JPH0795793B2 - 画像読取装置 - Google Patents

画像読取装置

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JPH0795793B2
JPH0795793B2 JP60176617A JP17661785A JPH0795793B2 JP H0795793 B2 JPH0795793 B2 JP H0795793B2 JP 60176617 A JP60176617 A JP 60176617A JP 17661785 A JP17661785 A JP 17661785A JP H0795793 B2 JPH0795793 B2 JP H0795793B2
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JP
Japan
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light
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optical sensor
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JP60176617A
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JPS6236963A (ja
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裕子 和田
孝弘 西倉
光佑 池田
登 由上
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ファクシミリなど各種のOA機器に用いられる
原稿の幅と同一寸法を有する高速読取を可能にした画像
読取装置に関するものである。
従来の技術 従来、この種の画像読取装置では、センサとして光電流
が大きく回路構成が簡単なCdS−CdSe固溶体を用いたも
のが実用化されているが、このセンサの光応答速度が遅
いためA4版(8素子/mm、1728素子)で10msec/line程度
と読取速度が遅いという欠点があった。そのため、例え
ば特願昭59−181751号に示されているように、第3図の
ような構造でバイアス光を加えて高速読取を可能にする
改良がなされた。
すなわち、線状光源5で原稿6を照射し、その反射光3
を集束性ファイバアレイ2で光センサ1上に結像し原稿
の情報を読み取るに際して、光センサ1の光応答速度を
改善するために、別に設けた線状光源9の光をバイアス
光8として光センサ上に直接照射し、前述の原稿からの
反射光3に重畳することにより、光センサの応答速度を
速くして、高速度の画像読み取りを可能とする構造とな
っている。
すなわち、光センサ1としてCdS,CdSeあるいは固溶体Cd
S−CdSeなどの光導電性薄膜を用いた場合の応答速度は5
msec程度であり、このセンサにバイアス光を附加して1/
2〜1/5程度に高速化できるものである。
発明が解決しようとする問題点 しかし、従来の構造では、線状光源が、原稿照射用5と
バイアス光用9と最低でも2本は必要であり、コストア
ップにつながる。さらに長時間使用時に光源の発熱が大
きく、光センサや光源(例えばLED光源を用いた場合)
に悪影響を与えるという問題があった。
また、原稿照射用5とバイアス光用9の線状光源の主走
査方向のバラツキが同一でなく、さらに原稿照射後の反
射光3が集束性ファイバアレイ2の光量伝達率のバラツ
キと重なり、光センサ1上での光量バラツキが非常に大
きくなり、走査回路7での出力補正や、白黒の2値信号
のしきい値の設定が難しいという問題点もあった。
本発明は、簡単な構造でバイアス光が照射できかつ容易
に高速読み取りができる画像読取装置を提供することを
目的としている。
問題点を解決するための手段 本発明は、上記問題点を解決するため、光源と原稿との
間に僅かに反射成分を有する透明薄板を設け、光源を原
稿照射用とバイアス光用に兼用するものである。
作用 本発明は、上記の構成により、1つの光源で原稿照射用
とバイアス光用とを兼用でき、原稿照射光とバイアス光
との光量バラツキが相対的になくなるとともに原稿から
の反射光へのバイアス光の重畳により、バイアス光が定
常的に光キャリアのトラップを埋める効果があるため光
応答速度が速くなり高速読み取りが可能となる。
実施例 第1図は本発明の画像読取装置の一実施例を示す副走査
方向の断面図である。CdS,CdSeや固溶体CdS−CdSeなど
の光導電体から成る光センサ1を主走査方向に例えば8
素子/mmの密度でA4版で1728素子形成し、この光センサ
1上に、線状光源5例えばLEDアレイなどで光センサ1
の分光感度に適した波長の光を用いて僅かに反射成分を
有する透明薄板4を介して原稿面6に照射する。原稿6
からの反射光3が、透明薄板4からの直接反射バイアス
光8とともに重畳して集束性ファイバアレイ2に入射
し、光センサ1上に反射光3を結像させるとともにバイ
アス光8を照射する構造である。
ここで、バイアス光8の光強度は、CdS,CdSeあるいは固
溶体CdS−CdSeを主体として成る光センサの場合、反射
光3の光センサ1上の光強度を100とすれば、5〜100で
ある。第2図にはCdS0.2Se0.8光センサにおける相対バ
イアス光強度と相対光応答時間の関係を示す。相対バイ
アス光強度20〜70で充分な効果が得られる。
このように線状光源5と原稿6との間に僅かに反射成分
を有する透明薄板を設けることにより線状光源5を原稿
照射用とバイアス光用とに兼用できるのでコストダウン
ができるとともに、原稿6からの反射光3とバイアス光
8の光量バラツキが同一光源のため相対的に無視でき、
さらに集束性ファイバアレイ2の光量伝達率による影響
もなくなるので光センサ1で得られる信号の補正処理が
容易で、かつしきい値付近の白・黒などの判別を精度良
く行うことができる。さらにバイアス光の附加により副
走査方向の走査速度が向上するので、従来10msec/line
程度の速度が最高1msec/line程度まで高速読み取りが可
能となる。
ここで光源としては、線状のLED,ELなどの固体光源,蛍
光灯などが用いられる。
発明の効果 以上述べたように、本発明によれば、光源と原稿との間
に、僅かな反射成分を有する透明薄板を設けるという非
常に簡単な構造の画像読取装置とすることにより、光源
の光量バラツキによる不都合がなくなる。そしてその上
安価で実用的であり、しかも高速で画像が読み取れるの
で、極めて工業上有用である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例における画像読取装置の断面
図、第2図はバイアス光量比と相対光応答時間の関係を
示す特性図、第3図は従来の画像読取装置の断面図であ
る。 1……光センサ、2……集束性ファイバアレイ、3……
反射光、4……僅かに反射成分を有する透明薄板、5…
…線状光源、6……原稿、8……バイアス光、9……バ
イアス光用光源。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 由上 登 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 実開 昭57−188461(JP,U)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に形成された光センサアレイと、原
    稿を照射する光源と、原稿からの反射光を光センサアレ
    イに結像する集束性ファイバアレイを有し、前記光源と
    原稿との間に僅かに反射成分を有する透明薄板を設け、
    前記原稿からの反射光とともに、前記透明薄板からの反
    射バイアス光が前記集束性ファイバアレイに入射する構
    成とし、光センサ面において、原稿からの反射光成分の
    強度の最大値を100とした時、前記透明薄板による反射
    バイアス光成分の強度が5以上100以下であることを特
    徴とする画像読取装置。
  2. 【請求項2】光センサアレイがCdS,CdSeあるいは固溶体
    CdS−CdSeを主体とする光センサで構成されていること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の画像読取装
    置。
JP60176617A 1985-08-09 1985-08-09 画像読取装置 Expired - Lifetime JPH0795793B2 (ja)

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JP60176617A JPH0795793B2 (ja) 1985-08-09 1985-08-09 画像読取装置

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Publication Number Publication Date
JPS6236963A JPS6236963A (ja) 1987-02-17
JPH0795793B2 true JPH0795793B2 (ja) 1995-10-11

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ID=16016701

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JP (1) JPH0795793B2 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6244614Y2 (ja) * 1981-05-26 1987-11-26

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JPS6236963A (ja) 1987-02-17

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