JPH08162897A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
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- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子の実装工程数を簡略でき、かつ、信頼性
の高い、安価な弾性表面波デバイスを提供する。 【構成】 セラミック基板１と金属キャップ４とにより
構成されたパッケージ内に、電極パターンが形成された
弾性表面波デバイスチップ２を収納してなる弾性表面波
デバイスにおいて、パッケージの入出力端子としてセラ
ミック基板１に設けられた、弾性表面波デバイスチップ
２のボンディングパッド８ａ，８ｂとそれぞれ電気的に
接続される凸部６ａ，６ｂを有する金属パターン５ａ，
５ｂと、金属キャップ４と弾性表面波デバイスチップ２
との間に設けられた弾性体３とを有する。弾性表面波デ
バイスチップ２は、弾性体３の弾性力によって、ボンデ
ィングパッド８ａ，８ｂが凸部６ａ，６ｂに所定の接触
圧で押し当てられて固定されている。
の高い、安価な弾性表面波デバイスを提供する。 【構成】 セラミック基板１と金属キャップ４とにより
構成されたパッケージ内に、電極パターンが形成された
弾性表面波デバイスチップ２を収納してなる弾性表面波
デバイスにおいて、パッケージの入出力端子としてセラ
ミック基板１に設けられた、弾性表面波デバイスチップ
２のボンディングパッド８ａ，８ｂとそれぞれ電気的に
接続される凸部６ａ，６ｂを有する金属パターン５ａ，
５ｂと、金属キャップ４と弾性表面波デバイスチップ２
との間に設けられた弾性体３とを有する。弾性表面波デ
バイスチップ２は、弾性体３の弾性力によって、ボンデ
ィングパッド８ａ，８ｂが凸部６ａ，６ｂに所定の接触
圧で押し当てられて固定されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波デバイスの
構造の改良に関する。
構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波デバイス、例えば、弾性表面
波フィルタは、振幅と位相が独立に制御できることか
ら、通信用フィルタ、デジタル信号処理用のフィルタ等
として有用であり、軽薄短小の素子としてますます応用
されており、一部は移動通信機用フィルタ等に実用され
ている。
波フィルタは、振幅と位相が独立に制御できることか
ら、通信用フィルタ、デジタル信号処理用のフィルタ等
として有用であり、軽薄短小の素子としてますます応用
されており、一部は移動通信機用フィルタ等に実用され
ている。
【０００３】図６は、従来の弾性表面波デバイスの概略
構造を示す断面図である。
構造を示す断面図である。
【０００４】図６において、１０１は金属板、１０２は
弾性表面波デバイスチップ、１０３は金またはアルミニ
ュウムのワイヤ、１０５は形状がキャップ状の金属キャ
ップ、１０６は封止部、１０７は端子である。各部は、
以下のような構成となっている。
弾性表面波デバイスチップ、１０３は金またはアルミニ
ュウムのワイヤ、１０５は形状がキャップ状の金属キャ
ップ、１０６は封止部、１０７は端子である。各部は、
以下のような構成となっている。
【０００５】図６に示す弾性表面波デバイスでは、金属
板１０１と金属キャップ１０５のそれぞれの周縁部が封
止部１０６で溶接されており、これにより金属パッケー
ジを形成している。
板１０１と金属キャップ１０５のそれぞれの周縁部が封
止部１０６で溶接されており、これにより金属パッケー
ジを形成している。
【０００６】弾性表面波デバイスチップ１０２は、圧電
材料からなる基板上に金属膜により櫛型電極が形成され
たもので、金属パッケージ内の金属板１０１上に、パタ
ーン（電極）が上になるように固定（接着）されてい
る。
材料からなる基板上に金属膜により櫛型電極が形成され
たもので、金属パッケージ内の金属板１０１上に、パタ
ーン（電極）が上になるように固定（接着）されてい
る。
【０００７】金属板１０１には、端子１０７を通すため
の貫通穴が設けられている。端子１０７は、外部から金
属パッケージ内の弾性表面波デバイスチップ１０２を駆
動するためのもので、金属板１０１の貫通穴を貫通して
設けられ、その穴で固定されている。該端子１０７は、
ワイヤ１０３を介して弾性表面波デバイスチップ１０２
の電極に接続されている（ワイヤボンディング）。
の貫通穴が設けられている。端子１０７は、外部から金
属パッケージ内の弾性表面波デバイスチップ１０２を駆
動するためのもので、金属板１０１の貫通穴を貫通して
設けられ、その穴で固定されている。該端子１０７は、
ワイヤ１０３を介して弾性表面波デバイスチップ１０２
の電極に接続されている（ワイヤボンディング）。
【０００８】上述のように構成された弾性表面波デバイ
スでは、金属パッケージ外部の端子１０７が入出力端子
として用いられ、弾性表面波デバイスが駆動される。
スでは、金属パッケージ外部の端子１０７が入出力端子
として用いられ、弾性表面波デバイスが駆動される。
【０００９】また、上記構成のものとは異なる構成のも
のとして、以下のような構成の弾性表面波デバイスがあ
る。
のとして、以下のような構成の弾性表面波デバイスがあ
る。
【００１０】図７は、図６とは異なる構成の弾性表面波
デバイスの概略構成を示す断面図である。
デバイスの概略構成を示す断面図である。
【００１１】図７において、１１１は金属性の蓋板、１
１２は弾性表面波デバイスチップ、１１３はワイヤ、１
１４はセラミック板、１１５ａは金属枠、１１５ｂはセ
ラミック枠、１１６は金属パターン、１１７は封止部で
ある。なお、弾性表面波デバイスチップ１１２およびワ
イヤ１１３は上述の図６に示す弾性表面波デバイスチッ
プ１０２およびワイヤ１０３と同様の構成のものであ
る。
１２は弾性表面波デバイスチップ、１１３はワイヤ、１
１４はセラミック板、１１５ａは金属枠、１１５ｂはセ
ラミック枠、１１６は金属パターン、１１７は封止部で
ある。なお、弾性表面波デバイスチップ１１２およびワ
イヤ１１３は上述の図６に示す弾性表面波デバイスチッ
プ１０２およびワイヤ１０３と同様の構成のものであ
る。
【００１２】図７に示す弾性表面波デバイスでは、セラ
ミック枠１１５ｂおよびセラミック板１１４とからなる
基板部と、該基板部上に設けられる蓋板１１１および金
属枠１１５ａとによりパッケージが形成されている。セ
ラミック枠１１５ｂおよびセラミック板１１４とからな
る基板部の両端部には断面形状がコの字状の金属パター
ン１１６がそれぞれ設けられている。また、金属枠１１
５ａと蓋板１１１とは封止部１１７にて接合されてい
る。
ミック枠１１５ｂおよびセラミック板１１４とからなる
基板部と、該基板部上に設けられる蓋板１１１および金
属枠１１５ａとによりパッケージが形成されている。セ
ラミック枠１１５ｂおよびセラミック板１１４とからな
る基板部の両端部には断面形状がコの字状の金属パター
ン１１６がそれぞれ設けられている。また、金属枠１１
５ａと蓋板１１１とは封止部１１７にて接合されてい
る。
【００１３】パッケージ内のセラミック板１１４上に
は、弾性表面波デバイスチップ１１２がパターン（電
極）が上になるように固定（接着）されており、金属パ
ターン１１６がワイヤ１０３を介してその弾性表面波デ
バイスチップ１１２の電極に接続されている（ワイヤボ
ンディング）。
は、弾性表面波デバイスチップ１１２がパターン（電
極）が上になるように固定（接着）されており、金属パ
ターン１１６がワイヤ１０３を介してその弾性表面波デ
バイスチップ１１２の電極に接続されている（ワイヤボ
ンディング）。
【００１４】上述のように構成された弾性表面波デバイ
スでは、金属パッケージ外部の金属パターン１１６が入
出力端子として用いられ、弾性表面波デバイスが駆動さ
れる。
スでは、金属パッケージ外部の金属パターン１１６が入
出力端子として用いられ、弾性表面波デバイスが駆動さ
れる。
【００１５】また、最近では、上述のワイヤボンディン
グ工程を必要としない、パッケージの小型化を目的とし
た弾性表面波デバイス（特開平４−１７０８１１号公報
参照）が提案されている。
グ工程を必要としない、パッケージの小型化を目的とし
た弾性表面波デバイス（特開平４−１７０８１１号公報
参照）が提案されている。
【００１６】図８は、パッケージの小型化を目的とした
弾性表面波デバイスの概略構成を示す断面図である。
弾性表面波デバイスの概略構成を示す断面図である。
【００１７】図８において、１３１はセラミック板、１
３２は弾性表面波デバイスチップ、１３３は弾性表面波
デバイスチップ１３２の電極のパターンの一部に形成さ
れた金属バンプ、１３５は形状がキャップ状の金属キャ
ップ、１３６はセラミック板１３１の両端部に設けられ
た断面形状がコの字状の金属パターン、１３７は封止部
である。
３２は弾性表面波デバイスチップ、１３３は弾性表面波
デバイスチップ１３２の電極のパターンの一部に形成さ
れた金属バンプ、１３５は形状がキャップ状の金属キャ
ップ、１３６はセラミック板１３１の両端部に設けられ
た断面形状がコの字状の金属パターン、１３７は封止部
である。
【００１８】セラミック板１３１と金属キャップ１３５
との周縁部は、封止部１３７にて溶接またはハンダ付け
されており、これによりパッケージが形成されている。
弾性表面波デバイスチップ１３２は、パッケージ内のセ
ラミック板１３１上に、金属バンプ１３３が金属パター
ン１３６に接するよう固定されている。この弾性表面波
デバイスチップ１３２の固定は、金属バンプ１３３と金
属パターン１３６とを超音波加熱によって溶着すること
により行なわれる。
との周縁部は、封止部１３７にて溶接またはハンダ付け
されており、これによりパッケージが形成されている。
弾性表面波デバイスチップ１３２は、パッケージ内のセ
ラミック板１３１上に、金属バンプ１３３が金属パター
ン１３６に接するよう固定されている。この弾性表面波
デバイスチップ１３２の固定は、金属バンプ１３３と金
属パターン１３６とを超音波加熱によって溶着すること
により行なわれる。
【００１９】上述のように構成される弾性表面波デバイ
スでは、素子の実装は次のようにして行なわれる。所定
の手順により弾性表面波デバイスチップ１３２を作成
後、その電極の一部に金属バンプ１３３を形成する。続
いて、金属バンプ１３３が形成された弾性表面波デバイ
スチップ１３２をその金属バンプ１３３を下にしてセラ
ミック板１３１に配置し、上方（金属バンプ１３３が形
成された面の裏面）から超音波加熱を行なって金属バン
プ１３３と金属パターン１３６と溶着する。しかる後
に、金属キャップ１３５を被せてパッケージングする。
この弾性表面波デバイスでは、パッケージ外部の金属パ
ターン１３６が入出力端子として用いられ、弾性表面波
デバイスが駆動される。
スでは、素子の実装は次のようにして行なわれる。所定
の手順により弾性表面波デバイスチップ１３２を作成
後、その電極の一部に金属バンプ１３３を形成する。続
いて、金属バンプ１３３が形成された弾性表面波デバイ
スチップ１３２をその金属バンプ１３３を下にしてセラ
ミック板１３１に配置し、上方（金属バンプ１３３が形
成された面の裏面）から超音波加熱を行なって金属バン
プ１３３と金属パターン１３６と溶着する。しかる後
に、金属キャップ１３５を被せてパッケージングする。
この弾性表面波デバイスでは、パッケージ外部の金属パ
ターン１３６が入出力端子として用いられ、弾性表面波
デバイスが駆動される。
【００２０】以上説明した各弾性表面波デバイスでは、
弾性表面波デバイスチップは、そのチップのパターン面
の気密性を保つため、金属キャップまたはセラミック枠
および金属板で構成されるキャップとセラミック基板と
によりパッケージングされているが、弾性表面波デバイ
スチップ自体をキャップとして利用したものも提案され
ている（実開昭６２−９８３４０号公報参照）。
弾性表面波デバイスチップは、そのチップのパターン面
の気密性を保つため、金属キャップまたはセラミック枠
および金属板で構成されるキャップとセラミック基板と
によりパッケージングされているが、弾性表面波デバイ
スチップ自体をキャップとして利用したものも提案され
ている（実開昭６２−９８３４０号公報参照）。
【００２１】図９は、実開昭６２−９８３４０号公報に
記載された弾性表面波デバイスの概略構成を示す断面図
である。
記載された弾性表面波デバイスの概略構成を示す断面図
である。
【００２２】図９において、１４１は絶縁体、１４２は
弾性表面波デバイスチップ、１４３は絶縁体１４１と弾
性表面波デバイスチップ１４２との周縁部を接合する接
着剤、１４４は一方の端部に凸部を有したリードフレー
ムである。
弾性表面波デバイスチップ、１４３は絶縁体１４１と弾
性表面波デバイスチップ１４２との周縁部を接合する接
着剤、１４４は一方の端部に凸部を有したリードフレー
ムである。
【００２３】絶縁体１４１上にリードフレーム１４４が
配設されており、さらに、その上に弾性表面波デバイス
チップ１４２が、パターン面を下にして配置されて接着
剤１４１によって封止されている。すなわち、絶縁体１
４１と弾性表面波デバイスチップ１４２とによりパッケ
ージが形成されている。このパッケージ内では、弾性表
面波デバイスチップ１４２のボンディングパッド部は、
リードフレーム１４４の端部が凸部となっていることに
より、その凸部に接触している。この弾性表面波デバイ
スでは、パッケージ外部のリードフレーム１４４が入出
力端子として用いられ、弾性表面波デバイスが駆動され
る。
配設されており、さらに、その上に弾性表面波デバイス
チップ１４２が、パターン面を下にして配置されて接着
剤１４１によって封止されている。すなわち、絶縁体１
４１と弾性表面波デバイスチップ１４２とによりパッケ
ージが形成されている。このパッケージ内では、弾性表
面波デバイスチップ１４２のボンディングパッド部は、
リードフレーム１４４の端部が凸部となっていることに
より、その凸部に接触している。この弾性表面波デバイ
スでは、パッケージ外部のリードフレーム１４４が入出
力端子として用いられ、弾性表面波デバイスが駆動され
る。
【００２４】上述のように構成される弾性表面波デバイ
スでは、弾性表面波デバイスチップ１４２のボンディン
グパッド部とリードフレーム１４４との接触、およびパ
ッケージの封止が同時行なわれるため、弾性表面波デバ
イスのチップ実装の工程数が少なくなっている。
スでは、弾性表面波デバイスチップ１４２のボンディン
グパッド部とリードフレーム１４４との接触、およびパ
ッケージの封止が同時行なわれるため、弾性表面波デバ
イスのチップ実装の工程数が少なくなっている。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の弾性表面波デバイスのそれぞれには、以下のよ
うな問題点がある。
た従来の弾性表面波デバイスのそれぞれには、以下のよ
うな問題点がある。
【００２６】図６および図７に示した弾性表面波デバイ
スにおいては、弾性表面波デバイスチップを実装する
際、弾性表面波デバイスチップをパッケージに固定（接
着）する工程、ワイヤボンディング工程の２つの工程が
必要とされる。これら固定（接着）工程およびワイヤボ
ンディング工程は、弾性表面波デバイスのコストのかな
りの部分を占めている。したがって、固定（接着）工程
およびワイヤボンディング工程が必要とされる弾性表面
波デバイスには、これら２つの工程がコスト低下を図る
上で大きな障害となるという問題点がある。加えて、弾
性表面波デバイスと入出力端子とはワイヤにより接続さ
れているため、そのワイヤ接続が弾性表面波デバイスの
小型化を図る上で大きな障害となるという問題点があ
る。
スにおいては、弾性表面波デバイスチップを実装する
際、弾性表面波デバイスチップをパッケージに固定（接
着）する工程、ワイヤボンディング工程の２つの工程が
必要とされる。これら固定（接着）工程およびワイヤボ
ンディング工程は、弾性表面波デバイスのコストのかな
りの部分を占めている。したがって、固定（接着）工程
およびワイヤボンディング工程が必要とされる弾性表面
波デバイスには、これら２つの工程がコスト低下を図る
上で大きな障害となるという問題点がある。加えて、弾
性表面波デバイスと入出力端子とはワイヤにより接続さ
れているため、そのワイヤ接続が弾性表面波デバイスの
小型化を図る上で大きな障害となるという問題点があ
る。
【００２７】図８に示した弾性表面波デバイスにおいて
は、上記ワイヤ接続をなくしたことによりデバイスの小
型化が可能となったものの、金属バンプを弾性表面波デ
バイスチップ表面へ形成する工程と、その弾性表面波デ
バイスチップ表面へ形成された金属バンプを金属パター
ン（入出力端子）へ接続する工程が必要となり、素子の
実装に手間がかかる他、実装工程におけるコストダウン
を図ることが難しいという問題点がある。
は、上記ワイヤ接続をなくしたことによりデバイスの小
型化が可能となったものの、金属バンプを弾性表面波デ
バイスチップ表面へ形成する工程と、その弾性表面波デ
バイスチップ表面へ形成された金属バンプを金属パター
ン（入出力端子）へ接続する工程が必要となり、素子の
実装に手間がかかる他、実装工程におけるコストダウン
を図ることが難しいという問題点がある。
【００２８】図９に示した弾性表面波デバイスにおいて
は、チップの実装工程数がかなり簡略化されるものの、
パッケージの封止を接着剤の材料自身で行なっているた
め、パッケージ内の気密性が保てず、信頼性の面で問題
がある。加えて、リードフレームと弾性表面波デバイス
チップとは単に接触させているだけなので、デバイスの
経時変化による接触不慮を起こす恐れがあり、信頼性に
欠けるという問題点がある。
は、チップの実装工程数がかなり簡略化されるものの、
パッケージの封止を接着剤の材料自身で行なっているた
め、パッケージ内の気密性が保てず、信頼性の面で問題
がある。加えて、リードフレームと弾性表面波デバイス
チップとは単に接触させているだけなので、デバイスの
経時変化による接触不慮を起こす恐れがあり、信頼性に
欠けるという問題点がある。
【００２９】本発明の目的は、上記各問題を解決し、素
子の実装工程数を簡略でき、かつ、信頼性の高い、安価
な弾性表面波デバイスを提供することにある。
子の実装工程数を簡略でき、かつ、信頼性の高い、安価
な弾性表面波デバイスを提供することにある。
【００３０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板とキャッ
プ部材とにより構成されたパッケージ内に、電極パター
ンが形成された弾性表面波素子を収納してなる弾性表面
波デバイスにおいて、前記パッケージの入出力端子とし
て前記基板に設けられた、前記電極パターンの所定部と
電気的に接続される凸部を有する端子と、前記キャップ
部材と前記弾性表面波素子との間に設けられた弾性部材
とを有し、 前記弾性表面波素子は、前記弾性部材の弾
性力によって、電極パターンの所定部が前記端子の凸部
に所定の接触圧で押し当てられて固定されていることを
特徴とする。
プ部材とにより構成されたパッケージ内に、電極パター
ンが形成された弾性表面波素子を収納してなる弾性表面
波デバイスにおいて、前記パッケージの入出力端子とし
て前記基板に設けられた、前記電極パターンの所定部と
電気的に接続される凸部を有する端子と、前記キャップ
部材と前記弾性表面波素子との間に設けられた弾性部材
とを有し、 前記弾性表面波素子は、前記弾性部材の弾
性力によって、電極パターンの所定部が前記端子の凸部
に所定の接触圧で押し当てられて固定されていることを
特徴とする。
【００３１】上記の場合、弾性部材がゴム系材料よりな
っていてもよい。
っていてもよい。
【００３２】さらに、弾性部材がバネ性材料よりなって
いてもよい。
いてもよい。
【００３３】さらに、バネ性材料として金属性板バネを
用いてもよい。
用いてもよい。
【００３４】
【作用】上述のように構成される本発明の弾性表面波デ
バイスでは、キャップ部材と弾性表面波素子との間に設
けられた弾性部材の弾性力が利用される。すなわち、本
発明では、キャップ部材によるパッケージングが施され
ると、弾性部材および弾性表面波素子が基板に押し付け
られ、弾性部材に変形が生じる。この弾性部材の変形に
より発生する弾性力によって、弾性表面波素子の電極パ
ターンの所定部が端子の凸部に一定の接触圧で押し当て
られ、弾性表面波素子が固定される。このように、本発
明では、弾性表面波素子は弾性部材の弾性力により固定
されるので、従来のように、弾性表面波素子に金属バン
プを形成し、その金属バンプを入出力端子へ接続した
り、弾性表面波素子を基板上に固定したりする必要はな
く、これらの工程を簡略することができる。さらに、ワ
イヤボンディングを必要としないので、装置の小型化を
図ることができる。また、弾性表面波素子の電極パター
ンの所定部と端子の凸部とは一定の接触圧で接触接続し
ているので、単に電極パターンの所定部と端子の凸部と
を接触される従来の弾性表面波デバイスのように、デバ
イスの経時変化等による接触不良が起こることはない。
バイスでは、キャップ部材と弾性表面波素子との間に設
けられた弾性部材の弾性力が利用される。すなわち、本
発明では、キャップ部材によるパッケージングが施され
ると、弾性部材および弾性表面波素子が基板に押し付け
られ、弾性部材に変形が生じる。この弾性部材の変形に
より発生する弾性力によって、弾性表面波素子の電極パ
ターンの所定部が端子の凸部に一定の接触圧で押し当て
られ、弾性表面波素子が固定される。このように、本発
明では、弾性表面波素子は弾性部材の弾性力により固定
されるので、従来のように、弾性表面波素子に金属バン
プを形成し、その金属バンプを入出力端子へ接続した
り、弾性表面波素子を基板上に固定したりする必要はな
く、これらの工程を簡略することができる。さらに、ワ
イヤボンディングを必要としないので、装置の小型化を
図ることができる。また、弾性表面波素子の電極パター
ンの所定部と端子の凸部とは一定の接触圧で接触接続し
ているので、単に電極パターンの所定部と端子の凸部と
を接触される従来の弾性表面波デバイスのように、デバ
イスの経時変化等による接触不良が起こることはない。
【００３５】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００３６】図１は、本発明の第１の実施例の弾性表面
波デバイスの概略構成を示す断面図である。
波デバイスの概略構成を示す断面図である。
【００３７】図１において、１はセラミック基板、２は
弾性表面波デバイスチップ、３は弾性体、４は金属キャ
ップ、５ａ，５ｂは金属パターン、６ａ，６ｂは金属パ
ターンの凸部、７ａ，７ｂは封止部、８ａ，８ｂはボン
ディングパットである。これら各部は、以下のような構
成となっている。
弾性表面波デバイスチップ、３は弾性体、４は金属キャ
ップ、５ａ，５ｂは金属パターン、６ａ，６ｂは金属パ
ターンの凸部、７ａ，７ｂは封止部、８ａ，８ｂはボン
ディングパットである。これら各部は、以下のような構
成となっている。
【００３８】セラミック基板１の両端部には断面形状が
コの字状の金属パターン５ａ，５ｂが形成されており、
該金属パターン５ａ，５ｂのそれぞれには凸部６ａ，６
ｂが形成されている。この金属パターン５ａ，５ｂは、
後述のパッケージの入出力端子であり、例えば表面層が
Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等からなる膜により形成されている。
コの字状の金属パターン５ａ，５ｂが形成されており、
該金属パターン５ａ，５ｂのそれぞれには凸部６ａ，６
ｂが形成されている。この金属パターン５ａ，５ｂは、
後述のパッケージの入出力端子であり、例えば表面層が
Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ等からなる膜により形成されている。
【００３９】弾性表面波デバイスチップ２は、圧電材料
上にアルミ薄膜からなるパターン（例えば、櫛形状の素
子）を形成したもので、図１では、パターン形成面が下
になっている。この弾性表面波デバイスチップ２には、
素子パターン形成時に、そのパターン中に上記金属パタ
ーン５ａ，５ｂとの接続部となるボンディングパット８
ａ，８ｂが所定の位置に形成されている。
上にアルミ薄膜からなるパターン（例えば、櫛形状の素
子）を形成したもので、図１では、パターン形成面が下
になっている。この弾性表面波デバイスチップ２には、
素子パターン形成時に、そのパターン中に上記金属パタ
ーン５ａ，５ｂとの接続部となるボンディングパット８
ａ，８ｂが所定の位置に形成されている。
【００４０】弾性体３は、所定の厚さの弾性部材であ
り、例えば、シリコンゴム等が用いられる。弾性体３の
大きさは、後述する金属キャップ４内に収まるものとな
っている。
り、例えば、シリコンゴム等が用いられる。弾性体３の
大きさは、後述する金属キャップ４内に収まるものとな
っている。
【００４１】金属キャップ４は、形状がキャップ状のも
ので、セラミック基板１上に設けられる弾性表面波デバ
イスチップ２および弾性体３のパッケージングを行なう
ものである。パッケージングは、セラミック基板１の周
縁部と金属キャップ４の周縁部とを封止部７ａ，７ｂに
て、例えば、溶接あるいはハンダ付けにより封止するこ
とにより行なわれる。
ので、セラミック基板１上に設けられる弾性表面波デバ
イスチップ２および弾性体３のパッケージングを行なう
ものである。パッケージングは、セラミック基板１の周
縁部と金属キャップ４の周縁部とを封止部７ａ，７ｂに
て、例えば、溶接あるいはハンダ付けにより封止するこ
とにより行なわれる。
【００４２】本実施例では、上記パッケージングによ
り、弾性表面波デバイスチップ２のボンディングパット
８ａ，８ｂのそれぞれがセラミック基板１の両端部に設
けられた金属パターン５ａ，５ｂのそれぞれの凸部６
ａ，６ｂに接触し、その接触圧は弾性体３の弾性力によ
って一定値以上に保たれる。
り、弾性表面波デバイスチップ２のボンディングパット
８ａ，８ｂのそれぞれがセラミック基板１の両端部に設
けられた金属パターン５ａ，５ｂのそれぞれの凸部６
ａ，６ｂに接触し、その接触圧は弾性体３の弾性力によ
って一定値以上に保たれる。
【００４３】上述のように構成される弾性表面波デバイ
スでは、以下のようにして素子が実装される。
スでは、以下のようにして素子が実装される。
【００４４】所定の手順により金属パターン５ａ，５ｂ
が形成されたセラミック基板１上に、弾性表面波デバイ
スチップ２を、ボンディングパット８ａ，８ｂが金属パ
ターン５ａ，５ｂのそれぞれの凸部６ａ，６ｂに接触す
るように配置し、さらに、その弾性表面波デバイスチッ
プ２上に弾性体３を配置する。続いて、これらセラミッ
ク基板１上にそれぞれ配置された弾性表面波デバイスチ
ップ２および弾性体３の上方から金属キャップ４を被
せ、該金属キャップ４とセラミック基板１のそれぞれの
周縁部を封止する。
が形成されたセラミック基板１上に、弾性表面波デバイ
スチップ２を、ボンディングパット８ａ，８ｂが金属パ
ターン５ａ，５ｂのそれぞれの凸部６ａ，６ｂに接触す
るように配置し、さらに、その弾性表面波デバイスチッ
プ２上に弾性体３を配置する。続いて、これらセラミッ
ク基板１上にそれぞれ配置された弾性表面波デバイスチ
ップ２および弾性体３の上方から金属キャップ４を被
せ、該金属キャップ４とセラミック基板１のそれぞれの
周縁部を封止する。
【００４５】上記のように金属キャップ４とセラミック
基板１のそれぞれの周縁部が封止されると、弾性表面波
デバイスチップ２および弾性体３は金属キャップ４によ
って上方からセラミック基板１に押し当てられるので、
弾性体３に変形が生じる。この弾性体３に変形によって
弾性力が生じ、ボンディングパット８ａ，８ｂと金属パ
ターン５ａ，５ｂの凸部６ａ，６ｂとが一定値以上の接
触圧で接触接続する。これにより、弾性表面波デバイス
チップ２がずれることなく固定される。
基板１のそれぞれの周縁部が封止されると、弾性表面波
デバイスチップ２および弾性体３は金属キャップ４によ
って上方からセラミック基板１に押し当てられるので、
弾性体３に変形が生じる。この弾性体３に変形によって
弾性力が生じ、ボンディングパット８ａ，８ｂと金属パ
ターン５ａ，５ｂの凸部６ａ，６ｂとが一定値以上の接
触圧で接触接続する。これにより、弾性表面波デバイス
チップ２がずれることなく固定される。
【００４６】上述のように、本実施例では、弾性表面波
デバイスチップ２と端子５ａ，５ｂとの接着工程（チッ
プの固定工程）がなく、単に、端子５ａ，５ｂに対して
弾性表面波デバイスチップ２、弾性体３を順次重ねてパ
ッケージングするだけで実装が行なわれる。したがっ
て、デバイスの組み立て工程数を少なくすることができ
る。
デバイスチップ２と端子５ａ，５ｂとの接着工程（チッ
プの固定工程）がなく、単に、端子５ａ，５ｂに対して
弾性表面波デバイスチップ２、弾性体３を順次重ねてパ
ッケージングするだけで実装が行なわれる。したがっ
て、デバイスの組み立て工程数を少なくすることができ
る。
【００４７】上述のように構成された弾性表面波デバイ
スでは、パッケージ外部の金属パターン５ａ，５ｂが入
出力端子として用いられ、弾性表面波デバイスが駆動さ
れる。なお、図１中では、便宜上、金属パターンは５
ａ，５ｂの２つしか示されていないが、実際には入力
用、出力用の端子がそれぞれ設けられている。
スでは、パッケージ外部の金属パターン５ａ，５ｂが入
出力端子として用いられ、弾性表面波デバイスが駆動さ
れる。なお、図１中では、便宜上、金属パターンは５
ａ，５ｂの２つしか示されていないが、実際には入力
用、出力用の端子がそれぞれ設けられている。
【００４８】次に、本発明の他の実施形態について、そ
れぞれ図２〜図５を参照して説明する。
れぞれ図２〜図５を参照して説明する。
【００４９】図２は、本発明の第２の実施例の弾性表面
波デバイスの概略構成を示す断面図である。
波デバイスの概略構成を示す断面図である。
【００５０】図２に示す弾性表面波デバイスは、セラミ
ック基板への金属パターンの形成が異なる以外は、上述
の第１の実施例のものと同様の構成のものである。図
中、第１の実施例のものと同様の構成のものには同じ符
号を付してある。
ック基板への金属パターンの形成が異なる以外は、上述
の第１の実施例のものと同様の構成のものである。図
中、第１の実施例のものと同様の構成のものには同じ符
号を付してある。
【００５１】本実施例の弾性表面波デバイスでは、セラ
ミック基板１の所定部に貫通する穴をあけ、該貫通穴を
利用してパッケージの入出力端子となる金属パターン１
５ａ，１５ｂおよびビア・ホール（貫通孔）部１６ａ，
１６ｂが形成される。ビア・ホール部１６ａ，１６ｂの
形成は、通常、セラミック基板１に形成された穴に金属
粉を充填する際に、充填する金属紛の量を多くすること
により行なわれる。そのため、本実施例のものにおいて
は、簡単に基板上に凸部を形成することができ、上述の
第１の実施例のものに比べて、金属パターンの凸部の形
成が容易となる利点がある。
ミック基板１の所定部に貫通する穴をあけ、該貫通穴を
利用してパッケージの入出力端子となる金属パターン１
５ａ，１５ｂおよびビア・ホール（貫通孔）部１６ａ，
１６ｂが形成される。ビア・ホール部１６ａ，１６ｂの
形成は、通常、セラミック基板１に形成された穴に金属
粉を充填する際に、充填する金属紛の量を多くすること
により行なわれる。そのため、本実施例のものにおいて
は、簡単に基板上に凸部を形成することができ、上述の
第１の実施例のものに比べて、金属パターンの凸部の形
成が容易となる利点がある。
【００５２】なお、本実施例では、セラミック基板１の
周縁部に封止のための金属部１８ａ，１８ｂが形成され
ており、この金属部１８ａ，１８ｂと金属キャップ４の
周縁部とが、溶接またはハンダ付つけされることによっ
てパッケージングが行なわれる。
周縁部に封止のための金属部１８ａ，１８ｂが形成され
ており、この金属部１８ａ，１８ｂと金属キャップ４の
周縁部とが、溶接またはハンダ付つけされることによっ
てパッケージングが行なわれる。
【００５３】以上説明した第１および第２の実施例のも
のでは、弾性表面波デバイスのボンディングパットを金
属パターンの凸部へ押し当てるために弾性体が用いられ
ているが、この弾性体は、ボンディングパットと金属パ
ターンの凸部とが固定できる弾性力をもつものであれば
よく、例えば、板バネが用いられていもよい。以下に、
金属板バネを用いた弾性表面波デバイスを説明する。
のでは、弾性表面波デバイスのボンディングパットを金
属パターンの凸部へ押し当てるために弾性体が用いられ
ているが、この弾性体は、ボンディングパットと金属パ
ターンの凸部とが固定できる弾性力をもつものであれば
よく、例えば、板バネが用いられていもよい。以下に、
金属板バネを用いた弾性表面波デバイスを説明する。
【００５４】図３は、本発明の第３の実施例の弾性表面
波デバイスの概略構成を示す断面図である。
波デバイスの概略構成を示す断面図である。
【００５５】図３に示す弾性表面波デバイスは、弾性体
３に代えて金属板バネ２０が用いられている以外は、上
述の第２の実施例のものと同様の構成のものである。図
中、第１の実施例のものと同様の構成のものには同じ符
号を付してある。
３に代えて金属板バネ２０が用いられている以外は、上
述の第２の実施例のものと同様の構成のものである。図
中、第１の実施例のものと同様の構成のものには同じ符
号を付してある。
【００５６】本実施例の弾性表面波デバイスでは、金属
キャップ４によるパッケージングが行なわれると、金属
板バネ２０のバネ作用によって、弾性表面波デバイスチ
ップのボンディングパット８ａ，８ｂが金属パターン１
５ａ，１５ｂのビア・ホール部１６ａ，１６ｂ（凸部）
に押し当てられ、その接触圧が一定値以上に保たれてい
る。これにより、弾性表面波デバイスチップ２がずれる
ことなく固定される。
キャップ４によるパッケージングが行なわれると、金属
板バネ２０のバネ作用によって、弾性表面波デバイスチ
ップのボンディングパット８ａ，８ｂが金属パターン１
５ａ，１５ｂのビア・ホール部１６ａ，１６ｂ（凸部）
に押し当てられ、その接触圧が一定値以上に保たれてい
る。これにより、弾性表面波デバイスチップ２がずれる
ことなく固定される。
【００５７】上述のように、本実施例においても、第１
のおよび第２の実施例のものと同様、弾性表面波デバイ
スチップ２と端子との接着工程（チップの固定工程）が
なく、単に、端子に対して弾性表面波デバイスチップ
２、金属板バネ２０を順次重ねてパッケージングするだ
けで実装が行なわれる。したがって、デバイスの組み立
て工程数を少なくすることができる。
のおよび第２の実施例のものと同様、弾性表面波デバイ
スチップ２と端子との接着工程（チップの固定工程）が
なく、単に、端子に対して弾性表面波デバイスチップ
２、金属板バネ２０を順次重ねてパッケージングするだ
けで実装が行なわれる。したがって、デバイスの組み立
て工程数を少なくすることができる。
【００５８】また、弾性体に絶縁物を用いた場合、パッ
ケージング（封止）後に絶縁物からガスが放出されるこ
とがあるが、本実施例では、上記のように板バネには金
属が用いられているので、絶縁物から放出されるガスを
考慮する必要がなくなるという利点がある。
ケージング（封止）後に絶縁物からガスが放出されるこ
とがあるが、本実施例では、上記のように板バネには金
属が用いられているので、絶縁物から放出されるガスを
考慮する必要がなくなるという利点がある。
【００５９】以上説明した各実施例の弾性表面波デバイ
スでは、セラミック基板と金属キャップとによって形成
されたパッケージであったが、コスト低下を図るため、
セラミック基板の代わりに金属基板を用いることもでき
る。以下、セラミック基板の代わりに金属基板を用いた
実施形態について説明する。
スでは、セラミック基板と金属キャップとによって形成
されたパッケージであったが、コスト低下を図るため、
セラミック基板の代わりに金属基板を用いることもでき
る。以下、セラミック基板の代わりに金属基板を用いた
実施形態について説明する。
【００６０】図４は、本発明の第４の実施例の弾性表面
波デバイスの概略構成を示す断面図である。
波デバイスの概略構成を示す断面図である。
【００６１】図４において、４１は金属基板、４２は弾
性表面波デバイスチップ、４３は弾性体、４４は金属キ
ャップ、４５ａ，４５ｂは棒状の端子、４６は絶縁シー
ト、４７ａ，４７ｂは封止部、４８ａ，４８ｂはボンデ
ィングパッドである。なお、弾性表面波デバイスチップ
４２および弾性体４３は前述した第１乃至第３の実施例
のものと同様の構成のものであり、弾性表面波デバイス
チップ４２にはボンディングパッド４８ａ，４８ｂが形
成されている。
性表面波デバイスチップ、４３は弾性体、４４は金属キ
ャップ、４５ａ，４５ｂは棒状の端子、４６は絶縁シー
ト、４７ａ，４７ｂは封止部、４８ａ，４８ｂはボンデ
ィングパッドである。なお、弾性表面波デバイスチップ
４２および弾性体４３は前述した第１乃至第３の実施例
のものと同様の構成のものであり、弾性表面波デバイス
チップ４２にはボンディングパッド４８ａ，４８ｂが形
成されている。
【００６２】本実施例の弾性表面波デバイスにおいて
は、金属基板４１と金属キャップ４４とによって金属パ
ッケージが形成される。以下、その構成および素子の実
装について説明する。
は、金属基板４１と金属キャップ４４とによって金属パ
ッケージが形成される。以下、その構成および素子の実
装について説明する。
【００６３】金属基板４１には、所定部に端子４５ａ，
４５ｂを通すための貫通穴がそれぞれ設けられており、
パッケージ内側の面には絶縁シート４６が形成されてい
る。端子４５ａ，４５ｂは、金属基板４１の貫通穴を貫
通しており、パッケージ内に突出するよう貫通穴の部分
で絶縁部材により固定されている。この端子４５ａ，４
５ｂの固定は、例えば、端子４５ａ，４５ｂを金属基板
４１の貫通穴に通し、その貫通穴部にガラス紛を詰めて
焼き付けることにより行なわれる。
４５ｂを通すための貫通穴がそれぞれ設けられており、
パッケージ内側の面には絶縁シート４６が形成されてい
る。端子４５ａ，４５ｂは、金属基板４１の貫通穴を貫
通しており、パッケージ内に突出するよう貫通穴の部分
で絶縁部材により固定されている。この端子４５ａ，４
５ｂの固定は、例えば、端子４５ａ，４５ｂを金属基板
４１の貫通穴に通し、その貫通穴部にガラス紛を詰めて
焼き付けることにより行なわれる。
【００６４】本実施例では、パッケージ内に突出した端
子４５ａ，４５ｂと弾性表面波デバイスチップ４２のボ
ンディングパッド４８ａ，４８ｂとがそれぞれ接触する
ように弾性表面波デバイスチップ４２を配置し、その上
に弾性体４３を配置する。そして、前述した第１乃至第
３の実施例のものと同様、これらを金属キャップ４４に
よってパッケージングする。
子４５ａ，４５ｂと弾性表面波デバイスチップ４２のボ
ンディングパッド４８ａ，４８ｂとがそれぞれ接触する
ように弾性表面波デバイスチップ４２を配置し、その上
に弾性体４３を配置する。そして、前述した第１乃至第
３の実施例のものと同様、これらを金属キャップ４４に
よってパッケージングする。
【００６５】上記のようにして、金属キャップ４４によ
るパッケージングが施されると、弾性体４３の弾力によ
ってボンディングパッド４８ａ，４８ｂが端子４５ａ，
４５ｂへ押し当てられ、一定値以上の接触圧で接触接続
される。これにより、弾性表面波デバイスチップ４２が
ずれることなく固定される。
るパッケージングが施されると、弾性体４３の弾力によ
ってボンディングパッド４８ａ，４８ｂが端子４５ａ，
４５ｂへ押し当てられ、一定値以上の接触圧で接触接続
される。これにより、弾性表面波デバイスチップ４２が
ずれることなく固定される。
【００６６】上述のように、本実施例においても、第１
乃至第３の実施例のものと同様、弾性表面波デバイスチ
ップ４２と端子４５ａ，４５ｂとの接着工程（チップの
固定工程）がなく、単に、端子４５ａ，４５ｂに対して
弾性表面波デバイスチップ４２、弾性体４３を順次重ね
てパッケージングするだけで実装が行なわれる。したが
って、デバイスの組み立て工程数を少なくすることがで
きる。
乃至第３の実施例のものと同様、弾性表面波デバイスチ
ップ４２と端子４５ａ，４５ｂとの接着工程（チップの
固定工程）がなく、単に、端子４５ａ，４５ｂに対して
弾性表面波デバイスチップ４２、弾性体４３を順次重ね
てパッケージングするだけで実装が行なわれる。したが
って、デバイスの組み立て工程数を少なくすることがで
きる。
【００６７】ここでは、セラミック基板に代えて金属基
板を用いたものを説明したが、セラミック基板に代えて
ガラス等の絶縁部材を用いることもできる。以下、セラ
ミック基板に代えてガラス等の絶縁部材を用いた弾性表
面波デバイスについて説明する。
板を用いたものを説明したが、セラミック基板に代えて
ガラス等の絶縁部材を用いることもできる。以下、セラ
ミック基板に代えてガラス等の絶縁部材を用いた弾性表
面波デバイスについて説明する。
【００６８】図５は、本発明の第５の実施例の弾性表面
波デバイスの概略構成を示す断面図である。
波デバイスの概略構成を示す断面図である。
【００６９】図５において、５１はガラス板等を用いた
絶縁部材、５２は弾性表面波デバイスチップ、５３は弾
性体、５４は金属キャップ、５５ａ，５５ｂは金属端
子、５６ａ，５６ｂは金属部、５７ａ，５７ｂは封止
部、５８ａ，５８ｂはボンディングパッドである。な
お、弾性表面波デバイスチップ５２および弾性体５３は
前述した第１乃至第３の実施例のものと同様の構成のも
のであり、弾性表面波デバイスチップ５２にはボンディ
ングパッド５８ａ，５８ｂが形成されている。 本実施
例の弾性表面波デバイスにおいては、絶縁部材５１と金
属キャップ５４とによってパッケージが形成される。以
下、その構成および素子の実装について説明する。
絶縁部材、５２は弾性表面波デバイスチップ、５３は弾
性体、５４は金属キャップ、５５ａ，５５ｂは金属端
子、５６ａ，５６ｂは金属部、５７ａ，５７ｂは封止
部、５８ａ，５８ｂはボンディングパッドである。な
お、弾性表面波デバイスチップ５２および弾性体５３は
前述した第１乃至第３の実施例のものと同様の構成のも
のであり、弾性表面波デバイスチップ５２にはボンディ
ングパッド５８ａ，５８ｂが形成されている。 本実施
例の弾性表面波デバイスにおいては、絶縁部材５１と金
属キャップ５４とによってパッケージが形成される。以
下、その構成および素子の実装について説明する。
【００７０】絶縁部材５１は、所定部に金属端子５５
ａ，５５ｂを通すための貫通穴がそれぞれ設けられてお
り、その周縁部の封止部５７ａ，５７ｂに位置する部分
には金属部５６ａ，５６ｂが形成されている。この金属
部５６ａ，５６ｂと金属キャップ５４の周縁部がハンダ
付け（または、溶接）によって接合され、封止が行なわ
れる。
ａ，５５ｂを通すための貫通穴がそれぞれ設けられてお
り、その周縁部の封止部５７ａ，５７ｂに位置する部分
には金属部５６ａ，５６ｂが形成されている。この金属
部５６ａ，５６ｂと金属キャップ５４の周縁部がハンダ
付け（または、溶接）によって接合され、封止が行なわ
れる。
【００７１】金属端子５５ａ，５５ｂは、絶縁部材５１
の貫通穴を貫通しており、パッケージ内に突出するよう
貫通穴の部分で固定され、絶縁部材５１に沿って這わさ
れている。この金属端子５５ａ，５５ｂの固定は、例え
ば、金属端子５５ａ，５５ｂを絶縁部材５１の貫通穴に
通し、その貫通穴部にガラス紛を詰めて焼き付けること
により行なわれる。
の貫通穴を貫通しており、パッケージ内に突出するよう
貫通穴の部分で固定され、絶縁部材５１に沿って這わさ
れている。この金属端子５５ａ，５５ｂの固定は、例え
ば、金属端子５５ａ，５５ｂを絶縁部材５１の貫通穴に
通し、その貫通穴部にガラス紛を詰めて焼き付けること
により行なわれる。
【００７２】本実施例では、パッケージ内に突出した金
属端子５５ａ，５５ｂとボンディングパッド５８ａ，５
８ｂとがそれぞれ接触する位置に弾性表面波デバイスチ
ップ５２を配置し、その上に弾性体５３を配置する。そ
して、前述した第１乃至第４の実施例のものと同様、こ
れらを金属キャップ５４によってパッケージングする。
属端子５５ａ，５５ｂとボンディングパッド５８ａ，５
８ｂとがそれぞれ接触する位置に弾性表面波デバイスチ
ップ５２を配置し、その上に弾性体５３を配置する。そ
して、前述した第１乃至第４の実施例のものと同様、こ
れらを金属キャップ５４によってパッケージングする。
【００７３】上記のようにして、金属キャップ５４によ
るパッケージングが施されると、本実施例においても、
弾性体５３の弾力によってボンディングパッド５８ａ，
５８ｂが金属端子５５ａ，５５ｂへ押し当てられ、一定
値以上の接触圧で接触接続される。これにより、弾性表
面波デバイスチップ５２が固定される。
るパッケージングが施されると、本実施例においても、
弾性体５３の弾力によってボンディングパッド５８ａ，
５８ｂが金属端子５５ａ，５５ｂへ押し当てられ、一定
値以上の接触圧で接触接続される。これにより、弾性表
面波デバイスチップ５２が固定される。
【００７４】上述のように、本実施例においても、前述
の第１乃至第４の実施例のものと同様、弾性表面波デバ
イスチップ５２と金属端子５５ａ，５５ｂとの接着工程
（チップの固定工程）がなく、単に、金属端子５５ａ，
５５ｂに対して弾性表面波デバイスチップ５２、弾性体
５３を順次重ねてパッケージングするだけで実装が行な
われる。したがって、デバイスの組み立て工程数を少な
くすることができる。
の第１乃至第４の実施例のものと同様、弾性表面波デバ
イスチップ５２と金属端子５５ａ，５５ｂとの接着工程
（チップの固定工程）がなく、単に、金属端子５５ａ，
５５ｂに対して弾性表面波デバイスチップ５２、弾性体
５３を順次重ねてパッケージングするだけで実装が行な
われる。したがって、デバイスの組み立て工程数を少な
くすることができる。
【００７５】なお、本発明の弾性表面波デバイスでは、
金属キャップは弾性表面波デバイスチップおよび弾性体
をパッケージングできればよく、その形状は特に限定さ
れるものではなく、設計条件応じて適宜選択される。
金属キャップは弾性表面波デバイスチップおよび弾性体
をパッケージングできればよく、その形状は特に限定さ
れるものではなく、設計条件応じて適宜選択される。
【００７６】また、上述した本発明の弾性表面波デバイ
スでは、第３の実施例にのみ板バネを用いたものを示し
たが、その他の実施例のものにおいても板バネを用いて
よく、その場合、第３の実施例のものと同様の作用効果
を奏することは言うまでもない。
スでは、第３の実施例にのみ板バネを用いたものを示し
たが、その他の実施例のものにおいても板バネを用いて
よく、その場合、第３の実施例のものと同様の作用効果
を奏することは言うまでもない。
【００７７】
【発明の効果】本発明は以上説明したように構成されて
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
いるので、以下に記載するような効果を奏する。
【００７８】請求項１から請求項４に記載のいずれのも
のにおいても、弾性表面波素子に金属バンプを形成し、
その金属バンプを入出力端子へ接続したり、弾性表面波
素子を基板上に固定したりする工程、およびワイヤボン
ディング工程を必要としないので、素子の実装工程を簡
略化することができ、実装工程におけるコストダウンを
図ることができるという効果がある。
のにおいても、弾性表面波素子に金属バンプを形成し、
その金属バンプを入出力端子へ接続したり、弾性表面波
素子を基板上に固定したりする工程、およびワイヤボン
ディング工程を必要としないので、素子の実装工程を簡
略化することができ、実装工程におけるコストダウンを
図ることができるという効果がある。
【００７９】さらには、ワイヤボンディング工程を必要
としないことから、装置の小型化を図ることができると
いう効果がある。
としないことから、装置の小型化を図ることができると
いう効果がある。
【００８０】また、弾性表面波素子の電極パターンの所
定部と端子の凸部とは一定の接触圧で接触接続している
ので、デバイスの経時変化等による接触不良が起こるこ
とはなく、単に電極パターンの所定部と端子の凸部とを
接触される従来の弾性表面波デバイスに比べて信頼性が
向上するという効果がある。
定部と端子の凸部とは一定の接触圧で接触接続している
ので、デバイスの経時変化等による接触不良が起こるこ
とはなく、単に電極パターンの所定部と端子の凸部とを
接触される従来の弾性表面波デバイスに比べて信頼性が
向上するという効果がある。
【００８１】上記のもののうち請求項４に記載のものに
おいては、バネ性材料には金属性板バネが用いられてい
るので、バネ性材料に絶縁物を用いた場合に考えられる
絶縁物からの放出ガスを考慮する必要がくなるという効
果がある。
おいては、バネ性材料には金属性板バネが用いられてい
るので、バネ性材料に絶縁物を用いた場合に考えられる
絶縁物からの放出ガスを考慮する必要がくなるという効
果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の弾性表面波デバイスの
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例の弾性表面波デバイスの
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施例の弾性表面波デバイスの
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第４の実施例の弾性表面波デバイスの
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図５】本発明の第５の実施例の弾性表面波デバイスの
概略構成を示す断面図である。
概略構成を示す断面図である。
【図６】従来の弾性表面波デバイスの概略構造を示す断
面図である。
面図である。
【図７】図６とは異なる構成の弾性表面波デバイスの概
略構成を示す断面図である。
略構成を示す断面図である。
【図８】パッケージの小型化を目的とした弾性表面波デ
バイスの概略構成を示す断面図である。
バイスの概略構成を示す断面図である。
【図９】実開昭６２−９８３４０号公報に記載された弾
性表面波デバイスの概略構成を示す断面図である。
性表面波デバイスの概略構成を示す断面図である。
１，１１ セラミック基板 ２，４２，５２ 弾性表面波デバイスチップ ３，４３，５３ 弾性体 ４，４４，５４ 金属キャップ ５ａ，５ｂ，１５ａ，１５ｂ 金属パターン ６ａ，６ｂ 凸部 ７ａ，７ｂ，４７ａ，４７ｂ，５７ａ，５７ｂ 封止部 ８ａ，８ｂ，５８ａ，５８ｂ ボンディングパッド １６ａ，１６ｂ ビア・ホール １８ａ，１８ｂ，５６ａ，５６ｂ 金属部 ２０ 金属板バネ ４１ 金属基板 ４５ａ，４５ｂ 端子 ４６ 絶縁シート ５１ 絶縁部材 ５５ａ，５５ｂ 金属端子
Claims (4)
- 【請求項１】 基板とキャップ部材とにより構成された
パッケージ内に、電極パターンが形成された弾性表面波
素子を収納してなる弾性表面波デバイスにおいて、 前記パッケージの入出力端子として前記基板に設けられ
た、前記電極パターンの所定部と電気的に接続される凸
部を有する端子と、 前記キャップ部材と前記弾性表面波素子との間に設けら
れた弾性部材とを有し、 前記弾性表面波素子は、前記
弾性部材の弾性力によって、電極パターンの所定部が前
記端子の凸部に所定の接触圧で押し当てられて固定され
ていることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - 【請求項２】 請求項１に記載の弾性表面波デバイスに
おいて、 弾性部材がゴム系材料よりなることを特徴とする弾性表
面波デバイス。 - 【請求項３】 請求項１に記載の弾性表面波デバイスに
おいて、 弾性部材がバネ性材料よりなることを特徴とする弾性表
面波デバイス。 - 【請求項４】 請求項３に記載の弾性表面波デバイスに
おいて、 バネ性材料として金属性板バネが用いたことを特徴とす
る弾性表面波デバイス。
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