JPH0816361A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0816361A JPH0816361A JP6173400A JP17340094A JPH0816361A JP H0816361 A JPH0816361 A JP H0816361A JP 6173400 A JP6173400 A JP 6173400A JP 17340094 A JP17340094 A JP 17340094A JP H0816361 A JPH0816361 A JP H0816361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- memory
- information
- data
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
- Communication Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 データ処理装置側からデータを高速に書き込
むことができるとともに、異なるデータ列を同時に扱う
ことができる半導体集積回路装置を提供する。 【構成】 FIFO構造の記憶回路1〜Nを複数設ける
とともに、その前段に外部からの入力情報を高速に書き
込むことが可能な書込みバッファ20を設け、この書込
みバッファ20に上記入力情報をセットするようにする
ことにより、記憶回路1〜N自体を高速化しなくてもデ
ータ処理装置側から高速に情報を書き込むことができる
ようにする。また、上記書込みバッファ20に各記憶回
路1〜Nを識別するための記憶回路ブロック番号22を
保持しておくようにすることで、記憶回路ブロック番号
22を参照して各記憶回路1〜Nに対して選択的に情報
の書込みを行うようにすることにより、異なるデータ列
を異なる記憶回路で扱うことができるようにして、複数
のFIFOチップを実装しなくても異なるデータ列を同
時に扱うことができるようにする。
むことができるとともに、異なるデータ列を同時に扱う
ことができる半導体集積回路装置を提供する。 【構成】 FIFO構造の記憶回路1〜Nを複数設ける
とともに、その前段に外部からの入力情報を高速に書き
込むことが可能な書込みバッファ20を設け、この書込
みバッファ20に上記入力情報をセットするようにする
ことにより、記憶回路1〜N自体を高速化しなくてもデ
ータ処理装置側から高速に情報を書き込むことができる
ようにする。また、上記書込みバッファ20に各記憶回
路1〜Nを識別するための記憶回路ブロック番号22を
保持しておくようにすることで、記憶回路ブロック番号
22を参照して各記憶回路1〜Nに対して選択的に情報
の書込みを行うようにすることにより、異なるデータ列
を異なる記憶回路で扱うことができるようにして、複数
のFIFOチップを実装しなくても異なるデータ列を同
時に扱うことができるようにする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、特に、FIFO(First In First Out)構造の記憶
回路を有する半導体記憶装置に用いて好適なものであ
る。
し、特に、FIFO(First In First Out)構造の記憶
回路を有する半導体記憶装置に用いて好適なものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、一般にFIFO(First In First
Out)と呼ばれる機能、すなわちデータを書き込んだ順
番にそのデータの読出しを行う機能を持つ半導体記憶回
路は、通常はデータの書込みと読出しとを非同期的に行
うことが可能なバッファとして用いられる。
Out)と呼ばれる機能、すなわちデータを書き込んだ順
番にそのデータの読出しを行う機能を持つ半導体記憶回
路は、通常はデータの書込みと読出しとを非同期的に行
うことが可能なバッファとして用いられる。
【0003】このような半導体記憶回路は、図2に示す
ように、データを蓄える記憶回路61と、データの書込
みおよび読出しをそれぞれ制御する書込み制御回路67
および読出し制御回路71とを備えている。
ように、データを蓄える記憶回路61と、データの書込
みおよび読出しをそれぞれ制御する書込み制御回路67
および読出し制御回路71とを備えている。
【0004】図2において、データ入力回路65からデ
ータが入力されるとともに要求信号入力回路66に書込
み要求信号が与えられると、書込みのワードアドレスを
示すカウンタ68の内容が書込みデコーダ63により解
読される。そして、記憶回路61中の該当するワードア
ドレスに上記データ入力回路65からの入力データが与
えられるとともに、有効フラグ部62においてアドレス
ごとに用意されているデータの有効/無効を示すフラグ
がセットされる。これと同時に、書込み制御回路67に
よりカウンタ68が1つカウントアップされる。以下同
様にして、カウンタ68に従って記憶回路61にデータ
が順次入力されて記憶されるとともに、対応するアドレ
スのフラグがセットされる。
ータが入力されるとともに要求信号入力回路66に書込
み要求信号が与えられると、書込みのワードアドレスを
示すカウンタ68の内容が書込みデコーダ63により解
読される。そして、記憶回路61中の該当するワードア
ドレスに上記データ入力回路65からの入力データが与
えられるとともに、有効フラグ部62においてアドレス
ごとに用意されているデータの有効/無効を示すフラグ
がセットされる。これと同時に、書込み制御回路67に
よりカウンタ68が1つカウントアップされる。以下同
様にして、カウンタ68に従って記憶回路61にデータ
が順次入力されて記憶されるとともに、対応するアドレ
スのフラグがセットされる。
【0005】また、読出し側の要求信号入力回路70に
与えられる読出し要求信号に応じて記憶回路61から1
ワードのデータが読み出されると、読出しデコーダ64
により、カウンタ72で示される読出しアドレスに該当
するフラグがリセットされるとともに、読出し制御回路
71により読出し側のカウンタ72が1つカウントアッ
プされる。以下同様にして、カウンタ72に従って記憶
回路61からデータが順次読み出されるとともに、対応
するアドレスのフラグがリセットされる。
与えられる読出し要求信号に応じて記憶回路61から1
ワードのデータが読み出されると、読出しデコーダ64
により、カウンタ72で示される読出しアドレスに該当
するフラグがリセットされるとともに、読出し制御回路
71により読出し側のカウンタ72が1つカウントアッ
プされる。以下同様にして、カウンタ72に従って記憶
回路61からデータが順次読み出されるとともに、対応
するアドレスのフラグがリセットされる。
【0006】このような構成において、データの書込み
と読出しとの頻度にアンバランスがあると、書込み要求
がきても記憶回路61が満杯(Full状態)でデータを書
き込めなかったり、読出し要求がきても記憶回路61が
空( Empty状態)でデータを読み出せなかったりするこ
とがある。
と読出しとの頻度にアンバランスがあると、書込み要求
がきても記憶回路61が満杯(Full状態)でデータを書
き込めなかったり、読出し要求がきても記憶回路61が
空( Empty状態)でデータを読み出せなかったりするこ
とがある。
【0007】すなわち、有効フラグ部62内の各フラグ
の内容は、AND回路73およびOR回路74に与えら
れており、各フラグが全てセットされているときは、A
ND回路73から書込み制御回路67にFull信号が送ら
れる。そして、書込み制御回路67によってこれ以上の
データの書込みが禁止される。
の内容は、AND回路73およびOR回路74に与えら
れており、各フラグが全てセットされているときは、A
ND回路73から書込み制御回路67にFull信号が送ら
れる。そして、書込み制御回路67によってこれ以上の
データの書込みが禁止される。
【0008】逆に、各フラグが全てリセットされている
ときは、OR回路74から読出し制御回路71に Empty
信号が送られる。そして、読出し制御回路71によって
これ以上のデータの読出しが禁止される。
ときは、OR回路74から読出し制御回路71に Empty
信号が送られる。そして、読出し制御回路71によって
これ以上のデータの読出しが禁止される。
【0009】このようにバッファとして利用されるFI
FO構造の半導体記憶装置は、近年におけるデータ処理
装置側の処理の高速化に伴って、FIFO側の応答性を
改善することがが望まれるようになってきている。この
ため、このような要望に対応して記憶回路部の高速化、
大容量化が進められている。
FO構造の半導体記憶装置は、近年におけるデータ処理
装置側の処理の高速化に伴って、FIFO側の応答性を
改善することがが望まれるようになってきている。この
ため、このような要望に対応して記憶回路部の高速化、
大容量化が進められている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、記憶回
路部の高速化および大容量化は、一般のSRAM(スタ
ティックRAM)と同様に消費電力の増大やコストの高
騰につながる。また、異なるデータ列をFIFOで同時
に扱うためには、複数のFIFOチップを実装する必要
があるという問題があった。
路部の高速化および大容量化は、一般のSRAM(スタ
ティックRAM)と同様に消費電力の増大やコストの高
騰につながる。また、異なるデータ列をFIFOで同時
に扱うためには、複数のFIFOチップを実装する必要
があるという問題があった。
【0011】本発明は、上記したような従来技術の問題
点に鑑みて成されたものであり、その主な目的は、デー
タ処理装置側からデータを高速に書き込むことができる
とともに、異なるデータ列を同時に扱うことができる半
導体集積回路装置を提供することにある。
点に鑑みて成されたものであり、その主な目的は、デー
タ処理装置側からデータを高速に書き込むことができる
とともに、異なるデータ列を同時に扱うことができる半
導体集積回路装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、先入れ先出し方式の記憶回路を有する半導体集
積回路装置であって、前記記憶回路の前段に、入力され
た情報を高速に書込み可能な書込みバッファを設け、前
記入力された情報を前記書込みバッファに一旦書き込ん
でから前記記憶回路に導出するようにしたことを特徴と
するものである。
装置は、先入れ先出し方式の記憶回路を有する半導体集
積回路装置であって、前記記憶回路の前段に、入力され
た情報を高速に書込み可能な書込みバッファを設け、前
記入力された情報を前記書込みバッファに一旦書き込ん
でから前記記憶回路に導出するようにしたことを特徴と
するものである。
【0013】本発明の他の特徴とするところは、情報を
記憶する半導体集積回路装置であって、外部から情報を
入力する入力回路と、前記入力回路からの入力情報を高
速に書込み可能な複数の書込みバッファと、前記書込み
バッファからの情報を書き込んだ順番で読出しを行う機
能を持つ記憶回路と、前記記憶回路から読み出された記
憶情報を外部に出力する出力回路と、前記入力回路、書
込みバッファ、記憶回路および出力回路を制御する制御
回路とを具備するものである。
記憶する半導体集積回路装置であって、外部から情報を
入力する入力回路と、前記入力回路からの入力情報を高
速に書込み可能な複数の書込みバッファと、前記書込み
バッファからの情報を書き込んだ順番で読出しを行う機
能を持つ記憶回路と、前記記憶回路から読み出された記
憶情報を外部に出力する出力回路と、前記入力回路、書
込みバッファ、記憶回路および出力回路を制御する制御
回路とを具備するものである。
【0014】本発明の更に他の特徴とするところは、前
記記憶回路を複数備え、これら複数の記憶回路に対して
選択的に情報の書込みおよび読出しを行うようにしたこ
とを特徴とするものである。
記記憶回路を複数備え、これら複数の記憶回路に対して
選択的に情報の書込みおよび読出しを行うようにしたこ
とを特徴とするものである。
【0015】本発明のその他の特徴とするところは、前
記書込みバッファは、前記記憶回路に書き込む情報と、
前記複数の記憶回路を識別するための記憶回路ブロック
番号とを保持することを特徴とするものである。
記書込みバッファは、前記記憶回路に書き込む情報と、
前記複数の記憶回路を識別するための記憶回路ブロック
番号とを保持することを特徴とするものである。
【0016】
【作用】上記のように構成した本発明によれば、データ
処理装置などから入力された情報は、先入れ先出し(F
IFO)構造の記憶回路の前段に設けられた書込みバッ
ファに高速に書き込まれ、この書込みバッファに書き込
まれた情報がその後段の記憶回路に高速に書き込まれる
こととなるため、記憶回路自体を高速化、大容量化しな
くても記憶回路への情報の書込みを高速に行うことが可
能となる。
処理装置などから入力された情報は、先入れ先出し(F
IFO)構造の記憶回路の前段に設けられた書込みバッ
ファに高速に書き込まれ、この書込みバッファに書き込
まれた情報がその後段の記憶回路に高速に書き込まれる
こととなるため、記憶回路自体を高速化、大容量化しな
くても記憶回路への情報の書込みを高速に行うことが可
能となる。
【0017】また、記憶回路を複数設けた場合には、例
えば、書込みバッファに複数の記憶回路を識別するため
の記憶回路ブロック番号を保持しておくようにすること
で、この記憶回路ブロック番号を参照して複数の記憶回
路に対して選択的に情報の書込みおよび読出しを行うこ
とが可能となり、異なるデータ列を異なる記憶回路で扱
うことが可能となる。
えば、書込みバッファに複数の記憶回路を識別するため
の記憶回路ブロック番号を保持しておくようにすること
で、この記憶回路ブロック番号を参照して複数の記憶回
路に対して選択的に情報の書込みおよび読出しを行うこ
とが可能となり、異なるデータ列を異なる記憶回路で扱
うことが可能となる。
【0018】
【実施例】以下に、図1を参照して本発明の好適な実施
例について詳細に説明する。図1において、複数の記憶
回路1〜N(N=1,2,3…)は、データを書き込ん
だ順番に読出しを行う機能(FIFO機能)を持つ半導
体記憶回路からなっている。
例について詳細に説明する。図1において、複数の記憶
回路1〜N(N=1,2,3…)は、データを書き込ん
だ順番に読出しを行う機能(FIFO機能)を持つ半導
体記憶回路からなっている。
【0019】書込みバッファ20は、データ入力回路3
0に入力されるデータを上記記憶回路1〜Nに対して十
分高速に書き込むことが可能な複数のバッファであり、
入力データ21と、各記憶回路1〜Nを識別するための
記憶回路ブロック番号22と、バッファ内のデータの有
効/無効を示すフラグ23とを保持することができるよ
うになっている。
0に入力されるデータを上記記憶回路1〜Nに対して十
分高速に書き込むことが可能な複数のバッファであり、
入力データ21と、各記憶回路1〜Nを識別するための
記憶回路ブロック番号22と、バッファ内のデータの有
効/無効を示すフラグ23とを保持することができるよ
うになっている。
【0020】データ出力回路40は、各記憶回路1〜N
から読み出された記憶情報を外部に出力する。また、制
御回路50は、入力制御回路51、記憶制御回路52お
よび出力制御回路53からなっており、上記データ入力
回路30、書込みバッファ20、各記憶回路1〜Nおよ
びデータ出力回路40をそれぞれ制御する。
から読み出された記憶情報を外部に出力する。また、制
御回路50は、入力制御回路51、記憶制御回路52お
よび出力制御回路53からなっており、上記データ入力
回路30、書込みバッファ20、各記憶回路1〜Nおよ
びデータ出力回路40をそれぞれ制御する。
【0021】上記入力制御回路51は、入力データ21
および記憶回路ブロック番号22がデータ入力回路30
に与えられるとともに書込み要求信号が要求信号入力回
路54に与えられると、書込みバッファ20内において
フラグ23が無効であることを示す領域に、上記入力デ
ータ21および記憶回路ブロック番号22を書き込む。
これと同時に、当該領域のフラグをセットするととも
に、書込みがあったことを示す書込み信号を記憶制御回
路52に送る。
および記憶回路ブロック番号22がデータ入力回路30
に与えられるとともに書込み要求信号が要求信号入力回
路54に与えられると、書込みバッファ20内において
フラグ23が無効であることを示す領域に、上記入力デ
ータ21および記憶回路ブロック番号22を書き込む。
これと同時に、当該領域のフラグをセットするととも
に、書込みがあったことを示す書込み信号を記憶制御回
路52に送る。
【0022】記憶制御回路52は、上記入力制御回路5
1からの書込み信号を受けて、書込みバッファ20にお
いてフラグ23が有効となっている領域の記憶回路ブロ
ック番号22を基に、複数の記憶回路1〜Nの中から何
れか1つを選択する。ここでは、例えば記憶回路1を選
択したとする。
1からの書込み信号を受けて、書込みバッファ20にお
いてフラグ23が有効となっている領域の記憶回路ブロ
ック番号22を基に、複数の記憶回路1〜Nの中から何
れか1つを選択する。ここでは、例えば記憶回路1を選
択したとする。
【0023】そして、このようにして選択した記憶回路
1が満杯(Full状態)でなければ、書込みカウンタ52
aで示されるアドレスに入力データ21を書き込み、書
込みバッファ20中の該当するフラグ23をリセットす
る。また、記憶回路1においてアドレスごとに用意され
ているデータの有効/無効を示すフラグ11-1をセット
すると同時に、書込みカウンタ52aを1つカウントア
ップする。一方、記憶回路1が満杯であれば、満杯でな
くなるまでデータの書込みを留保する。
1が満杯(Full状態)でなければ、書込みカウンタ52
aで示されるアドレスに入力データ21を書き込み、書
込みバッファ20中の該当するフラグ23をリセットす
る。また、記憶回路1においてアドレスごとに用意され
ているデータの有効/無効を示すフラグ11-1をセット
すると同時に、書込みカウンタ52aを1つカウントア
ップする。一方、記憶回路1が満杯であれば、満杯でな
くなるまでデータの書込みを留保する。
【0024】出力制御回路53は、記憶回路ブロック番
号22が記憶制御回路52に与えられるとともに読出し
要求信号が要求信号出力回路55に与えられると、上記
記憶回路ブロック番号22で示される記憶回路から、読
出しカウンタ52bに従ってデータを読み出す。
号22が記憶制御回路52に与えられるとともに読出し
要求信号が要求信号出力回路55に与えられると、上記
記憶回路ブロック番号22で示される記憶回路から、読
出しカウンタ52bに従ってデータを読み出す。
【0025】そして、その記憶回路の読出しアドレスに
該当するフラグをリセットすると同時に、読出しカウン
タ52bを1つカウントアップする。また、当該選択さ
れた記憶回路が空( Empty状態)であれば、その記憶回
路が空でなくなるまでデータの読出しを留保する。
該当するフラグをリセットすると同時に、読出しカウン
タ52bを1つカウントアップする。また、当該選択さ
れた記憶回路が空( Empty状態)であれば、その記憶回
路が空でなくなるまでデータの読出しを留保する。
【0026】以上のように、本実施例によれば、FIF
O構造の記憶回路の前段に高速に書込みが可能な書込み
バッファ20を設け、入力されたデータをこの書込みバ
ッファ20にセットするようにしているので、FIFO
構造の記憶回路自体を高速化しなくてもデータ処理装置
側からデータを高速に書き込むことができる。
O構造の記憶回路の前段に高速に書込みが可能な書込み
バッファ20を設け、入力されたデータをこの書込みバ
ッファ20にセットするようにしているので、FIFO
構造の記憶回路自体を高速化しなくてもデータ処理装置
側からデータを高速に書き込むことができる。
【0027】また、上記記憶回路を複数設けるととも
に、これら複数の記憶回路を識別するための記憶回路ブ
ロック番号22を書込みバッファ20にセットしておく
ようにしているので、記憶回路ブロック番号22を基に
して複数の記憶回路1〜Nに対して選択的にデータの書
込みおよび読出しを行うことができ、複数のFIFOチ
ップを実装しなくても異なるデータ列を同時に扱うこと
ができる。
に、これら複数の記憶回路を識別するための記憶回路ブ
ロック番号22を書込みバッファ20にセットしておく
ようにしているので、記憶回路ブロック番号22を基に
して複数の記憶回路1〜Nに対して選択的にデータの書
込みおよび読出しを行うことができ、複数のFIFOチ
ップを実装しなくても異なるデータ列を同時に扱うこと
ができる。
【0028】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲で
種々の変形が可能である。例えば、上記実施例では記憶
回路の読出しデータを選択して出力する場合について示
したが、各々の記憶回路からの読出しデータを直接出力
するように構成しても構わない。
ものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱しない範囲で
種々の変形が可能である。例えば、上記実施例では記憶
回路の読出しデータを選択して出力する場合について示
したが、各々の記憶回路からの読出しデータを直接出力
するように構成しても構わない。
【0029】本発明は、データフロー型計算機、すなわ
ちデータそのものに計算機の実行命令が含まれるような
計算機に特に有効である。この場合、記憶回路ブロック
番号22によって指定される記憶回路ブロックごとに実
行命令を割り当てておけば、入力データ21は、上記記
憶回路ブロック番号22に従って演算が施されることに
なる。
ちデータそのものに計算機の実行命令が含まれるような
計算機に特に有効である。この場合、記憶回路ブロック
番号22によって指定される記憶回路ブロックごとに実
行命令を割り当てておけば、入力データ21は、上記記
憶回路ブロック番号22に従って演算が施されることに
なる。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、先
入れ先出し(FIFO)方式の記憶回路の前段に入力情
報を高速に書き込むことが可能な書込みバッファを設
け、この書込みバッファに上記入力情報をセットするよ
うにしたので、FIFO構造の記憶回路自体を高速化、
大容量化しなくてもデータ処理装置側から高速に情報を
書き込むことができるようになる。
入れ先出し(FIFO)方式の記憶回路の前段に入力情
報を高速に書き込むことが可能な書込みバッファを設
け、この書込みバッファに上記入力情報をセットするよ
うにしたので、FIFO構造の記憶回路自体を高速化、
大容量化しなくてもデータ処理装置側から高速に情報を
書き込むことができるようになる。
【0031】また、記憶回路を複数設けるとともに、書
込みバッファに上記複数の記憶回路を識別するための記
憶回路ブロック番号を保持しておくようにすることで、
記憶回路ブロック番号を参照して複数の記憶回路に対し
て選択的に情報の書込みおよび読出しを行うことができ
るようにしたので、異なるデータ列を異なる記憶回路で
扱うことができ、複数のFIFOチップを実装しなくて
も異なるデータ列を同時に扱うことができるようにな
る。
込みバッファに上記複数の記憶回路を識別するための記
憶回路ブロック番号を保持しておくようにすることで、
記憶回路ブロック番号を参照して複数の記憶回路に対し
て選択的に情報の書込みおよび読出しを行うことができ
るようにしたので、異なるデータ列を異なる記憶回路で
扱うことができ、複数のFIFOチップを実装しなくて
も異なるデータ列を同時に扱うことができるようにな
る。
【図1】本発明の一実施例である半導体記憶装置の概略
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図2】従来の半導体記憶装置を示すブロック図であ
る。
る。
1〜N 記憶回路 11-1〜11-N 記憶回路内のデータの有効/無効を示
すフラグ 20 書込みバッファ 21 入力データ 22 記憶回路ブロック番号 23 バッファ内のデータの有効/無効を示すフラグ 30 データ入力回路 40 データ出力回路 50 制御回路 51 入力制御回路 52 記憶制御回路 52a 書込みカウンタ 52b 読出しカウンタ 53 出力制御回路 54 要求信号入力回路 55 要求信号出力回路
すフラグ 20 書込みバッファ 21 入力データ 22 記憶回路ブロック番号 23 バッファ内のデータの有効/無効を示すフラグ 30 データ入力回路 40 データ出力回路 50 制御回路 51 入力制御回路 52 記憶制御回路 52a 書込みカウンタ 52b 読出しカウンタ 53 出力制御回路 54 要求信号入力回路 55 要求信号出力回路
Claims (4)
- 【請求項1】 先入れ先出し方式の記憶回路を有する半
導体集積回路装置であって、 前記記憶回路の前段に、入力された情報を高速に書込み
可能な書込みバッファを設け、 前記入力された情報を前記書込みバッファに一旦書き込
んでから前記記憶回路に導出するようにしたことを特徴
とする半導体集積回路装置。 - 【請求項2】 情報を記憶する半導体集積回路装置であ
って、 外部から情報を入力する入力回路と、 前記入力回路からの入力情報を高速に書込み可能な複数
の書込みバッファと、 前記書込みバッファからの情報を書き込んだ順番で読出
しを行う機能を持つ記憶回路と、 前記記憶回路から読み出された記憶情報を外部に出力す
る出力回路と、 前記入力回路、書込みバッファ、記憶回路および出力回
路を制御する制御回路とを具備することを特徴とする半
導体集積回路装置。 - 【請求項3】 前記記憶回路を複数備え、これら複数の
記憶回路に対して選択的に情報の書込みおよび読出しを
行うようにしたことを特徴とする請求項1または2記載
の半導体集積回路装置。 - 【請求項4】 前記書込みバッファは、前記記憶回路に
書き込む情報と、前記複数の記憶回路を識別するための
記憶回路ブロック番号とを保持することを特徴とする請
求項3記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6173400A JPH0816361A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6173400A JPH0816361A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0816361A true JPH0816361A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15959719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6173400A Withdrawn JPH0816361A (ja) | 1994-07-01 | 1994-07-01 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0816361A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334044B1 (ko) * | 1998-04-20 | 2002-04-26 | 아끼구사 나오유끼 | 통신 기능을 갖는 시스템 lsi |
-
1994
- 1994-07-01 JP JP6173400A patent/JPH0816361A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100334044B1 (ko) * | 1998-04-20 | 2002-04-26 | 아끼구사 나오유끼 | 통신 기능을 갖는 시스템 lsi |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5115510A (en) | Multistage data flow processor with instruction packet, fetch, storage transmission and address generation controlled by destination information | |
| US8533368B2 (en) | Buffering device and buffering method | |
| JP2821345B2 (ja) | 非同期i/o制御方式 | |
| US6292807B1 (en) | Method for controlling pipelined memory access requests | |
| US7035908B1 (en) | Method for multiprocessor communication within a shared memory architecture | |
| JPS6211736B2 (ja) | ||
| JP3438503B2 (ja) | 表示制御装置 | |
| JP3145545B2 (ja) | メモリアクセス装置 | |
| US20020190753A1 (en) | Programmable burst fifo | |
| JPH07182849A (ja) | Fifoメモリ | |
| JP3469753B2 (ja) | プロセッサの戻り番地読み出し制御方法及びプロセッサ | |
| JPH0962633A (ja) | ネットワーク制御装置 | |
| JPH06301600A (ja) | 記憶装置 | |
| JP2734581B2 (ja) | 入出力制御装置の制御方式 | |
| US7308535B1 (en) | Self-triggering outgoing buffers | |
| KR100336743B1 (ko) | 데이터처리회로 | |
| JPH0736806A (ja) | Dma方式 | |
| JPH0326413B2 (ja) | ||
| JPH07253920A (ja) | Fifo ram コントローラ | |
| JPS6386185A (ja) | キユ−処理用バツフア装置 | |
| JPS62290949A (ja) | 主記憶制御方式 | |
| JPH07121351A (ja) | 半導体ram | |
| JPH05204847A (ja) | データ転送制御装置 | |
| JPH10105457A (ja) | メモリ制御システムおよびメモリ制御回路 | |
| JPS6034147B2 (ja) | デ−タ転送における多段先行制御方式 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |