸化膜、ニッ
ケル合金、カーボン等の磁界率の高い非鉄金属素材を無
電解メッキまたは真空蒸着等の工法により被着して被膜
４，５を形成する。そして、この被膜４，５の一部を除
去してボンディングパッド６，７を形成し、このボンデ
ィングパッド６，７と端子板１，２との間に被膜４，５
によりインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を構成する。
る。図１は本発明の一実施例の回路構成図であり、第１
及び第２の外部端子Ｔ１，Ｔ２間にインダクタンス素子
Ｌ１，Ｌ２を直列接続し、これらインダクタンス素子Ｌ
１，Ｌ２の接続点と第３の外部端子Ｔ３との間に容量素
子としてツェナーダイオードＺＤを接続している。図２
は図１の回路を具体化した一例の内部構成を示す平面図
と側面図であり、３つの外部端子Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３とし
て銅等の金属板を加工した端子板１，２，３を平面三角
配置し、その２つの外部端子Ｔ１，Ｔ２の表面一部に前
記インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２として、酸化膜、ニッ
ケル合金、カーボン等の磁界率の高い非鉄金属素材を無
電解メッキまたは真空蒸着等の工法により被着して被膜
４，５を形成する。そして、この被膜４，５の一部を除
去してボンディングパッド６，７を形成し、このボンデ
ィングパッド６，７と端子板１，２との間に被膜４，５
によりインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を構成する。
【０００８】また、他の１つの端子板３にはツェナーダ
イオード素子８を搭載し、そのアノードを端子板３に接
続する。このツェナーダイオード素子８はシリコンツェ
ナーダイオードとして構成されており、そのカソードに
はアルミニウムや金からなる２本のボンディングワイヤ
９，１０を接続し、前記２つの端子板１，２に設けたボ
ンディングパッド６，７にそれぞれ接続する。そして、
前記端子板１，２，３、被膜４，５、ツェナーダイオー
ド素子８、ボンディングワイヤ９，１０等を樹脂１１に
より一体的に封止した構成とする。
イオード素子８を搭載し、そのアノードを端子板３に接
続する。このツェナーダイオード素子８はシリコンツェ
ナーダイオードとして構成されており、そのカソードに
はアルミニウムや金からなる２本のボンディングワイヤ
９，１０を接続し、前記２つの端子板１，２に設けたボ
ンディングパッド６，７にそれぞれ接続する。そして、
前記端子板１，２，３、被膜４，５、ツェナーダイオー
ド素子８、ボンディングワイヤ９，１０等を樹脂１１に
より一体的に封止した構成とする。
【０００９】このように構成されるノイズ吸収装置で
は、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２は、端子板１，２の
表面に磁界率の高い非金属素材の被膜４，５を形成する
ことによって形成しているので、所定のインダクタンス
成分を得る場合でもインダクタンス素子を薄型の素子と
して構成できる。また、ツェナーダイオード素子８はシ
リコン基板にプレーナ技術によって形成した半導体素子
として形成しているため、薄型に構成できる。したがっ
て、これらの回路を樹脂１１で封止してノイズ吸収装置
を形成した場合でも、その外形状を薄く、かつ小型に形
成することが可能となる。そして、インダクタンス素子
Ｌ１，Ｌ２の磁束効果と、ツェナーダイオードＺＤの容
量とでノイズ吸収を行うが、シリコンツェナーダイオー
ドは、コンデンサやバリスタに比較して容量値が１桁小
さい（８ｐＦ）ため、高周波に対しても良好な応答特性
を示し、インダクタンス素子と接続することにより急峻
な立上りのノイズ吸収が可能となる。
は、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２は、端子板１，２の
表面に磁界率の高い非金属素材の被膜４，５を形成する
ことによって形成しているので、所定のインダクタンス
成分を得る場合でもインダクタンス素子を薄型の素子と
して構成できる。また、ツェナーダイオード素子８はシ
リコン基板にプレーナ技術によって形成した半導体素子
として形成しているため、薄型に構成できる。したがっ
て、これらの回路を樹脂１１で封止してノイズ吸収装置
を形成した場合でも、その外形状を薄く、かつ小型に形
成することが可能となる。そして、インダクタンス素子
Ｌ１，Ｌ２の磁束効果と、ツェナーダイオードＺＤの容
量とでノイズ吸収を行うが、シリコンツェナーダイオー
ドは、コンデンサやバリスタに比較して容量値が１桁小
さい（８ｐＦ）ため、高周波に対しても良好な応答特性
を示し、インダクタンス素子と接続することにより急峻
な立上りのノイズ吸収が可能となる。
【００１０】この場合、ツェナーダイオードＺＤのチッ
プサイズを適宜に変更することにより、サージ耐量を任
意に設定することができ、その増大を簡単に行うことが
可能となる。また、シリコンツェナーダイオードは漏れ
電流がコンデンサやバリスタに比較して微小であるた
め、電池駆動の機器等における電池寿命を延ばす上で有
効となる。
プサイズを適宜に変更することにより、サージ耐量を任
意に設定することができ、その増大を簡単に行うことが
可能となる。また、シリコンツェナーダイオードは漏れ
電流がコンデンサやバリスタに比較して微小であるた
め、電池駆動の機器等における電池寿命を延ばす上で有
効となる。
【００１１】図３は本発明の他の実施例の回路図であ
る。この実施例では前記実施例のツェナーダイオードに
代えてカソードコモンツェナーダイオードＺＤ′を接続
した例であり、正負両方向のノイズ電圧に対しても有効
な吸収機能を有する。また、図４に示すように、図２に
示した構成においてツェナーダイオード８と端子板１，
２のボンディングパッド６，７とを接続するボンディン
グワイヤ９，１０をスパイラル状のボンディングワイ
９′，１０′として構成することで、このボンディング
ワイヤ９′，１０′の両端に印加されるノイズ電圧によ
って磁界が発生し、インダクタンスの増強を行うことが
できる。更に、図示は省略するが、外部端子に被膜する
非鉄金属の密度を粗くすることによりインダクタンス特
性を向上させることも可能である。
る。この実施例では前記実施例のツェナーダイオードに
代えてカソードコモンツェナーダイオードＺＤ′を接続
した例であり、正負両方向のノイズ電圧に対しても有効
な吸収機能を有する。また、図４に示すように、図２に
示した構成においてツェナーダイオード８と端子板１，
２のボンディングパッド６，７とを接続するボンディン
グワイヤ９，１０をスパイラル状のボンディングワイ
９′，１０′として構成することで、このボンディング
ワイヤ９′，１０′の両端に印加されるノイズ電圧によ
って磁界が発生し、インダクタンスの増強を行うことが
できる。更に、図示は省略するが、外部端子に被膜する
非鉄金属の密度を粗くすることによりインダクタンス特
性を向上させることも可能である。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、導電部材
の表面に磁界率の高い非鉄金属の被膜を形成してインダ
クタンス素子を形成し、このインダクタンス素子にツェ
ナーダイオードを接続してノイズ吸収装置を形成してい
るので、所定のインダクタンス成分を得る場合でもイン
ダクタンス素子を薄型の素子として形成でき、かつツェ
ナーダイオードはプレーナ技術によって薄型の半導体素
子として形成できるため、ノイズ吸収装置を薄く、かつ
小型に形成することが可能となる。また、インダクタン
ス素子の磁束効果と、ツェナーダイオードの容量とでノ
イズ吸収を行うが、シリコンツェナーダイオードは、コ
ンデンサやバリスタに比較して容量値が１桁小さいた
め、高周波に対しても良好な応答特性を示し、インダク
タンス素子と接続することにより急峻な立上りのノイズ
吸収が可能となる。この場合、ツェナーダイオードのチ
ップサイズを適宜に変更することにより、サージ耐量を
任意に設定することができ、その増大を簡単に行うこと
が可能となる。更に、シリコンツェナーダイオードは漏
れ電流がコンデンサやバリスタに比較して微小であるた
め、電池駆動の機器等における電池寿命を延ばす上で有
効となる。
の表面に磁界率の高い非鉄金属の被膜を形成してインダ
クタンス素子を形成し、このインダクタンス素子にツェ
ナーダイオードを接続してノイズ吸収装置を形成してい
るので、所定のインダクタンス成分を得る場合でもイン
ダクタンス素子を薄型の素子として形成でき、かつツェ
ナーダイオードはプレーナ技術によって薄型の半導体素
子として形成できるため、ノイズ吸収装置を薄く、かつ
小型に形成することが可能となる。また、インダクタン
ス素子の磁束効果と、ツェナーダイオードの容量とでノ
イズ吸収を行うが、シリコンツェナーダイオードは、コ
ンデンサやバリスタに比較して容量値が１桁小さいた
め、高周波に対しても良好な応答特性を示し、インダク
タンス素子と接続することにより急峻な立上りのノイズ
吸収が可能となる。この場合、ツェナーダイオードのチ
ップサイズを適宜に変更することにより、サージ耐量を
任意に設定することができ、その増大を簡単に行うこと
が可能となる。更に、シリコンツェナーダイオードは漏
れ電流がコンデンサやバリスタに比較して微小であるた
め、電池駆動の機器等における電池寿命を延ばす上で有
効となる。
【図１】本発明の一実施例の回路構成図である。
【図２】図１の回路の具体例の内部構成を示す平面図と
側面図である。
側面図である。
【図３】本発明の他の実施例の回路構成図である。
【図４】本発明の更に他の実施例の具体例の内部構成を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】従来のノイズ吸収装置の異なる例の回路構成図
である。
である。
【図６】従来のノイズ吸収装置の具体例の内部構成を示
す平面図である。
す平面図である。
１，２，３ 端子板 ４，５ 被膜 ６，７ ボンディングパッド ８ ツェナーダイオード素子 ９，１０ ボンディングワイヤ Ｔ１〜Ｔ３ 外部端子 Ｌ１，Ｌ２ インダクタンス素子 ＺＤ ツェナーダイオード
Claims (4)
- 【請求項１】 導電部材の表面に磁界率の高い非鉄金属
の被膜を形成したインダクタンス素子と、このインダク
タンス素子に接続したツェナーダイオードとで構成した
ことを特徴とするノイズ吸収装置。 - 【請求項２】 ２つのインダクタンス素子を直列に接続
し、この接続点にツェナーダイオードを接続してなる請
求項１のノイズ吸収装置。 - 【請求項３】 ２つの導電部材にそれぞれインダクタン
ス素子を形成し、別の１つの導電部材にツェナーダイオ
ードを搭載し、前記３つの導電部材の各一端部を外部端
子として構成し、前者の２つの導電部材の他端部をそれ
ぞれボンディングワイヤによりツェナーダイオードに接
続してなる請求項２のノイズ吸収装置。 - 【請求項４】 ボンディングワイヤをスパイラル状に加
工してなる請求項３のノイズ吸収装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26169293A JPH0794993A (ja) | 1993-09-25 | 1993-09-25 | ノイズ吸収装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26169293A JPH0794993A (ja) | 1993-09-25 | 1993-09-25 | ノイズ吸収装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794993A true JPH0794993A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17365393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26169293A Pending JPH0794993A (ja) | 1993-09-25 | 1993-09-25 | ノイズ吸収装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794993A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022176842A (ja) * | 2021-05-17 | 2022-11-30 | 富士電機株式会社 | 集積回路 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6232624B2 (ja) * | 1979-02-08 | 1987-07-15 | Handotai Kenkyu Shinkokai | |
| JPH02189960A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Nippon Soken Inc | 集積回路装置の実装構造 |
| JPH0513240A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプ形フエライトビーズコアおよびその製造方法 |
| JPH05101937A (ja) * | 1991-10-03 | 1993-04-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体チツプ搭載用電磁装置 |
| JP3123316B2 (ja) * | 1993-09-24 | 2001-01-09 | キヤノン株式会社 | 加熱装置 |
-
1993
- 1993-09-25 JP JP26169293A patent/JPH0794993A/ja active Pending
Patent Citations (5)
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