JPH0797687A - ダイヤモンド状炭素膜の形成方法、磁気ヘッドの製造方法および磁気ディスクの製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド状炭素膜の形成方法、磁気ヘッドの製造方法および磁気ディスクの製造方法Info
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- JPH0797687A JPH0797687A JP5265601A JP26560193A JPH0797687A JP H0797687 A JPH0797687 A JP H0797687A JP 5265601 A JP5265601 A JP 5265601A JP 26560193 A JP26560193 A JP 26560193A JP H0797687 A JPH0797687 A JP H0797687A
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 25
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 61
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 134
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000003116 impacting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 量産性に優れ、かつ磁気ヘッドや磁気ディス
クなどの保護膜として好適なダイヤモンド状炭素膜の形
成方法を確立する。 【構成】 成膜室内のカソ−ド上にグラファイトからな
るタ−ゲットを接地し、前記カソードと対向して配設さ
れた基板ホルダ上に被処理物を設置して、ＤＣマグネト
ロンスパッタ法により前記被処理物の表面にダイヤモン
ド状炭素膜を形成するにあたり、ガス組成を、水素ガス
と不活性ガスとからなる混合ガスに対する水素ガスのモ
ル比を０．０５〜０．１の範囲にあるようにするととも
に、接地電圧に対する前記基板ホルダの電圧を−３０〜
−８０Ｖとなるようにしたので、１４０ＧＰａ以上の硬
度を有するダイヤモンド状炭素膜を成膜することができ
た。
クなどの保護膜として好適なダイヤモンド状炭素膜の形
成方法を確立する。 【構成】 成膜室内のカソ−ド上にグラファイトからな
るタ−ゲットを接地し、前記カソードと対向して配設さ
れた基板ホルダ上に被処理物を設置して、ＤＣマグネト
ロンスパッタ法により前記被処理物の表面にダイヤモン
ド状炭素膜を形成するにあたり、ガス組成を、水素ガス
と不活性ガスとからなる混合ガスに対する水素ガスのモ
ル比を０．０５〜０．１の範囲にあるようにするととも
に、接地電圧に対する前記基板ホルダの電圧を−３０〜
−８０Ｖとなるようにしたので、１４０ＧＰａ以上の硬
度を有するダイヤモンド状炭素膜を成膜することができ
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンド状炭素膜
（以下、ＤＬＣ膜という、ＤＬＣ：DiamondLike Carbon
）の形成方法に関するもので、特に磁気ヘッドや磁気
ディスクなどを保護するのに好適なＤＬＣ膜の形成方
法、および表面にダイヤモンド状炭素膜を有する磁気ヘ
ッドならびに磁気ディスクの製造方法に関する。
（以下、ＤＬＣ膜という、ＤＬＣ：DiamondLike Carbon
）の形成方法に関するもので、特に磁気ヘッドや磁気
ディスクなどを保護するのに好適なＤＬＣ膜の形成方
法、および表面にダイヤモンド状炭素膜を有する磁気ヘ
ッドならびに磁気ディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にＤＬＣ膜は、高硬度でかつ低摩擦
係数を有するため、例えば磁気ヘッドや磁気ディスクな
どの表面を保護するための保護膜として注目されてい
る。例えば固定磁気ディスク装置では、小型化・大容量
化・低コスト化が一段と進められ、磁気記録媒体を高密
度に使うことが必須となってきているため、磁気ディス
クに対する磁気ヘッドの浮上量がより小さくなり、その
結果、磁気ヘッドと磁気ディスクとの衝突や擦過が増加
して、これらの表面に表面破壊（以下、クラッシュとい
う）が生じ易くなっている。
係数を有するため、例えば磁気ヘッドや磁気ディスクな
どの表面を保護するための保護膜として注目されてい
る。例えば固定磁気ディスク装置では、小型化・大容量
化・低コスト化が一段と進められ、磁気記録媒体を高密
度に使うことが必須となってきているため、磁気ディス
クに対する磁気ヘッドの浮上量がより小さくなり、その
結果、磁気ヘッドと磁気ディスクとの衝突や擦過が増加
して、これらの表面に表面破壊（以下、クラッシュとい
う）が生じ易くなっている。
【０００３】最近では、このクラッシュなどの問題を回
避することを目的として、磁気ヘッドや磁気ディスクの
表面を保護するための保護膜を設置するようになってき
たのに伴い、特に高硬度を有するＤＬＣ膜を実現すべ
く、各種成膜方法における成膜条件などの研究開発が盛
んに行われている。
避することを目的として、磁気ヘッドや磁気ディスクの
表面を保護するための保護膜を設置するようになってき
たのに伴い、特に高硬度を有するＤＬＣ膜を実現すべ
く、各種成膜方法における成膜条件などの研究開発が盛
んに行われている。
【０００４】従来のＤＬＣ膜の成膜方法としては、例え
ばＥＣＲ−ＣＶＤ（:Electron Cy--clotron Resonance
− Chemical Vapor Deposition）による成膜方法、プ
ラズマＣＶＤによる成膜方法、あるいはＤＣマグネトロ
ンスパッタリングによる成膜方法などがある。
ばＥＣＲ−ＣＶＤ（:Electron Cy--clotron Resonance
− Chemical Vapor Deposition）による成膜方法、プ
ラズマＣＶＤによる成膜方法、あるいはＤＣマグネトロ
ンスパッタリングによる成膜方法などがある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＥＣＲ
−ＣＶＤによる成膜方法ではＤＬＣ膜の硬度がせいぜい
９０ＧＰａ程度、またプラズマＣＶＤによる成膜方法で
はＤＬＣ膜の硬度がせいぜい１００〜１４０ＧＰａであ
り、いずれの成膜方法でも磁気ヘッドや磁気ディスクを
保護するのに十分な硬度を有するＤＬＣ膜を実現できな
い。さらに、これらのＣＶＤによる成膜方法は、いずれ
も複雑で高価な装置を必要とし、その上成膜装置のチャ
ンバ−内の汚れをクリーニングするなどのメンテナンス
を頻繁に行わなければならない、という問題がある。
−ＣＶＤによる成膜方法ではＤＬＣ膜の硬度がせいぜい
９０ＧＰａ程度、またプラズマＣＶＤによる成膜方法で
はＤＬＣ膜の硬度がせいぜい１００〜１４０ＧＰａであ
り、いずれの成膜方法でも磁気ヘッドや磁気ディスクを
保護するのに十分な硬度を有するＤＬＣ膜を実現できな
い。さらに、これらのＣＶＤによる成膜方法は、いずれ
も複雑で高価な装置を必要とし、その上成膜装置のチャ
ンバ−内の汚れをクリーニングするなどのメンテナンス
を頻繁に行わなければならない、という問題がある。
【０００６】一方、ＤＣマグネトロンスパッタリングに
よる成膜方法は、量産性や装置のメンテナンスの簡便性
などの点で優れていることからＤＬＣ膜の成膜方法とし
て注目され、成膜条件などの検討が盛んに行われている
が、この成膜方法で実現できるＤＬＣ膜の硬度がせいぜ
い１３０ＧＰａ程度であり、磁気ヘッド等を保護するの
に十分な硬度が得られていない、という問題がある。
よる成膜方法は、量産性や装置のメンテナンスの簡便性
などの点で優れていることからＤＬＣ膜の成膜方法とし
て注目され、成膜条件などの検討が盛んに行われている
が、この成膜方法で実現できるＤＬＣ膜の硬度がせいぜ
い１３０ＧＰａ程度であり、磁気ヘッド等を保護するの
に十分な硬度が得られていない、という問題がある。
【０００７】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、量産性に優れ、かつ磁気ヘッドや磁気ディスク
などの保護膜として好適なＤＬＣ膜の形成方法を提供す
ること、および耐摩耗性・耐衝撃性に優れた磁気ヘッド
ならびに磁気ディスクの製造方法を提供することを目的
とする。
もので、量産性に優れ、かつ磁気ヘッドや磁気ディスク
などの保護膜として好適なＤＬＣ膜の形成方法を提供す
ること、および耐摩耗性・耐衝撃性に優れた磁気ヘッド
ならびに磁気ディスクの製造方法を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、請求項１に記載の本発明によるＤＬＣ膜の形
成方法は、成膜室内のカソード上にグラファイトからな
るターゲットを設置し、前記カソードと対向して配設さ
れた基板ホルダ上に被処理物を設置して、ＤＣマグネト
ロンスパッタ法により、前記被処理物の表面にダイヤモ
ンド状炭素膜を形成するにあたり、ガス組成を、水素ガ
スと不活性ガスとからなる混合ガスに対する水素ガスの
モル比を０．０５〜０．１の範囲にあるようにするとと
もに、接地電圧に対して前記基板ホルダの電圧を−３０
〜−８０Ｖとなるようにしたことを特徴とする。
るために、請求項１に記載の本発明によるＤＬＣ膜の形
成方法は、成膜室内のカソード上にグラファイトからな
るターゲットを設置し、前記カソードと対向して配設さ
れた基板ホルダ上に被処理物を設置して、ＤＣマグネト
ロンスパッタ法により、前記被処理物の表面にダイヤモ
ンド状炭素膜を形成するにあたり、ガス組成を、水素ガ
スと不活性ガスとからなる混合ガスに対する水素ガスの
モル比を０．０５〜０．１の範囲にあるようにするとと
もに、接地電圧に対して前記基板ホルダの電圧を−３０
〜−８０Ｖとなるようにしたことを特徴とする。
【０００９】請求項２に記載の本発明による磁気ヘッド
の製造方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法により磁気
ヘッドの表面にダイヤモンド状炭素膜を形成するにあた
り、成膜室内のカソード上にグラファイトからなるター
ゲットを設置し、前記カソードに対向して配設された基
板ホルダ上に磁気ヘッドを設置して、ガス組成を、水素
ガスと不活性ガスとからなる混合ガスに対する水素ガス
のモル比を０．０５〜０．１の範囲にあるようにすると
ともに、接地電圧に対する前記基板ホルダの電圧を−３
０〜−８０Ｖとなるようにしたことを特徴とする。
の製造方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法により磁気
ヘッドの表面にダイヤモンド状炭素膜を形成するにあた
り、成膜室内のカソード上にグラファイトからなるター
ゲットを設置し、前記カソードに対向して配設された基
板ホルダ上に磁気ヘッドを設置して、ガス組成を、水素
ガスと不活性ガスとからなる混合ガスに対する水素ガス
のモル比を０．０５〜０．１の範囲にあるようにすると
ともに、接地電圧に対する前記基板ホルダの電圧を−３
０〜−８０Ｖとなるようにしたことを特徴とする。
【００１０】また、請求項３に記載の本発明による磁気
ディスクの製造方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法に
より磁気ヘッドの表面にダイヤモンド状炭素膜を形成す
るにあたり、成膜室内のカソード上にグラファイトから
なるターゲットを設置し、前記カソードを対向して配設
された基板ホルダ上に磁気ディスクを設置して、ガス組
成を、水素ガスと不活性ガスとからなる混合ガスに対す
る水素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲にあるよ
うにするとともに、接地電圧に対する前記基板ホルダの
電圧を−３０〜−８０Ｖとなるようにしたことを特徴と
する。
ディスクの製造方法は、ＤＣマグネトロンスパッタ法に
より磁気ヘッドの表面にダイヤモンド状炭素膜を形成す
るにあたり、成膜室内のカソード上にグラファイトから
なるターゲットを設置し、前記カソードを対向して配設
された基板ホルダ上に磁気ディスクを設置して、ガス組
成を、水素ガスと不活性ガスとからなる混合ガスに対す
る水素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲にあるよ
うにするとともに、接地電圧に対する前記基板ホルダの
電圧を−３０〜−８０Ｖとなるようにしたことを特徴と
する。
【００１１】すなわち本発明は、磁気ヘッドや磁気ディ
スクの保護膜として十分な耐久性を有する高硬度なＤＬ
Ｃ膜の形成方法を、量産性に優れたＤＣマグネトロンス
パッタ法に基づいて確立する必要がある、という観点で
鋭意研究した結果創案された。
スクの保護膜として十分な耐久性を有する高硬度なＤＬ
Ｃ膜の形成方法を、量産性に優れたＤＣマグネトロンス
パッタ法に基づいて確立する必要がある、という観点で
鋭意研究した結果創案された。
【００１２】本発明者らは、ＤＣマグネトロンスパッタ
法で成膜されるＤＬＣ膜の硬度が、接地電圧に対する基
板ホルダの電圧（以下、ＤＣバイアス電圧という）によ
り変化すること、およびスパッタガスに添加する水素ガ
スの添加量により変化すること、の２点に着目した。そ
して、このＤＣバイアス電圧、および水素ガスの添加量
がＤＬＣ膜の硬度に与えるそれぞれのよい影響を生かし
て、より高い硬度のＤＬＣ膜の形成条件を探すべく実験
・研究した結果、ガス組成を、水素ガスと不活性ガスと
からなる混合ガス（以下、混合ガスという）に対する水
素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲とし、かつＤ
Ｃバイアス電圧を−３０〜−８０Ｖとなるように設定し
た場合、１４０ＧＰａ以上の硬度を有するＤＬＣ膜が得
られることが分かった。
法で成膜されるＤＬＣ膜の硬度が、接地電圧に対する基
板ホルダの電圧（以下、ＤＣバイアス電圧という）によ
り変化すること、およびスパッタガスに添加する水素ガ
スの添加量により変化すること、の２点に着目した。そ
して、このＤＣバイアス電圧、および水素ガスの添加量
がＤＬＣ膜の硬度に与えるそれぞれのよい影響を生かし
て、より高い硬度のＤＬＣ膜の形成条件を探すべく実験
・研究した結果、ガス組成を、水素ガスと不活性ガスと
からなる混合ガス（以下、混合ガスという）に対する水
素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲とし、かつＤ
Ｃバイアス電圧を−３０〜−８０Ｖとなるように設定し
た場合、１４０ＧＰａ以上の硬度を有するＤＬＣ膜が得
られることが分かった。
【００１３】本発明によるＤＬＣ膜の形成方法、および
磁気ヘッドならびに磁気ディスクの製造方法では、不活
性ガスとしてＡｒが適しているが、この他Ｈｅ、Ｎｅ、
Ｋｒなどのガスを用いてもよい。また、ガス組成は、混
合ガスに対する水素ガスのモル比が、０．０５〜０．１
であることが望ましい。この範囲では、プラズマ中に活
性なＨ* がより多く生成されることにより、プラズマ状
態がダイヤモンドの生成条件に近い状態となるととも
に、前記Ｈ* が被処理物表面に形成されるＤＬＣ膜を衝
撃してこの表面からグラファイト結合であるＳＰ3 結合
を選択的にエッチング・除去するため、ＤＬＣ膜中では
ＳＰ2 に対するＳＰ3 結合の割合が高くなり、より高い
硬度のＤＬＣ膜が形成される。ここでＳＰ2 結合はダイ
ヤモンド結合といわれるものである。また、混合ガスに
対する水素ガスのモル比が０．０５未満になると、プラ
ズマ状態がダイヤモンドの生成条件から大きくずれるの
で、ＤＬＣ膜中ではＳＰ3 結合に対するＳＰ2 結合の割
合が多くなり、またプラズマ中の活性なＨ* が少なくな
ることからこのＳＰ2 結合がエッチングされずに残存す
るため、ＤＬＣ膜の硬度が低下する。また前記水素ガス
のモル比が０．１を越えると、ＤＬＣ膜中に占めるポリ
マー系のＣとＨの結合の割合が急増してＤＬＣ膜の硬度
が低下する。
磁気ヘッドならびに磁気ディスクの製造方法では、不活
性ガスとしてＡｒが適しているが、この他Ｈｅ、Ｎｅ、
Ｋｒなどのガスを用いてもよい。また、ガス組成は、混
合ガスに対する水素ガスのモル比が、０．０５〜０．１
であることが望ましい。この範囲では、プラズマ中に活
性なＨ* がより多く生成されることにより、プラズマ状
態がダイヤモンドの生成条件に近い状態となるととも
に、前記Ｈ* が被処理物表面に形成されるＤＬＣ膜を衝
撃してこの表面からグラファイト結合であるＳＰ3 結合
を選択的にエッチング・除去するため、ＤＬＣ膜中では
ＳＰ2 に対するＳＰ3 結合の割合が高くなり、より高い
硬度のＤＬＣ膜が形成される。ここでＳＰ2 結合はダイ
ヤモンド結合といわれるものである。また、混合ガスに
対する水素ガスのモル比が０．０５未満になると、プラ
ズマ状態がダイヤモンドの生成条件から大きくずれるの
で、ＤＬＣ膜中ではＳＰ3 結合に対するＳＰ2 結合の割
合が多くなり、またプラズマ中の活性なＨ* が少なくな
ることからこのＳＰ2 結合がエッチングされずに残存す
るため、ＤＬＣ膜の硬度が低下する。また前記水素ガス
のモル比が０．１を越えると、ＤＬＣ膜中に占めるポリ
マー系のＣとＨの結合の割合が急増してＤＬＣ膜の硬度
が低下する。
【００１４】一方、ＤＣバイアス電圧は−３０〜−８０
Ｖに設定するのが望ましい。ＤＣバイアス電圧が−３０
Ｖ未満の場合には、プラズマ中のＡｒ+ が基板ホルダ側
に引き出されてＤＬＣ膜を衝撃するエネルギーが低いの
で、ＤＬＣ膜の表面からＳＰ2 結合を選択的に除去する
には至らず、したがってＤＬＣ膜中に占めるＳＰ2 結合
の割合が低くならないことから、ＤＬＣ膜の硬度が低く
なる。また、ＤＣバイアス電圧が−８０Ｖを越えると、
プラズマ中のＡｒ+ がＤＬＣ膜を衝撃するエネルギーが
極めて大きくなるので、ＤＬＣ膜表面からＳＰ2 結合を
エッチング除去するとともに、ＳＰ3 結合をも破壊した
りエッチングすることになるため、ＤＬＣ膜の硬度が低
くなる。
Ｖに設定するのが望ましい。ＤＣバイアス電圧が−３０
Ｖ未満の場合には、プラズマ中のＡｒ+ が基板ホルダ側
に引き出されてＤＬＣ膜を衝撃するエネルギーが低いの
で、ＤＬＣ膜の表面からＳＰ2 結合を選択的に除去する
には至らず、したがってＤＬＣ膜中に占めるＳＰ2 結合
の割合が低くならないことから、ＤＬＣ膜の硬度が低く
なる。また、ＤＣバイアス電圧が−８０Ｖを越えると、
プラズマ中のＡｒ+ がＤＬＣ膜を衝撃するエネルギーが
極めて大きくなるので、ＤＬＣ膜表面からＳＰ2 結合を
エッチング除去するとともに、ＳＰ3 結合をも破壊した
りエッチングすることになるため、ＤＬＣ膜の硬度が低
くなる。
【００１５】
【作用】本発明によるＤＬＣ膜の形成方法、および磁気
ヘッドならびに磁気ディスクの製造方法では、ガス組成
を、混合ガスに対する水素ガスのモル比を０．０５〜
０．１の範囲にあるようにするとともに、ＤＣバイアス
電圧を−３０〜−８０Ｖとなるようにしたので、ＤＬＣ
膜中においてＳＰ3 結合のＳＰ2 結合に対するＳＰ3 の
割合を大きくすることができるため、１４０ＧＰａ以上
の硬度のＤＬＣ膜を形成することができ、特に磁気ヘッ
ドや磁気ディスクなどを保護するのに好適なＤＬＣ膜を
形成することができる。
ヘッドならびに磁気ディスクの製造方法では、ガス組成
を、混合ガスに対する水素ガスのモル比を０．０５〜
０．１の範囲にあるようにするとともに、ＤＣバイアス
電圧を−３０〜−８０Ｖとなるようにしたので、ＤＬＣ
膜中においてＳＰ3 結合のＳＰ2 結合に対するＳＰ3 の
割合を大きくすることができるため、１４０ＧＰａ以上
の硬度のＤＬＣ膜を形成することができ、特に磁気ヘッ
ドや磁気ディスクなどを保護するのに好適なＤＬＣ膜を
形成することができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。
【００１７】（実施例１）本発明によるＤＬＣ膜の形成
方法を図１に基づいて説明する。図１は、ＤＬＣ膜を形
成するのに用いる成膜装置の一例を示す概略断面図であ
る。図１において、１は成膜室、２は成膜室１内に設け
られたカソード、３はカソード２に負の電圧を印加する
ためのＤＣ電源、４はカソード２上に配置されたグラフ
ァイトからなるターゲット、５はカソード２に対向する
ように配設された基板ホルダ、６は基板ホルダ５にＤＣ
バイアス電圧を印加するためのＤＣバイアス電源、７は
基板ホルダ５に設置された被処理物、８は図示しないガ
ス供給源からスパッタガスを成膜室１内に導入するため
のガス導入管、９は図示しない排気装置に接続された排
気管である。
方法を図１に基づいて説明する。図１は、ＤＬＣ膜を形
成するのに用いる成膜装置の一例を示す概略断面図であ
る。図１において、１は成膜室、２は成膜室１内に設け
られたカソード、３はカソード２に負の電圧を印加する
ためのＤＣ電源、４はカソード２上に配置されたグラフ
ァイトからなるターゲット、５はカソード２に対向する
ように配設された基板ホルダ、６は基板ホルダ５にＤＣ
バイアス電圧を印加するためのＤＣバイアス電源、７は
基板ホルダ５に設置された被処理物、８は図示しないガ
ス供給源からスパッタガスを成膜室１内に導入するため
のガス導入管、９は図示しない排気装置に接続された排
気管である。
【００１８】ここで、カソード２には、この表面近傍に
磁界を印加するためのマグネット（図示せず）が内蔵さ
れており、基板ホルダ５には、ＤＣバイアス電源６によ
り所望の大きさのＤＣバイアス電圧を印加することがで
きる。また、スパッタガスは水素ガスとＡｒガスとから
なる混合ガスであり、図示しないガス供給源において混
合ガスに対する水素ガスのモル比を所望の値に設定され
た後、ガス導入管を介して成膜室内に導入される。
磁界を印加するためのマグネット（図示せず）が内蔵さ
れており、基板ホルダ５には、ＤＣバイアス電源６によ
り所望の大きさのＤＣバイアス電圧を印加することがで
きる。また、スパッタガスは水素ガスとＡｒガスとから
なる混合ガスであり、図示しないガス供給源において混
合ガスに対する水素ガスのモル比を所望の値に設定され
た後、ガス導入管を介して成膜室内に導入される。
【００１９】次に本発明によるＤＬＣ膜の形成方法につ
いて説明する。まず、被処理物７として、表面が平滑な
直径３インチのＳｉウエハ−を基板ホルダ５に設置し、
カソード２にはグラファイトからなるターゲット４を設
置する。ここでターゲット４とＳｉウエハーとの距離は
５０ｍｍとし、基板ホルダ５は室温とする。次に成膜室
１内を図示しない排気装置にて排気した後、スパッタガ
スとして水素ガスとＡｒガスとからなる混合ガスを成膜
室１内に導入し、次いでＤＣバイアス電源６から−３０
〜−８０ＶのＤＣバイアス電圧を基板ホルダ５に印加す
るとともに、ＤＣ電源から３００Ｗの電力を投入し、成
膜室１内にプラズマを発生させることによりターゲット
４をスパッタリングして、Ｓｉウエハ−上にＤＬＣ膜を
１０００Ａの厚さにて形成する。このときの混合ガスに
対する水素ガスのモル比は、０．０５〜０．１の範囲と
する。
いて説明する。まず、被処理物７として、表面が平滑な
直径３インチのＳｉウエハ−を基板ホルダ５に設置し、
カソード２にはグラファイトからなるターゲット４を設
置する。ここでターゲット４とＳｉウエハーとの距離は
５０ｍｍとし、基板ホルダ５は室温とする。次に成膜室
１内を図示しない排気装置にて排気した後、スパッタガ
スとして水素ガスとＡｒガスとからなる混合ガスを成膜
室１内に導入し、次いでＤＣバイアス電源６から−３０
〜−８０ＶのＤＣバイアス電圧を基板ホルダ５に印加す
るとともに、ＤＣ電源から３００Ｗの電力を投入し、成
膜室１内にプラズマを発生させることによりターゲット
４をスパッタリングして、Ｓｉウエハ−上にＤＬＣ膜を
１０００Ａの厚さにて形成する。このときの混合ガスに
対する水素ガスのモル比は、０．０５〜０．１の範囲と
する。
【００２０】このようにして得られたＤＬＣ膜の硬度を
薄膜硬度計（ＮＥＣ社製、ＭＨＡ−４００）により測定
した結果を表１に示す。
薄膜硬度計（ＮＥＣ社製、ＭＨＡ−４００）により測定
した結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】なお表中の各欄に記載された３つの数字
は、表の左側に示した混合ガスに対する水素ガスのモル
比と、表の上側に示したＤＣバイアス電圧との組み合わ
せによる成膜条件下で得られたＤＬＣ膜の硬度を示すも
のである。これら３つの数字は、左側の数字が測定値の
最小値、真ん中の数字が測定値の平均値、右側の数字が
測定値の最大値をあらわす。
は、表の左側に示した混合ガスに対する水素ガスのモル
比と、表の上側に示したＤＣバイアス電圧との組み合わ
せによる成膜条件下で得られたＤＬＣ膜の硬度を示すも
のである。これら３つの数字は、左側の数字が測定値の
最小値、真ん中の数字が測定値の平均値、右側の数字が
測定値の最大値をあらわす。
【００２３】この表から理解できるように、ＤＣマグネ
トロンスパッタ法によりＤＬＣ膜を成膜するにあたり、
カソード２上にグラファイトからなるターゲット４を設
置し、前記カソード２と対向して配設された基板ホルダ
５上に被処理物７を設置して、ガス組成を、水素ガスと
Ａｒガスとからなる混合ガスに対する水素ガスのモル比
を０．０５〜０．１の範囲にあるようにするとともに、
基板ホルダ５に印加するＤＣバイアス電圧を−３０〜−
８０Ｖとなるようにしたため、硬度が１４０〜１９０Ｇ
ＰａのＤＬＣ膜を形成することができる。
トロンスパッタ法によりＤＬＣ膜を成膜するにあたり、
カソード２上にグラファイトからなるターゲット４を設
置し、前記カソード２と対向して配設された基板ホルダ
５上に被処理物７を設置して、ガス組成を、水素ガスと
Ａｒガスとからなる混合ガスに対する水素ガスのモル比
を０．０５〜０．１の範囲にあるようにするとともに、
基板ホルダ５に印加するＤＣバイアス電圧を−３０〜−
８０Ｖとなるようにしたため、硬度が１４０〜１９０Ｇ
ＰａのＤＬＣ膜を形成することができる。
【００２４】次に、本発明により成膜されたＤＬＣ膜が
より高い硬度を有することについて、図２ないし図５に
基づいて考察する。図２は、ＤＣバイアス電圧（Ｖ）と
ＤＬＣ膜の成膜速度（Ａ／ｍｉｎ）との関係を示す説明
図である。図２において、縦軸はＤＬＣ膜の成膜速度、
横軸はＤＣバイアス電圧を示す。なお、ここでは、スパ
ッタガスとしてＡｒガスのみを用いており、ＤＣバイア
ス電圧を０〜−４００Ｖとし、ＤＣ電源による投入電力
を３００ＷとしてＤＬＣ膜を成膜した。
より高い硬度を有することについて、図２ないし図５に
基づいて考察する。図２は、ＤＣバイアス電圧（Ｖ）と
ＤＬＣ膜の成膜速度（Ａ／ｍｉｎ）との関係を示す説明
図である。図２において、縦軸はＤＬＣ膜の成膜速度、
横軸はＤＣバイアス電圧を示す。なお、ここでは、スパ
ッタガスとしてＡｒガスのみを用いており、ＤＣバイア
ス電圧を０〜−４００Ｖとし、ＤＣ電源による投入電力
を３００ＷとしてＤＬＣ膜を成膜した。
【００２５】図２から、ＤＣバイアス電圧が０〜−１５
０Ｖの範囲では、Ａｒ+ がＤＣバイアス電圧の大きさに
応じた運動エネルギーを持って基板ホルダ５の側に引き
出され、さらにＤＬＣ膜を衝撃してエッチングするた
め、ＤＣバイアス電圧を負の値として大きくするにつれ
て成膜速度が小さくなることがわかる。また、ＤＣバイ
アス電圧が−１５０Ｖを越えると、Ａｒ+ が持つ運動エ
ネルギーがさらに大きくなりＳｉ基板の表面をもエッチ
ングする。したがって、基板ホルダ５に印加する電圧を
過度に大きくするとよくないことがわかる。
０Ｖの範囲では、Ａｒ+ がＤＣバイアス電圧の大きさに
応じた運動エネルギーを持って基板ホルダ５の側に引き
出され、さらにＤＬＣ膜を衝撃してエッチングするた
め、ＤＣバイアス電圧を負の値として大きくするにつれ
て成膜速度が小さくなることがわかる。また、ＤＣバイ
アス電圧が−１５０Ｖを越えると、Ａｒ+ が持つ運動エ
ネルギーがさらに大きくなりＳｉ基板の表面をもエッチ
ングする。したがって、基板ホルダ５に印加する電圧を
過度に大きくするとよくないことがわかる。
【００２６】図３は、ＤＣバイアス電圧（Ｖ）とＤＬＣ
膜の硬度（ＧＰａ）との関係を示す説明図である。図３
において、縦軸はＤＬＣ膜の硬度、横軸はＤＣバイアス
電圧を示す。なお、ここでは、スパッタガスとしてＡｒ
ガスのみを用いており、ＤＣバイアス電圧を０〜８０Ｖ
とし、ＤＣ電源による投入電力を３００Ｗとして、１０
００ＡのＤＬＣ膜を成膜した。
膜の硬度（ＧＰａ）との関係を示す説明図である。図３
において、縦軸はＤＬＣ膜の硬度、横軸はＤＣバイアス
電圧を示す。なお、ここでは、スパッタガスとしてＡｒ
ガスのみを用いており、ＤＣバイアス電圧を０〜８０Ｖ
とし、ＤＣ電源による投入電力を３００Ｗとして、１０
００ＡのＤＬＣ膜を成膜した。
【００２７】図３から、ＤＣバイアス電圧が約−５０Ｖ
のときにＤＬＣ膜の硬度が最大値を示すことがわかる。
これは、ＤＣバイアス電圧が０〜−５０Ｖの範囲では、
Ａｒ+ がＤＣバイアス電圧の大きさに応じた運動エネル
ギーを持って基板ホルダ５の側に引き出され、さらにＤ
ＬＣ膜を衝撃することによって、ＤＬＣ膜を構成するダ
イヤモンド結合であるＳＰ3 結合とグラファイト結合で
あるＳＰ2 結合のうちＳＰ2 結合を選択的に除去するの
で、ＤＬＣ膜中に占めるＳＰ2 結合に対するＳＰ3 結合
の割合が増してＤＬＣ膜の硬度が上昇するものと考えら
れる。また、ＤＣバイアス電圧が−５０Ｖを越えると、
Ａｒ+ が持つ運動エネルギーがさらに大きくなってＤＬ
Ｃ膜を衝撃してＳＰ3 結合を破壊あるいはエッチングし
てＤＬＣ膜の硬度を低下させるものと思われる。
のときにＤＬＣ膜の硬度が最大値を示すことがわかる。
これは、ＤＣバイアス電圧が０〜−５０Ｖの範囲では、
Ａｒ+ がＤＣバイアス電圧の大きさに応じた運動エネル
ギーを持って基板ホルダ５の側に引き出され、さらにＤ
ＬＣ膜を衝撃することによって、ＤＬＣ膜を構成するダ
イヤモンド結合であるＳＰ3 結合とグラファイト結合で
あるＳＰ2 結合のうちＳＰ2 結合を選択的に除去するの
で、ＤＬＣ膜中に占めるＳＰ2 結合に対するＳＰ3 結合
の割合が増してＤＬＣ膜の硬度が上昇するものと考えら
れる。また、ＤＣバイアス電圧が−５０Ｖを越えると、
Ａｒ+ が持つ運動エネルギーがさらに大きくなってＤＬ
Ｃ膜を衝撃してＳＰ3 結合を破壊あるいはエッチングし
てＤＬＣ膜の硬度を低下させるものと思われる。
【００２８】図４は、混合ガスに対する水素ガスのモル
比とＤＬＣ膜の硬度（ＧＰａ）との関係を示す説明図で
ある。図４において、縦軸はＤＬＣ膜の硬度、横軸は混
合ガスに対する水素ガスのモル比を示す。なお、ここで
は、混合ガスに対する水素ガスのモル比を０〜０．３の
範囲に設定し、ＤＣバイアス電圧をゼロとし、ＤＣ電源
による投入電力を３００Ｗとして、１０００ＡのＤＬＣ
膜を成膜した。
比とＤＬＣ膜の硬度（ＧＰａ）との関係を示す説明図で
ある。図４において、縦軸はＤＬＣ膜の硬度、横軸は混
合ガスに対する水素ガスのモル比を示す。なお、ここで
は、混合ガスに対する水素ガスのモル比を０〜０．３の
範囲に設定し、ＤＣバイアス電圧をゼロとし、ＤＣ電源
による投入電力を３００Ｗとして、１０００ＡのＤＬＣ
膜を成膜した。
【００２９】図４から、混合ガスに対する水素ガスのモ
ル比が約０．１付近で、ＤＬＣ膜の硬度が最大値約１３
５ＧＰａを示すことがわかる。これは、水素ガスのモル
比が０〜０．１の範囲では、水素ガスがプラズマ中で活
性化されて活性種（Ｈ* ）を生じて、プラズマ状態を高
温・高圧の状態に変化させてダイヤモンドの生成条件に
より近づけるとともに、活性種となったＨ* などがプラ
ズマに晒されたＤＬＣ膜の表面に入射・衝撃をして、グ
ラファイト結合であるＳＰ2 結合を選択的にエッチング
することにより、ＤＬＣ膜中ではＳＰ2結合に対するＳ
Ｐ3 結合の割合を上昇させるのではないかと考えられ
る。また、水素ガスのモル比が０．１を越えると、プラ
ズマ中の水素の濃度が高くなるため、ＤＬＣ膜中に水素
が入り込んでポリマ−系のＣとＨの結合の割合を急増さ
せ、ＤＬＣ膜の硬度が低下するものと考えられる。
ル比が約０．１付近で、ＤＬＣ膜の硬度が最大値約１３
５ＧＰａを示すことがわかる。これは、水素ガスのモル
比が０〜０．１の範囲では、水素ガスがプラズマ中で活
性化されて活性種（Ｈ* ）を生じて、プラズマ状態を高
温・高圧の状態に変化させてダイヤモンドの生成条件に
より近づけるとともに、活性種となったＨ* などがプラ
ズマに晒されたＤＬＣ膜の表面に入射・衝撃をして、グ
ラファイト結合であるＳＰ2 結合を選択的にエッチング
することにより、ＤＬＣ膜中ではＳＰ2結合に対するＳ
Ｐ3 結合の割合を上昇させるのではないかと考えられ
る。また、水素ガスのモル比が０．１を越えると、プラ
ズマ中の水素の濃度が高くなるため、ＤＬＣ膜中に水素
が入り込んでポリマ−系のＣとＨの結合の割合を急増さ
せ、ＤＬＣ膜の硬度が低下するものと考えられる。
【００３０】さらに図５は、基板ホルダにＤＣバイアス
電圧を印加しながらＤＬＣ膜を成膜したときの、混合ガ
スに対する水素ガスのモル比とＤＬＣ膜の硬度（ＧＰ
ａ）との関係を示す説明図である。図５において、縦軸
はＤＬＣ膜の硬度、横軸は混合ガスに対する水素ガスの
モル比を示す。なお、ここでは、混合ガスに対する水素
ガスのモル比を０〜０．３とし、ＤＣバイス電圧を−５
０Ｖとし、ＤＣ電源による投入電力を３００Ｗとして、
１０００ＡのＤＬＣ膜を成膜した。
電圧を印加しながらＤＬＣ膜を成膜したときの、混合ガ
スに対する水素ガスのモル比とＤＬＣ膜の硬度（ＧＰ
ａ）との関係を示す説明図である。図５において、縦軸
はＤＬＣ膜の硬度、横軸は混合ガスに対する水素ガスの
モル比を示す。なお、ここでは、混合ガスに対する水素
ガスのモル比を０〜０．３とし、ＤＣバイス電圧を−５
０Ｖとし、ＤＣ電源による投入電力を３００Ｗとして、
１０００ＡのＤＬＣ膜を成膜した。
【００３１】図５から、水素ガスのモル比が０．１付近
でＤＬＣ膜の硬度が最大値約１７５ＧＰａを示し、０．
１を越えると次第に低下することがわかる。これは、図
４から考察される前記ポリマー系のＣとＨの結合のＤＬ
Ｃ膜中に占める割合が増大することによるものと考えら
れる。このようにして得られるＤＬＣ膜の構造をＴＥＭ
観察及び電子線回析により調べたところ、非常に均質な
アモルファスであることがわかった。
でＤＬＣ膜の硬度が最大値約１７５ＧＰａを示し、０．
１を越えると次第に低下することがわかる。これは、図
４から考察される前記ポリマー系のＣとＨの結合のＤＬ
Ｃ膜中に占める割合が増大することによるものと考えら
れる。このようにして得られるＤＬＣ膜の構造をＴＥＭ
観察及び電子線回析により調べたところ、非常に均質な
アモルファスであることがわかった。
【００３２】図５によれば、ＤＣバイアス電圧を−５０
Ｖとし、混合ガスに対する水素ガスのモル比を０．０５
〜０．１としてＤＬＣ膜を形成すると、ＤＣマグネトロ
ンスパッタ法では得られない高硬度である１４０ＧＰａ
以上の硬度が得られることが分かる。
Ｖとし、混合ガスに対する水素ガスのモル比を０．０５
〜０．１としてＤＬＣ膜を形成すると、ＤＣマグネトロ
ンスパッタ法では得られない高硬度である１４０ＧＰａ
以上の硬度が得られることが分かる。
【００３３】以上説明したように、本発明によるＤＬＣ
膜の形成方法は、単にガス組成を、混合ガスに対する水
素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲としただけで
は成りたたず、また単にバイアス電圧を−３０〜−８０
Ｖに設定しただけでも成りたたないことは言うまでもな
い。すなわち本発明は、ガス組成を、混合ガスに対する
水素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲にすると同
時に、バイアス電圧を−３０〜−８０Ｖに設定した条件
下で、初めて良好な結果が得られるものとなる。
膜の形成方法は、単にガス組成を、混合ガスに対する水
素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲としただけで
は成りたたず、また単にバイアス電圧を−３０〜−８０
Ｖに設定しただけでも成りたたないことは言うまでもな
い。すなわち本発明は、ガス組成を、混合ガスに対する
水素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲にすると同
時に、バイアス電圧を−３０〜−８０Ｖに設定した条件
下で、初めて良好な結果が得られるものとなる。
【００３４】（実施例２）本発明の磁気ヘッドの製造方
法は、実施例１における被処理物６として磁気ヘッドを
用いた点を除けば、実施例１に示す構成の方法と同様で
ある。図６に、本発明により製造された磁気ヘッドの要
部断面図を示す。図６において、１０は磁気ヘッド、１
１は非磁性セラミックス、１２と１３はフェライトなど
からなる高透磁率磁性体、１４と１５は接着層、１６は
ギャップ、１７はコイル、１８は磁気ヘッド１０のヘッ
ド部に形成されたＤＬＣ膜である。ここで、ＤＬＣ膜を
１００〜２５０Ａとした。
法は、実施例１における被処理物６として磁気ヘッドを
用いた点を除けば、実施例１に示す構成の方法と同様で
ある。図６に、本発明により製造された磁気ヘッドの要
部断面図を示す。図６において、１０は磁気ヘッド、１
１は非磁性セラミックス、１２と１３はフェライトなど
からなる高透磁率磁性体、１４と１５は接着層、１６は
ギャップ、１７はコイル、１８は磁気ヘッド１０のヘッ
ド部に形成されたＤＬＣ膜である。ここで、ＤＬＣ膜を
１００〜２５０Ａとした。
【００３５】このようにして得られた磁気ヘッドを用い
てＣＳＳ試験（ＣＳＳ：ContactStart and Stop）を行
ったところ、起動トルク（ｇ・ｃｍ）の上昇は全くみら
れず、またヘッドの表面に擦過等のキズの発生もなかっ
た。以上のように、本発明の磁気ヘッドの製造方法によ
れば、極めて薄いＤＬＣ膜を保護膜としても十分な耐摩
耗性、耐衝撃性を有する磁気ヘッドを提供することがで
きるので、今後、固定ディスク装置において磁気ヘッド
と磁気ディスクのギャップをさらに狭くすることが要求
されても、それらの時代的要請に対して十分対応でき
る。また、本実施例では、磁気ディスクとして浮掲型磁
気ヘッドの例を示したが、例えば、磁気テープ用に用い
られるＶＴＲ用磁気ヘッドなどにも好適に用いられるの
は勿論である。
てＣＳＳ試験（ＣＳＳ：ContactStart and Stop）を行
ったところ、起動トルク（ｇ・ｃｍ）の上昇は全くみら
れず、またヘッドの表面に擦過等のキズの発生もなかっ
た。以上のように、本発明の磁気ヘッドの製造方法によ
れば、極めて薄いＤＬＣ膜を保護膜としても十分な耐摩
耗性、耐衝撃性を有する磁気ヘッドを提供することがで
きるので、今後、固定ディスク装置において磁気ヘッド
と磁気ディスクのギャップをさらに狭くすることが要求
されても、それらの時代的要請に対して十分対応でき
る。また、本実施例では、磁気ディスクとして浮掲型磁
気ヘッドの例を示したが、例えば、磁気テープ用に用い
られるＶＴＲ用磁気ヘッドなどにも好適に用いられるの
は勿論である。
【００３６】（実施例３）本発明の磁気ディスクの製造
方法は、実施例２における磁気ヘッド１０の代わりに固
定磁気ディスクを用いた点を除けば、実施例２と同様で
ある。
方法は、実施例２における磁気ヘッド１０の代わりに固
定磁気ディスクを用いた点を除けば、実施例２と同様で
ある。
【００３７】したがって、本発明の磁気ディスクの製造
方法によれば、極めて薄いＤＬＣ膜を保護膜としても十
分な耐摩耗性・耐衝撃性を有する磁気ディスクを提供す
ることができるので、今後固定ディスク装置において磁
気ヘッドと磁気ディスクのギャップをさらに狭くするこ
とが要求されても、それらの時代的要請に対して十分対
応できる。
方法によれば、極めて薄いＤＬＣ膜を保護膜としても十
分な耐摩耗性・耐衝撃性を有する磁気ディスクを提供す
ることができるので、今後固定ディスク装置において磁
気ヘッドと磁気ディスクのギャップをさらに狭くするこ
とが要求されても、それらの時代的要請に対して十分対
応できる。
【００３８】
【発明の効果】本発明によるＤＬＣ膜の形成方法は、成
膜室内のカソード上にグラファイトからなるターゲット
を設置し、前記カソードに対向して配設された基板ホル
ダ上に被処理物を設置して、ＤＣマグネトロンスパッタ
法によりこれらの表面にＤＬＣ膜を形成するにあたり、
ガス組成を、水素ガスと不活性ガスとからなる混合ガス
に対する水素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲に
あるようにするとともに、接地電圧に対する前記基板ホ
ルダの電圧を−３０〜−８０Ｖとなるようにしたことを
特徴とするので、１４０ＧＰａ以上の硬度を有するＤＬ
Ｃ膜を形成することができ、したがって特に磁気ヘッド
や磁気ディスクなどを保護するのに好適なＤＬＣ膜を形
成することができる。
膜室内のカソード上にグラファイトからなるターゲット
を設置し、前記カソードに対向して配設された基板ホル
ダ上に被処理物を設置して、ＤＣマグネトロンスパッタ
法によりこれらの表面にＤＬＣ膜を形成するにあたり、
ガス組成を、水素ガスと不活性ガスとからなる混合ガス
に対する水素ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲に
あるようにするとともに、接地電圧に対する前記基板ホ
ルダの電圧を−３０〜−８０Ｖとなるようにしたことを
特徴とするので、１４０ＧＰａ以上の硬度を有するＤＬ
Ｃ膜を形成することができ、したがって特に磁気ヘッド
や磁気ディスクなどを保護するのに好適なＤＬＣ膜を形
成することができる。
【００３９】また、本発明による磁気ヘッドならびに磁
気ディスクの製造方法は、前記ＤＬＣ膜の形成方法と同
様の成膜条件を採用しているので、保護膜として１００
〜２５０Ａ程度の極めて薄いＤＬＣ膜を形成できるた
め、耐摩耗性・耐衝撃性に優れた磁気ヘッドならびに磁
気ディスクの製造方法を提供することができる。
気ディスクの製造方法は、前記ＤＬＣ膜の形成方法と同
様の成膜条件を採用しているので、保護膜として１００
〜２５０Ａ程度の極めて薄いＤＬＣ膜を形成できるた
め、耐摩耗性・耐衝撃性に優れた磁気ヘッドならびに磁
気ディスクの製造方法を提供することができる。
【図１】本発明によるＤＬＣ膜の形成方法を説明するの
に用いる成膜装置の一例を示す概略断面図である。
に用いる成膜装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】ＤＣバイアス電圧とＤＬＣ膜の成膜速度との関
係を示す説明図である。
係を示す説明図である。
【図３】ＤＣバイアス電圧とＤＬＣ膜の硬度との関係を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図４】混合ガスに対する水素ガスのモル比とＤＬＣ膜
の硬度との関係を示す説明図である。
の硬度との関係を示す説明図である。
【図５】基板ホルダにＤＣバイアス電圧を印加しながら
ＤＬＣ膜を成膜したときの、混合ガスに対する水素ガス
のモル比とＤＬＣ膜の硬度との関係を示す説明図であ
る。
ＤＬＣ膜を成膜したときの、混合ガスに対する水素ガス
のモル比とＤＬＣ膜の硬度との関係を示す説明図であ
る。
【図６】本発明の磁気ヘッドの製造方法により作られた
磁気ヘッドの要部断面図である。
磁気ヘッドの要部断面図である。
１ 成膜室 ２ カソード ３ ＤＣ電源 ４ ターゲット ５ 基板ホルダ ６ ＤＣバイアス電源 ７ 被処理物 ８ ガス導入管 ９ 排気管 １０ 磁気ヘッド １１ 非磁性セラミックス １２、１３ 高透磁率磁性体 １４、１５ 接着層 １６ ギャップ １７ コイル １８ ＤＬＣ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ３０Ｂ 29/04 Ｍ 8216−4Ｇ Ｇ１１Ｂ 5/127 Ｆ 7303−5Ｄ 5/84 Ｂ 7303−5Ｄ (72)発明者 中村 功 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 成膜室内のカソード上にグラファイトか
らなるターゲットを設置し、前記カソードに対向して配
設された基板ホルダ上に被処理物を設置して、ＤＣマグ
ネトロンスパッタ法により前記被処理物の表面にダイヤ
モンド状炭素膜を形成するにあたり、ガス組成を、水素
ガスと不活性ガスとからなる混合ガスに対する水素ガス
のモル比を０．０５〜０．１の範囲にあるようにすると
ともに、接地電圧に対する前記基板ホルダの電圧を−３
０〜−８０Ｖとなるようにしたことを特徴とするダイヤ
モンド状炭素膜の形成方法。 - 【請求項２】 ＤＣマグネトロンスパッタ法により磁気
ヘッドの表面にダイヤモンド状炭素膜を形成するにあた
り、成膜室内のカソード上にグラファイトからなるター
ゲットを設置し、前記カソードに対向して配設された基
板ホルダ上に磁気ヘッドを設置して、ガス組成を、水素
ガスと不活性ガスとからなる混合ガスに対する水素ガス
のモル比を０．０５〜０．１の範囲にあるようにすると
ともに、接地電圧に対する前記基板ホルダの電圧を−３
０〜−８０Ｖとなるようにしたことを特徴とする磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項３】 ＤＣマグネトロンスパッタ法により磁気
ディスクの表面にダイヤモンド状炭素膜を形成するにあ
たり、成膜室内のカソード上にグラファイトからなるタ
ーゲットを設置し、前記カソードに対向して配設された
基板ホルダ上に磁気ディスクを設置して、ガス組成を、
水素ガスと不活性ガスとからなる混合ガスに対する水素
ガスのモル比を０．０５〜０．１の範囲にあるようにす
るとともに、接地電圧に対する前記基板ホルダの電圧を
−３０〜−８０Ｖとなるようにしたことを特徴とする磁
気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26560193A JP3250768B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | ダイヤモンド状炭素膜の形成方法、磁気ヘッドの製造方法および磁気ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26560193A JP3250768B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | ダイヤモンド状炭素膜の形成方法、磁気ヘッドの製造方法および磁気ディスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0797687A true JPH0797687A (ja) | 1995-04-11 |
| JP3250768B2 JP3250768B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=17419400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26560193A Expired - Fee Related JP3250768B2 (ja) | 1993-09-28 | 1993-09-28 | ダイヤモンド状炭素膜の形成方法、磁気ヘッドの製造方法および磁気ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3250768B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006508242A (ja) * | 2002-11-29 | 2006-03-09 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 真空中の表面のプラズマ処理方法およびそのための装置 |
| CN103663437A (zh) * | 2014-01-10 | 2014-03-26 | 青岛华高能源科技有限公司 | 利用磁控溅射技术制备石墨烯量子点 |
| RU2740591C1 (ru) * | 2020-05-27 | 2021-01-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ростовский государственный университет путей сообщения" (ФГБОУ ВО РГУПС) | Способ получения многослойных износостойких алмазоподобных покрытий |
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1993
- 1993-09-28 JP JP26560193A patent/JP3250768B2/ja not_active Expired - Fee Related
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