JPH0812932B2 - フォトセンサアレイ - Google Patents
フォトセンサアレイInfo
- Publication number
- JPH0812932B2 JPH0812932B2 JP60274567A JP27456785A JPH0812932B2 JP H0812932 B2 JPH0812932 B2 JP H0812932B2 JP 60274567 A JP60274567 A JP 60274567A JP 27456785 A JP27456785 A JP 27456785A JP H0812932 B2 JPH0812932 B2 JP H0812932B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- photosensor
- oxygen content
- photosensor array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/10—Semiconductor bodies
- H10F77/16—Material structures, e.g. crystalline structures, film structures or crystal plane orientations
- H10F77/169—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates
- H10F77/1692—Thin semiconductor films on metallic or insulating substrates the films including only Group IV materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
- H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はファクシミリやデジタル複写機等において使
用されるフォトセンサアレイに関する。
用されるフォトセンサアレイに関する。
従来、ファクシミリやデジタル複写機や文字読取装置
等の画像情報処理装置において、光電変換素子としてフ
ォトセンサが利用されることは一般によく知られてい
る。更に、近年においては、フォトセンサを一次元に配
列して長尺のフォトセンサアレイを形成し、これと読取
原稿照明用光源アレイと該原稿をフォトセンサアレイ上
に結像せしめるための結像アレイとを組合わせてなる長
尺イメージセンサユニットを用いて高感度な画像読取が
行なわれている。この様な画像読取において用いられる
フォトセンサとして、非晶質シリコン（以下、ａ−Siと
記す）等を含む光導電層の両面に１対の電極層を形成し
てなるサンドイッチ型と呼ばれているものが例示でき
る。しかしながら、このフォトセンサは入射光によって
光導電層中に発生した１次光電流を信号として取り出す
方式であるため信号出力が比較的小さい。また、このフ
ォトセンサは光導電層の両面に電極層が位置する構成の
ため、製造時において光導電層にピンホールがあった場
合にはショートが発生する。
等の画像情報処理装置において、光電変換素子としてフ
ォトセンサが利用されることは一般によく知られてい
る。更に、近年においては、フォトセンサを一次元に配
列して長尺のフォトセンサアレイを形成し、これと読取
原稿照明用光源アレイと該原稿をフォトセンサアレイ上
に結像せしめるための結像アレイとを組合わせてなる長
尺イメージセンサユニットを用いて高感度な画像読取が
行なわれている。この様な画像読取において用いられる
フォトセンサとして、非晶質シリコン（以下、ａ−Siと
記す）等を含む光導電層の両面に１対の電極層を形成し
てなるサンドイッチ型と呼ばれているものが例示でき
る。しかしながら、このフォトセンサは入射光によって
光導電層中に発生した１次光電流を信号として取り出す
方式であるため信号出力が比較的小さい。また、このフ
ォトセンサは光導電層の両面に電極層が位置する構成の
ため、製造時において光導電層にピンホールがあった場
合にはショートが発生する。
そこで、近年、ａ−Si等を含む光導電層の同一表面に
受光部の少なくとも一部を構成する間隔を設けて１対の
電極を形成してなるプレナー型と呼ばれるフォトセンサ
が用いられる様になってきている。このフォトセンサは
光導電層中での２次光電流を信号として取り出す方式で
あるため、サンドイッチ型フォトセンサに比べ信号出力
が大きいという利点がある。
受光部の少なくとも一部を構成する間隔を設けて１対の
電極を形成してなるプレナー型と呼ばれるフォトセンサ
が用いられる様になってきている。このフォトセンサは
光導電層中での２次光電流を信号として取り出す方式で
あるため、サンドイッチ型フォトセンサに比べ信号出力
が大きいという利点がある。
ところで、この様なプレナー型フォトセンサを構成す
るａ−Siの製造法としてはプラズマCVD法、反応性スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法等があり、いづ
れもグロー放電によって反応が促進せしめられる。しか
し、いづれの場合においても高い光導電率を有する良質
のａ−Si膜を得るには比較的低い放電電力で膜形成を行
なう必要がある。しかしながら、この様な低い放電電力
での膜形成により得られた光導電層はガラスやセラミッ
ク等からなる基板との密着性が十分ではなく、その後の
電極形成時のフォトリソグラフィー工程等を経る際には
膜はがれを生じ易いという問題があった。
るａ−Siの製造法としてはプラズマCVD法、反応性スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法等があり、いづ
れもグロー放電によって反応が促進せしめられる。しか
し、いづれの場合においても高い光導電率を有する良質
のａ−Si膜を得るには比較的低い放電電力で膜形成を行
なう必要がある。しかしながら、この様な低い放電電力
での膜形成により得られた光導電層はガラスやセラミッ
ク等からなる基板との密着性が十分ではなく、その後の
電極形成時のフォトリソグラフィー工程等を経る際には
膜はがれを生じ易いという問題があった。
そこで、従来、膜はがれを防止するために、基板表面
を荒らした後にａ−Siを堆積させる方法が採用されてい
る。即ち、予め基板表面を、化学的に例えばフッ酸等に
よりエッチングしたり、あるいは物理的に例えばブラシ
等により擦過したりしておくのである。
を荒らした後にａ−Siを堆積させる方法が採用されてい
る。即ち、予め基板表面を、化学的に例えばフッ酸等に
よりエッチングしたり、あるいは物理的に例えばブラシ
等により擦過したりしておくのである。
ところが、この様な方法では粗面化された基板表面の
凹凸の程度は場所により異なることがあり、また基板表
面には部分的な微視的欠陥が発生し易く、このため従来
の様式にて基板上にａ−Siを堆積させ更に電極形成等を
行なうことにより作製されるフォトセンサアレイにおい
てはフォトセンサ間で特性のバラツキが発生し易いとい
う問題がある。
凹凸の程度は場所により異なることがあり、また基板表
面には部分的な微視的欠陥が発生し易く、このため従来
の様式にて基板上にａ−Siを堆積させ更に電極形成等を
行なうことにより作製されるフォトセンサアレイにおい
てはフォトセンサ間で特性のバラツキが発生し易いとい
う問題がある。
従って、以上の様なフォトセンサアレイを用いて長尺
イメージセンサユニットを構成する場合には各ビット信
号のばらつきが大きいため、ばらつき補正のための補正
回路を付属させることが必要となり、これがコストアッ
プの原因となっていた。
イメージセンサユニットを構成する場合には各ビット信
号のばらつきが大きいため、ばらつき補正のための補正
回路を付属させることが必要となり、これがコストアッ
プの原因となっていた。
本発明は、以上の如き従来技術に鑑み、プレナー型フ
ォトセンサを用いたフォトセンサアレイにおける各フォ
トセンサの特性の均一性を向上させ、これにより長尺イ
メージセンサユニットを構成する際にビット間の信号の
パラツキを低減させ補正回路を必要としない様なフォト
センサアレイを提供することを目的とする。
ォトセンサを用いたフォトセンサアレイにおける各フォ
トセンサの特性の均一性を向上させ、これにより長尺イ
メージセンサユニットを構成する際にビット間の信号の
パラツキを低減させ補正回路を必要としない様なフォト
センサアレイを提供することを目的とする。
本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとし
て、 基板、該基板上に設けられた光導電層、該光導電層の
前記基板と反対側の面にオーミックコンタクト層を介し
て設けられた少なくとも１対の電極を有するフォトセン
サの複数がアレイ状に配列され、前記光導電層は酸素含
有率の異なるシリコンを有する非晶質材料の領域を２以
上有し、且つ、該非晶質材料の領域のうちの基板側の領
域の酸素含有率が低くされてなることを特徴とするフォ
トセンサアレイ。
て、 基板、該基板上に設けられた光導電層、該光導電層の
前記基板と反対側の面にオーミックコンタクト層を介し
て設けられた少なくとも１対の電極を有するフォトセン
サの複数がアレイ状に配列され、前記光導電層は酸素含
有率の異なるシリコンを有する非晶質材料の領域を２以
上有し、且つ、該非晶質材料の領域のうちの基板側の領
域の酸素含有率が低くされてなることを特徴とするフォ
トセンサアレイ。
が提供される。
以下、本発明の具体的実施例を説明する。
尚、本明細書においては光導電層のうちの最下層をａ
−Si下びき層と称し、その上の１または複数の層をａ−
Si層と称することもある。
−Si下びき層と称し、その上の１または複数の層をａ−
Si層と称することもある。
第１図は本発明フォトセンサアレイの一実施例におけ
るフォトセンサの部分平面図であり、第２図はそのII−
II断面図である。図において、１は基板である。２はａ
−Si下びき層であり、３はａ−Si層であり、これらによ
り光導電層が構成されている。４はオーミックコンタク
ト層であるn+層である。５は光電流を取り出すための電
極である。
るフォトセンサの部分平面図であり、第２図はそのII−
II断面図である。図において、１は基板である。２はａ
−Si下びき層であり、３はａ−Si層であり、これらによ
り光導電層が構成されている。４はオーミックコンタク
ト層であるn+層である。５は光電流を取り出すための電
極である。
基板１としては、コーニング社製＃7059、コーニング
社製＃7740、東京応化社製SCG、石英ガラス等のガラス
あるいは部分グレーズセラミック等のセラミックその他
を用いることができる。
社製＃7740、東京応化社製SCG、石英ガラス等のガラス
あるいは部分グレーズセラミック等のセラミックその他
を用いることができる。
本発明フォトセンサアレイの各フォトセンサの光導電
層は複数の積層膜からなり、且つ各層の酸素含有率は異
なり、隣接する２つの層の間では下層（即ち基板に近い
側の層）の酸素含有率が上層の酸素含有率よりも低い。
そして、光導電層のうちのａ−Si下びき層２の酸素含有
率は2000原子ppm以下であるのが好ましく、またａ−Si
層３の酸素含有率は2000〜4000原子ppmであるのが好ま
しい。
層は複数の積層膜からなり、且つ各層の酸素含有率は異
なり、隣接する２つの層の間では下層（即ち基板に近い
側の層）の酸素含有率が上層の酸素含有率よりも低い。
そして、光導電層のうちのａ−Si下びき層２の酸素含有
率は2000原子ppm以下であるのが好ましく、またａ−Si
層３の酸素含有率は2000〜4000原子ppmであるのが好ま
しい。
本発明における光導電層の酸素含有率に関する規定の
意義は次の通りである。即ち、大きな光電流を得るため
には酸素含有率の高い高導電率層を用いるのが好ましい
が、密着性を高めるために粗面化基板を用いて該基板上
に高酸素含有率層を直接形成すると、基板表面の状態が
場所により異なることが多いのでその影響を受けて光電
流及び暗電流の特性がフォトセンサごとに異なる様にな
り不都合である。一方、酸素含有率の低い層は光導電率
も低く光導電層としては低効率であるが、それだけに該
層の光電流及び暗電流の特性には基板表面の状態の影響
が現われにくい。そこで、本発明においては、下層側を
比較的酸素含有率の低い層にて構成し且つ上層側を比較
的酸素含有率の高い層にて構成することにより、光導電
層全体における光電流に対する基板表面状態の影響を小
さくし且つ大きな光電流を得ているのである。
意義は次の通りである。即ち、大きな光電流を得るため
には酸素含有率の高い高導電率層を用いるのが好ましい
が、密着性を高めるために粗面化基板を用いて該基板上
に高酸素含有率層を直接形成すると、基板表面の状態が
場所により異なることが多いのでその影響を受けて光電
流及び暗電流の特性がフォトセンサごとに異なる様にな
り不都合である。一方、酸素含有率の低い層は光導電率
も低く光導電層としては低効率であるが、それだけに該
層の光電流及び暗電流の特性には基板表面の状態の影響
が現われにくい。そこで、本発明においては、下層側を
比較的酸素含有率の低い層にて構成し且つ上層側を比較
的酸素含有率の高い層にて構成することにより、光導電
層全体における光電流に対する基板表面状態の影響を小
さくし且つ大きな光電流を得ているのである。
尚、酸素濃度が高すぎると光照射による劣化が大きく
なり実用上好ましくないので、ａ−Si層３の酸素含有率
は2000〜4000原子ppm程度が好ましいのであり、またこ
れとの比較でａ−Si下びき層２の酸素含有率は2000原子
ppm以下の程度が好ましいのである。
なり実用上好ましくないので、ａ−Si層３の酸素含有率
は2000〜4000原子ppm程度が好ましいのであり、またこ
れとの比較でａ−Si下びき層２の酸素含有率は2000原子
ppm以下の程度が好ましいのである。
本発明フォトセンサアレイにおいては、ａ−Si下びき
層２の厚さが厚すぎると光導電層全体の効率が低下する
ので、該ａ−Si下びき層２の厚さはあまり厚すぎない方
がよく、たとえば1000Å以下であるのが望ましい。
層２の厚さが厚すぎると光導電層全体の効率が低下する
ので、該ａ−Si下びき層２の厚さはあまり厚すぎない方
がよく、たとえば1000Å以下であるのが望ましい。
以上の様なａ−Si下びき層２及びａ−Si層３はプラズ
マCVD法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等の方法においてグロー放電を行なう際の条件た
とえば放電電力、基板温度、原料ガス組成、原料ガス圧
等を適宜設定することにより形成することができる。
マCVD法、反応性スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法等の方法においてグロー放電を行なう際の条件た
とえば放電電力、基板温度、原料ガス組成、原料ガス圧
等を適宜設定することにより形成することができる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例1: 両面研摩済のガラス基板（コーニング社製＃7059）の
表面をフッ酸（49容量％水溶液）、硝酸（60容量％水溶
液）及び酢酸を1:5:40の容積比で混合した液で30秒間処
理した。次いで、容量結合型のグロー放電分解装置内に
該ガラス基板１を所望パターンのマスクで覆った後セッ
トし、１×10-6Torr以下の排気真空下で230℃に維持し
た。次いで、該装置内にエピタキシャルグレード純SiH4
ガス（小松電子社製）を50SCCMの流量で流入せしめ、ガ
ス圧を0.1Torrに設定した。その後、13.56MHzの高周波
電源を用い、RF（Radio Frequency）放電電力150Wで２
分間グロー放電を行ない、厚さ約500Åのａ−Si下びき
層２を形成した。次いで、SiH4ガス流量を25SCCMとし、
ガス圧を0.08Torrに設定し、放電電力20Wで４時間グロ
ー放電を行ない、厚さ約0.7μのａ−Si層３を形成し
た。
表面をフッ酸（49容量％水溶液）、硝酸（60容量％水溶
液）及び酢酸を1:5:40の容積比で混合した液で30秒間処
理した。次いで、容量結合型のグロー放電分解装置内に
該ガラス基板１を所望パターンのマスクで覆った後セッ
トし、１×10-6Torr以下の排気真空下で230℃に維持し
た。次いで、該装置内にエピタキシャルグレード純SiH4
ガス（小松電子社製）を50SCCMの流量で流入せしめ、ガ
ス圧を0.1Torrに設定した。その後、13.56MHzの高周波
電源を用い、RF（Radio Frequency）放電電力150Wで２
分間グロー放電を行ない、厚さ約500Åのａ−Si下びき
層２を形成した。次いで、SiH4ガス流量を25SCCMとし、
ガス圧を0.08Torrに設定し、放電電力20Wで４時間グロ
ー放電を行ない、厚さ約0.7μのａ−Si層３を形成し
た。
続いて、H2で10％に希釈したSiH4とH2で1000ppmに希
釈したPH3とを混合比1:5で混合したガスを原料として用
い、放電電力30Wでオーミックコンタクト層であるn+層
（厚さ約0.15μ）を堆積せしめた。次に、電子ビーム蒸
着法でAlを0.3μ厚に堆積せしめて、導電層を形成し
た。
釈したPH3とを混合比1:5で混合したガスを原料として用
い、放電電力30Wでオーミックコンタクト層であるn+層
（厚さ約0.15μ）を堆積せしめた。次に、電子ビーム蒸
着法でAlを0.3μ厚に堆積せしめて、導電層を形成し
た。
続いて、ポジ型フォトレジスト（東京応化社製OFDR80
00）を用いて所望の形状にフォトレジストパターンを形
成した後、リン酸（85容量％水溶液）、硝酸（60容量％
水溶液）、氷酢酸及び水を16:1:2:1の容積比で混合した
液で露出部分の導電層を除去し、電極５を形成した。次
いで、平行平板型の装置を用いたプラズマエッチング法
で、RF放電電力120W、ガス圧0.07TorrでCF4ガスによる
ドライエッチングを行なって露出部分のn+層を除去し、
所望パターンのn+層４を形成した。次いでフォトレジス
トを剥離せしめた。
00）を用いて所望の形状にフォトレジストパターンを形
成した後、リン酸（85容量％水溶液）、硝酸（60容量％
水溶液）、氷酢酸及び水を16:1:2:1の容積比で混合した
液で露出部分の導電層を除去し、電極５を形成した。次
いで、平行平板型の装置を用いたプラズマエッチング法
で、RF放電電力120W、ガス圧0.07TorrでCF4ガスによる
ドライエッチングを行なって露出部分のn+層を除去し、
所望パターンのn+層４を形成した。次いでフォトレジス
トを剥離せしめた。
かくして、同一基板上に864個のフォトセンサをアレ
イ状に並べてなるフォトセンサアレイを得た。このフォ
トセンサアレイの概略部分平面図を第３図に示す。第３
図において、11は個別電極であり、12は共通電極であ
る。この長尺フォトセンサアレイの密度は８ビット/mm
であり、A6版幅の長さを有する。
イ状に並べてなるフォトセンサアレイを得た。このフォ
トセンサアレイの概略部分平面図を第３図に示す。第３
図において、11は個別電極であり、12は共通電極であ
る。この長尺フォトセンサアレイの密度は８ビット/mm
であり、A6版幅の長さを有する。
実施例2: 実施例１におけると同様にしてａ−Si下びき層２及び
ａ−Si層３を形成した後に基板１を取出し、該基板１上
に形成されたａ−Si下びき層２及びａ−Si層３の酸素含
有率を２次イオン質量分析法（SIMS）により測定した。
その結果を第４図に示す。
ａ−Si層３を形成した後に基板１を取出し、該基板１上
に形成されたａ−Si下びき層２及びａ−Si層３の酸素含
有率を２次イオン質量分析法（SIMS）により測定した。
その結果を第４図に示す。
第４図に示される様にａ−Si層３においては酸素含有
率が3000原子ppm程度であり、一方ａ−Si下びき層２に
おいては酸素含有率はそれより低い。尚、第４図におい
てａ−Si下びき層２と基板１との境界近傍では酸素含有
率が3000原子ppmよりも高くなっているが、これは境界
面における不純物酸素の影響が現われたものと思われ
る。
率が3000原子ppm程度であり、一方ａ−Si下びき層２に
おいては酸素含有率はそれより低い。尚、第４図におい
てａ−Si下びき層２と基板１との境界近傍では酸素含有
率が3000原子ppmよりも高くなっているが、これは境界
面における不純物酸素の影響が現われたものと思われ
る。
実施例3: 実施例１において得られたフォトセンサアレイのビッ
ト間における光電流及び暗電流の均一性を測定した。そ
の結果を第５図に示す。
ト間における光電流及び暗電流の均一性を測定した。そ
の結果を第５図に示す。
一方、比較のために、実施例１の工程においてａ−Si
下びき層を形成しないことを除いて実施例１と同様にし
て得られたフォトセンサアレイのビット間における光電
流及び暗電流の均一性を測定した。その結果を第６図に
示す。
下びき層を形成しないことを除いて実施例１と同様にし
て得られたフォトセンサアレイのビット間における光電
流及び暗電流の均一性を測定した。その結果を第６図に
示す。
第５図と第６図との比較により、本発明フォトセンサ
アレイにおいては、密着性を高めるため粗面化された基
板１を用いた場合でも光導電特性の均一性が極めて良好
であることが分る。
アレイにおいては、密着性を高めるため粗面化された基
板１を用いた場合でも光導電特性の均一性が極めて良好
であることが分る。
以上の如き本発明のフォトセンサアレイによれば、フ
ォトセンサの特性を均一化することができるので、長尺
イメージセンサユニットを構成する際に補正回路を必要
とせず、従って低コスト化が可能となる。
ォトセンサの特性を均一化することができるので、長尺
イメージセンサユニットを構成する際に補正回路を必要
とせず、従って低コスト化が可能となる。
第１図は本発明フォトセンサアレイのフォトセンサの部
分平面図であり第２図はそのII−II断面図である。第３
図は本発明フォトセンサアレイのの部分平面図である。
第４図は光導電層の酸素含有率のグラフである。第５図
及び第６図は光電流及び暗電流の特性を示すグラフであ
る。 1:基板、2:a−Si下びき層 3:a−Si層、4:n+層 5:電極
分平面図であり第２図はそのII−II断面図である。第３
図は本発明フォトセンサアレイのの部分平面図である。
第４図は光導電層の酸素含有率のグラフである。第５図
及び第６図は光電流及び暗電流の特性を示すグラフであ
る。 1:基板、2:a−Si下びき層 3:a−Si層、4:n+層 5:電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深谷 正樹 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−45255（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】基板、該基板上に設けられた光導電層、該
光導電層の前記基板と反対側の面にオーミックコンタク
ト層を介して設けられた少なくとも１対の電極を有する
フォトセンサの複数がアレイ状に配列され、前記光導電
層は酸素含有率の異なるシリコンを有する非晶質材料の
領域を２以上有し、且つ、該非晶質材料の領域のうちの
基板側の領域の酸素含有率が低くされてなることを特徴
とするフォトセンサアレイ。 - 【請求項２】前記基板側の領域の酸素含有率が2000原子
ppm以下である、特許請求の範囲第１項に記載のフォト
センサアレイ。 - 【請求項３】前記基板側の領域の厚さが1000Å以下であ
る、特許請求の範囲第１項または第２項に記載のフォト
センサアレイ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274567A JPH0812932B2 (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | フォトセンサアレイ |
| US06/936,740 US4835507A (en) | 1985-12-06 | 1986-12-02 | Photosensor array for image processing apparatus |
| DE19863641454 DE3641454A1 (de) | 1985-12-06 | 1986-12-04 | Photosensorzeile fuer eine bildverarbeitungsvorrichtung |
| GB8629106A GB2184886B (en) | 1985-12-06 | 1986-12-05 | Photosensor array for image processing apparatus |
| FR8617074A FR2591388A1 (fr) | 1985-12-06 | 1986-12-05 | Reseau de photocapteurs pour un appareil de traitement d'image |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60274567A JPH0812932B2 (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | フォトセンサアレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133771A JPS62133771A (ja) | 1987-06-16 |
| JPH0812932B2 true JPH0812932B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=17543531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60274567A Expired - Fee Related JPH0812932B2 (ja) | 1985-12-06 | 1985-12-06 | フォトセンサアレイ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4835507A (ja) |
| JP (1) | JPH0812932B2 (ja) |
| DE (1) | DE3641454A1 (ja) |
| FR (1) | FR2591388A1 (ja) |
| GB (1) | GB2184886B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3066944B2 (ja) | 1993-12-27 | 2000-07-17 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置、その駆動方法及びそれを有するシステム |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53989A (en) * | 1976-06-24 | 1978-01-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Phtoconductor and its preparation |
| US4471042A (en) * | 1978-05-04 | 1984-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Image-forming member for electrophotography comprising hydrogenated amorphous matrix of silicon and/or germanium |
| JPS5692543A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-27 | Fujitsu Ltd | Preparation of electrophotographic receptor |
| JPS56116036A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-11 | Fujitsu Ltd | Manufacture of electrophotographic receptor |
| US4405915A (en) * | 1980-03-28 | 1983-09-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric transducing element |
| GB2095030B (en) * | 1981-01-08 | 1985-06-12 | Canon Kk | Photoconductive member |
| JPS58182881A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Sharp Corp | 太陽電池 |
| JPS6045255A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-11 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS6045257A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Canon Inc | 電子写真用光導電部材 |
| US4650984A (en) * | 1984-01-12 | 1987-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensor array for treating image information |
| JPH0763097B2 (ja) * | 1984-02-10 | 1995-07-05 | キヤノン株式会社 | フオトセンサの作製法 |
-
1985
- 1985-12-06 JP JP60274567A patent/JPH0812932B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-12-02 US US06/936,740 patent/US4835507A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-04 DE DE19863641454 patent/DE3641454A1/de active Granted
- 1986-12-05 GB GB8629106A patent/GB2184886B/en not_active Expired
- 1986-12-05 FR FR8617074A patent/FR2591388A1/fr active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2184886B (en) | 1989-10-11 |
| GB8629106D0 (en) | 1987-01-14 |
| FR2591388B1 (ja) | 1994-08-19 |
| DE3641454A1 (de) | 1987-06-11 |
| GB2184886A (en) | 1987-07-01 |
| DE3641454C2 (ja) | 1989-08-31 |
| US4835507A (en) | 1989-05-30 |
| FR2591388A1 (fr) | 1987-06-12 |
| JPS62133771A (ja) | 1987-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4792670A (en) | Method of manufacturing photosensors | |
| US4581099A (en) | Method for preparation of a photosensor | |
| CA1167951A (en) | Method of producing photoelectric transducer | |
| JPH0613329A (ja) | 半導体装置及び半導体製造装置及び製造方法 | |
| JPH0812932B2 (ja) | フォトセンサアレイ | |
| JPH0763097B2 (ja) | フオトセンサの作製法 | |
| WO1990001805A1 (en) | Lens arrays for light sensitive devices | |
| JPH0715980B2 (ja) | 受光素子 | |
| KR900001981B1 (ko) | 반도체막의 제조 방법 | |
| JPH0712087B2 (ja) | フオトセンサ | |
| JPH0541530A (ja) | フオトセンサの作製法 | |
| JPH0732245B2 (ja) | フオトセンサの製造方法 | |
| US5038190A (en) | Photoelectric conversion device with disabled electrode | |
| JPH0732244B2 (ja) | フオトセンサ | |
| JPH0462467B2 (ja) | ||
| JPH0462468B2 (ja) | ||
| JPS6129170A (ja) | フオトセンサ及びその製造法 | |
| US4705598A (en) | Method of producing photosensor | |
| JPS6139571A (ja) | 画像読取装置 | |
| JPS6139570A (ja) | 長尺イメ−ジセンサユニツト | |
| JPH02196470A (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法 | |
| JPS60143626A (ja) | イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS6190458A (ja) | 長尺イメ−ジセンサユニツト | |
| JPS59181584A (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS6188559A (ja) | 画像読取装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |