JPH08181268A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH08181268A
JPH08181268A JP6321116A JP32111694A JPH08181268A JP H08181268 A JPH08181268 A JP H08181268A JP 6321116 A JP6321116 A JP 6321116A JP 32111694 A JP32111694 A JP 32111694A JP H08181268 A JPH08181268 A JP H08181268A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die pad
semiconductor device
circuit board
radiation fin
resin package
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP6321116A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshihiro Matsumura
吉浩 松村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP6321116A priority Critical patent/JPH08181268A/ja
Publication of JPH08181268A publication Critical patent/JPH08181268A/ja
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、充分な放熱容量の確保を容易にし
た半導体装置を提供せんとするものである。 【構成】 半導体チップ６を搭載したダイパッド１を樹
脂パッケージ５で封止し、この樹脂パッケージ５からリ
ード端子７及びダイパッド１に連接した放熱フィン３を
導出し、放熱フィン３をダイパッド１に垂下連接し、こ
の放熱フィン３を回路基板２の表面または、裏面に設け
たヒートシンク８に接続して成る半導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の放熱性の
向上を目的とする。
【０００２】
【従来の技術】従来のものとしては、半導体チップを封
止したパッケージの表面にヒートシンクを埋設したもの
がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例で
は、樹脂パッケージの大きさに制限される等して、埋設
できるヒートシンクの放熱容量が制限されると言う欠点
を有していた。
【０００４】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
であり、充分な放熱容量の確保を容易にした半導体装置
を提供せんとするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１記載のように、
半導体チップ６を搭載したダイパッド１を樹脂パッケー
ジ５で封止し、この樹脂パッケージ５からリード端子７
及びダイパッド１に連接した放熱フィン３を導出して成
ることを特徴とする半導体装置である。
【０００６】ここで、放熱フィン３は、ダイパッド１の
下面側に切り起こして形成してもよいし、ダイパッド１
の端縁部に垂下連接して形成してもよい。
【０００７】また、放熱フィン３を回路基板２の表面ま
たは裏面に設けたヒートシンク８に接続してもよい。
【０００８】
【作 用】この出願の発明によれば、樹脂パッケージ５
から導出した放熱フィン３に必要な容量のヒートシンク
８を接続できる。この結果、ダイパッド１に溜まる半導
体チップ６の熱を放熱フィン３を通じて効率よく放熱で
きる。
【０００９】この場合、ヒートシンク８を回路基板２に
設けると、放熱容量の設定が、樹脂パッケージ５の大き
さ等の制約を受けることなく、行える。とくに、ヒート
シンク８を回路基板２の回路を設けていない面に配置す
る場合にその自由度が高い。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき説明する。
【００１１】図１乃至図５に本発明の一実施例である半
導体装置を示す。この半導体装置は、半導体チップ６を
搭載したダイパッド１を樹脂パッケージ５で封止し、こ
の樹脂パッケージ５からリード端子７及びダイパッド１
に連接した放熱フィン３を導出して成るものである。
【００１２】放熱フィン３は、ダイパッド１の下面側
に、二列の、複数の切り起こしとして形成されている。
【００１３】リード端子７は、樹脂パッケージ５の両側
の側面から垂下されている。この半導体装置は、つぎの
ように使用される。
【００１４】図４は、この一例を示し、この放熱フィン
３を回路基板２の表面に設けたヒートシンク８に半田付
け接続したものである。リード端子７も同様に、回路基
板２の表面に設れられた回路面に半田付け接続されてい
る。このような、実装構造は、一般に表面実装と言われ
ているものである。
【００１５】図５は、他の使用例を示し、この放熱フィ
ン３を回路基板２に貫通すると共にこの裏面に設けたヒ
ートシンク８に半田付け接続したものである。リード端
子７は、回路基板２のスルホールに挿通したうえで、半
田付けされて、回路基板２の裏面に設けられた回路面と
接続されている。このような、実装構造は、一般にピン
実装と言われているものである。
【００１６】図６乃至図１０に本発明の異なる実施例で
ある半導体装置を示す。この半導体装置は、半導体チッ
プ６を搭載したダイパッド１を樹脂パッケージ５で封止
し、この樹脂パッケージ５からリード端子７及びダイパ
ッド１に連接した放熱フィン３を導出して成るものであ
る。
【００１７】放熱フィン３はダイパッド１の端縁部に、
綴れ折り状にして連接垂下されている。
【００１８】リード端子７は、樹脂パッケージ５の両側
の側面から垂下されている。この半導体装置は、つぎの
ように使用される。
【００１９】図９は、この一の使用例を示し、この放熱
フィン３を回路基板２の表面に設けたヒートシンク８に
接続したものである。リード端子７も同様に、回路基板
２の表面に設れられた回路面に半田付け接続されてい
る。このような、実装構造は、一般に表面実装と言われ
ているものである。
【００２０】図１０は、他の使用例を示し、この放熱フ
ィン３の下端部を回路基板２に貫通すると共にこの裏面
に設けたヒートシンク８に半田付け接続したものであ
る。リード端子７は、回路基板２のスルホールに挿通し
たうえで、半田付けされて、回路基板２の裏面に設けら
れた回路面と接続されている。この実装構造は、一般に
ピン実装と言われているものに類似するものである。
【００２１】
【発明の効果】この出願の発明によれば、樹脂パッケー
ジ５から導出した放熱フィン３に必要な容量のヒートシ
ンク８を接続できる。この結果、ダイパッド１に溜まる
半導体チップ６の熱を放熱フィン３を通じて効率よく放
熱できる。
【００２２】この場合、ヒートシンク８を回路基板２に
設けると、放熱容量の設定が、樹脂パッケージ５の大き
さ等の制約を受けることなく、行える。とくに、ヒート
シンク８を回路基板２の回路を設けていない面に配置す
る場合にその自由度が高い。
【図面の簡単な説明】
【図 １】本発明の一実施例を示す断面図。
【図 ２】同上の斜視図。
【図 ３】同上の要部の斜視図。
【図 ４】同上の使用状態を示す断面図。
【図 ５】同上の使用状態を示す断面図。
【図 ６】本発明の異なる実施例を示す断面図。
【図 ７】同上の斜視図。
【図 ８】同上の要部の斜視図。
【図 ９】同上の使用状態を示す断面図。
【図１０】同上の使用状態を示す断面図。
【符号の説明】
１ ダイパッド ２ 回路基板 ３ 放熱フィン ５ 樹脂パッケージ ６ 半導体チップ ７ リード端子 ８ ヒートシンク

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップ６を搭載したダイパッド１
    を樹脂パッケージ５で封止し、この樹脂パッケージ５か
    らリード端子７及びダイパッド１に連接した放熱フィン
    ３を導出して成ることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 ダイパッド１を下面側に切り起こして放
    熱フィン３を形成して成ることを特徴とする請求項１記
    載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 放熱フィン３をダイパッド１の端縁部に
    垂下連接して成ることを特徴とする請求項１記載の半導
    体装置。
  4. 【請求項４】 放熱フィン３をダイパッド１に垂下連接
    し、この放熱フィン３を回路基板２に設けたヒートシン
    ク８に接続して成ることを特徴とする請求項１記載の半
    導体装置。
  5. 【請求項５】 放熱フィン３をダイパッド１に垂下連接
    し、この放熱フィン３を回路基板２の表面に設けたヒー
    トシンク８に接続して成ることを特徴とする半導体装
    置。
  6. 【請求項６】 放熱フィン３をダイパッド１に垂下連接
    し、この放熱フィン３を回路基板２に貫通すると共にこ
    の裏面に設けたヒートシンク８に接続して成ることを特
    徴とする半導体装置。
JP6321116A 1994-12-26 1994-12-26 半導体装置 Withdrawn JPH08181268A (ja)

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JP6321116A JPH08181268A (ja) 1994-12-26 1994-12-26 半導体装置

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JP6321116A JPH08181268A (ja) 1994-12-26 1994-12-26 半導体装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998013867A1 (de) * 1996-09-24 1998-04-02 Siemens Aktiengesellschaft Anschlussrahmen für ein mikroelektronisches bauteil, verfahren zu dessen herstellung und den anschlussrahmen umfassendes mikroelektronisches bauteil
JP2003031750A (ja) * 2001-07-13 2003-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd リードフレームとそれを用いた半導体装置
CN102403281A (zh) * 2011-10-11 2012-04-04 常熟市广大电器有限公司 一种高性能芯片封装结构
TWI469283B (zh) * 2009-08-31 2015-01-11 日月光半導體製造股份有限公司 封裝結構以及封裝製程

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998013867A1 (de) * 1996-09-24 1998-04-02 Siemens Aktiengesellschaft Anschlussrahmen für ein mikroelektronisches bauteil, verfahren zu dessen herstellung und den anschlussrahmen umfassendes mikroelektronisches bauteil
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TWI469283B (zh) * 2009-08-31 2015-01-11 日月光半導體製造股份有限公司 封裝結構以及封裝製程
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Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20020305