JPH0797631B2 - イメ−ジセンサ - Google Patents
イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPH0797631B2 JPH0797631B2 JP61159393A JP15939386A JPH0797631B2 JP H0797631 B2 JPH0797631 B2 JP H0797631B2 JP 61159393 A JP61159393 A JP 61159393A JP 15939386 A JP15939386 A JP 15939386A JP H0797631 B2 JPH0797631 B2 JP H0797631B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical
- image sensor
- photosensors
- optical sensors
- character
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、１次元若しくは２次元の空間的分布を有する
光情報を検出するためのイメージセンサに関するもので
ある。
光情報を検出するためのイメージセンサに関するもので
ある。
本発明は、上記の様なイメージセンサにおいて、互いに
独立に動作可能な複数の光センサを、各々における複数
の光電変換素子が配列されて成るパターンの占める領域
が積層の方向とは垂直な面内において互いに異なる様に
積層させることによって、高精度の検出を高速で行うこ
とができると共に製造コストも低減させることができる
様にしたものである。
独立に動作可能な複数の光センサを、各々における複数
の光電変換素子が配列されて成るパターンの占める領域
が積層の方向とは垂直な面内において互いに異なる様に
積層させることによって、高精度の検出を高速で行うこ
とができると共に製造コストも低減させることができる
様にしたものである。
第３図は、２次元イメージセンサの一従来例を示してい
る。この一従来例は、第３図Ａに示す様に、基板11とこ
の基板11に接して形成されている薄膜状の光センサ21a
とを有している。基板11は、光センサ21aの支持体であ
り、ガラス、セラミック、半導体等から成っている。
る。この一従来例は、第３図Ａに示す様に、基板11とこ
の基板11に接して形成されている薄膜状の光センサ21a
とを有している。基板11は、光センサ21aの支持体であ
り、ガラス、セラミック、半導体等から成っている。
光センサ21aは、第３図Ｂに示す様に、絵素としての多
数の光電変換素子22aとこれらの光電変換素子22aによっ
て光から電気に変換された信号を読み出すためのスキャ
ナ23a、24aとを有している。
数の光電変換素子22aとこれらの光電変換素子22aによっ
て光から電気に変換された信号を読み出すためのスキャ
ナ23a、24aとを有している。
イメージセンサへの光情報の入力は、光センサ21a側か
ら、または基板11が透光性を有している場合はこの基板
11側から行われる。
ら、または基板11が透光性を有している場合はこの基板
11側から行われる。
ところで、イメージセンサによって文書画像を入力して
この画像を文字として認識するためには、入力した画像
を基準の文字パターンと比較する必要がある。
この画像を文字として認識するためには、入力した画像
を基準の文字パターンと比較する必要がある。
そしてこの比較に先立って、文字列の傾き（回転）、文
字の中心位置、文字の大きさ、文字そのものの傾き、文
字そのものの回転等を知る必要がある。
字の中心位置、文字の大きさ、文字そのものの傾き、文
字そのものの回転等を知る必要がある。
しかし上述の一従来例のイメージセンサでは、スキャナ
23a、24aから読み出される電気信号をコンピュータ（図
示せず）へ入力し、計算処理を行うことによって文字列
の傾き等を求めていた。
23a、24aから読み出される電気信号をコンピュータ（図
示せず）へ入力し、計算処理を行うことによって文字列
の傾き等を求めていた。
ところが、多数の光電変換素子22aから得られる信号の
総てを計算処理するためには多大の時間を必要とし、文
字の認識を高速で行うことができない。
総てを計算処理するためには多大の時間を必要とし、文
字の認識を高速で行うことができない。
また、イメージセンサとして検出精度を高めるためには
光電変換素子22aの面密度を高める必要があるが、その
場合には検出動作が更に遅くなりしかもイメージセンサ
の製造コストが急激に上昇する。そしてこれらの問題点
は、文書画像を検出する場合のみならず一般の光情報を
検出する場合にも生じる。
光電変換素子22aの面密度を高める必要があるが、その
場合には検出動作が更に遅くなりしかもイメージセンサ
の製造コストが急激に上昇する。そしてこれらの問題点
は、文書画像を検出する場合のみならず一般の光情報を
検出する場合にも生じる。
本発明によるイメージセンサでは、互いに独立に動作可
能な複数の光センサ21a〜21c、41a、41bが互いに積層さ
れており、前記複数の光センサ21a〜21c、41a、41bの各
々における複数の光電変換素子22a〜22c、43a、43bが配
列されて成るパターンの占める領域が前記積層の方向と
は垂直な面内において互いに異なっている。
能な複数の光センサ21a〜21c、41a、41bが互いに積層さ
れており、前記複数の光センサ21a〜21c、41a、41bの各
々における複数の光電変換素子22a〜22c、43a、43bが配
列されて成るパターンの占める領域が前記積層の方向と
は垂直な面内において互いに異なっている。
本発明によるイメージセンサでは、単一の光情報を複数
の光センサ21a〜21c、41a、41bによって互いに異なる平
面的パターンで且つ同時に検出することができ、また光
情報を検出するために必要な機能や性能を各光センサ21
a〜21c、41a、41bに分担させることができる。
の光センサ21a〜21c、41a、41bによって互いに異なる平
面的パターンで且つ同時に検出することができ、また光
情報を検出するために必要な機能や性能を各光センサ21
a〜21c、41a、41bに分担させることができる。
以下、本発明の第１及び第２実施例を第１図及び第２図
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
第１図が、第１実施例を示している。この第１実施例
は、第１図Ａ及び第１図Ｄから明らかな様に、第３図に
示した一従来例における基板11と光センサ21aとの間に
２層の薄膜状の光センサ21b、21cを介装したものであ
る。つまりこの一実施例は、光センサ21b、21c、21aを
基板11に順次に積層したものである。
は、第１図Ａ及び第１図Ｄから明らかな様に、第３図に
示した一従来例における基板11と光センサ21aとの間に
２層の薄膜状の光センサ21b、21cを介装したものであ
る。つまりこの一実施例は、光センサ21b、21c、21aを
基板11に順次に積層したものである。
光センサ21bは、第１図Ｂに示す様に、例えばｘ軸方向
に比較的に密でｙ軸方向に粗な光電変換素子22bを有し
ており、逆に光センサ21cは、第１図Ｃに示す様に、ｘ
軸方向に粗でｙ軸方向に比較的に密な光電変換素子22c
を有している。なお光センサ21aの光電変換素子22aは、
ｘ軸方向及びｙ軸方向の何れにおいても、光電変換素子
22b、22cの何れよりも密である。
に比較的に密でｙ軸方向に粗な光電変換素子22bを有し
ており、逆に光センサ21cは、第１図Ｃに示す様に、ｘ
軸方向に粗でｙ軸方向に比較的に密な光電変換素子22c
を有している。なお光センサ21aの光電変換素子22aは、
ｘ軸方向及びｙ軸方向の何れにおいても、光電変換素子
22b、22cの何れよりも密である。
そして光センサ21b、21cも、他の光センサ21c、21b及び
21aとは独立に動作可能な様に、それぞれスキャナ23b、
24bと23c、24cとを有している。
21aとは独立に動作可能な様に、それぞれスキャナ23b、
24bと23c、24cとを有している。
この様な第１実施例を用いて例えば文字を認識する場合
は、その文字のｙ軸方向における大まかな大きさや中心
位置等を光センサ21bによって高速に検出することがで
き、またｘ軸方向における大まかな大きさや中心位置等
を光センサ21cによって高速に検出することができる。
は、その文字のｙ軸方向における大まかな大きさや中心
位置等を光センサ21bによって高速に検出することがで
き、またｘ軸方向における大まかな大きさや中心位置等
を光センサ21cによって高速に検出することができる。
しかも光センサ21bと21cとは互いに独立に動作可能であ
るので、双方の検出動作を並行に行うことによって、認
識すべき文字の大まかな大きさや中心位置等が非常に高
速に検出される。
るので、双方の検出動作を並行に行うことによって、認
識すべき文字の大まかな大きさや中心位置等が非常に高
速に検出される。
更にまた、光センサ21aによって文字を正確に認識する
際に、光センサ21b、21cによって求めた文字の大きさに
対応する領域の光電変換素子22aからの信号のみに対し
て計算処理を行うことによって、文字の認識が極めて高
速に行われる。
際に、光センサ21b、21cによって求めた文字の大きさに
対応する領域の光電変換素子22aからの信号のみに対し
て計算処理を行うことによって、文字の認識が極めて高
速に行われる。
つまりこの第１実施例では、ｙ軸方向における特徴を抽
出する機能、ｘ軸方向における特徴を抽出する機能及び
全体的な特徴を抽出する機能を、光センサ21b、21c、21
aが夫々分担していることになる。
出する機能、ｘ軸方向における特徴を抽出する機能及び
全体的な特徴を抽出する機能を、光センサ21b、21c、21
aが夫々分担していることになる。
なお、ｘ軸方向及びｙ方向のみならず、斜方向や同心円
の半径方向における特徴を抽出する機能等を、別個の光
センサに分担させることもできる。
の半径方向における特徴を抽出する機能等を、別個の光
センサに分担させることもできる。
更にまた、検出すべき光情報の種類や大きさ等が限定さ
れていれば、その光情報の特徴を直接的に抽出する機
能、例えば文字パターン等を別個の光センサに分担させ
ることもできる。この様にすれば、コンピュータによる
計算処理が不要になり、光情報の検出を更に高速で行う
ことができる。
れていれば、その光情報の特徴を直接的に抽出する機
能、例えば文字パターン等を別個の光センサに分担させ
ることもできる。この様にすれば、コンピュータによる
計算処理が不要になり、光情報の検出を更に高速で行う
ことができる。
第２図は、第２実施例を示している。この第２実施例
は、ガラス製の基板31a、31bに接して形成されている薄
膜状の光センサ41a、41bをスペーサ42を介して互いに積
層させたものである。光センサ41a、41bでは、互いに等
しい幅を有する光検出部43a、43bと分離部44a、44bとが
ストライプ状に形成されている。
は、ガラス製の基板31a、31bに接して形成されている薄
膜状の光センサ41a、41bをスペーサ42を介して互いに積
層させたものである。光センサ41a、41bでは、互いに等
しい幅を有する光検出部43a、43bと分離部44a、44bとが
ストライプ状に形成されている。
そして光センサ41a、41bは、一方の光検出部43a、43bと
他方の分離部44a、44bとが相対する様に積層されてい
る。従って、基板31a、31bに垂直な方向からこれらの基
板31a、31bを通して光検出部43a、43bを見ると、光検出
部43a、43bが隙間無く並んでいることになる。
他方の分離部44a、44bとが相対する様に積層されてい
る。従って、基板31a、31bに垂直な方向からこれらの基
板31a、31bを通して光検出部43a、43bを見ると、光検出
部43a、43bが隙間無く並んでいることになる。
このためにこの第２実施例は、光情報を漏れなく検出す
ることができて、高精度の検出を行うことができる。つ
まりこの第２実施例では、光情報を検出するための性能
を２個の光センサ41a、41bで分担していることになる。
ることができて、高精度の検出を行うことができる。つ
まりこの第２実施例では、光情報を検出するための性能
を２個の光センサ41a、41bで分担していることになる。
しかも、光検出部43a、43bのストライプの幅を広くして
も、つまり光検出部43a、43bを精密には形成しなくて
も、上述の高精度の検出が可能である。従ってこの第２
実施例は、低コストで製造され得る。
も、つまり光検出部43a、43bを精密には形成しなくて
も、上述の高精度の検出が可能である。従ってこの第２
実施例は、低コストで製造され得る。
なお、以上の第１及び第２実施例における光センサ21a
〜21c、41a、41bとしては、従来公知のMOS型イメージセ
ンサやCCDイメージセンサ等を用いることができる。
〜21c、41a、41bとしては、従来公知のMOS型イメージセ
ンサやCCDイメージセンサ等を用いることができる。
また、以上の第１及び第２実施例では光センサ21a〜21
c、41a、41bを薄膜集積回路として形成してこれらの薄
膜を互いに積層させたが、光センサを半導体基板内の集
積回路として形成してこれらの半導体基板を互いに積層
させてもよい。
c、41a、41bを薄膜集積回路として形成してこれらの薄
膜を互いに積層させたが、光センサを半導体基板内の集
積回路として形成してこれらの半導体基板を互いに積層
させてもよい。
本発明によるイメージセンサでは、単一の光情報を複数
の光センサによって互いに異なる平面的パターンで且つ
同時に検出することができるので、各光センサの検出動
作を並行に行うことができて、１次元若しくは２次元の
空間的分布を有する光情報の検出を高速で行うことがで
きる。
の光センサによって互いに異なる平面的パターンで且つ
同時に検出することができるので、各光センサの検出動
作を並行に行うことができて、１次元若しくは２次元の
空間的分布を有する光情報の検出を高速で行うことがで
きる。
また、光情報を検出するために必要な機能や性能を各光
センサに分担させることができるので、各光センサの機
能や性能を簡略化することができて、検出動作を高速で
行うことができると共に製造コストも低減させることが
できる。しかも、各光センサの機能や性能が簡略なもの
でも、各々の機能や性能を組み合わせることによって、
高精度の検出を行うことができる。
センサに分担させることができるので、各光センサの機
能や性能を簡略化することができて、検出動作を高速で
行うことができると共に製造コストも低減させることが
できる。しかも、各光センサの機能や性能が簡略なもの
でも、各々の機能や性能を組み合わせることによって、
高精度の検出を行うことができる。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示しており、第１
図Ａは第１実施例の全体の斜視図、第１図Ｂ〜Ｄは第１
実施例の各部の斜視図、第２図は第２実施例の側断面図
である。 第３図は本発明の一従来例を示しており、第３図Ａは全
体の斜視図、第３図Ｂは一部の斜視図である。 なお図面に用いた符号において、 21a〜21c……光センサ 41a,41b……光センサ である。
図Ａは第１実施例の全体の斜視図、第１図Ｂ〜Ｄは第１
実施例の各部の斜視図、第２図は第２実施例の側断面図
である。 第３図は本発明の一従来例を示しており、第３図Ａは全
体の斜視図、第３図Ｂは一部の斜視図である。 なお図面に用いた符号において、 21a〜21c……光センサ 41a,41b……光センサ である。
Claims (3)
- 【請求項１】互いに独立に動作可能な複数の光センサが
互いに積層されており、 前記複数の光センサの各々における複数の光電変換素子
が配列されて成るパターンの占める領域が前記積層の方
向とは垂直な面内において互いに異なっているイメージ
センサ。 - 【請求項２】前記複数の光センサが互いに異なる前記パ
ターンを有しており、これらの互いに異なるパターンに
よって前記複数の光センサが互いに異なる機能を有して
いる特許請求の範囲第１項に記載のイメージセンサ。 - 【請求項３】前記複数の光センサが互いに等しいストラ
イプ状の前記パターンを有する第１及び第２の光センサ
から成っており、前記ストライプ状のパターンが互い違
いに対向する様に前記第１及び第２の光センサが互いに
積層されている特許請求の範囲第１項に記載のイメージ
センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61159393A JPH0797631B2 (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61159393A JPH0797631B2 (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | イメ−ジセンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6315462A JPS6315462A (ja) | 1988-01-22 |
| JPH0797631B2 true JPH0797631B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=15692800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61159393A Expired - Lifetime JPH0797631B2 (ja) | 1986-07-07 | 1986-07-07 | イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797631B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58105568A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-23 | Fujitsu Ltd | カラ−イメ−ジ長尺センサ |
| US4438455A (en) * | 1981-12-15 | 1984-03-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state color imager with three layer four story structure |
-
1986
- 1986-07-07 JP JP61159393A patent/JPH0797631B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6315462A (ja) | 1988-01-22 |
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