JPH0796681B2 - パラジウム被覆銀粉の製造方法 - Google Patents
パラジウム被覆銀粉の製造方法Info
- Publication number
- JPH0796681B2 JPH0796681B2 JP63024616A JP2461688A JPH0796681B2 JP H0796681 B2 JPH0796681 B2 JP H0796681B2 JP 63024616 A JP63024616 A JP 63024616A JP 2461688 A JP2461688 A JP 2461688A JP H0796681 B2 JPH0796681 B2 JP H0796681B2
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- Japan
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- palladium
- powder
- particles
- slurry
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- Powder Metallurgy (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は積層セラミツクコンデンサーの電極、積層セラ
ミツク基板の回路等を形成するための組成物に好適のパ
ラジウム被覆銀粉の製造方法に関するものである。
ミツク基板の回路等を形成するための組成物に好適のパ
ラジウム被覆銀粉の製造方法に関するものである。
積層セラミツクコンデンサーは、チタン酸バリウム等の
誘電体を主成分とし、積層セラミツク基板はアルミナ、
ガラス等を主成分として、これらをバインダ及び溶剤と
混合し、該混合物をドクターブレード法、ロールコータ
ー法等によつてグリーンシートと為し、グリーンシート
上に、必要な電極、回路を形成する導電性被膜形成用組
成物を塗布し、これらを複数層積み重ねて900〜1400℃
で焼成することにより製造している。この焼成温度は主
成分の焼結性に依存しており、主成分によつて必要な焼
成温度が決まる。この電極、回路に用いられる導電性被
膜形成用組成物はその焼成温度で溶融したり、蒸発した
りせず、しかも当該セラミツクに焼付け可能なものでな
ければならない。
誘電体を主成分とし、積層セラミツク基板はアルミナ、
ガラス等を主成分として、これらをバインダ及び溶剤と
混合し、該混合物をドクターブレード法、ロールコータ
ー法等によつてグリーンシートと為し、グリーンシート
上に、必要な電極、回路を形成する導電性被膜形成用組
成物を塗布し、これらを複数層積み重ねて900〜1400℃
で焼成することにより製造している。この焼成温度は主
成分の焼結性に依存しており、主成分によつて必要な焼
成温度が決まる。この電極、回路に用いられる導電性被
膜形成用組成物はその焼成温度で溶融したり、蒸発した
りせず、しかも当該セラミツクに焼付け可能なものでな
ければならない。
このような導電性被膜形成用組成物の導電材料として、
パラジウム又は焼成温度に対応してPd含有率の異なる種
々の銀−パラジウム合金が用いられている。
パラジウム又は焼成温度に対応してPd含有率の異なる種
々の銀−パラジウム合金が用いられている。
近年上記のような積層セラミツクにおいて主成分をより
低温で焼結できるものにし、それにより導電性被膜形成
用組成物の導電材料も、より安価なPd含有率の低い銀−
パラジウム合金を用いることができるようにし、これら
両方のコスト節減による積層セラミツク製品の低価格化
が図られている。
低温で焼結できるものにし、それにより導電性被膜形成
用組成物の導電材料も、より安価なPd含有率の低い銀−
パラジウム合金を用いることができるようにし、これら
両方のコスト節減による積層セラミツク製品の低価格化
が図られている。
ところで上記導電性材料が銀−パラジウム合金の場合、
銀−パラジウムの共沈粉末が用いられている。これに銀
粉末（融点960.5℃）とパラジウム粉末（融点1552℃）
の混合物を用いると、焼成温度に昇温する途中で、銀粉
がパラジウムと合金化する前に溶融し、微少球化した
り、蒸発するからである。銀−パラジウム共沈粉末は硝
酸銀と硝酸パラジウムを所望の比率で混合し、これに炭
酸ソーダ等を加えて銀及びパラジウムの炭酸塩を沈澱さ
せ、これにホルマリン、ギ酸、ヒドラジン等の還元剤を
作用せしめて得られるもので、Ｘ線回折図からは一応合
金粉になつていると認められる。
銀−パラジウムの共沈粉末が用いられている。これに銀
粉末（融点960.5℃）とパラジウム粉末（融点1552℃）
の混合物を用いると、焼成温度に昇温する途中で、銀粉
がパラジウムと合金化する前に溶融し、微少球化した
り、蒸発するからである。銀−パラジウム共沈粉末は硝
酸銀と硝酸パラジウムを所望の比率で混合し、これに炭
酸ソーダ等を加えて銀及びパラジウムの炭酸塩を沈澱さ
せ、これにホルマリン、ギ酸、ヒドラジン等の還元剤を
作用せしめて得られるもので、Ｘ線回折図からは一応合
金粉になつていると認められる。
ところがこの共沈粉末を用いた導電性被膜形成用組成物
により電極、回路等を形成してみると、Pdが所定量含有
されているにも拘らず、局部的に銀が溶融している現象
が認められる。この為この共沈粉末を用いる場合、焼成
温度に相応する所定のPd含有率よりPdが幾分多めの銀−
パラジウム共沈粉末を用いざるを得なかつた。
により電極、回路等を形成してみると、Pdが所定量含有
されているにも拘らず、局部的に銀が溶融している現象
が認められる。この為この共沈粉末を用いる場合、焼成
温度に相応する所定のPd含有率よりPdが幾分多めの銀−
パラジウム共沈粉末を用いざるを得なかつた。
本発明は、銀とパラジウムの割合が同一の場合には銀の
分離や蒸発を生ずる温度が、共沈粉より高く、パラジウ
ムで銀粉の全表面が隙間なく被覆された銀粉の製造方法
を提供することを課題とする。
分離や蒸発を生ずる温度が、共沈粉より高く、パラジウ
ムで銀粉の全表面が隙間なく被覆された銀粉の製造方法
を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、本発明が提供するパラジウム
被覆銀粉の製造方法においては、銀塩を還元剤で還元し
て銀粒子を析出せしめたままのスラリーであって、粒子
形状がほぼ球形で平均粒子径が0.1〜２μｍの銀粒子が
５〜55g/の濃度で懸濁しているスラリー中に、所望量
のパラジウムを還元析出させうる量の還元剤を溶解し、
次いで該スラリーにパラジウム濃度10〜100g/のジク
ロロジアミンパラジウム溶液を添加し、温度20〜70℃で
銀粒子表面にパラジウムを還元析出せしめることを特徴
とする。
被覆銀粉の製造方法においては、銀塩を還元剤で還元し
て銀粒子を析出せしめたままのスラリーであって、粒子
形状がほぼ球形で平均粒子径が0.1〜２μｍの銀粒子が
５〜55g/の濃度で懸濁しているスラリー中に、所望量
のパラジウムを還元析出させうる量の還元剤を溶解し、
次いで該スラリーにパラジウム濃度10〜100g/のジク
ロロジアミンパラジウム溶液を添加し、温度20〜70℃で
銀粒子表面にパラジウムを還元析出せしめることを特徴
とする。
本発明において、銀粒子の形状をほぼ球形とするのは比
表面積を出来るだけ小さくし、ビヒクル吸着量を減らす
ことにより導電性被膜形成用組成物中の導電粉末の含有
率を高め、緻密な焼成膜が得られるようにするためであ
る。銀粒子の平均粒子径は0.1〜２μｍとする必要があ
る。0.1μｍ未満では焼成時の収縮により被膜に「ちぢ
み」が発生し易く、２μｍを超えると焼成後の膜厚が厚
くなりすぎ経済的でないからである。このような銀粉は
クロロジアミン銀、硝酸銀、炭酸銀を二酸化チオ尿素、
水素化ホウ素ナトリウム、ホルマリン、ヒドラジン等で
還元することにより得ることができる。この銀粒子の表
面は５重量％以上のパラジウムにより被覆されている必
要がある。５重量％未満では銀粒子の表面がPdで完全に
被覆されないことがあり、パラジウムは多くても良いが
通常は55重量％程度までのものが良い。55重量％程度を
超えると、焼成温度が高くなり、焼成温度の低温化から
焼成温度の高いものを使用することがないからである。
表面積を出来るだけ小さくし、ビヒクル吸着量を減らす
ことにより導電性被膜形成用組成物中の導電粉末の含有
率を高め、緻密な焼成膜が得られるようにするためであ
る。銀粒子の平均粒子径は0.1〜２μｍとする必要があ
る。0.1μｍ未満では焼成時の収縮により被膜に「ちぢ
み」が発生し易く、２μｍを超えると焼成後の膜厚が厚
くなりすぎ経済的でないからである。このような銀粉は
クロロジアミン銀、硝酸銀、炭酸銀を二酸化チオ尿素、
水素化ホウ素ナトリウム、ホルマリン、ヒドラジン等で
還元することにより得ることができる。この銀粒子の表
面は５重量％以上のパラジウムにより被覆されている必
要がある。５重量％未満では銀粒子の表面がPdで完全に
被覆されないことがあり、パラジウムは多くても良いが
通常は55重量％程度までのものが良い。55重量％程度を
超えると、焼成温度が高くなり、焼成温度の低温化から
焼成温度の高いものを使用することがないからである。
このような銀粒子のPdによる被覆は、前記のごとく銀塩
を還元剤で還元したままの銀粒子が５〜55g/の濃度で
懸濁しているスラリー中に、所望量のPdを還元析出させ
得る量の還元剤を予め溶解しておき、次いでこのスラリ
ーにPd濃度10〜100g/のジクロロジアミンパラジウム
（Pd（NH3）2Cl2）溶液を添加し、温度20〜70℃で反応
させることにより行う。
を還元剤で還元したままの銀粒子が５〜55g/の濃度で
懸濁しているスラリー中に、所望量のPdを還元析出させ
得る量の還元剤を予め溶解しておき、次いでこのスラリ
ーにPd濃度10〜100g/のジクロロジアミンパラジウム
（Pd（NH3）2Cl2）溶液を添加し、温度20〜70℃で反応
させることにより行う。
銀粒子にPdを被覆するにあたり、銀塩を還元剤で還元し
て銀粒子を析出せしめたままのスラリーを使用するの
は、還元析出した銀粒子を濾別すると表面状態が変化し
てPdの被覆に悪影響を与え、更に銀粒子を濾別後乾燥す
ると２次粒子に凝集し、これを水に再分散しても完全に
１次粒子に戻ることはないため２次粒子にPdを被覆する
ことになり、ペースト混練時にPdで被覆されていない表
面が現れるので、いずれの場合も銀粒子の全表面を隙間
なくPdで被覆することが難しくなるからである。
て銀粒子を析出せしめたままのスラリーを使用するの
は、還元析出した銀粒子を濾別すると表面状態が変化し
てPdの被覆に悪影響を与え、更に銀粒子を濾別後乾燥す
ると２次粒子に凝集し、これを水に再分散しても完全に
１次粒子に戻ることはないため２次粒子にPdを被覆する
ことになり、ペースト混練時にPdで被覆されていない表
面が現れるので、いずれの場合も銀粒子の全表面を隙間
なくPdで被覆することが難しくなるからである。
銀粒子のスラリー濃度を５〜55g/とするのは、5g/
未満では生産効率が悪く、逆に55g/を越えると銀粒子
の増加に応じてPdの添加濃度も高くなる結果、Pdが単独
で析出しやすくなり、不経済となるからである。
未満では生産効率が悪く、逆に55g/を越えると銀粒子
の増加に応じてPdの添加濃度も高くなる結果、Pdが単独
で析出しやすくなり、不経済となるからである。
本発明方法では、銀粒子の懸濁したスラリーに還元剤を
添加した後にPd源であるジクロロジアミンパラジウム
（Pd（NH3）2Cl2）の溶液を添加するのでなければ、銀
粒子の全表面をPdで被覆することが難しい。その理由は
明らかではないが、本方法では銀粒子を還元析出せしめ
たままのスラリーを用いるので、スラリー中に銀塩の還
元に用いた還元剤が若干残留しているため、先にジクロ
ロジアミンパラジウムを添加すると残留する少量の還元
剤によりPdの析出が緩慢に且つ局所的に起こり、銀粒子
の表面を被覆せずに単独で析出沈降するPd粒子が多くな
るためと考えられる。
添加した後にPd源であるジクロロジアミンパラジウム
（Pd（NH3）2Cl2）の溶液を添加するのでなければ、銀
粒子の全表面をPdで被覆することが難しい。その理由は
明らかではないが、本方法では銀粒子を還元析出せしめ
たままのスラリーを用いるので、スラリー中に銀塩の還
元に用いた還元剤が若干残留しているため、先にジクロ
ロジアミンパラジウムを添加すると残留する少量の還元
剤によりPdの析出が緩慢に且つ局所的に起こり、銀粒子
の表面を被覆せずに単独で析出沈降するPd粒子が多くな
るためと考えられる。
Pd源としてジクロロジアミンパラジウム（Pd（NH3）2Cl
2）を使用するのは、塩化パラジウムや硝酸パラジウム
では還元反応が急激であるため析出するPd粒子の粒径が
不均一となり（パラジウム黒も生成する）、銀粒子の全
表面を隙間なく均一に被覆することが難しいのに対し
て、ジクロロジアミンパラジウムを用いると穏やかな還
元反応で均一な粒径のPd粒子が析出し、銀粒子の全表面
を隙間なく安定して被覆できるからである。又、ジクロ
ロジアミンパラジウムは還元反応が穏やかであるため、
反応温度が20℃未満では反応が遅く生産効率が低くなる
ため20℃以上の温度で反応させる必要がある。しかし、
反応温度が70℃を越えると反応が速くなり過ぎ、Pd粒子
が単独で析出して銀粒子の表面を完全に被覆できないこ
とがあるので、20〜70℃の範囲の温度で還元反応させ
る。
2）を使用するのは、塩化パラジウムや硝酸パラジウム
では還元反応が急激であるため析出するPd粒子の粒径が
不均一となり（パラジウム黒も生成する）、銀粒子の全
表面を隙間なく均一に被覆することが難しいのに対し
て、ジクロロジアミンパラジウムを用いると穏やかな還
元反応で均一な粒径のPd粒子が析出し、銀粒子の全表面
を隙間なく安定して被覆できるからである。又、ジクロ
ロジアミンパラジウムは還元反応が穏やかであるため、
反応温度が20℃未満では反応が遅く生産効率が低くなる
ため20℃以上の温度で反応させる必要がある。しかし、
反応温度が70℃を越えると反応が速くなり過ぎ、Pd粒子
が単独で析出して銀粒子の表面を完全に被覆できないこ
とがあるので、20〜70℃の範囲の温度で還元反応させ
る。
Pd還元剤としては二酸化チオ尿素、水素化ホウ素ナトリ
ウム、ホルマリン、ヒドラジン等が挙げられる。銀粒子
スラリーに添加するジクロロジアミンパラジウム溶液の
Pd濃度が10g/未満では生産効率が悪く、100g/を超
えるとPdの析出粒子が大きくなつたり単独で析出したり
して銀粒子表面を完全に被覆しないことがある。
ウム、ホルマリン、ヒドラジン等が挙げられる。銀粒子
スラリーに添加するジクロロジアミンパラジウム溶液の
Pd濃度が10g/未満では生産効率が悪く、100g/を超
えるとPdの析出粒子が大きくなつたり単独で析出したり
して銀粒子表面を完全に被覆しないことがある。
このようにして得られるパラジウム被覆銀粉は、従来の
パラジウム、銀−パラジウムと同様に有機質ビヒクルと
混練してペースト状の導電性被膜形成用組成物にするこ
とができるが、前記したように本発明の銀粉は、球形で
表面全面がPdで被覆されており比較的滑らかであるため
ビヒクル吸着量が少なく、従来品よりペースト中の含有
率を高くすることができ、40〜90重量％含有せしめう
る。上記組成物はガラス粉末、無機質酸化物粉末を若干
量含んでいても良い。有機質ビヒクルとしてターピネオ
ール、ブチルカルビトール、トルエン等の溶媒にエチル
セルロース、メタクリレート樹脂などを溶解したものが
使用できる。
パラジウム、銀−パラジウムと同様に有機質ビヒクルと
混練してペースト状の導電性被膜形成用組成物にするこ
とができるが、前記したように本発明の銀粉は、球形で
表面全面がPdで被覆されており比較的滑らかであるため
ビヒクル吸着量が少なく、従来品よりペースト中の含有
率を高くすることができ、40〜90重量％含有せしめう
る。上記組成物はガラス粉末、無機質酸化物粉末を若干
量含んでいても良い。有機質ビヒクルとしてターピネオ
ール、ブチルカルビトール、トルエン等の溶媒にエチル
セルロース、メタクリレート樹脂などを溶解したものが
使用できる。
実験No.1 純水１にAg量80gに相当するクロロジアミン銀を溶解
して50℃に加温し、37％ホルマリン溶液120gを添加して
銀粒子を析出させた。この銀粒子の形状はほぼ球形で平
均粒子径は0.5μｍであつた。次いでこの析出銀粒子を
保有する反応液に二酸化チオ尿素10gと純水を加えて全
体の液量を３にした後50℃に加温し、このスラリーに
50℃に加温されたPd量で20gのジクロロジアミンパラジ
ウム溶液400mlを添加し、10分間撹拌を続けた後沈澱物
を濾過乾燥した。分析の結果この沈澱物はAg79.1重量
％、Pd20.4重量％で、Pd被覆Ag粉の収量は97gであっ
た。又このPd被覆銀粉を顕微鏡で見ながら割って見たと
ころ、どれも表面全面が完全にPdで被覆されたものであ
った。
して50℃に加温し、37％ホルマリン溶液120gを添加して
銀粒子を析出させた。この銀粒子の形状はほぼ球形で平
均粒子径は0.5μｍであつた。次いでこの析出銀粒子を
保有する反応液に二酸化チオ尿素10gと純水を加えて全
体の液量を３にした後50℃に加温し、このスラリーに
50℃に加温されたPd量で20gのジクロロジアミンパラジ
ウム溶液400mlを添加し、10分間撹拌を続けた後沈澱物
を濾過乾燥した。分析の結果この沈澱物はAg79.1重量
％、Pd20.4重量％で、Pd被覆Ag粉の収量は97gであっ
た。又このPd被覆銀粉を顕微鏡で見ながら割って見たと
ころ、どれも表面全面が完全にPdで被覆されたものであ
った。
実験No.2〜５ 実験No.1と同様にして銀粒子を得た後、二酸化チオ尿素
の添加量、スラリー液量、ジクロロジアミンパラジウム
の濃度、添加量、反応温度を種々変えてPd被覆Ag粉を調
製した。
の添加量、スラリー液量、ジクロロジアミンパラジウム
の濃度、添加量、反応温度を種々変えてPd被覆Ag粉を調
製した。
実験No.6〜７ Pdの還元剤として水素化ホウ素ナトリウムを用いた他は
実験No.2〜５と同様に行ない、Pd被覆Ag粉を得た。これ
らのPd被覆銀粉を顕微鏡で見ながら割って見たところ、
どれも表面全面が完全にPdで被覆されたものであった。
実験No.2〜５と同様に行ない、Pd被覆Ag粉を得た。これ
らのPd被覆銀粉を顕微鏡で見ながら割って見たところ、
どれも表面全面が完全にPdで被覆されたものであった。
製造条件及び得られたPd被覆Ag粉の分析値をまとめて第
１表に示す。
１表に示す。
実験No.8〜14 実験No.1で得られたPd被覆銀粉と、該銀粉と同じAg/Pd
比になるように調製されたAg−Pd共沈粉とを、エチルセ
ルロースのターピネオール溶液をビヒクルに用い、粉末
含有率の種々異なるそれぞれのペーストを調製し、アル
ミナ基板上に所定のパターンでスクリーン印刷し、ピー
ク温度1000℃のベルト炉で焼成し、比抵抗を測定した。
比になるように調製されたAg−Pd共沈粉とを、エチルセ
ルロースのターピネオール溶液をビヒクルに用い、粉末
含有率の種々異なるそれぞれのペーストを調製し、アル
ミナ基板上に所定のパターンでスクリーン印刷し、ピー
ク温度1000℃のベルト炉で焼成し、比抵抗を測定した。
第２表からPd被覆Ag粉の含有率が40重量％未満では焼成
面が緻密でなく、所望の抵抗値が得られないこと、又90
重量％を越えるとスクリーン印刷に必要な粘性を超えて
しまうことが判る。一方Ag−Pd共沈粉によると粉末含有
率がもつと狭く、50〜85重量％で、50重量％より少ない
比抵抗∞のものは焼成面にAgの蒸発と、微少球化が認め
られ、85重量％を超えるとスクリーン印刷ができなくな
つた。
面が緻密でなく、所望の抵抗値が得られないこと、又90
重量％を越えるとスクリーン印刷に必要な粘性を超えて
しまうことが判る。一方Ag−Pd共沈粉によると粉末含有
率がもつと狭く、50〜85重量％で、50重量％より少ない
比抵抗∞のものは焼成面にAgの蒸発と、微少球化が認め
られ、85重量％を超えるとスクリーン印刷ができなくな
つた。
実験No.15〜24 実験No.1〜７のPd被覆Ag粉及びこれらとAg/Pd比が同等
のAg−Pd共沈粉を60重量％含有するペースト状組成物を
調製し、実験No.8〜14と同様のパターンを用いてアルミ
ナ基板上にスクリーン印刷し、種々の温度で焼成し比抵
抗を測定した。
のAg−Pd共沈粉を60重量％含有するペースト状組成物を
調製し、実験No.8〜14と同様のパターンを用いてアルミ
ナ基板上にスクリーン印刷し、種々の温度で焼成し比抵
抗を測定した。
第３表の結果よりPd被覆Ag粉は共沈粉に比べて耐熱性が
約50℃優れていることが判る。なお比抵抗が∞のものは
いずれも焼成面にAgの蒸発と微小球化が認められた。
約50℃優れていることが判る。なお比抵抗が∞のものは
いずれも焼成面にAgの蒸発と微小球化が認められた。
本発明により、表面が完全にパラジウムで被覆された銀
粉が得られるようになり、このパラジウム被覆銀粉を用
いるとPd含有率が同一であつても共沈粉に比べて銀の分
離温度が高く、従つて従来よりPd含有量が少なくても、
従来のPd含有量の多い組成物と同温度で焼成でき、導電
性の良い導電膜を形成できる経済的に優れた導電性被膜
形成用組成物を得ることができる。
粉が得られるようになり、このパラジウム被覆銀粉を用
いるとPd含有率が同一であつても共沈粉に比べて銀の分
離温度が高く、従つて従来よりPd含有量が少なくても、
従来のPd含有量の多い組成物と同温度で焼成でき、導電
性の良い導電膜を形成できる経済的に優れた導電性被膜
形成用組成物を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭58−123601（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−150101（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−37166（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−75603（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】銀塩を還元剤で還元して銀粒子を析出せし
めたままのスラリーであって、粒子形状がほぼ球形で粒
子径が0.1〜２μｍの銀粒子が５〜55g/の濃度で懸濁
している該スラリー中に、所望量のパラジウムを還元析
出させ得る量の還元剤を予め溶解し、次いで該スラリー
にパラジウム濃度10〜100g/のジクロロジアミンパラ
ジウム溶液を添加し、温度20〜70℃で前記銀粒子の全表
面にパラジウムを還元析出せしめることを特徴とするパ
ラジウム被覆銀粉の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024616A JPH0796681B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | パラジウム被覆銀粉の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63024616A JPH0796681B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | パラジウム被覆銀粉の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01198403A JPH01198403A (ja) | 1989-08-10 |
| JPH0796681B2 true JPH0796681B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=12143083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63024616A Expired - Lifetime JPH0796681B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | パラジウム被覆銀粉の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0796681B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6396001B2 (ja) * | 2013-04-08 | 2018-09-26 | アオイ電子株式会社 | 回路基板およびサーマルプリントヘッド |
| US9530534B2 (en) | 2015-04-03 | 2016-12-27 | C3Nano Inc. | Transparent conductive film |
| CN113275585B (zh) * | 2021-05-24 | 2023-05-19 | 北京理工大学珠海学院 | 一种纳米镍线及制备方法 |
| CN115555557A (zh) * | 2022-08-29 | 2023-01-03 | 南通领跑者新材料科技有限公司 | 复合片状银粉的制备方法和包含该银粉的低电阻导电浆料 |
| JP2024043085A (ja) * | 2022-09-16 | 2024-03-29 | 三井化学株式会社 | 導電性組成物、回路基板、電気装置及びその製造方法 |
| CN116833420A (zh) * | 2023-06-19 | 2023-10-03 | 武汉船用电力推进装置研究所(中国船舶集团有限公司第七一二研究所) | 一种核壳结构银钯合金粉的制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150101A (en) * | 1980-04-18 | 1981-11-20 | Shinroku Kawakado | Preparation of powder coated with noble metal |
| JPS5837166A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-04 | Shinroku Kawakado | 貴金属被覆粉末の製造法 |
| JPS58123601A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-22 | ティーディーケイ株式会社 | 導電金属粉末の製造方法 |
| JPS6475603A (en) * | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Tanaka Precious Metal Ind | Fine composite silver-palladium powder and production thereof |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP63024616A patent/JPH0796681B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01198403A (ja) | 1989-08-10 |
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