JPH08148834A - コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 - Google Patents
コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板Info
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- JPH08148834A JPH08148834A JP6307059A JP30705994A JPH08148834A JP H08148834 A JPH08148834 A JP H08148834A JP 6307059 A JP6307059 A JP 6307059A JP 30705994 A JP30705994 A JP 30705994A JP H08148834 A JPH08148834 A JP H08148834A
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- Japan
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- capacitor
- glass
- built
- wiring board
- multilayer wiring
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 同時焼成時に絶縁体成分のコンデンサ中への
拡散を抑制するために、工程数を増加させることなく、
高誘電率で誘電損失の少ないコンデンサ内蔵ガラスセラ
ミック多層配線基板を提供する。 【構成】 ガラスセラミック絶縁体層、コンデンサ、コ
ンデンサ電極および回路配線を同時焼成して得られるコ
ンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板において、
該コンデンサ電極が、空気中、１０００℃以下で焼結す
る金属粉末または合金粉末を４５〜７５重量％含み、残
部がセラミックフィラーからなる組成を有することを特
徴とする。
拡散を抑制するために、工程数を増加させることなく、
高誘電率で誘電損失の少ないコンデンサ内蔵ガラスセラ
ミック多層配線基板を提供する。 【構成】 ガラスセラミック絶縁体層、コンデンサ、コ
ンデンサ電極および回路配線を同時焼成して得られるコ
ンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板において、
該コンデンサ電極が、空気中、１０００℃以下で焼結す
る金属粉末または合金粉末を４５〜７５重量％含み、残
部がセラミックフィラーからなる組成を有することを特
徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高誘電率で誘電損失の
低いコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板に関
する。
低いコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、従来のコンデンサ内蔵ガラスセ
ラミック多層配線基板の断面図である。次に、図１によ
りこの基板の作製過程を説明する。まず、ガラス粉末と
セラミックフィラーの混合物から作成した絶縁体のグリ
ーンシート１ａに回路配線用としてビア孔を形成した後
に導体２ａを充填する。グリーンシート１ｂには、グリ
ーンシート１ａと同様に導体２ｂを充填した後、Ａｇペ
ーストやコンデンサペーストを用いてコンデンサ電極３
ａを印刷し、その上にコンデンサ４となるコンデンサペ
ーストを印刷し、さらにその上に該コンデンサ電極３ｂ
を印刷する。グリーンシート１ｃには、グリーンシート
積層時にコンデンサ４が格納されるように、予め透孔を
形成しておく。グリーンシート１ｄと１ｅには、グリー
ンシート１ａと同様にそれぞれ導体２ｄ、２ｅを充填す
る。このようにして作成したグリーンシート１ａ、１
ｂ、１ｃ、１ｄおよび１ｅを順に積層して８００〜１０
００℃で同時焼成して作製する。
ラミック多層配線基板の断面図である。次に、図１によ
りこの基板の作製過程を説明する。まず、ガラス粉末と
セラミックフィラーの混合物から作成した絶縁体のグリ
ーンシート１ａに回路配線用としてビア孔を形成した後
に導体２ａを充填する。グリーンシート１ｂには、グリ
ーンシート１ａと同様に導体２ｂを充填した後、Ａｇペ
ーストやコンデンサペーストを用いてコンデンサ電極３
ａを印刷し、その上にコンデンサ４となるコンデンサペ
ーストを印刷し、さらにその上に該コンデンサ電極３ｂ
を印刷する。グリーンシート１ｃには、グリーンシート
積層時にコンデンサ４が格納されるように、予め透孔を
形成しておく。グリーンシート１ｄと１ｅには、グリー
ンシート１ａと同様にそれぞれ導体２ｄ、２ｅを充填す
る。このようにして作成したグリーンシート１ａ、１
ｂ、１ｃ、１ｄおよび１ｅを順に積層して８００〜１０
００℃で同時焼成して作製する。
【０００３】このコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層
配線基板は、従来のリード付コンデンサ、あるいはチッ
プコンデンサを基板上に半田付けしたものに比べて小型
高密度化が可能なため、電子機器の小型化に貢献するも
のとして期待されている。上記基板におけるコンデンサ
に用いる材料としては、低温焼成可能な鉛ペロブスカイ
ト系複合材料を主成分としたものが知られている。この
代表的なものに、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ
（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ2/ 3 Ｗ1/3 ）Ｏ
3 等の誘電体材料があり、誘電率は夫々、１２０００、
２４０００、２００００という高い値が得られる。
配線基板は、従来のリード付コンデンサ、あるいはチッ
プコンデンサを基板上に半田付けしたものに比べて小型
高密度化が可能なため、電子機器の小型化に貢献するも
のとして期待されている。上記基板におけるコンデンサ
に用いる材料としては、低温焼成可能な鉛ペロブスカイ
ト系複合材料を主成分としたものが知られている。この
代表的なものに、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ
（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ2/ 3 Ｗ1/3 ）Ｏ
3 等の誘電体材料があり、誘電率は夫々、１２０００、
２４０００、２００００という高い値が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記コ
ンデンサを上記基板に内蔵して上記同時焼成を行うと、
グリーンシート材である絶縁体の成分の、酸化ホウ素、
シリカ等が該コンデンサ中に拡散するのが充分に抑制さ
れず、同時焼成後のコンデンサが所望の誘電特性を満た
さないことがあった。例えば、コンデンサ材が鉛ペロブ
スカイト系複合材料Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 の場
合、単独では誘電率が前述したように１２０００である
が、基板に内蔵して焼成すると３０程度に低下してしま
う。これを改善する方法として、バリアー層を設けて拡
散を抑制する方法が提案されているが、印刷の工程数が
増えてしまう。そこで本発明は、同時焼成時に絶縁体成
分のコンデンサ中への拡散を抑制するために、工程数を
増加させることなく、高誘電率で誘電損失の少ないコン
デンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を提供するこ
とを目的とする。
ンデンサを上記基板に内蔵して上記同時焼成を行うと、
グリーンシート材である絶縁体の成分の、酸化ホウ素、
シリカ等が該コンデンサ中に拡散するのが充分に抑制さ
れず、同時焼成後のコンデンサが所望の誘電特性を満た
さないことがあった。例えば、コンデンサ材が鉛ペロブ
スカイト系複合材料Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 の場
合、単独では誘電率が前述したように１２０００である
が、基板に内蔵して焼成すると３０程度に低下してしま
う。これを改善する方法として、バリアー層を設けて拡
散を抑制する方法が提案されているが、印刷の工程数が
増えてしまう。そこで本発明は、同時焼成時に絶縁体成
分のコンデンサ中への拡散を抑制するために、工程数を
増加させることなく、高誘電率で誘電損失の少ないコン
デンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を提供するこ
とを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線
基板は、ガラスセラミック絶縁体層、コンデンサ、コン
デンサ電極および回路配線を同時焼成して得られるコン
デンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板において、該
コンデンサ電極が、空気中、１０００℃以下で焼結する
金属粉末または合金粉末を４５〜７５重量％含み、残部
がセラミックフィラーからなる組成を有することを特徴
とする。上記金属粉末または合金粉末は、銀、金、パラ
ジウムおよび白金の中から選択された１種以上が挙げら
れ、また、上記セラミックフィラーは、アルミナ、シリ
カ、コージェライトおよびムライトの中から選択された
１種以上が挙げられる。
め、本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線
基板は、ガラスセラミック絶縁体層、コンデンサ、コン
デンサ電極および回路配線を同時焼成して得られるコン
デンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板において、該
コンデンサ電極が、空気中、１０００℃以下で焼結する
金属粉末または合金粉末を４５〜７５重量％含み、残部
がセラミックフィラーからなる組成を有することを特徴
とする。上記金属粉末または合金粉末は、銀、金、パラ
ジウムおよび白金の中から選択された１種以上が挙げら
れ、また、上記セラミックフィラーは、アルミナ、シリ
カ、コージェライトおよびムライトの中から選択された
１種以上が挙げられる。
【０００６】
【作用】本発明の、ガラスセラミック絶縁体層、コンデ
ンサ、コンデンサ電極および回路配線を同時焼成して得
られるコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板に
おいて、該コンデンサ電極が、空気中、１０００℃以下
で焼結する金属粉末または合金粉末を４５〜７５重量％
含み、残部がセラミックフィラーからなる組成を有する
ことを特徴とする。上記金属粉末または合金粉末として
は、上記同時焼成が空気中、１０００℃以下で行われる
ので、この条件で焼結が可能であることが必要である。
このような金属または合金は、例えば、銀、金、パラジ
ウム、白金の中から選択された１種以上が挙げられる。
ンサ、コンデンサ電極および回路配線を同時焼成して得
られるコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板に
おいて、該コンデンサ電極が、空気中、１０００℃以下
で焼結する金属粉末または合金粉末を４５〜７５重量％
含み、残部がセラミックフィラーからなる組成を有する
ことを特徴とする。上記金属粉末または合金粉末として
は、上記同時焼成が空気中、１０００℃以下で行われる
ので、この条件で焼結が可能であることが必要である。
このような金属または合金は、例えば、銀、金、パラジ
ウム、白金の中から選択された１種以上が挙げられる。
【０００７】コンデンサ電極は、ガラスセラミックグリ
ーンシート上に該電極形成用のペーストをスクリーン印
刷することにより形成するので、上記金属粉末または合
金粉末の粒径はスクリーンを容易に通過できる大きさで
あればよく、一般的には平均粒径が１〜５μｍが好まし
い。金属粉末または合金粉末の含有量は、４５重量％よ
り少ないと配線の導電性が著しく低下する。また、７５
重量％よりも多いと、絶縁体成分の拡散抑制が不十分で
コンデンサの容量が低下する。
ーンシート上に該電極形成用のペーストをスクリーン印
刷することにより形成するので、上記金属粉末または合
金粉末の粒径はスクリーンを容易に通過できる大きさで
あればよく、一般的には平均粒径が１〜５μｍが好まし
い。金属粉末または合金粉末の含有量は、４５重量％よ
り少ないと配線の導電性が著しく低下する。また、７５
重量％よりも多いと、絶縁体成分の拡散抑制が不十分で
コンデンサの容量が低下する。
【０００８】セラミックフィラーは、上記同時焼成する
際にシリカや酸化ホウ素などの絶縁体成分がコンデンサ
中に拡散するのを抑制するものであり、アルミナ、シリ
カ、コージェライト、ムライト等が使用できる。セラミ
ックフィラーの粒径は、上記金属または合金粉末と同様
にスクリーンを容易に通過できる大きさであればよく、
用いる金属粉末または合金粉末と同等程度あるいはそれ
以下の大きさが混合し易いので好ましい。このような組
成を有するコンデンサ電極を形成するには、次のような
方法によればよい。すなわち、上記金属粉末または合金
粉末に、上記重量比のセラミックフィラーを添加した混
合物を用い、この混合物１００重量部に対して更にビヒ
クルを２０〜３０重量部混ぜ、スリーロールミルで混合
する。ビヒクルの組成は特に限定されないが、エチルセ
ルロース４〜８重量％のターピネオール溶液が使用でき
る。ペーストの粘度は、２００〜３００Ｐａ・ｓとすれ
ば印刷に好適である。同時焼成時には絶縁体成分のコン
デンサ中への拡散が抑制され、コンデンサの誘電特性を
高誘電率で誘電損失の少ないものにできる。
際にシリカや酸化ホウ素などの絶縁体成分がコンデンサ
中に拡散するのを抑制するものであり、アルミナ、シリ
カ、コージェライト、ムライト等が使用できる。セラミ
ックフィラーの粒径は、上記金属または合金粉末と同様
にスクリーンを容易に通過できる大きさであればよく、
用いる金属粉末または合金粉末と同等程度あるいはそれ
以下の大きさが混合し易いので好ましい。このような組
成を有するコンデンサ電極を形成するには、次のような
方法によればよい。すなわち、上記金属粉末または合金
粉末に、上記重量比のセラミックフィラーを添加した混
合物を用い、この混合物１００重量部に対して更にビヒ
クルを２０〜３０重量部混ぜ、スリーロールミルで混合
する。ビヒクルの組成は特に限定されないが、エチルセ
ルロース４〜８重量％のターピネオール溶液が使用でき
る。ペーストの粘度は、２００〜３００Ｐａ・ｓとすれ
ば印刷に好適である。同時焼成時には絶縁体成分のコン
デンサ中への拡散が抑制され、コンデンサの誘電特性を
高誘電率で誘電損失の少ないものにできる。
【０００９】
［実施例１〜４、従来例、比較例１〜３］図１に断面図
を示す焼成後のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配
線基板を作製した。但し、コンデンサ電極３ａ、３ｂ
は、前述したＡｇペーストとは限らない。すなわち、ま
ず、ガラスセラミックよりなる絶縁体層を構成する４枚
のグリーンシート１ａ、１ｂ、１ｄおよび１ｅに回路配
線用としてビア孔を形成し、このビア孔に導体ペースト
を充填して夫々ビア導体２ａ、２ｂ、２ｄ、２ｅとす
る。次に、グリーンシート１ｂ上にコンデンサ電極３ａ
を印刷し、その上部にコンデンサ４となる誘電体ペース
トを印刷し、さらにその上部からコンデンサ電極３ａと
同じ組成のコンデンサ電極３ｂを印刷して形成する。ま
た、グリーンシート１ｃには、積層する時コンデンサ４
が格納されるように透孔を形成しておく。この後、これ
らのグリーンシート１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅを順
に積層して、１５０ｋｇ／ｃｍ2 、８５℃の条件で加圧
成形し、５００℃で３時間保持して脱バインダーした
後、８７５℃の空気中で２０分間焼成を行ってガラスセ
ラミック多層配線基板を作製した。
を示す焼成後のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配
線基板を作製した。但し、コンデンサ電極３ａ、３ｂ
は、前述したＡｇペーストとは限らない。すなわち、ま
ず、ガラスセラミックよりなる絶縁体層を構成する４枚
のグリーンシート１ａ、１ｂ、１ｄおよび１ｅに回路配
線用としてビア孔を形成し、このビア孔に導体ペースト
を充填して夫々ビア導体２ａ、２ｂ、２ｄ、２ｅとす
る。次に、グリーンシート１ｂ上にコンデンサ電極３ａ
を印刷し、その上部にコンデンサ４となる誘電体ペース
トを印刷し、さらにその上部からコンデンサ電極３ａと
同じ組成のコンデンサ電極３ｂを印刷して形成する。ま
た、グリーンシート１ｃには、積層する時コンデンサ４
が格納されるように透孔を形成しておく。この後、これ
らのグリーンシート１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅを順
に積層して、１５０ｋｇ／ｃｍ2 、８５℃の条件で加圧
成形し、５００℃で３時間保持して脱バインダーした
後、８７５℃の空気中で２０分間焼成を行ってガラスセ
ラミック多層配線基板を作製した。
【００１０】上記４枚のグリーンシートを作成するため
に、セラミック粉末として表１に示す組成のガラス粉末
（平均粒径２．２μｍ）とアルミナ粉末を重量にて５
０：５０の比率で混合した。次に、この粉末１００重量
部に対して、ポリビニルブチラール９重量部、フタル酸
ジイソブチル７重量部、オレイン酸１重量部、イソプロ
ピルアルコール４０重量部およびトリクロロエタン２０
重量部を加えてボールミルで２４時間混合してスラリー
を作成した。さらに、得られたスラリーをドクターブレ
ード法でシート状に成形した。このグリーンシート１の
厚さは２３２μｍであった。
に、セラミック粉末として表１に示す組成のガラス粉末
（平均粒径２．２μｍ）とアルミナ粉末を重量にて５
０：５０の比率で混合した。次に、この粉末１００重量
部に対して、ポリビニルブチラール９重量部、フタル酸
ジイソブチル７重量部、オレイン酸１重量部、イソプロ
ピルアルコール４０重量部およびトリクロロエタン２０
重量部を加えてボールミルで２４時間混合してスラリー
を作成した。さらに、得られたスラリーをドクターブレ
ード法でシート状に成形した。このグリーンシート１の
厚さは２３２μｍであった。
【００１１】
【表１】
【００１２】上記コンデンサ電極３ａ、３ｂを形成する
導体ペーストを作成するために、平均粒径１．２μｍの
Ａｇ粉末に、セラミックフィラーとして０．８μｍのア
ルミナ（住友化学社製ＡＫＰ−１５）を表２に示す重量
比で添加した組成物１００重量部を、エチルセルロース
６重量％のターピネオール溶液３０重量部とスリーロー
ルミルで混練して作成した。上記コンデンサ４を形成す
るコンデンサペーストは、平均粒径０．３μｍのＰｂ
（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 粉末１００重量部をエチルセ
ルロース８重量％のターピネオール溶液３０重量部に混
ぜ、スリーロールミルで混練して作成した。
導体ペーストを作成するために、平均粒径１．２μｍの
Ａｇ粉末に、セラミックフィラーとして０．８μｍのア
ルミナ（住友化学社製ＡＫＰ−１５）を表２に示す重量
比で添加した組成物１００重量部を、エチルセルロース
６重量％のターピネオール溶液３０重量部とスリーロー
ルミルで混練して作成した。上記コンデンサ４を形成す
るコンデンサペーストは、平均粒径０．３μｍのＰｂ
（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 粉末１００重量部をエチルセ
ルロース８重量％のターピネオール溶液３０重量部に混
ぜ、スリーロールミルで混練して作成した。
【００１３】以上のようにして作成したガラスセラミッ
ク多層配線基板の誘電率εおよび誘電損失tan δを、１
ｋＨｚ、室温で測定した。その結果を表２に示す。な
お、比較例３のガラスセラミック多層配線基板について
は、コンデンサ電極部の内部抵抗を測定したところ、５
０ＭΩ／□であり、コンデンサ電極としての導体特性が
低下したため、上記誘電率および誘電損失の測定を省略
した。
ク多層配線基板の誘電率εおよび誘電損失tan δを、１
ｋＨｚ、室温で測定した。その結果を表２に示す。な
お、比較例３のガラスセラミック多層配線基板について
は、コンデンサ電極部の内部抵抗を測定したところ、５
０ＭΩ／□であり、コンデンサ電極としての導体特性が
低下したため、上記誘電率および誘電損失の測定を省略
した。
【００１４】
【表２】
【００１５】表２に示した結果から、従来例で示すＡｇ
１００重量％の導体ペーストを用いた場合は、ガラス成
分のコンデンサ層中への拡散によって誘電率は３２と大
幅に低下している。またアルミナを添加していくにつれ
拡散が抑制され、実施例３では誘電率が８０００以上に
向上し、良好な誘電特性を示している。
１００重量％の導体ペーストを用いた場合は、ガラス成
分のコンデンサ層中への拡散によって誘電率は３２と大
幅に低下している。またアルミナを添加していくにつれ
拡散が抑制され、実施例３では誘電率が８０００以上に
向上し、良好な誘電特性を示している。
【００１６】［参考例］上記コンデンサ材料として、Ｐ
ｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 なる組成の焼結体を一軸成
形プレスおよび焼結により作成し、この焼結体の誘電率
および誘電損失を上記と同様にして測定したところ、夫
々、１２０７０、０．００６であった。
ｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 なる組成の焼結体を一軸成
形プレスおよび焼結により作成し、この焼結体の誘電率
および誘電損失を上記と同様にして測定したところ、夫
々、１２０７０、０．００６であった。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明は、セラミックフィ
ラーを含む導体ペーストによりコンデンサ電極を、鉛ペ
ロブスカイト複合材料を主成分とし基板に内蔵されるコ
ンデンサに形成するようにしたものであるので、焼結時
に絶縁体成分のコンデンサ中への拡散を抑制することが
でき、誘電率が高くかつ誘電損失の少ない高品質のコン
デンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を提供するこ
とができる。また、バリアー層を設けた場合に比べ、印
刷の工程が少なくなるため、手間の削減やコストの低下
が図れるコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板
を作製することができる。
ラーを含む導体ペーストによりコンデンサ電極を、鉛ペ
ロブスカイト複合材料を主成分とし基板に内蔵されるコ
ンデンサに形成するようにしたものであるので、焼結時
に絶縁体成分のコンデンサ中への拡散を抑制することが
でき、誘電率が高くかつ誘電損失の少ない高品質のコン
デンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板を提供するこ
とができる。また、バリアー層を設けた場合に比べ、印
刷の工程が少なくなるため、手間の削減やコストの低下
が図れるコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板
を作製することができる。
【図１】実施例、従来例および比較例で作製したコンデ
ンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板の断面図であ
る。
ンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板の断面図であ
る。
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ ガラスセラミックよ
りなる絶縁体層 ２ａ、２ｂ、２ｄ、２ｅ ビア導体 ３ａ、３ｂ コンデンサ電極 ４ コンデンサ
りなる絶縁体層 ２ａ、２ｂ、２ｄ、２ｅ ビア導体 ３ａ、３ｂ コンデンサ電極 ４ コンデンサ
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラスセラミック絶縁体層、コンデン
サ、コンデンサ電極および回路配線を同時焼成して得ら
れるコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板にお
いて、該コンデンサ電極が、空気中、１０００℃以下で
焼結する金属粉末または合金粉末を４５〜７５重量％含
み、残部がセラミックフィラーからなる組成を有するこ
とを特徴とするコンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配
線基板。 - 【請求項２】 金属粉末または合金粉末は、銀、金、パ
ラジウムおよび白金の中から選択された１種以上からな
る請求項１に記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック多
層配線基板。 - 【請求項３】 セラミックフィラーが、アルミナ、シリ
カ、コージェライトおよびムライトの中から選択された
１種以上の材質である請求項１または２に記載のコンデ
ンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6307059A JPH08148834A (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6307059A JPH08148834A (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148834A true JPH08148834A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17964554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6307059A Pending JPH08148834A (ja) | 1994-11-17 | 1994-11-17 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08148834A (ja) |
-
1994
- 1994-11-17 JP JP6307059A patent/JPH08148834A/ja active Pending
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