JPH08184963A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

ポジ型フォトレジスト組成物

Info

Publication number
JPH08184963A
JPH08184963A JP6328119A JP32811994A JPH08184963A JP H08184963 A JPH08184963 A JP H08184963A JP 6328119 A JP6328119 A JP 6328119A JP 32811994 A JP32811994 A JP 32811994A JP H08184963 A JPH08184963 A JP H08184963A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alkali
cresol
resin
weight
bis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP6328119A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3373072B2 (ja
Inventor
Shiro Tan
史郎 丹
Yasumasa Kawabe
保雅 河辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Priority to JP32811994A priority Critical patent/JP3373072B2/ja
Priority to US08/579,410 priority patent/US5620828A/en
Publication of JPH08184963A publication Critical patent/JPH08184963A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3373072B2 publication Critical patent/JP3373072B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/023Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高解像力、高感度、広いデフォーカスラチチ
ュードを有するポジ型フォトレジスト組成物を提供する
ことにある。 【構成】 m−及びp−クレゾール並びに2,3−、
3,4−及び3,5−キシレノールの内少なくとも1種
のキシレノールを一定量含有する単分散のアルカリ可溶
性ノボラック樹脂、3〜7個のフェノール性水酸基を有
する化合物と1,2−ナフトキノンジアジド−5(及び
/又は−4)−スルホニルクロリドとのエステル化物で
ある1,2−キノンジアジド化合物、低分子量でで2〜
7個のフェノール性水酸基を有する化合物であるアルカ
リ溶解促進剤、を一定量含有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は輻射線に感応するポジ型
フオトレジスト組成物に関する。特に本発明は、高い解
像力と感度、更に良好なパターンの断面形状を備えた微
細加工用フオトレジスト組成物に関する。本発明に成る
ポジ型フオトレジスト組成物は、半導体ウエハー、ガラ
ス、セラミツクスもしくは金属等の基板上にスピン塗布
法もしくはローラー塗布法で0.5〜3μmの厚みに塗
布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介して
回路パターン等を紫外線照射等により焼き付け、現像し
てポジ画像が形成される。
【0002】更にこのポジ画像をマスクとしてエツチン
グすることにより、基板上にパターンの加工を施すこと
ができる。代表的な応用分野には、IC等の半導体製造
工程、液晶、サーマルヘツド等の回路基板の製造、その
他のフオトフアブリケーシヨン工程等がある。
【0003】
【従来の技術】ポジ型フオトレジスト組成物としては、
アルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナフトキノンジア
ジド化合物とを含む組成物が一般に用いられている。例
えば、「ノボラツク型フエノール樹脂/ナフトキノンジ
アジド置換化合物」が、USP−3, 666, 473
号、USP−4, 115, 128号及びUSP−4, 1
73, 470号等に記載されている。また、最も典型的
な組成物として「クレゾールーホルムアルデヒドより成
るノボラツク樹脂/トリヒドロキシベンゾフエノンー
1, 2ーナフトキノンジアジドスルホン酸エステル」の
例がトンプソン「イントロダクシヨン・トウー・マイク
ロリソグラフイー」 (L. F. Thompson 「I
ntro −duction to Microlit
ho−graphy」) (ACS出版、No.219
号、P112〜121)に記載されている。
【0004】結合剤としてのノボラツク樹脂は、膨潤す
ることなくアルカリ水溶液に溶解可能であり、また生成
した画像をエツチングのマスクとして使用する際に特に
プラズマエツチングに対して高い耐性を与えるが故に、
本用途に特に有用である。また、感光物に用いるナフト
キノンジアジド化合物は、それ自身ノボラツク樹脂のア
ルカリ溶解性を低下せしめる溶解阻止剤として作用する
が、光照射を受けて分解するとアルカリ可溶性物質を生
じてむしろノボラツク樹脂のアルカリ溶解度を高める働
きをする点で特異であり、この光に対する大きな性質変
化の故にポジ型フオトレジストの感光物として特に有用
である。
【0005】これまで、かかる観点からノボラツク樹脂
とナフトキノンジアジド系感光物を含有する数多くのポ
ジ型フオトレジストが開発、実用化され、1.5μm〜
2μm程度までの線幅加工においては充分な成果をおさ
めてきた。
【0006】しかし、集積回路はその集積度を益々高め
ており、超LSIなどの半導体基板の製造においては1
μm以下の線幅から成る超微細パターンの加工が必要と
される様になってきている。かかる用途においては、特
に高い解像力、露光マスクの形状を正確に写しとる高い
パターン形状再現精度及び高生産性の観点からの高感度
を有するフオトレジストが要求されている。しかしなが
ら、従来の上記ポジ型フオトレジストでは対応できない
のが実状である。
【0007】上記問題点を改良する技術として、ナフト
キノンジアジド系感光物と、特定のモノマーからなるア
ルカリ可溶性樹脂とを含有する、また、特定のモノマー
からなるアルカリ可溶性樹脂及び低分子量のアルカリ溶
解促進剤とを含有するフォトレジスト組成物が知られて
いる。その例を以下に示す。特公平2−51499号公
報には、アルカリ可溶性ノボラック樹脂として、m−ク
レゾール30〜90(モル比)とp−クレゾール5〜4
0(モル比)とキシレノール(但し2,5−キシレノー
ルを除く)とをアルデヒド類を用いて結合した樹脂が記
載されている。
【0008】上記特公平2−51499号公報に記載の
技術では、感度、解像力及びデフォーカスラチチュード
が十分でない。
【0009】特公平3−36420号公報には、アルカ
リ可溶性ノボラック樹脂として、m−クレゾールとキシ
レノールとを含有し、p−クレゾールを含有しない縮合
モノマーとアルデヒド類を用いた樹脂が記載されてい
る。上記特公平3−36420号公報に記載の技術で
は、デフォーカスラチチュードが十分でない。
【0010】特公平6−54386号公報には、アルカ
リ可溶性ノボラック樹脂として、m−クレゾール30〜
90モル%及び一般式(I): (OH)n −Ph−Xm (I) 〔式中、X;−CH3 、−C2 5 、−C(CH3
3 、−CO2 CH3 または−CO2 2 5 、n;1〜
3、m=1〜3(Ph=フェニル基を表す)〕で示され
る化合物70〜10モル%を含むフェノール類(p−ク
レゾールの記載なし)とアルデヒド類を用いて結合した
樹脂が記載されている。
【0011】上記特公平6−54386号公報に記載の
技術では、デフォーカスラチチュードが十分でない。
【0012】特公平3−54565号公報には、m−ク
レゾール20〜80モル%、p−クレゾール0〜50モ
ル%、一般式(I)で示される化合物から選ばれたm−
クレゾール及びp−クレゾール以外の少なくとも1種の
化合物20〜80モル%のフェノール類と、アルデヒド
類とを縮合させて得られる樹脂が記載されている。が、
この技術ではデフォーカスラチチュードが十分でない。
更にこの公報明細書には、感度を向上させるために、2
H−ピリド(3,2−b)1,4−オキサジン−3(4
H)オン類が記載されているが、スカム発生等の問題が
あった。
【0013】特開平6−202321号公報には、m−
クレゾール、p−クレゾール及び2,5−キシレノール
を含むフェノール類の混合物とアルデヒド類とを縮合さ
せて得られるノボラック樹脂と分子量900未満のアル
カリ可溶性化合物を含有する組成物が記載されている。
この技術では、感度、解像力及びデフォーカスラチチュ
ードが十分でない。
【0014】特開平4−122938号公報には、重量
平均分子量と数平均分子量の比が1.5〜4.0である
アルカリ可溶性フェノールノボラック樹脂、ノボラック
樹脂に対して2〜30重量%の1分子中に2〜8個のフ
ェノール性水酸基を有する低分子化合物を含有するフォ
トレジスト組成物が記載されている。が、アルカリ可溶
性フェノールノボラック樹脂の特定モノマー及び組成比
の示唆は記載されていない。
【0015】しかしながら、これらの技術は、十分満足
いくものではなく、また、デフォーカスラチチュードが
悪く、レジスト性能のより良好なレジスト組成物が望ま
れる。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の目的
は、特に半導体デバイスの製造において、(1)高い解
像力を有するポジ型フオトレジスト組成物、(2)高い
感度を有するポジ型フォトレジスト組成物、(3)広い
デフォーカスラチチュードを有するポジ型フォトレジス
ト組成物、を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し鋭意検討した結果、特定のアルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂と、特定のキノンジアジド化合物及び特定
のアルカリ溶解促進剤を所定量用いることにより、上記
目的を達成できることを見いだし、この知見に基づいて
本発明を完成させるに到った。
【0018】即ち、本発明の目的は、アルカリ可溶性ノ
ボラック樹脂(A)、1,2−キノンジアジド化合物
(B)及びアルカリ溶解促進剤(C)を含むポジ型フォ
トレジスト組成物において、該アルカリ可溶性ノボラッ
ク樹脂(A)が、下記(1)〜(3)のモノマーとアル
デヒド類とを縮合させることにより得られるノボラック
樹脂であり、該アルカリ可溶性ノボラック樹脂の、重量
平均分子量が3000〜20000、分散度(Mw/M
n)が1.5〜4.0であり、更に2.38%テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液23℃中の
ノボラック樹脂のアルカリ溶解速度が3〜100Å/秒
であり、 (1)m−クレゾール 40〜90モル% (2)p−クレゾール 2〜4モル% (3)2,3−キシレノール、3,4−キシレノール及
び3,5−キシレノールから選ばれる少なくとも1種の
キシレノール 10〜60モル% 該1,2−キノンジアジド化合物(B)が、分子内に3
〜7個のフェノール性水酸基を有するポリヒドロキシ化
合物と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル
クロリド及び/又は1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホニルクロリドとのエステル化物であり、該アル
カリ溶解促進剤(C)が、分子量1000以下で分子内
に2〜7個のフェノール性水酸基を有するポリヒドロキ
シ化合物であり、且つ、アルカリ溶解性ノボラック樹脂
(A)100重量部に対し、1,2−キノンジアジド化
合物(B)の添加量が35〜100重量部、アルカリ溶
解促進剤(C)の添加量が10〜60重量部であること
を特徴とするポジ型フォトレジスト組成物により達成さ
れた。
【0019】本発明は、上記構成の組み合わせによりは
じめて解像力、感度及びデフォーカスラチチュードを共
に向上させることが可能となった。
【0020】本発明に用いられるアルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂(A)について更に詳細に説明する。アルカリ
可溶性ノボラック樹脂(A)は、(1)m−クレゾー
ル、(2)p−クレゾール及び(3)キシレノール
(2,3−キシレノール、3,4−キシレノール及び
3,5−キシレノールの少なくとも1種)よりなるモノ
マーとアルデヒド類とを縮合させることにより得られ
る。
【0021】上記の(1)m−クレゾール、(2)p−
クレゾール及び(3)キシレノール(2,3−キシレノ
ール、3,4−キシレノール及び3,5−キシレノール
の少なくとも1種)は、予めホルマリンを付加させたメ
チロール体として用いても良い。本発明において、
(1)m−クレゾール、(2)p−クレゾール及び
(3)キシレノール(2,3−キシレノール、3,4−
キシレノール及び3,5−キシレノールの少なくとも1
種)の混合比率が、以下のようであると感度、解像力、
及びデフォーカスラチチュードが優れるので好ましい。
【0022】つまり、本発明における混合比率は、 (1)m−クレゾール: 40モル%以上90モル%以下 (2)p−クレゾール: 2モル%以上4モル%以下 (3)キシレノール: 10モル%以上60モル%以下
【0023】より好ましくは、 (1)m−クレゾール: 55モル%以上85モル%以下 (2)p−クレゾール: 2モル%以上4モル%以下 (3)キシレノール: 15モル%以上45モル%以下
【0024】更に好ましくは、 (1)m−クレゾール: 60モル%以上80モル%未満 (2)p−クレゾール: 2モル%以上4モル%未満 (3)キシレノール: 20モル%以上40モル%未満 である。
【0025】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、トリオキサン、アセト
アルデヒド、フルフラール、ベンズアルデヒド、ヒドロ
キシベンズアルドヒド類、クロトンアルデヒド、クロロ
アセトアルデヒド等を使用することができる。これらの
中で好ましく用いられるのは、ホルムアルデヒド及びパ
ラホルムアルデヒドである。
【0026】これらのアルデヒド類は、単独で、もしく
は2種以上組み合わせて用いられる。アルデヒド類の使
用量は、フェノール類に対して0.4モル%〜2.0モ
ル%、好ましくは0.5〜1.5モル%、更に好ましく
は0.6〜1.2モル%である。アルデヒド類の使用量
がこの範囲であると感度、解像力及びデフォーカスラチ
チュードのバランスがとれたノボラック樹脂が得られる
点で好ましい。
【0027】縮合反応に用いられる酸性触媒としては、
塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸及びシユウ酸等を使用すること
ができ、中でもシュウ酸が好ましい。
【0028】本発明の上記成分からなるノボラツク樹脂
の重量平均分子量は、3000〜20000、好ましく
は4000〜18000、より好ましくは5000〜1
6000の範囲であることが好ましい。3000未満で
は未露光部の現像後の膜減りが大きく、20000を超
えると現像速度が小さくなって感度が低下してしまう。
本発明のノボラック樹脂は低分子量成分を除去し、除去
した後の分子量が上記範囲にあるとき、最も効果を発揮
する。ノボラック樹脂の低分子量成分の除去方法として
は、特開昭60−45238、同60−97347、同
60−140235、同60−189739、同64−
14229、特開平1−276131、同2−6091
5、同2−275955、同2−282745、同4−
101147、同、4−122938等の公報に記載さ
れている技術、例えば分別沈澱、分別溶解、カラムクロ
マトグラフィー等の方法により除去すると、スカム、耐
熱性等の性能が向上するので更に好ましい。除去する低
分子量成分の量は20重量%〜70重量%が好ましく、
30重量%〜60重量%が更に好ましい。
【0029】ここで、重量平均分子量はゲルパーミエー
シヨンクロマトグラフイー(GPC) のポリスチレン換算値
をもって定義される。また、ノボラック樹脂の分散度
(重量平均分子量Mwと数平均分子量Mnの比、即ちM
w/Mn)が1.5〜4.0、好ましくは1.8〜3.
5、更に好ましくは2.0〜3.3である。4を越える
と感度、耐熱性、プロファイル等の性能が損なわれる。
他方、1.5未満ではノボラック樹脂を合成する上で高
度の精製工程を要するので、実用上の現実性を欠き不適
切である。
【0030】アルカリ可溶性ノボラック樹脂からなるノ
ボラック膜のアルカリ溶解速度は、2.38%テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液23℃中、
3〜100Å/秒、好ましくは5〜95Å/秒、より好
ましくは10〜90Å/秒、である。アルカリ溶解速度
がこの範囲であると適切な感度が得られ、解像力、デフ
ォーカスラチチュードにも優れるため好ましい。
【0031】本発明において、ノボラック樹脂のアルカ
リ溶解速度は、ノボック樹脂塗膜を2.38%テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液に浸せきさ
せた際に塗膜が完全に溶解される時間(秒)と膜厚
(Å)との関係から求めた溶解速度(Å/秒)を示す。
併用可能なアルカリ可溶性樹脂は、ノボラック樹脂と相
溶すれば特に限定されないが、ポリヒドロキシスチレ
ン、アセトン−ピロガロール樹脂、アセトン−レゾルシ
ン樹脂等が耐熱性を劣化させないので好ましい。
【0032】次に、本発明で用いられる1,2−キノン
ジアジド化合物(B)について更に詳細に説明する。
1,2−キノンジアジド化合物(B)は、分子内に3〜
7個のフェノール性水酸基を有するポリヒドロキシ化合
物と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニルク
ロリド及び/又は1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホニルクロリドとのエステル化物である。このエス
テル化物である1,2−キノンジアジド化合物(B)
は、感光物(感光性化合物)として用いられる。
【0033】本発明で用いられる1,2−キノンジアジ
ド化合物(B)は、以下に示すポリヒドロキシ化合物と
1,2−ナフトキノンジアジド−5− (及び/又は−4
−)スルホニルクロリドとを、塩基性触媒の存在下で、
エステル化することにより得られる。
【0034】本発明に用いられるポリヒドロキシ化合物
は、好ましくは分子内に3〜6個のフェノール性水酸基
を有し、より好ましくは分子内に3〜5個のフェノール
性水酸基を有する。ポリヒドロキシ化合物の分子内のフ
ェノール性水酸基の数がこの範囲であると、適切な感度
が得られ、解像力、デフォーカスラチチュードにも優れ
るため好ましい。
【0035】このようなポリヒドロキシ化合物の例とし
ては、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)メ
タン、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパン
−1、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)プ
ロパン−1、ノルジヒドログアイアレチン酸等のビス
((ポリ)ヒドロキシフェニル)アルカン類、
【0036】3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸プロ
ピル、2,3,4−トリヒドロキシ安息香酸フェニル、
3,4,5−トリヒドロキシ安息香酸フェニル等のポリ
ヒドロキシ安息香酸エステル類、
【0037】ビス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
イル)メタン、ビス(3−アセチル−4,5,6−トリ
ヒドロキシフェニル)−メタン、ビス(2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、ビス(2,4,6
−トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼン等のビス(ポリ
ヒドロキシベンゾイル)アルカン又はビス(ポリヒドロ
キシベンゾイル)アリール類、
【0038】エチレングリコール−ジ(3,5−ジヒド
ロキシベンゾエート)、エチレングリコール−ジ(3,
4,5−トリヒドロキシベンゾエート)等のアルキレン
−ジ(ポリヒドロキシベンゾエート)類、
【0039】2,3,4−ビフェニルトリオール、3,
4,5−ビフェニルトリオール、3,5,3′,5′−
ビフェニルテトロール、2,4,2′,4′−ビフェニ
ルテトロール、2,4,6,3′,5′−ビフェニルペ
ントール、2,4,6,2′,4′,6′−ビフェニル
ヘキソール、2,3,4,2′,3′,4′−ビフェニ
ルヘキソール等のポリヒドロキシビフェニル類、
【0040】4,4′−チオビス(1,3−ジヒドロキ
シ)ベンゼン等のビス(ポリヒドロキシ)スルフィド
類、
【0041】2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジ
フェニルエーテル等のビス(ポリヒドロキシフェニル)
エーテル類、
【0042】2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジ
フェニルスルフォキシド等のビス(ポリヒドロキシフェ
ニル)スルフォキシド類、
【0043】2,2′,4,4′−ジフェニルスルフォ
ン等のビス(ポリヒドロキシフェニル)スルフォン類、
【0044】トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタ
ン、4,4′,4″−トリヒドロキシ−3,5,3′,
5′−テトラメチルトリフェニルメタン、4,4′,
3″,4″−テトラヒドロキシ−3,5,3′,5′−
テトラメチルトリフェニルメタン、4−[ビス(3,5
−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)メチル]−2−
メトキシ−フェノール、4,4′−(3,4−ジオール
−ベンジリデン)ビス[2,6−ジメチルフェノー
ル]、4,4′−[(2−ヒドロキシ−フェニル)メチ
レン]ビス[2−シクロヘキシル−5−メチルフェノー
ル、4,4′,2″,3″,4″−ペンタヒドロキシ−
3,5,3′,5′−テトラメチルトリフェニルメタ
ン、2,3,4,2′,3′,4′−ヘキサヒドロキシ
−5,5′−ジアセチルトリフェニルメタン、2,3,
4,2′,3′,4′,3″,4″−オクタヒドロキシ
−5,5′−ジアセチルトリフェニルメタン、2,4,
6,2′,4′,6′−ヘキサヒドロキシ−5,5′−
ジプロピオニルトリフェニルメタン等のポリヒドロキシ
トリフェニルメタン類、4,4′,4″−エチリデン−
トリスフェノール等のポリヒドロキシトリフェニルエタ
ン類、
【0045】3,3,3′,3′−テトラメチル−1,
1′−スピロビ−インダン−5,6,5′,6′−テト
ロール、3,3,3′,3′−テトラメチル−1,1′
−スピロビ−インダン−5,6,7,5′,6′,7′
−ヘキソオール、3,3,3′,3′−テトラメチル−
1,1′−スピロビ−インダン−4,5,6,4′,
5′,6′−ヘキソオール、3,3,3′,3′−テト
ラメチル−1,1′−スピロビ−インダン−4,5,
6,5′,6′,7′−ヘキソオール等のポリヒドロキ
シスピロビーインダン類、2,4,4−トリメチル−
2′,4′,7′−トリヒドロキシフラバン、等のポリ
ヒドロキシフラバン類、
【0046】3,3−ビス(3,4−ジヒドロキシフェ
ニル)フタリド、3,3−ビス(2,3,4−トリヒジ
ロキシフェニル)フタリド、3′,4′,5′,6′−
テトラヒドロキシスピロ[フタリド−3,9′−キサン
テン]等のポリヒドロキシフタリド類、
【0047】モリン、ケルセチン、ルチン等のフラボノ
色素類、
【0048】α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシ
フェニル)1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、
α,α′,α″−トリス(3,5−ジメチル−4−ヒド
ロキシフェニル)1,3,5−トリイソプロピルベンゼ
ン、α,α′,α″−トリス(3,5−ジエチル−4−
ヒドロキシフェニル)1,3,5−トリイソプロピルベ
ンゼン、α,α′,α″−トリス(3,5−ジn−プロ
ピル−4−ヒドロキシフェニル)1,3,5−トリイソ
プロピルベンゼン、α,α′,α″−トリス(3,5−
ジイソプロピル−4−ヒドロキシフェニル)1,3,5
−トリイソプロピルベンゼン、α,α′,α″−トリス
(3,5−ジn−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)
1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、α,α′,
α″−トリス(3−メチル−4−ヒドロキシフェニル)
1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、α,α′,
α″−トリス(3−メトキシ−4−ヒドロキシフェニ
ル)1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、α,
α′,α″−トリス(2,4−ジヒドロキシフェニル)
1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、1,3,5−
トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
ベンゼン、1,3,5−トリス(5−メチル−2−ヒド
ロキシフェニル)ベンゼン、2,4,6−トリス(3,
5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニルチオメチル)メ
シチレン、1−[α−メチル−α−(4′−ヒドロキシ
フェニル)エチル]−4−[α,α’−ビス(4″−ヒ
ドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、1−[α−メチ
ル−α−(4′−ヒドロキシフェニル)エチル]−3−
[α,α’−ビス(4″−ヒドロキシフェニル)エチ
ル]ベンゼン、1−[α−メチル−α−(3′,5′−
ジメチル−4′−ヒドロキシフェニル)エチル]−4−
[α,α′−ビス(3″,5″−ジメチル−4″−ヒド
ロキシフェニル)エチル]ベンゼン、1−[α−メチル
−α−(3′−メチル−4′−ヒドロキシフェニル)エ
チル]−4−[α′,α′−ビス(3″−メチル−4″
−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、1−[α−
メチル−α−(3′−メトキシ−4′−ヒドロキシフェ
ニル)エチル]−4−[α′,α′−ビス(3″−メト
キシ−4″−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、
1−[α−メチル−α−(2′,4′−ジヒドロキシフ
ェニル)エチル]−4−[α′,α′−ビス(4″−ヒ
ドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、1−[α−メチ
ル−α−(2′,4′−ジヒドロキシフェニル)エチ
ル]−3−[α′,α′−ビス(4″−ヒドロキシフェ
ニル)エチル]ベンゼン等の特開平4−253058に
記載のポリヒドロキシ化合物、α,α,α′,α′,
α″,α″−ヘキサキス−(4−ヒドロキシフェニル)
−1,3,5−トリエチルベンゼン等の特開平5−22
4410号に記載のポリヒドロキシ化合物、1,2,
2,3−テトラ(p−ヒドロキシフェニル)プロパン、
1,3,3,5−テトラ(p−ヒドロキシフェニル)ペ
ンタン等の特開平5−303200号、EP−5301
48に記載のポリ(ヒドロキシフェニル)アルカン類
【0049】p−ビス(2,3,4−トリヒドロキシベ
ンゾイル)ベンゼン、p−ビス(2,4,6−トリヒド
ロキシベンゾイル)ベンゼン、m−ビス(2,3,4−
トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、m−ビス(2,
4,6−トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、p−ビ
ス(2,5−ジヒドロキシ−3−ブロムベンゾイル)ベ
ンゼン、p−ビス(2,3,4−トリヒドロキシ−5−
メチルベンゾイル)ベンゼン、p−ビス(2,3,4−
トリヒドロキシ−5−メトキシベンゾイル)ベンゼン、
p−ビス(2,3,4−トリヒドロキシ−5−ニトロベ
ンゾイル)ベンゼン、p−ビス(2,3,4−トリヒド
ロキシ−5−シアノベンゾイル)ベンゼン、1,3,5
−トリス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼ
ン、1,3,5−トリス(2,3,4−トリヒドロキシ
ベンゾイル)ベンゼン、1,2,3−トリス(2,3,
4−トリヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、1,2,4
−トリス(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)ベ
ンゼン、1,2,4,5−テトラキス(2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、α,α′−ビス
(2,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)p−キシレ
ン、α,α′,α′−トリス(2,3,4−トリヒドロ
キシベンゾイル)メシチレン、
【0050】2,6−ビス−(2−ヒドロキシ−3,5
−ジメチル−ベンジル)p−クレゾール、2,6−ビス
−(2−ヒドロキシ−5′−メチル−ベンジル)−p−
クレゾール、2,6−ビス−(2,4,6−トリヒドロ
キシ−ベンジル)−p−クレゾール、2,6−ビス−
(2,3,4−トリヒドロキシ−ベンジル)−p−クレ
ゾール、2,6−ビス(2,3,4−トリヒドロキシ−
ベンジル)−3,5−ジメチル−フェノール、4,6−
ビス−(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルベンジル)
−ピロガロール、2,6−ビス−(4−ヒドロキシ−
3,5−ジメチルベンジル)−1,3,4−トリヒドロ
キシ−フェノール、4,6−ビス−(2,4,6−トリ
ヒドロキシベンジル)−2,4−ジメチル−フェノー
ル、4,6−ビス−(2,3,4−トリヒドロキシベン
ジル)−2,5−ジメチル−フェノール、2,6−ビス
−(4−ヒドロキシベンジル)−p−クレゾール、2,
6−ビス(4−ヒドロキシベンジル)−4−シクロヘキ
シルフェノール、2,6−ビス(4−ヒドロキシ−3−
メチルベンジル)−p−クレゾール、2,6−ビス(4
−ヒドロキシ−3,5−ジメチルベンジル)−p−クレ
ゾール、2,6−ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメ
チルベンジル)−p−クレゾール、2,6−ビス(4−
ヒドロキシ−3−メチルベンジル)−4−フェニル−フ
ェノール、2,2′,6,6′−テトラキス[(4−ヒ
ドロキシフェニル)メチル]−4,4′−メチレンジフ
ェノール、2,2′,6,6′−テトラキス[(4−ヒ
ドロキシ−3−ジメチルフェニル)メチル]−4,4′
−メチレンジフェノール、2,2′,6,6′−テトラ
キス[(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)メチ
ル]−4,4′−メチレンジフェノール、2,2′−ビ
ス[(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メ
チル]6,6′−ジメチル−4,4′−メチレンジフェ
ノール等を挙げることができる。
【0051】また、ノボラック樹脂等フェノール樹脂の
低核体を用いる事もできる。
【0052】前記感光物のエステル化反応は、所定量の
ポリヒドロキシ化合物と、1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−(及び/又は−4−)スルホニルクロリドとを
ジオキサン、アセトン、テトラヒドロフラン、メチルエ
チルケトン、N−メチルピロリドン、クロロホルム、ト
リクロロエタン、トリクロロエチレンあるいはジクロロ
エタン等の溶媒に溶かし、塩基性触媒、例えば水酸化ナ
トリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリ
エチルアミン、N−メチルモルホリン、N−メチルピペ
ラジン、4−ジメチルアミノピリジン等を滴下して縮合
させる。得られた生成物は、水洗後精製し乾燥する。
【0053】通常のエステル化反応においては、エステ
ル化数及びエステル化位置が種々異なる混合物が得られ
るが、合成条件又はポリヒドロキシ化合物の構造を選択
することにより、ある特定の異性体のみを選択的にエス
テル化させることができる。本発明でいうエステル化率
は、この混合物の平均値として定義される。
【0054】このように定義されたエステル化率は、原
料であるポリヒドロキシ化合物と1,2−ナフトキノン
ジアジド−5−(及び/又は−4−)スルホニルクロリ
ドとの混合比により制御できる。即ち、添加された1,
2−ナフトキノンジアジド−5−(及び/又は−4−)
スルホニルクロリドは、実質上総てエステル化反応を起
こすので、所望のエステル化率の混合物を得るために
は、原料のモル比を調整すれば良い。
【0055】必要に応じて、1,2−ナフトキノンジア
ジド−5−スルホニルクロリドと1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホニルクロリドを併用することもで
きる。
【0056】また、前記方法における反応温度は、通常
−20〜60℃、好ましくは0〜40℃である。
【0057】前記のような方法で合成される感光性化合
物は、樹脂組成物として使用する際に、単独でもしくは
2種以上混合してアルカリ可溶性樹脂に配合して使用さ
れる。感光性化合物の配合量は、アルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂100重量部に対し該化合物35〜100重量
部、好ましくは40〜90重量部である。この使用比率
が35重量部未満では残膜率が著しく低下し、また10
0重量部を越えると感度及び溶剤への溶解性が低下す
る。
【0058】次に、本発明で用いられるアルカリ溶解促
進剤(C)についてさらに詳細に説明する。本発明の組
成物としては、現像液への溶解促進を行い、本発明の効
果を得るために、アルカリ溶解促進剤としてポリヒドロ
キシ化合物を含有させることが必須である。
【0059】本発明に用いられるアルカリ溶解促進剤
(C)は、分子量1000以下、好ましくは150〜9
00、より好ましくは250〜600で、分子内に2〜
7個、好ましくは2〜6個、より好ましくは2〜5個の
フェノール性水酸基を有するポリヒドロキシ化合物であ
る。分子量及び水酸基の数がこの範囲であると感度、解
像力、デフォーカスラチチュードが優れるため好まし
い。
【0060】本発明において、アルカリ溶解促進剤
(C)として用いられる好ましいポリヒドロキシ化合物
は、レゾルシン、フロログルシン、2,3,4−トリヒ
ドロキシベンゾフェノン、2,3,4,4′−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、2,3,4,3′,4′,
5′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセトン−ピ
ロガロール縮合樹脂、フロログルシド、2,4,2′,
4′−ビフェニルテトロール、4,4′−チオビス
(1,3−ジヒドロキシ)ベンゼン、2,2′,4,
4′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、2,
2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、2,2′,4,4′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メ
タン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロ
ヘキサン、4,4′−(α−メチルベンジリデン)ビス
フェノール、α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシ
フェニル)−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン、
α,α′,α″−トリス(4−ヒドロキシフェニル)−
1−エチル−4−イソプロピルベンゼン、1,2,2−
トリス(ヒドロキシフェニル)プロパン、1,1,2−
トリス(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)
プロパン、2,2,5,5−テトラキス(4−ヒドロキ
シフェニル)ヘキサン、1,2−テトラキス(4−ヒド
ロキシフェニル)エタン、1,1,3−トリス(ヒドロ
キシフェニル)ブタン、パラ[α,α,α′,α′−テ
トラキス(4−ヒドロキシフェニル)]−キシレン等を
挙げることができる。
【0061】これらのポリヒドロキシ化合物は、アルカ
リ可溶性樹脂100重量部に対して、10〜60重量
部、好ましくは20〜50重量部の割合で配合される。
添加量がこの範囲であると感度、解像力、デフォーカス
ラチチュードが優れるため好ましい。
【0062】本発明の感光物、アルカリ可溶性ノボラツ
ク樹脂及びアルカリ溶解促進剤を溶解させる溶剤として
は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセ
テート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリ
コールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテル
アセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルア
セテート、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、
シクロヘキサノン、2−ヒドロキシプロピオン酸エチ
ル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチル、
エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−ヒド
ロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシプロ
ピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3
−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオ
ン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢
酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルプロピオネート等を用いることができる。こ
れらの有機溶剤は単独で、又は2種以上の組み合わせで
使用される。
【0063】更に、N−メチルホルムアミド、N,N−
ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル等の高沸
点溶剤を混合して使用することができる。
【0064】本発明のポジ型フオトレジスト用組成物に
は、ストリエーシヨン等の塗布性を更に向上させるため
に、界面活性剤を配合する事ができる。界面活性剤とし
ては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポ
リオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチ
レンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエー
テル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリ
オキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキ
シエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエ
チレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン
・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビ
タンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソ
ルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエー
ト、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステア
レート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレン
ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタ
ントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリ
ステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸
エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトツプEF
301, EF303, EF352 (新秋田化成( 株)
製)、メガフアツクF171, F173 (大日本インキ
( 株) 製)、フロラードFC430, FC431 (住友
スリーエム( 株) 製)、アサヒガードAG710, サー
フロンS−382, SC101, SC102, SC10
3, SC104, SC105, SC106 (旭硝子(
株) 製)等のフツ素系界面活性剤、オルガノシロキサン
ポリマーKP341 (信越化学工業( 株) 製)やアクリ
ル酸系もしくはメタクリル酸系 (共)重合ポリフローN
o.75, No.95 (共栄社 油脂化学工業( 株)
製)等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配
合量は、本発明の組成物中のアルカリ可溶性樹脂及びキ
ノンジアジド化合物100重量部当たり、通常、2重量
部以下、好ましくは1重量部以下である。
【0065】これらの界面活性剤は単独で添加してもよ
いし、また、いくつかの組み合わせで添加することもで
きる。
【0066】本発明のポジ型フオトレジスト用組成物の
現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリ
ウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミ
ン、n−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルア
ミン、ジ−n−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエ
チルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、
ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等の
アルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリ
ン等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等
の環状アミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用するこ
とができる。更に、上記アルカリ類の水溶液にイソプロ
ピルアルコール等のアルコール類、ノニオン系界面活性
剤等の界面活性剤を適当量添加して使用することもでき
る。
【0067】本発明のポジ型フオトレジスト用組成物に
は、必要に応じ、吸光剤、架橋剤、接着助剤等を配合す
ることができる。吸光剤は、基板からのハレーションを
防止する目的や透明基板に塗布した際の視認性を高める
目的で、必要に応じて添加される。例えば、「工業用色
素の技術と市場」(CMC出版)や、染料便覧(有機合
成化学協会編)に記載の市販の吸光剤、例えば、C.I.De
sperse Yellow 1,3,4,5,7,8,13,23,31,49,50,51,54,56,
60,64,66,68,79,82,88,90,93,102,114及び124、C.I.Dis
perse Orange 1,5,13,25,29,30,31,44,57,72 及び73、
C.I.Disperse Red 1,5,7,13,17,19,43,50,54,58,65,72,
73,88,117,137,143,199 及び210 、C.I.Disperse Viole
t 43、C.I.Disperse Blue 96、C.I.Fluorescent Bright
ening Agent 112, 135及び163 、C.I.Solvent Yellow 1
4,16,33 及び56、C.I.Solvent Orange 2 及び45、C.I.
Solvent Red 1,3,8,23,24,25,27 及び49、C.I.Pigment
Green 10、C.I.Pigment Brown 2 等を好適に用いること
ができる。吸光剤は通常、アルカリ可溶性樹脂100重
量部に対し、100重量部以下、好ましくは50重量部
以下、更に好ましくは30重量部以下の割合で配合され
る。
【0068】架橋剤は、ポジ画像を形成するのに影響の
無い範囲で添加される。架橋剤の添加の目的は、主に、
感度調整、耐熱性の向上、耐ドライエッチング性向上等
である。架橋剤の例としては、メラミン、ベンゾグアナ
ミン、グリコールウリル等にホルムアルデヒドを作用さ
せた化合物、又はそのアルキル変性物や、エポキシ化合
物、アルデヒド類、アジド化合物、有機過酸化物、ヘキ
サメチレンテトラミン等を挙げることができる。これら
の架橋剤は、感光剤100重量部に対して、10重量部
未満、好ましくは5重量部未満の割合で配合できる。架
橋剤の配合量が10重量部を超えると感度が低下し、ス
カム(レジスト残渣)が生じるようになり好ましくな
い。
【0069】接着助剤は、主に、基板とレジストの密着
性を向上させ、特にエッチング工程においてレジストが
剥離しないようにするための目的で添加される。具体例
としては、トリメチルクロロシラン、ジメチルビニルク
ロロシラン、メチルジフェニルクロロシラン、クロロメ
チルジメチルクロロシラン等のクロロシラン類、トリメ
チルメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチ
ルジメトキシシラン、ジメチルビニルエトキシシラン、
ジフェニルジメトキシシラン、フェニルトリエトキシシ
ラン等のアルコキシシラン類、ヘキサメチルジシラザ
ン、N,N' −ビス(トリメチルシリル)ウレア、ジメ
チルトリメチルシリルアミン、トリメチルシリルイミダ
ゾール等のシラザン類、ビニルトリクロロシラン、γ−
クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン等のシラン類、ベンゾトリアゾール、ベ
ンゾイミダゾール、インダゾール、イミダゾール、2−
メルカプトベンズイミダゾール、2−メルカプトベンズ
チアゾール、2−メルカプトベンズオキサゾール、ウラ
ゾール、チオウラシル、メルカプトイミダゾール、メル
カプトピリミジン等の複素環状化合物や、1,1−ジメ
チルウレア、1,3−ジメチルウレア等の尿素、叉はチ
オ尿素化合物を挙げることができる。
【0070】これらの接着助剤は、アルカリ可溶性樹脂
100重量部に対し、通常10重量部未満、好ましくは
5重量部未満の割合で配合される。
【0071】上記ポジ型フオトレジスト用組成物を精密
集積回路素子の製造に使用されるような基板(例:シリ
コン/二酸化シリコン被覆、ガラス基板、ITO基板等
の透明基板等)上にスピナー、コーター等の適当な塗布
方法により塗布後プリベークして、所定のマスクを通し
て露光し、必要に応じて後加熱(PEB:Post ExposureBak
e)を行い、現像、リンス、乾燥することにより良好な
レジストを得ることができる。
【0072】本発明の組成物は、ポジ型PS版にも用い
ることができる。以下、本発明の実施例を示すが、本発
明はこれらに限定されるものではない。なお、%は、他
に指定のない限り、重量%を示す。
【0073】
【実施例】
合成例 (1)ノボラック樹脂(a−1)の合成 m−クレゾール259.54g、p−クレゾール9.7
3g、2,3−キシレノール62.31gおよびホルマ
リン水溶液(37.17%)218.14gを攪拌機、
還流冷却管および温度計を取り付けた1リットルの三つ
口フラスコに仕込み90℃で攪拌下、シュウ酸2水和物
1.13gを添加した。30分後、浴温を130℃に上
げ、更に3時間30分攪拌し内容物をリフラックスさせ
た。次いで、還流冷却管をリービッヒコンデンサーに取
り替え、浴温を約1時間かけて200℃まで上げ、未反
応のホルマリン、水等を除去した。さらに1時間常圧留
去を行った後、徐々に1mmHgまで減圧して未反応のモノ
マー等を留去した。減圧留去には2時間を要した。
【0074】溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂を
室温に戻して回収した。得られたノボラック樹脂の重量
平均分子量は2290(ポリスチレン換算)であった。
このノボラック樹脂100gを1000gのアセトンに
溶解し、攪拌下n−ヘキサン1000gを添加して更に
室温下30分攪拌の後、1時間静置した。上層をデカン
テーション除去した後、残った下層をロータリーエバポ
レーターを用いて溶媒を留去し固形ノボラック(a−
1)を得た。得られたノボラック樹脂(a−1)の重量
平均分子量は5430(ポリスチレン換算)、分散度は
2.4であった。 (2)ノボラック樹脂(a−2)〜(a−17)の合成 上記(1)と同様にして表1に記載のモノマーを所定の
モル%仕込み(m−クレゾール:p−クレゾール:キノ
レノール)、所定量のホルムアルデヒドと縮合すること
により、ノボラック樹脂(a−2)〜(a−17)まで
を得た。
【0075】なお、表中分別方法Aは上記(1)同様に
ノボラック樹脂100gを1000gのアセトンに溶解
し、n−ヘキサン1000gを用いて分別を行った方法
を示し、分別方法Bはノボラック樹脂100gを100
0gのアセトンに溶解し、n−ヘキサン2000gを用
いて分別を行ったことを示す。 (3)ノボラック樹脂(a−18)の合成 m−クレゾール227.09g、ビスヒドロキシメチル
−p−クレゾール15.14g、2,3−キシレノール
98.96gおよびホルマリン水溶液(37.17%)
249.64gを攪拌機、還流冷却管および温度計を取
り付けた1リットルの三つ口フラスコに仕込み90℃で
攪拌下、シュウ酸2水和物1.13gを添加した。30
分後、浴温を130℃に上げ、更に3時間30分攪拌し
内容物をリフラックスさせた。次いで、還流冷却管をリ
ービッヒコンデンサーに取り替え、浴温を約1時間かけ
て200℃まで上げ、未反応のホルマリン、水等を除去
した。更に1時間常圧留去を行った後、徐々に1mmHgま
で減圧して未反応のモノマー等を留去した。減圧留去に
は2時間を要した。
【0076】溶融したアルカリ可溶性ノボラック樹脂を
室温に戻して回収した。得られたノボラック樹脂の重量
平均分子量は4200(ポリスチレン換算)であった。
このノボラック樹脂100gを1000gのアセトンに
溶解し、攪拌下n−ヘキサン1000gを添加して更に
室温下30分攪拌の後、1時間静置した。上層をデカン
テーション除去した後、残った下層をロータリーエバポ
レーターを用いて溶媒を留去し固形ノボラック(a−1
8)を得た。得られたノボラック樹脂(a−18)の重
量平均分子量は7760(ポリスチレン換算)、分散度
は2.93であった。
【0077】
【表1】
【0078】(4)ノボラック樹脂(b−1)〜(b−
13)の合成 上記(3)と同様にして表2に記載のモノマーを所定の
モル%仕込み(m−クレゾール:p−クレゾール:キノ
レノール)、所定量のホルムアルデヒドと縮合すること
により、ノボラック樹脂(b−1)〜(b−13)まで
を得た。なお、表中分別方法Aは上記(1)同様にノボ
ラック樹脂100gを1000gのアセトンに溶解し、
n−ヘキサン1000gを用いて分別を行った方法を示
し、分別方法Bはノボラック樹脂100gを1000g
のアセトンに溶解し、n−ヘキサン2000gを用いて
分別を行ったことを示す。
【0079】
【表2】
【0080】(5)感光物(S−1)の合成 表3記載の化合物〔1〕38.9g、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホニルクロリド53.7g、ア
セトン800mlを三つ口フラスコに仕込み、均一に溶解
した。次いで、N−メチルピペリジン20.8gを徐々
に滴下し、25℃で3時間反応させた。
【0081】反応混合物を1%塩酸水溶液3リットル中
に注ぎ、生じた沈殿を濾別し、水洗、乾燥を行い感光物
(S−1)76.6gを得た。 (6)感光物(S−2)の合成 表3記載の化合物〔2〕53.7g、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホニルクロリド53.7g、ア
セトン800mlを三つ口フラスコに仕込み、均一に溶解
した。
【0082】次いで、トリエチルアミン21.2gを徐
々に滴下し、25℃で3時間反応させた。反応混合液を
1%塩酸水溶液3リットル中に注ぎ、生じた沈殿を濾別
し、水洗、乾燥を行い感光物(S−2)90.2gを得
た。 (7)感光物(S−3)の合成 表3記載の化合物〔3〕35.3g、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホニルクロリド53.7g、ア
セトン800mlを三つ口フラスコに仕込み、均一に溶解
した。
【0083】次いで、トリエチルアミン21.2gを徐
々に滴下し、25℃で3時間反応させた。反応混合液を
1%塩酸水溶液3リットル中に注ぎ、生じた沈殿を濾別
し、水洗、乾燥を行い感光物(S−3)75.0gを得
た。 (8)感光物(S−4)の合成 表3記載の化合物〔4〕60.5g、1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホニルクロリド53.7g、ア
セトン800mlを三つ口フラスコに仕込み、均一に溶解
した。
【0084】次いで、トリエチルアミン21.2gを徐
々に滴下し、25℃で3時間反応させた。反応混合物を
1%塩酸水溶液3リットル中に注ぎ、生じた沈殿を濾別
し、水洗、乾燥を行い感光物(S−4)101.8gを
得た。
【0085】
【表3】
【0086】(9)ポジ型フォトレジスト組成物の調製
と評価 上記(1)〜(4)で得られたノボラック樹脂(a−
1)〜(a−18)および(b−1)〜(b−13)、
上記(5)〜(8)で得られた感光物(S−1)〜(S
−4)、溶剤(Y−1)〜(Y−4)および表4に示し
たポリヒドロキシ化合物(P−1)〜(P−3)を表5
に示す割合で混合し、均一溶液とした後、孔径0.10
μmのミクロフィルターを用いて濾過し、フォトレジス
ト組成物を調製した。このフォトレジスト組成物を、ス
ピナーを用いてシリコンウエハー上に塗布し、真空吸着
式ホットプレートで90℃、60秒間乾燥して膜厚が
0.97μmのレジスト膜を得た。
【0087】
【表4】
【0088】
【表5】
【0089】
【表6】
【0090】この膜に縮小投影露光装置(ニコン社製縮
小投影露光装置NSR−2005i9C)を用い露光し
た後、110℃で60秒間PEBを行い、2.38%の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で1分間
現像し、30秒間水洗して乾燥した。このようにして得
られたシリコンウエハーのレジストパターンを走査型電
子顕微鏡で観察し、レジストを評価した。結果を表6に
示す。
【0091】感度は、0.40μmのマスクパターンを
再現する露光量の逆数をもって定義し、比較例1のレジ
ストの感度に対する相対値で示した。解像力は、0.4
0μmのマスクパターンを再現する露光量における限界
解像力を表す。デフォーカスラチチュードは実効感度に
おいて、0.40μmのレジストパターンが膜減りなく
分離する焦点の幅を走査型電子顕微鏡で断面観察して評
価した。
【0092】ノボラック樹脂のアルカリ溶解度はシリコ
ンウエハー上に塗布したノボラック樹脂塗膜を23℃に
おいて2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液中に浸漬しパーキンエルマー社製DRM
を用いて測定した。
【0093】
【表7】
【0094】上記表6において各評価は以下に示す内容
を意味する。相対感度は、数字が大きい方が高感度であ
り好ましい態様である。解像力は、数字が小さいほど細
い線が解像していることを示し望ましい。デフォーカス
は、数字が大きいほどフォーカスをずらしても画像が形
成されることを意味し望ましい。また、デフォーカスの
項で示されている数字は、焦点面をどれくらいレジスト
からずらしたかを示す。
【0095】表6に示された結果から、本発明の構成要
件を全て満たすことにより、良好な結果を得ることがで
きる。
【0096】
【発明の効果】本発明のアルカリ可溶性ノボラック樹脂
を用いたポジ型フオトレジストは感度、解像度、テフォ
ーカスラチチュード等のレジスト性能に優れる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アルカリ可溶性ノボラック樹脂(A)、
    1,2−キノンジアジド化合物(B)及びアルカリ溶解
    促進剤(C)を含むポジ型フォトレジスト組成物におい
    て、 該アルカリ可溶性ノボラック樹脂(A)が、下記(1)
    〜(3)のモノマーとアルデヒド類とを縮合させること
    により得られるノボラック樹脂であり、該アルカリ可溶
    性ノボラック樹脂の、重量平均分子量が3000〜20
    000、分散度(Mw/Mn)が1.5〜4.0であ
    り、更に2.38%テトラメチルアンモニウムハイドロ
    オキサイド水溶液23℃中のノボラック樹脂のアルカリ
    溶解速度が3〜100Å/秒であり、 (1)m−クレゾール 40〜90モル% (2)p−クレゾール 2〜4モル% (3)2,3−キシレノール、3,4−キシレノール及
    び3,5−キシレノールから選ばれる少なくとも1種の
    キシレノール 10〜60モル% 該1,2−キノンジアジド化合物(B)が、分子内に3
    〜7個のフェノール性水酸基を有するポリヒドロキシ化
    合物と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル
    クロリド及び/又は1,2−ナフトキノンジアジド−4
    −スルホニルクロリドとのエステル化物であり、 該アルカリ溶解促進剤(C)が、分子量1000以下で
    分子内に2〜7個のフェノール性水酸基を有するポリヒ
    ドロキシ化合物であり、 且つ、アルカリ溶解性ノボラック樹脂(A)100重量
    部に対し、1,2−キノンジアジド化合物(B)の添加
    量が35〜100重量部、アルカリ溶解促進剤(C)の
    添加量が10〜60重量部であることを特徴とするポジ
    型フォトレジスト組成物。
JP32811994A 1994-12-28 1994-12-28 ポジ型フォトレジスト組成物 Expired - Fee Related JP3373072B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32811994A JP3373072B2 (ja) 1994-12-28 1994-12-28 ポジ型フォトレジスト組成物
US08/579,410 US5620828A (en) 1994-12-28 1995-12-27 Positive photoresist composition containing quinonediazide esterification product, novolak resin and pocyhydroxy alkali dissolution accelerator

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32811994A JP3373072B2 (ja) 1994-12-28 1994-12-28 ポジ型フォトレジスト組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08184963A true JPH08184963A (ja) 1996-07-16
JP3373072B2 JP3373072B2 (ja) 2003-02-04

Family

ID=18206699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32811994A Expired - Fee Related JP3373072B2 (ja) 1994-12-28 1994-12-28 ポジ型フォトレジスト組成物

Country Status (2)

Country Link
US (1) US5620828A (ja)
JP (1) JP3373072B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11212261A (ja) * 1998-01-23 1999-08-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物およびその製造方法
JP2002110509A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Fujitsu Ltd 電子デバイスの製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3076523B2 (ja) * 1996-03-25 2000-08-14 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト組成物
CN1208686C (zh) 1999-10-07 2005-06-29 Az电子材料(日本)株式会社 辐射敏感性组合物
JP4071611B2 (ja) * 2002-12-06 2008-04-02 東京応化工業株式会社 Lcd製造用ポジ型ホトレジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
CN115877662A (zh) * 2022-12-21 2023-03-31 北京科华微电子材料有限公司 一种倒梯形正性光刻胶

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5753406A (en) * 1988-10-18 1998-05-19 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition
US5283374A (en) * 1993-04-05 1994-02-01 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected phenolic derivatives of 4-(4-hydroxyphenyl)-cyclohexanone and their use as sensitivity enhancers for radiation sensitive mixtures
JP3130188B2 (ja) * 1993-08-31 2001-01-31 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性平版印刷版
JP3230925B2 (ja) * 1994-04-12 2001-11-19 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11212261A (ja) * 1998-01-23 1999-08-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型ホトレジスト組成物およびその製造方法
JP2002110509A (ja) * 2000-09-27 2002-04-12 Fujitsu Ltd 電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3373072B2 (ja) 2003-02-04
US5620828A (en) 1997-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3224115B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP3278306B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP3461397B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH0990622A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP3365874B2 (ja) キノンジアジドの合成法およびこれを含むポジ型レジスト
JP3230925B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
EP0764884A2 (en) Positive working photoresist composition
JPH07281428A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH08184963A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP3562673B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JPH0973169A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP3635598B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JPH09106070A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP3534208B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP3444689B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JPH095994A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JPH1152567A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP3349607B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JPH11160866A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JPH09114090A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JPH11223939A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JPH0534915A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP3503835B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH09146269A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JPH08202031A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122

Year of fee payment: 5

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071122

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees