JPH08187779A - ポリスチレン系延伸フィルム及びその製造方法 - Google Patents
ポリスチレン系延伸フィルム及びその製造方法Info
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Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Shaping By String And By Release Of Stress In Plastics And The Like (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 滑り性に優れ、表面傷が低減し、また絶縁破
壊電圧を低下させることなく、一方で端材の再利用を可
能にすべくアンチブロッキング剤が無添加あるいは添加
量が少ない等の優れた特性を有するSPS延伸フィルム
を提供することである。 【構成】 高度のシンジオタクチック構造を有するスチ
レン系重合体を70〜100重量%含有するスチレン系
樹脂組成物からなる延伸フィルムであって、少なくとも
一方の表面に該スチレン系重合体からなる直径0.2〜
5.0μmの突起を有することを特徴とするポリスチレン
系延伸フィルム、及び該スチレン系樹脂組成物からな
り、平均結晶化度25%以下で且つ球晶の存在する予備
成形体を2軸延伸、熱処理することを特徴とするポリス
チレン系延伸フィルムの製造方法。
壊電圧を低下させることなく、一方で端材の再利用を可
能にすべくアンチブロッキング剤が無添加あるいは添加
量が少ない等の優れた特性を有するSPS延伸フィルム
を提供することである。 【構成】 高度のシンジオタクチック構造を有するスチ
レン系重合体を70〜100重量%含有するスチレン系
樹脂組成物からなる延伸フィルムであって、少なくとも
一方の表面に該スチレン系重合体からなる直径0.2〜
5.0μmの突起を有することを特徴とするポリスチレン
系延伸フィルム、及び該スチレン系樹脂組成物からな
り、平均結晶化度25%以下で且つ球晶の存在する予備
成形体を2軸延伸、熱処理することを特徴とするポリス
チレン系延伸フィルムの製造方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はポリスチレン系延伸フィ
ルム及びその製造方法に関し、更に詳しくはコンデンサ
ー,FPC電絶用フィルム,写真用フィルム,製版用フ
ィルム,OHP等の光学フィルム,包装用フィルムなど
に好適に用いられるポリスチレン系延伸フィルムに関す
る。
ルム及びその製造方法に関し、更に詳しくはコンデンサ
ー,FPC電絶用フィルム,写真用フィルム,製版用フ
ィルム,OHP等の光学フィルム,包装用フィルムなど
に好適に用いられるポリスチレン系延伸フィルムに関す
る。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】シンジ
オタクチック構造を有するスチレン系重合体(以下、
「SPS」と略記することがある。)は、機械的強度,
耐熱性,外観,耐溶剤性等に優れていることから、種々
の用途が期待され、特に各種のフィルム,シートあるい
は繊維等の押出技術,成形品,用途等が提案されてい
る。また、延伸フィルムの製造方法、種々の物性を有す
る延伸フィルム又はその用途については、これまでも多
くの提案がなされてきた。これらの中でも、コンデンサ
ーフィルムの分野では、耐熱性,誘電特性,耐湿性に優
れるSPS延伸フィルムが材料として有望であり、極薄
で滑り性良好なフィルムの開発が望まれている。滑り性
良好な極薄フィルムについては、特定の無機微粒子ある
いは有機微粒子を添加する方法が、特開平1−1823
46号公報,特開平3−74437号公報,特開平6−
57013号公報,特開平6−57014号公報,特開
平6−57015号公報,特開平6−57016号公
報,特開平6−57017号公報,特開平6−6403
6号公報,特開平6−64037号公報,特開平6−6
5399号公報,特開平6−65400号公報,特開平
6−65401号公報,特開平6−65402号公報,
特開平6−80793号公報,特開平6−91748号
公報,特開平6−91749号公報,特開平6−114
924号公報,特開平6−114925号公報などに開
示されている。しかしながら、無機粒子あるいは有機粒
子の添加によって、極薄SPSフィルムに滑り性を付与
する場合、その微粒子とSPS自体との接着性が十分で
ない等により、延伸あるいは熱処理時の破断、フィルム
中のミクロボイドの発生、後工程での微粒子の脱落によ
る滑り性の低下、フィルム表面の傷、絶縁破壊電圧の低
下、二次加工適性不良等が生じてしまい、必ずしもフィ
ルムとして十分な性能を有しているとは言えなかった。
また、従来は、要求される滑り性等の物性を満足するた
めには、フィルムの厚みによって、無機粒子あるいは有
機粒子の種類や添加量を調製する必要があり、製造時の
端材が再利用しにくいという問題点があった。
オタクチック構造を有するスチレン系重合体(以下、
「SPS」と略記することがある。)は、機械的強度,
耐熱性,外観,耐溶剤性等に優れていることから、種々
の用途が期待され、特に各種のフィルム,シートあるい
は繊維等の押出技術,成形品,用途等が提案されてい
る。また、延伸フィルムの製造方法、種々の物性を有す
る延伸フィルム又はその用途については、これまでも多
くの提案がなされてきた。これらの中でも、コンデンサ
ーフィルムの分野では、耐熱性,誘電特性,耐湿性に優
れるSPS延伸フィルムが材料として有望であり、極薄
で滑り性良好なフィルムの開発が望まれている。滑り性
良好な極薄フィルムについては、特定の無機微粒子ある
いは有機微粒子を添加する方法が、特開平1−1823
46号公報,特開平3−74437号公報,特開平6−
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公報,特開平6−91749号公報,特開平6−114
924号公報,特開平6−114925号公報などに開
示されている。しかしながら、無機粒子あるいは有機粒
子の添加によって、極薄SPSフィルムに滑り性を付与
する場合、その微粒子とSPS自体との接着性が十分で
ない等により、延伸あるいは熱処理時の破断、フィルム
中のミクロボイドの発生、後工程での微粒子の脱落によ
る滑り性の低下、フィルム表面の傷、絶縁破壊電圧の低
下、二次加工適性不良等が生じてしまい、必ずしもフィ
ルムとして十分な性能を有しているとは言えなかった。
また、従来は、要求される滑り性等の物性を満足するた
めには、フィルムの厚みによって、無機粒子あるいは有
機粒子の種類や添加量を調製する必要があり、製造時の
端材が再利用しにくいという問題点があった。
【0003】本発明は上記のような状況に鑑みてなされ
たものであり、本発明者らは、滑り性や表面傷等の上記
問題点を解決すべく鋭意検討を行った。その中で、SP
Sを静的に結晶化させた場合に、微小な球晶を形成する
ことを見出した。そして、この微小な球晶に着目してさ
らに検討を進めたところ、予備成形体の一部に球晶を形
成させる方法、その球晶サイズ及び濃度が溶融後の熱履
歴を制御することにより可能になることを見出した。ま
た、種々の原反を用いた延伸成形体について検討したと
ころ、延伸により形成される球晶による特定の突起が上
記の諸問題を解決するのに有効であることを見出した。
本発明はかかる知見に基いて、滑り性に優れ、表面傷が
低減し、また絶縁破壊電圧を低下させることなく、一方
で端材の再利用を可能にすべくアンチブロッキング剤が
無添加あるいは添加量が少ない等の優れた特性を有する
SPS延伸フィルムを提供すべく完成されたものであ
る。
たものであり、本発明者らは、滑り性や表面傷等の上記
問題点を解決すべく鋭意検討を行った。その中で、SP
Sを静的に結晶化させた場合に、微小な球晶を形成する
ことを見出した。そして、この微小な球晶に着目してさ
らに検討を進めたところ、予備成形体の一部に球晶を形
成させる方法、その球晶サイズ及び濃度が溶融後の熱履
歴を制御することにより可能になることを見出した。ま
た、種々の原反を用いた延伸成形体について検討したと
ころ、延伸により形成される球晶による特定の突起が上
記の諸問題を解決するのに有効であることを見出した。
本発明はかかる知見に基いて、滑り性に優れ、表面傷が
低減し、また絶縁破壊電圧を低下させることなく、一方
で端材の再利用を可能にすべくアンチブロッキング剤が
無添加あるいは添加量が少ない等の優れた特性を有する
SPS延伸フィルムを提供すべく完成されたものであ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、高
度のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
を70〜100重量%含有するスチレン系樹脂組成物か
らなる延伸フィルムであって、少なくとも一方の表面に
該スチレン系重合体からなる直径0.2〜5.0μmの突起
を有することを特徴とするポリスチレン系延伸フィルム
を提供するものである。上記ポリスチレン系延伸フィル
ムは、上記突起が10000μm2 中に10個以上であ
ることが好ましく、動摩擦係数が0.7以下であることが
好ましい。また、本発明は、高度のシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体を70〜100重量%含
有するスチレン系樹脂組成物からなり、平均結晶化度2
5%以下で且つ球晶の存在する予備成形体を2軸延伸、
熱処理することを特徴とするポリスチレン系延伸フィル
ムの製造方法をも提供するものである。以下に、本発明
を更に詳細に説明する。
度のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
を70〜100重量%含有するスチレン系樹脂組成物か
らなる延伸フィルムであって、少なくとも一方の表面に
該スチレン系重合体からなる直径0.2〜5.0μmの突起
を有することを特徴とするポリスチレン系延伸フィルム
を提供するものである。上記ポリスチレン系延伸フィル
ムは、上記突起が10000μm2 中に10個以上であ
ることが好ましく、動摩擦係数が0.7以下であることが
好ましい。また、本発明は、高度のシンジオタクチック
構造を有するスチレン系重合体を70〜100重量%含
有するスチレン系樹脂組成物からなり、平均結晶化度2
5%以下で且つ球晶の存在する予備成形体を2軸延伸、
熱処理することを特徴とするポリスチレン系延伸フィル
ムの製造方法をも提供するものである。以下に、本発明
を更に詳細に説明する。
【0005】先ず、本発明のポリスチレン系延伸フィル
ムの材料について説明する。本発明におけるシンジオタ
クチック構造のスチレン系重合体とは、立体化学構造が
シンジオタクチック構造、即ち炭素−炭素結合から形成
される主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニ
ル基が交互に反対方向に位置する立体構造を有するもの
であり、そのタクティシティーは同位体炭素による核磁
気共鳴法(13C−NMR法)により定量される。13C−
NMR法により測定されるタクティシティーは、連続す
る複数個の構成単位の存在割合、例えば2個の場合はダ
イアッド,3個の場合はトリアッド,5個の場合はペン
タッドによって示すことができるが、本発明にいう高度
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体と
は、通常はラセミダイアッドで75%以上、好ましくは
85%以上、若しくはラセミペンタッドで30%以上、
好ましくは50%以上のシンジオタクティシティーを有
するポリスチレン,ポリ( アルキルスチレン),ポリ( ハ
ロゲン化スチレン),ポリ( アルコキシスチレン),ポリ(
ビニル安息香酸エステル),これらの水素化重合体およ
びこれらの混合物、あるいはこれらの構造単位を含む共
重合体を指称する。なお、ここでポリ( アルキルスチレ
ン) としては、ポリ( メチルスチレン),ポリ( エチルス
チレン),ポリ( プロピルスチレン),ポリ( ブチルスチレ
ン),ポリ( フェニルスチレン),ポリ( ビニルナフタレ
ン),ポリ( ビニルスチレン),ポリ( アセナフチレン) な
どがあり、ポリ( ハロゲン化スチレン) としては、ポリ
( クロロスチレン),ポリ( ブロモスチレン),ポリ( フル
オロスチレン) などがある。また、ポリ( アルコキシス
チレン) としては、ポリ( メトキシスチレン),ポリ( エ
トキシスチレン) などがある。これらのうち特に好まし
いスチレン系重合体としては、スチレンとp−メチルス
チレンとの共重合体,ポリスチレン,ポリ( p−メチル
スチレン),ポリ( m−メチルスチレン),ポリ( p−ター
シャリーブチルスチレン),ポリ( p−クロロスチレン),
ポリ( m−クロロスチレン),ポリ(p−フルオロスチレ
ン) をあげることができる(特開昭62−187708
号公報)。
ムの材料について説明する。本発明におけるシンジオタ
クチック構造のスチレン系重合体とは、立体化学構造が
シンジオタクチック構造、即ち炭素−炭素結合から形成
される主鎖に対して側鎖であるフェニル基や置換フェニ
ル基が交互に反対方向に位置する立体構造を有するもの
であり、そのタクティシティーは同位体炭素による核磁
気共鳴法(13C−NMR法)により定量される。13C−
NMR法により測定されるタクティシティーは、連続す
る複数個の構成単位の存在割合、例えば2個の場合はダ
イアッド,3個の場合はトリアッド,5個の場合はペン
タッドによって示すことができるが、本発明にいう高度
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体と
は、通常はラセミダイアッドで75%以上、好ましくは
85%以上、若しくはラセミペンタッドで30%以上、
好ましくは50%以上のシンジオタクティシティーを有
するポリスチレン,ポリ( アルキルスチレン),ポリ( ハ
ロゲン化スチレン),ポリ( アルコキシスチレン),ポリ(
ビニル安息香酸エステル),これらの水素化重合体およ
びこれらの混合物、あるいはこれらの構造単位を含む共
重合体を指称する。なお、ここでポリ( アルキルスチレ
ン) としては、ポリ( メチルスチレン),ポリ( エチルス
チレン),ポリ( プロピルスチレン),ポリ( ブチルスチレ
ン),ポリ( フェニルスチレン),ポリ( ビニルナフタレ
ン),ポリ( ビニルスチレン),ポリ( アセナフチレン) な
どがあり、ポリ( ハロゲン化スチレン) としては、ポリ
( クロロスチレン),ポリ( ブロモスチレン),ポリ( フル
オロスチレン) などがある。また、ポリ( アルコキシス
チレン) としては、ポリ( メトキシスチレン),ポリ( エ
トキシスチレン) などがある。これらのうち特に好まし
いスチレン系重合体としては、スチレンとp−メチルス
チレンとの共重合体,ポリスチレン,ポリ( p−メチル
スチレン),ポリ( m−メチルスチレン),ポリ( p−ター
シャリーブチルスチレン),ポリ( p−クロロスチレン),
ポリ( m−クロロスチレン),ポリ(p−フルオロスチレ
ン) をあげることができる(特開昭62−187708
号公報)。
【0006】更に、スチレン系共重合体におけるコモノ
マーとしては、上述の如きスチレン系重合体のモノマー
のほか、エチレン,プロピレン,ブテン,ヘキセン,オ
クテン等のオレフィンモノマー、ブタジエン,イソプレ
ン等のジエンモノマー、環状ジエンモノマーやメタクリ
ル酸メチル,無水マレイン酸,アクリロニトリル等の極
性ビニルモノマー等をあげることができる。特に、スチ
レン繰返し単位が80〜100モル%,p−メチルスチ
レン繰返し単位が0〜20モル%からなるスチレン系重
合体が好ましく用いられる。またこのスチレン系重合体
は、分子量について特に制限はないが、重量平均分子量
が10,000以上3,000,000 以下のものが好ましく、とりわ
け50,000以上 1,500,000以下のものが更に好ましい。こ
こで重量平均分子量が 10,000 未満であると、延伸が充
分にできない場合がある。さらに、分子量分布について
はその広狭は制約がなく、 様々なものを充当することが
可能であるが、重量平均分子量(Mw)/数平均分子量
(Mn)が 1. 5以上8以下のものが好ましい。なお、こ
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
は、従来のアタクチック構造のスチレン系重合体に比べ
て耐熱性が格段に優れている。上記高度のシンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体は、本発明のポリ
スチレン系延伸フィルム中に70〜100重量%、好ま
しくは80〜100重量%含有される。
マーとしては、上述の如きスチレン系重合体のモノマー
のほか、エチレン,プロピレン,ブテン,ヘキセン,オ
クテン等のオレフィンモノマー、ブタジエン,イソプレ
ン等のジエンモノマー、環状ジエンモノマーやメタクリ
ル酸メチル,無水マレイン酸,アクリロニトリル等の極
性ビニルモノマー等をあげることができる。特に、スチ
レン繰返し単位が80〜100モル%,p−メチルスチ
レン繰返し単位が0〜20モル%からなるスチレン系重
合体が好ましく用いられる。またこのスチレン系重合体
は、分子量について特に制限はないが、重量平均分子量
が10,000以上3,000,000 以下のものが好ましく、とりわ
け50,000以上 1,500,000以下のものが更に好ましい。こ
こで重量平均分子量が 10,000 未満であると、延伸が充
分にできない場合がある。さらに、分子量分布について
はその広狭は制約がなく、 様々なものを充当することが
可能であるが、重量平均分子量(Mw)/数平均分子量
(Mn)が 1. 5以上8以下のものが好ましい。なお、こ
のシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
は、従来のアタクチック構造のスチレン系重合体に比べ
て耐熱性が格段に優れている。上記高度のシンジオタク
チック構造を有するスチレン系重合体は、本発明のポリ
スチレン系延伸フィルム中に70〜100重量%、好ま
しくは80〜100重量%含有される。
【0007】本発明のポリスチレン系延伸フィルムに
は、その目的を阻害しない範囲で滑剤、他の熱可塑性樹
脂、酸化防止剤、無機充填剤、ゴム、相溶化剤、着色
剤、架橋剤、架橋助剤、核剤、可塑剤などを添加するこ
ともできる。滑剤としては、例えば無機微粒子を用いる
ことができる。ここで、無機微粒子とは、IA族,IIA
族,IVA族,VIA族,VII A族,VIII族,IB族,IIB
族,III B族,IVB族元素の酸化物,水酸化物,硫化
物,窒素化物,ハロゲン化物,炭酸塩,硫酸塩,酢酸
塩,燐酸塩,亜燐酸塩,有機カルボン酸塩,珪酸塩,チ
タン酸塩,硼酸塩及びそれらの含水化合物、それらを中
心とする複合化合物,天然鉱物粒子を示す。
は、その目的を阻害しない範囲で滑剤、他の熱可塑性樹
脂、酸化防止剤、無機充填剤、ゴム、相溶化剤、着色
剤、架橋剤、架橋助剤、核剤、可塑剤などを添加するこ
ともできる。滑剤としては、例えば無機微粒子を用いる
ことができる。ここで、無機微粒子とは、IA族,IIA
族,IVA族,VIA族,VII A族,VIII族,IB族,IIB
族,III B族,IVB族元素の酸化物,水酸化物,硫化
物,窒素化物,ハロゲン化物,炭酸塩,硫酸塩,酢酸
塩,燐酸塩,亜燐酸塩,有機カルボン酸塩,珪酸塩,チ
タン酸塩,硼酸塩及びそれらの含水化合物、それらを中
心とする複合化合物,天然鉱物粒子を示す。
【0008】具体的には、弗化リチウム,硼砂( 硼酸ナ
トリウム含水塩) 等のIA族元素化合物、炭酸マグネシ
ウム,燐酸マグネシウム,酸化マグネシウム( マグネシ
ア),塩化マグネシウム,酢酸マグネシウム,弗化マグネ
シウム,チタン酸マグネシウム,珪酸マグネシウム,珪
酸マグネシウム含水塩( タルク),炭酸カルシウム,燐酸
カルシウム,亜燐酸カルシウム,硫酸カルシウム( 石
膏),酢酸カルシウム,テレフタル酸カルシウム,水酸化
カルシウム,珪酸カルシウム,弗化カルシウム,チタン
酸カルシウム,チタン酸ストロンチウム,炭酸バリウ
ム,燐酸バリウム,硫酸バリウム,亜燐酸バリウム等の
IIA族元素化合物、二酸化チタン(チタニア),一酸化チ
タン,窒化チタン,二酸化ジルコニウム( ジルコニア),
一酸化ジルコニウム等のIVA族元素化合物、二酸化モリ
ブデン,三酸化モリブデン,硫化モリブデン等のVIA族
元素化合物、塩化マンガン,酢酸マンガン等のVII A族
元素化合物、塩化コバルト,酢酸コバルト等のVIII族元
素化合物、沃化第一銅等のIB族元素化合物、酸化亜
鉛,酢酸亜鉛等のIIB族元素化合物、酸化アルミニウム
(アルミナ),水酸化アルミニウム,弗化アルミニウム,
アルミノシリケート( 珪酸アルミナ,カオリン,カオリ
ナイト) 等のIII B族元素化合物、酸化珪素( シリカ,
シリカゲル),石墨, カーボン,グラファイト,ガラス等
のIVB族元素化合物、カーナル石,カイナイト,雲母(
マイカ, キンウンモ),バイロース鉱等の天然鉱物の粒子
が挙げられる。ここで用いる無機微粒子の平均粒径は、
特に制限はないが、好ましくは 0. 01〜3μm、成形
品中の含量は 0. 001〜5重量%、好ましくは 0. 0
05〜3重量%である。この無機微粒子は最終的な成形
品に含有されるが、含有される方法に限定はない。例え
ば、重合中の任意の過程で添加あるいは析出させる方
法、溶融押出する任意の過程で添加する方法が挙げられ
る。
トリウム含水塩) 等のIA族元素化合物、炭酸マグネシ
ウム,燐酸マグネシウム,酸化マグネシウム( マグネシ
ア),塩化マグネシウム,酢酸マグネシウム,弗化マグネ
シウム,チタン酸マグネシウム,珪酸マグネシウム,珪
酸マグネシウム含水塩( タルク),炭酸カルシウム,燐酸
カルシウム,亜燐酸カルシウム,硫酸カルシウム( 石
膏),酢酸カルシウム,テレフタル酸カルシウム,水酸化
カルシウム,珪酸カルシウム,弗化カルシウム,チタン
酸カルシウム,チタン酸ストロンチウム,炭酸バリウ
ム,燐酸バリウム,硫酸バリウム,亜燐酸バリウム等の
IIA族元素化合物、二酸化チタン(チタニア),一酸化チ
タン,窒化チタン,二酸化ジルコニウム( ジルコニア),
一酸化ジルコニウム等のIVA族元素化合物、二酸化モリ
ブデン,三酸化モリブデン,硫化モリブデン等のVIA族
元素化合物、塩化マンガン,酢酸マンガン等のVII A族
元素化合物、塩化コバルト,酢酸コバルト等のVIII族元
素化合物、沃化第一銅等のIB族元素化合物、酸化亜
鉛,酢酸亜鉛等のIIB族元素化合物、酸化アルミニウム
(アルミナ),水酸化アルミニウム,弗化アルミニウム,
アルミノシリケート( 珪酸アルミナ,カオリン,カオリ
ナイト) 等のIII B族元素化合物、酸化珪素( シリカ,
シリカゲル),石墨, カーボン,グラファイト,ガラス等
のIVB族元素化合物、カーナル石,カイナイト,雲母(
マイカ, キンウンモ),バイロース鉱等の天然鉱物の粒子
が挙げられる。ここで用いる無機微粒子の平均粒径は、
特に制限はないが、好ましくは 0. 01〜3μm、成形
品中の含量は 0. 001〜5重量%、好ましくは 0. 0
05〜3重量%である。この無機微粒子は最終的な成形
品に含有されるが、含有される方法に限定はない。例え
ば、重合中の任意の過程で添加あるいは析出させる方
法、溶融押出する任意の過程で添加する方法が挙げられ
る。
【0009】本発明において上記のスチレン系重合体
に、添加できる他の熱可塑性樹脂としては各種のものが
あるが、例えば、アタクチック構造のスチレン系重合
体,アイソタクチック構造のスチレン系重合体,ポリフ
ェニレンエーテル等が、挙げられる。これらの樹脂は前
述のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体と相溶
しやすく、延伸用予備成形体を作成するときの結晶化の
制御に有効で、その後の延伸性が向上し、延伸条件の制
御が容易で、且つ力学物性に優れたフィルムを得ること
ができる。このうち、アタクチック構造および/または
アイソタクチック構造のスチレン系重合体を含有させる
場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と
同様の単量体からなるものが好ましい。また、これら相
溶性樹脂成分の含有割合は1〜70重量%、特に2〜5
0重量%とすればよい。ここで相溶性樹脂成分の含有割
合が70重量%を超えると、シンジオタクチック構造の
スチレン系重合体の長所である耐熱性等が損なわれるこ
とがあるため好ましくない。
に、添加できる他の熱可塑性樹脂としては各種のものが
あるが、例えば、アタクチック構造のスチレン系重合
体,アイソタクチック構造のスチレン系重合体,ポリフ
ェニレンエーテル等が、挙げられる。これらの樹脂は前
述のシンジオタクチック構造のスチレン系重合体と相溶
しやすく、延伸用予備成形体を作成するときの結晶化の
制御に有効で、その後の延伸性が向上し、延伸条件の制
御が容易で、且つ力学物性に優れたフィルムを得ること
ができる。このうち、アタクチック構造および/または
アイソタクチック構造のスチレン系重合体を含有させる
場合は、シンジオタクチック構造のスチレン系重合体と
同様の単量体からなるものが好ましい。また、これら相
溶性樹脂成分の含有割合は1〜70重量%、特に2〜5
0重量%とすればよい。ここで相溶性樹脂成分の含有割
合が70重量%を超えると、シンジオタクチック構造の
スチレン系重合体の長所である耐熱性等が損なわれるこ
とがあるため好ましくない。
【0010】また、本発明で用いられる上記のスチレン
系重合体に添加し得る他の樹脂であって、非相溶性樹脂
としては、例えば、ポリエチレン,ポリプロピレン,ポ
リブテン,ポリペンテン等のポリオレフィン、ポリエチ
レンテレフタレート,ポリブチレンテレフタレート,ポ
リエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン−
6やナイロン6,6等のポリアミド、ポリフェニレンス
ルフィド等のポリチオエーテル、ポリカーボネート,ポ
リアリレート,ポリスルホン,ポリエーテルエーテルケ
トン,ポリエーテルスルホン,ポリイミド,テフロン等
のハロゲン化ビニル系重合体、ポリメタクリル酸メチル
等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール等、上記
相溶性の樹脂以外はすべて相当し、さらに、上記相溶性
の樹脂を含む架橋樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、
本発明に用いられるシンジオタクチック構造のスチレン
系重合体と非相溶であるため、少量含有する場合、シン
ジオタクチック構造のスチレン系重合体中に島のように
分散させることができ、延伸後に程良い光沢を与えた
り、表面のすべり性を改良するのに有効である。これら
非相溶性樹脂成分の含有割合は、光沢を目的とする場合
は2〜50重量%、表面性の制御を目的とする場合は0.
001〜5重量%が好ましい。また、製品として使用す
る温度が高い場合は、比較的耐熱性のある非相溶性樹脂
を用いることが好ましい。
系重合体に添加し得る他の樹脂であって、非相溶性樹脂
としては、例えば、ポリエチレン,ポリプロピレン,ポ
リブテン,ポリペンテン等のポリオレフィン、ポリエチ
レンテレフタレート,ポリブチレンテレフタレート,ポ
リエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン−
6やナイロン6,6等のポリアミド、ポリフェニレンス
ルフィド等のポリチオエーテル、ポリカーボネート,ポ
リアリレート,ポリスルホン,ポリエーテルエーテルケ
トン,ポリエーテルスルホン,ポリイミド,テフロン等
のハロゲン化ビニル系重合体、ポリメタクリル酸メチル
等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール等、上記
相溶性の樹脂以外はすべて相当し、さらに、上記相溶性
の樹脂を含む架橋樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、
本発明に用いられるシンジオタクチック構造のスチレン
系重合体と非相溶であるため、少量含有する場合、シン
ジオタクチック構造のスチレン系重合体中に島のように
分散させることができ、延伸後に程良い光沢を与えた
り、表面のすべり性を改良するのに有効である。これら
非相溶性樹脂成分の含有割合は、光沢を目的とする場合
は2〜50重量%、表面性の制御を目的とする場合は0.
001〜5重量%が好ましい。また、製品として使用す
る温度が高い場合は、比較的耐熱性のある非相溶性樹脂
を用いることが好ましい。
【0011】酸化防止剤としてはリン系酸化防止剤,フ
ェノール系酸化防止剤,硫黄系酸化防止剤を用いること
ができる。このような酸化防止剤を用いることにより、
熱安定性のよいポリスチレン系樹脂組成物が得られる。
ここでリン系酸化防止剤としては種々のものが挙げら
れ、モノホスファイトやジホスファイト等であることを
問わない。モノホスファイトとしてはトリス(2,4−
ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト;トリス(モノ
およびジ−ノニルフェニル)ホスファイト等が挙げられ
る。またジホスファイトとしては、一般式
ェノール系酸化防止剤,硫黄系酸化防止剤を用いること
ができる。このような酸化防止剤を用いることにより、
熱安定性のよいポリスチレン系樹脂組成物が得られる。
ここでリン系酸化防止剤としては種々のものが挙げら
れ、モノホスファイトやジホスファイト等であることを
問わない。モノホスファイトとしてはトリス(2,4−
ジ−t−ブチルフェニル)ホスファイト;トリス(モノ
およびジ−ノニルフェニル)ホスファイト等が挙げられ
る。またジホスファイトとしては、一般式
【0012】
【化1】
【0013】〔式中、R1 及びR2 は同一でも異なって
いてもよく、それぞれ炭素数1〜20のアルキル基,炭
素数3〜20のシクロアルキル基あるいは炭素数6〜2
0のアリール基を示す。〕で表わされるホスファイトが
用いられ、具体例としては、ジステアリルペンタエリス
リトールジホスファイト;ジオクチルペンタエリスリト
ールジホスファイト;ジフェニルペンタエリスリトール
ジホスファイト;ビス(2,4−ジ−t−ブチルフェニ
ル)ペンタエリスリトールジホスファイト;ビス(2,
6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリ
スリトールジホスファイト;ジシクロヘキシルペンタエ
リスリトールジホスファイト;トリス(2,4−ジ−t
−ブチルフェニル)ホスファイト;テトラキス(2,4
−ジ−t−ブチルフェニル)−4,4’−ビフェニレン
ホスフォナイトなどが挙げられる。これらの中でもビス
(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ペンタエリスリト
ールジホスファイト;ビス(2,6−ジ−t−ブチル−
4−メチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファ
イト;トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホス
ファイト;テトラキス(2,4−ジ−t−ブチルフェニ
ル)−4,4’−ビフェニレンホスフォナイトが好まし
く用いられる。
いてもよく、それぞれ炭素数1〜20のアルキル基,炭
素数3〜20のシクロアルキル基あるいは炭素数6〜2
0のアリール基を示す。〕で表わされるホスファイトが
用いられ、具体例としては、ジステアリルペンタエリス
リトールジホスファイト;ジオクチルペンタエリスリト
ールジホスファイト;ジフェニルペンタエリスリトール
ジホスファイト;ビス(2,4−ジ−t−ブチルフェニ
ル)ペンタエリスリトールジホスファイト;ビス(2,
6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェニル)ペンタエリ
スリトールジホスファイト;ジシクロヘキシルペンタエ
リスリトールジホスファイト;トリス(2,4−ジ−t
−ブチルフェニル)ホスファイト;テトラキス(2,4
−ジ−t−ブチルフェニル)−4,4’−ビフェニレン
ホスフォナイトなどが挙げられる。これらの中でもビス
(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ペンタエリスリト
ールジホスファイト;ビス(2,6−ジ−t−ブチル−
4−メチルフェニル)ペンタエリスリトールジホスファ
イト;トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)ホス
ファイト;テトラキス(2,4−ジ−t−ブチルフェニ
ル)−4,4’−ビフェニレンホスフォナイトが好まし
く用いられる。
【0014】また、フェノール系酸化防止剤としては種
々のものを使用することができるが、具体的には、ジア
ルキルフェノール,トリアルキルフェノール,ジフェニ
ルモノアルコキシフェノール,テトラアルキルフェノー
ル等が用いられる。ジアルキルフェノールとしては、
2,2' −メチレンビス(6−t−ブチル−4−メチル
フェノール);1,1−ビス(5−t−ブチル−4−ヒ
ドロキシ−2−メチルフェニル)ブタン;2,2' −メ
チレンビス( 4−メチル−6−シクロヘキシルフェノー
ル);4,4’−チオビス(6−t−ブチル−3−メチ
ルフェノール);2,2−ビス(5−t−ブチル−4−
ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−4−n−ドデシル
メルカプト−ブタンなどが挙げられる。トリアルキルフ
ェノールとしては、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチ
ルフェノール;2,2'−メチレンビス(6−t−ブチ
ル−4−エチルフェノール);2,2' −メチレンビス
〔4−メチル−6−(α−メチルシクロヘキシル)フェ
ノール〕;2,2' −メチレンビス(4−メチル−6−
ノニルフェノール);1,1,3−トリス−(5−t−
ブチル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)ブタ
ン;エチレングリコール−ビス〔3,3−ビス(3−t
−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)ブチレート〕;1
−1−ビス(3,5−ジメチル−2−ヒドロキシフェニ
ル)−3−(n−ドデシルチオ)−ブタン;1,3,5
−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベ
ンジル)−2,4,6−トリメチルベンゼン;2,2−
ビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジ
ル)マロン酸ジオクタデシルエステル;n−オクタデシ
ル−3−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブチルフ
ェニル)プロピオネート;テトラキス〔メチレン(3,
5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシハイドロシンナメ
ート)〕メタン;3,9−ビス〔1,1−ジメチル−2
−(β−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチ
ルフェニル)プロピオニルオキシ)エチル−2,4,
8,10−テトラオキサスピロ〔5,5〕ウンデカン;
トリス−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベ
ンジル)イソシアヌレイト等が挙げられる。また、ジフ
ェニルモノアルコキシフェノールとしては2,6−ジフ
ェニル−4−メトキシフェノール等が挙げられ、テトラ
アルキルフェノールとしてはトリス−(4−t−ブチル
−2,6−ジ−メチル−3−ヒドロキシベンジル)−イ
ソシアヌレイト等が挙げられる。
々のものを使用することができるが、具体的には、ジア
ルキルフェノール,トリアルキルフェノール,ジフェニ
ルモノアルコキシフェノール,テトラアルキルフェノー
ル等が用いられる。ジアルキルフェノールとしては、
2,2' −メチレンビス(6−t−ブチル−4−メチル
フェノール);1,1−ビス(5−t−ブチル−4−ヒ
ドロキシ−2−メチルフェニル)ブタン;2,2' −メ
チレンビス( 4−メチル−6−シクロヘキシルフェノー
ル);4,4’−チオビス(6−t−ブチル−3−メチ
ルフェノール);2,2−ビス(5−t−ブチル−4−
ヒドロキシ−2−メチルフェニル)−4−n−ドデシル
メルカプト−ブタンなどが挙げられる。トリアルキルフ
ェノールとしては、2,6−ジ−t−ブチル−4−メチ
ルフェノール;2,2'−メチレンビス(6−t−ブチ
ル−4−エチルフェノール);2,2' −メチレンビス
〔4−メチル−6−(α−メチルシクロヘキシル)フェ
ノール〕;2,2' −メチレンビス(4−メチル−6−
ノニルフェノール);1,1,3−トリス−(5−t−
ブチル−4−ヒドロキシ−2−メチルフェニル)ブタ
ン;エチレングリコール−ビス〔3,3−ビス(3−t
−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)ブチレート〕;1
−1−ビス(3,5−ジメチル−2−ヒドロキシフェニ
ル)−3−(n−ドデシルチオ)−ブタン;1,3,5
−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベ
ンジル)−2,4,6−トリメチルベンゼン;2,2−
ビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジ
ル)マロン酸ジオクタデシルエステル;n−オクタデシ
ル−3−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブチルフ
ェニル)プロピオネート;テトラキス〔メチレン(3,
5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシハイドロシンナメ
ート)〕メタン;3,9−ビス〔1,1−ジメチル−2
−(β−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチ
ルフェニル)プロピオニルオキシ)エチル−2,4,
8,10−テトラオキサスピロ〔5,5〕ウンデカン;
トリス−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベ
ンジル)イソシアヌレイト等が挙げられる。また、ジフ
ェニルモノアルコキシフェノールとしては2,6−ジフ
ェニル−4−メトキシフェノール等が挙げられ、テトラ
アルキルフェノールとしてはトリス−(4−t−ブチル
−2,6−ジ−メチル−3−ヒドロキシベンジル)−イ
ソシアヌレイト等が挙げられる。
【0015】更に硫黄系酸化防止剤としては、チオエー
テル系のものが好ましく、具体的にはジラウリル−3,
3’−チオジプロピオネート;ジミリスチル−3,3’
−チオジプロピオネート;ジステアリル−3,3’−チ
オジプロピオネート;ペンタエリスリトール−テトラキ
ス−(β−ラウリル−チオプロピオネート);ビス〔2
−メチル−4−(3−n−アルキルチオプロピオニルオ
キシ)−5−t−ブチルフェニル〕スルフィド;2−メ
ルカプトベイゾイミダゾール等が挙げられる。これらの
中でも特にペンタエリスリトール−テトラキス−(β−
ラウリル−チオプロピオネート)が好ましい。
テル系のものが好ましく、具体的にはジラウリル−3,
3’−チオジプロピオネート;ジミリスチル−3,3’
−チオジプロピオネート;ジステアリル−3,3’−チ
オジプロピオネート;ペンタエリスリトール−テトラキ
ス−(β−ラウリル−チオプロピオネート);ビス〔2
−メチル−4−(3−n−アルキルチオプロピオニルオ
キシ)−5−t−ブチルフェニル〕スルフィド;2−メ
ルカプトベイゾイミダゾール等が挙げられる。これらの
中でも特にペンタエリスリトール−テトラキス−(β−
ラウリル−チオプロピオネート)が好ましい。
【0016】また、本発明のポリスチレン系延伸フィル
ム中には、必要に応じて、−NH−基を有しかつ10,0
00未満の分子量を有する有機化合物が含有する。この
ような有機化合物としては、−NH−基に電子吸引基が
隣接しているものが好ましくこのような電子吸引基とし
ては、ベンゼン環,ナフタレン環,アントラセン環,ピ
リジン環,トリアジン環,インデニル環及びこれらの誘
導体等の芳香族環又はカルボニル構造を含むことが好ま
しい。また、上記有機化合物としては熱分解温度が26
0℃以上のものが特に好ましい。具体的には以下の化合
物、例えば、2,4−ビス−(n−オクチルチオ)−6
−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブチルアニリ
ノ)−1,3,5−トリアジン、N,N’−ヘキサメチ
レンビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ−
ヒドロシンナミド)、N,N’−ビス〔3−(3,5−
ジ−t−ブチル−ヒドロキシフェニル)プロピオニル〕
ヒドラジン、3−(N−サリチロイル)アミノ−1,
2,4−トリアゾール、デカメチレンジカルボン酸ジサ
リチロイルヒドラジド、イソフタル酸(2−フェノキシ
プロピオニルヒドラジド)、2,2−オギザミド−ビス
〔エチル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシフェニル)プロピオネート〕、オギザリル−ビス
(ベンジリデン−ヒドラジド)、N−ホルミル−N’−
サリシロイルヒドラジン、2−メルカプトベンツイミダ
ゾール、N,N’−ジ−2−ナフチル−p−フェニレン
ジアミン、4,4’−ビス(α,α−ジメチルベンジ
ル)ジフェニルアミン、2−メルカプトメチルベンツイ
ミダゾール,スチレン化ジフェニルアミン、オクチル化
ジフェニルアミン、N−フェニル−1−ナフチルアミ
ン、ポリ(2,2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロ
キノリン)、6−エトキシ−1,2−ジヒドロ−2,
2,4−トリメチルキノリン、N,N’−ジフェニル−
p−フェニレンジアミン、N−フェニル−N’−(1,
3−ジメチルブチル)−p−フェニレンジアミン、N−
フェニル−N’−(3−メタクリルオキシ−2−ヒドロ
キシプロピル)−p−フェニレンジアミン、チオジフェ
ニルアミン、p−アミノジフェニルアミン、N−サリシ
ロイル−N’−アルデヒドヒドラジン、N−サリシロイ
ル−N’−アセチルヒドラジン、N,N’−ジフェニル
−オキサミド、N,N’−ジ(2−ヒドロキシフェニ
ル)オキサミド、6−エトキシ−2,2,4−トリメチ
ル−1,2−ジヒドロキノリン、N−フェニル−N’−
イソプロピル−p−フェニレンジアミン等が挙げられ
る。上記−NH−基を有しかつ10,000未満の分子量
を有する有機化合物は、本発明のポリスチレン系延伸フ
ィルム中に、必要に応じて、30重量%未満の量で含有
される。
ム中には、必要に応じて、−NH−基を有しかつ10,0
00未満の分子量を有する有機化合物が含有する。この
ような有機化合物としては、−NH−基に電子吸引基が
隣接しているものが好ましくこのような電子吸引基とし
ては、ベンゼン環,ナフタレン環,アントラセン環,ピ
リジン環,トリアジン環,インデニル環及びこれらの誘
導体等の芳香族環又はカルボニル構造を含むことが好ま
しい。また、上記有機化合物としては熱分解温度が26
0℃以上のものが特に好ましい。具体的には以下の化合
物、例えば、2,4−ビス−(n−オクチルチオ)−6
−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブチルアニリ
ノ)−1,3,5−トリアジン、N,N’−ヘキサメチ
レンビス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシ−
ヒドロシンナミド)、N,N’−ビス〔3−(3,5−
ジ−t−ブチル−ヒドロキシフェニル)プロピオニル〕
ヒドラジン、3−(N−サリチロイル)アミノ−1,
2,4−トリアゾール、デカメチレンジカルボン酸ジサ
リチロイルヒドラジド、イソフタル酸(2−フェノキシ
プロピオニルヒドラジド)、2,2−オギザミド−ビス
〔エチル−3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロ
キシフェニル)プロピオネート〕、オギザリル−ビス
(ベンジリデン−ヒドラジド)、N−ホルミル−N’−
サリシロイルヒドラジン、2−メルカプトベンツイミダ
ゾール、N,N’−ジ−2−ナフチル−p−フェニレン
ジアミン、4,4’−ビス(α,α−ジメチルベンジ
ル)ジフェニルアミン、2−メルカプトメチルベンツイ
ミダゾール,スチレン化ジフェニルアミン、オクチル化
ジフェニルアミン、N−フェニル−1−ナフチルアミ
ン、ポリ(2,2,4−トリメチル−1,2−ジヒドロ
キノリン)、6−エトキシ−1,2−ジヒドロ−2,
2,4−トリメチルキノリン、N,N’−ジフェニル−
p−フェニレンジアミン、N−フェニル−N’−(1,
3−ジメチルブチル)−p−フェニレンジアミン、N−
フェニル−N’−(3−メタクリルオキシ−2−ヒドロ
キシプロピル)−p−フェニレンジアミン、チオジフェ
ニルアミン、p−アミノジフェニルアミン、N−サリシ
ロイル−N’−アルデヒドヒドラジン、N−サリシロイ
ル−N’−アセチルヒドラジン、N,N’−ジフェニル
−オキサミド、N,N’−ジ(2−ヒドロキシフェニ
ル)オキサミド、6−エトキシ−2,2,4−トリメチ
ル−1,2−ジヒドロキノリン、N−フェニル−N’−
イソプロピル−p−フェニレンジアミン等が挙げられ
る。上記−NH−基を有しかつ10,000未満の分子量
を有する有機化合物は、本発明のポリスチレン系延伸フ
ィルム中に、必要に応じて、30重量%未満の量で含有
される。
【0017】本発明に係るポリスチレン系延伸フィルム
は、高度のシンジオタクチック構造を有するスチレン系
重合体を70〜100重量%含有するスチレン系樹脂組
成物からなる延伸フィルムであって、少なくとも一方の
表面に該スチレン系重合体からなる直径0.2〜5.0μ
m、好ましくは直径0.2〜4.0μmの突起を有する。突
起を有さない延伸フィルムでは、フィルムに表面傷が発
生し、また絶縁破壊の不良が生じるので好ましくない。
また、突起が0.2μmより小さい場合には、滑り性が不
十分であり、突起が5.0μmより大きい場合には延伸時
に破断することがあり好ましくない。また、本発明に係
るポリスチレン系延伸フィルムは、上記突起が1000
0μm2 中に好ましくは10個以上、より好ましくは5
0個以上であり、動摩擦係数が好ましくは0.7以下、よ
り好ましくは0.6以下である。上記突起が10000μ
m2 中に10個より小さい場合には、滑り性が不十分で
あり好ましくない。動摩擦係数が0.7より大きい場合に
も、滑り性が不十分であり好ましくない。さらに、本発
明のポリスチレン系延伸フィルムが上記物性を有さない
場合には、蒸着やラミネート等の二次加工適性が不十分
となり、フィルム表面傷が発生したり、絶縁破壊が不十
分となり好ましくない。なお、延伸フィルムについての
上記物性は、例えば下記の評価により測定できる。即
ち、延伸フィルムの表面を走査型電子顕微鏡等で、表面
傷の有無及び突起を観察する。また、フィルム表面の突
起に相当する部分の材料については、加熱装置付偏光顕
微鏡等により昇温しながら偏光部分を観察することによ
り、突起部の融点を測定することなどにより確認でき
る。このような物性を有する本発明に係るポリスチレン
系延伸フィルムは、滑り性に優れ、表面傷が低減し、ま
た絶縁破壊電圧が低下しない等の優れた性能を有する。
は、高度のシンジオタクチック構造を有するスチレン系
重合体を70〜100重量%含有するスチレン系樹脂組
成物からなる延伸フィルムであって、少なくとも一方の
表面に該スチレン系重合体からなる直径0.2〜5.0μ
m、好ましくは直径0.2〜4.0μmの突起を有する。突
起を有さない延伸フィルムでは、フィルムに表面傷が発
生し、また絶縁破壊の不良が生じるので好ましくない。
また、突起が0.2μmより小さい場合には、滑り性が不
十分であり、突起が5.0μmより大きい場合には延伸時
に破断することがあり好ましくない。また、本発明に係
るポリスチレン系延伸フィルムは、上記突起が1000
0μm2 中に好ましくは10個以上、より好ましくは5
0個以上であり、動摩擦係数が好ましくは0.7以下、よ
り好ましくは0.6以下である。上記突起が10000μ
m2 中に10個より小さい場合には、滑り性が不十分で
あり好ましくない。動摩擦係数が0.7より大きい場合に
も、滑り性が不十分であり好ましくない。さらに、本発
明のポリスチレン系延伸フィルムが上記物性を有さない
場合には、蒸着やラミネート等の二次加工適性が不十分
となり、フィルム表面傷が発生したり、絶縁破壊が不十
分となり好ましくない。なお、延伸フィルムについての
上記物性は、例えば下記の評価により測定できる。即
ち、延伸フィルムの表面を走査型電子顕微鏡等で、表面
傷の有無及び突起を観察する。また、フィルム表面の突
起に相当する部分の材料については、加熱装置付偏光顕
微鏡等により昇温しながら偏光部分を観察することによ
り、突起部の融点を測定することなどにより確認でき
る。このような物性を有する本発明に係るポリスチレン
系延伸フィルムは、滑り性に優れ、表面傷が低減し、ま
た絶縁破壊電圧が低下しない等の優れた性能を有する。
【0018】次に、本発明のポリスチレン系延伸フィル
ムの製造方法について説明する。本発明に係るポリスチ
レン系延伸フィルムは、種々の方法によって製造するこ
とができるが、優れた滑り性等を有し、二次加工等にも
好適な延伸フィルムを得るには、以下の方法によること
が好ましい。本発明で用いられるスチレン系樹脂組成物
は、任意の方法、即ち従来の熱可塑性樹脂に用いられて
いる種々の方法で製造することができ、例えば、(A)
前記スチレン系重合体成分と(B)スチレン系重合体以
外の成分を混合し押出機等で溶融混練する方法、(A)
成分の押出工程のいずれかの段階で(B)成分を添加す
る方法、(A)成分の製造工程のいずれかの段階で
(B)成分を添加する方法、(A)成分と(B)成分を
混合した材料と(A)成分を溶融混練する方法等が適用
可能である。このようなスチレン系樹脂組成物を用いて
本発明の延伸フィルムを製造する場合、その方法は特に
制限されないが、例えばこれらの材料を溶融加熱後、冷
却すること及び/又は冷却後加熱することにより予備成
形体を成形し、次いで2軸延伸、熱処理することにより
製造することができる。
ムの製造方法について説明する。本発明に係るポリスチ
レン系延伸フィルムは、種々の方法によって製造するこ
とができるが、優れた滑り性等を有し、二次加工等にも
好適な延伸フィルムを得るには、以下の方法によること
が好ましい。本発明で用いられるスチレン系樹脂組成物
は、任意の方法、即ち従来の熱可塑性樹脂に用いられて
いる種々の方法で製造することができ、例えば、(A)
前記スチレン系重合体成分と(B)スチレン系重合体以
外の成分を混合し押出機等で溶融混練する方法、(A)
成分の押出工程のいずれかの段階で(B)成分を添加す
る方法、(A)成分の製造工程のいずれかの段階で
(B)成分を添加する方法、(A)成分と(B)成分を
混合した材料と(A)成分を溶融混練する方法等が適用
可能である。このようなスチレン系樹脂組成物を用いて
本発明の延伸フィルムを製造する場合、その方法は特に
制限されないが、例えばこれらの材料を溶融加熱後、冷
却すること及び/又は冷却後加熱することにより予備成
形体を成形し、次いで2軸延伸、熱処理することにより
製造することができる。
【0019】上記加熱溶融から熱固定までの操作を具体
例で説明すれば、次の通りである。まず、上述の如く得
られたスチレン系重合体を成形素材として、これを通常
は押出成形して、予備成形体とする。この成形にあって
は、上記成形素材の加熱溶融したものを押出成形機にて
所定形状に成形するのが一般的であるが、成形素材を加
熱溶融させずに、軟化した状態で成形してもよい。ここ
で用いる押出成形機は、一軸押出成形機,二軸押出成形
機のいずれでもよく、またベント付き,ベント無しのい
ずれでもよい。なお、押出機には適当なフィルターを使
用すれば、夾雑物や異物を除去することができる。また
フィルターの形状は、平板状,円筒状等適当に選定して
使用することができる。またここで押出条件は、特に制
限はなく、種々の状況に応じて適宜選定すればよいが、
好ましくは温度を成形素材の融点〜分解温度より50℃
高い温度の範囲で選定し、剪断応力を5×106 dyne/
cm2 以下とする。用いるダイはT−ダイ,円環ダイ等を
あげることができる。
例で説明すれば、次の通りである。まず、上述の如く得
られたスチレン系重合体を成形素材として、これを通常
は押出成形して、予備成形体とする。この成形にあって
は、上記成形素材の加熱溶融したものを押出成形機にて
所定形状に成形するのが一般的であるが、成形素材を加
熱溶融させずに、軟化した状態で成形してもよい。ここ
で用いる押出成形機は、一軸押出成形機,二軸押出成形
機のいずれでもよく、またベント付き,ベント無しのい
ずれでもよい。なお、押出機には適当なフィルターを使
用すれば、夾雑物や異物を除去することができる。また
フィルターの形状は、平板状,円筒状等適当に選定して
使用することができる。またここで押出条件は、特に制
限はなく、種々の状況に応じて適宜選定すればよいが、
好ましくは温度を成形素材の融点〜分解温度より50℃
高い温度の範囲で選定し、剪断応力を5×106 dyne/
cm2 以下とする。用いるダイはT−ダイ,円環ダイ等を
あげることができる。
【0020】本発明の表面状態のフィルムを得るために
は、延伸用予備成形体中に球晶を発生させることが好ま
しく、材料の結晶化速度、予備成形体の厚み、冷却方法
により、適宜種々の方法を選定すれば良い。例えば、
溶融スチレン系樹脂組成物を冷却後、加熱して球晶を生
成させる方法、溶融スチレン系樹脂組成物を冷却過程
で球晶を生成させる方法、などが挙げられる。溶融スチ
レン系樹脂組成物を冷却固化する場合の温度は、通常は
0℃〜該材料のガラス転移温度より30℃高い温度の範
囲、好ましくはガラス転移温度より70℃低い温度〜ガ
ラス転移温度の範囲である。また冷却後、加熱する際の
温度は、120℃〜250℃の範囲で適宜選定できる
が、好ましくは130℃〜240℃の範囲である。な
お、冷却過程において球晶を生成させる方法において、
片面のみ急冷することにより反急冷面近傍にのみ球晶を
生成させることも可能であり、延伸後一方の片面のみ突
起を有し、他方の片面は平滑であるフィルムを得ること
もできる。これらの冷却、加熱の媒体は、温度制御され
た気体,液体,金属・セラミックスのロール等を用いる
ことができる。なお、金属ロールを用いる場合、静電ピ
ニング,エアナイフ,エアチャンバー,タッチロール等
を用いて熱伝達効率を制御するとともに、厚みムラや波
うちを防止することも可能である。ここで得られる延伸
用予備成形体の平均結晶化度は25%以下が好ましく、
また高倍率の偏光顕微鏡で球晶の存在が確認可能なもの
が好ましい。ここで、平均結晶化度が25%を越えると
延伸時に破断したり、本発明の表面状態のフィルムが得
られ難い。また、延伸用予備成形体球晶が存在しない場
合は、延伸後のフィルム表面において球晶により突起が
形成しない場合がある。
は、延伸用予備成形体中に球晶を発生させることが好ま
しく、材料の結晶化速度、予備成形体の厚み、冷却方法
により、適宜種々の方法を選定すれば良い。例えば、
溶融スチレン系樹脂組成物を冷却後、加熱して球晶を生
成させる方法、溶融スチレン系樹脂組成物を冷却過程
で球晶を生成させる方法、などが挙げられる。溶融スチ
レン系樹脂組成物を冷却固化する場合の温度は、通常は
0℃〜該材料のガラス転移温度より30℃高い温度の範
囲、好ましくはガラス転移温度より70℃低い温度〜ガ
ラス転移温度の範囲である。また冷却後、加熱する際の
温度は、120℃〜250℃の範囲で適宜選定できる
が、好ましくは130℃〜240℃の範囲である。な
お、冷却過程において球晶を生成させる方法において、
片面のみ急冷することにより反急冷面近傍にのみ球晶を
生成させることも可能であり、延伸後一方の片面のみ突
起を有し、他方の片面は平滑であるフィルムを得ること
もできる。これらの冷却、加熱の媒体は、温度制御され
た気体,液体,金属・セラミックスのロール等を用いる
ことができる。なお、金属ロールを用いる場合、静電ピ
ニング,エアナイフ,エアチャンバー,タッチロール等
を用いて熱伝達効率を制御するとともに、厚みムラや波
うちを防止することも可能である。ここで得られる延伸
用予備成形体の平均結晶化度は25%以下が好ましく、
また高倍率の偏光顕微鏡で球晶の存在が確認可能なもの
が好ましい。ここで、平均結晶化度が25%を越えると
延伸時に破断したり、本発明の表面状態のフィルムが得
られ難い。また、延伸用予備成形体球晶が存在しない場
合は、延伸後のフィルム表面において球晶により突起が
形成しない場合がある。
【0021】冷却,固化した延伸用予備成形シートは二
軸延伸の場合は縦方向及び横方向に同時に延伸してもよ
いが、任意の順序で逐次延伸してもよい。また延伸は一
段で行ってもよく、多段で行ってもよい。この延伸倍率
は面積比で2倍以上、好ましくは3倍以上である。この
範囲の延伸倍率であると、物性の好ましい延伸フィルム
が得られる。ここで延伸方法としては、テンターによる
方法,ロール間で延伸する方法,気体圧力を利用してバ
ブリングによる方法,圧延による方法など種々のものが
使用でき、これらを適当に選定あるいは組み合わせて適
用すればよい。延伸温度は、一般には予備成形体のガラ
ス転移温度(Tg)と冷結晶化温度(TCC)の間で設定
すればよい。延伸温度が冷結晶化温度を超えると、良好
な表面状態の延伸フィルムを得ることが困難となる。ま
た延伸速度は、通常は1×10〜1×105 %/分、好
ましくは1×103 〜1×105 %/分である。上述の
如き条件で延伸して得られた延伸フィルムに、さらに高
温時の寸法安定性,耐熱性,フィルム面内の強度バラン
スが要求される場合などには、さらに熱固定を行うこと
が好ましい。熱固定は、通常行われている方法で行うこ
とができるが、この延伸フィルムを緊張状態,弛緩状態
あるいは制限収縮状態の下で、該フィルムのガラス転移
温度〜融点、好ましくは融点より100℃低い温度〜融
点直前の温度範囲にて、0.5〜120秒間保持すること
によって行えばよい。なお、この熱固定は、上記範囲内
で条件を変えて二回以上行うことも可能である。また、
この熱固定はアルゴンガス,窒素ガスなどの不活性ガス
雰囲気下で行っても良い。このような製造方法によれ
ば、優れた滑り性等を有し、二次加工等にも好適な本発
明に係るポリスチレン系延伸フィルムを効率良く確実に
製造することができる。
軸延伸の場合は縦方向及び横方向に同時に延伸してもよ
いが、任意の順序で逐次延伸してもよい。また延伸は一
段で行ってもよく、多段で行ってもよい。この延伸倍率
は面積比で2倍以上、好ましくは3倍以上である。この
範囲の延伸倍率であると、物性の好ましい延伸フィルム
が得られる。ここで延伸方法としては、テンターによる
方法,ロール間で延伸する方法,気体圧力を利用してバ
ブリングによる方法,圧延による方法など種々のものが
使用でき、これらを適当に選定あるいは組み合わせて適
用すればよい。延伸温度は、一般には予備成形体のガラ
ス転移温度(Tg)と冷結晶化温度(TCC)の間で設定
すればよい。延伸温度が冷結晶化温度を超えると、良好
な表面状態の延伸フィルムを得ることが困難となる。ま
た延伸速度は、通常は1×10〜1×105 %/分、好
ましくは1×103 〜1×105 %/分である。上述の
如き条件で延伸して得られた延伸フィルムに、さらに高
温時の寸法安定性,耐熱性,フィルム面内の強度バラン
スが要求される場合などには、さらに熱固定を行うこと
が好ましい。熱固定は、通常行われている方法で行うこ
とができるが、この延伸フィルムを緊張状態,弛緩状態
あるいは制限収縮状態の下で、該フィルムのガラス転移
温度〜融点、好ましくは融点より100℃低い温度〜融
点直前の温度範囲にて、0.5〜120秒間保持すること
によって行えばよい。なお、この熱固定は、上記範囲内
で条件を変えて二回以上行うことも可能である。また、
この熱固定はアルゴンガス,窒素ガスなどの不活性ガス
雰囲気下で行っても良い。このような製造方法によれ
ば、優れた滑り性等を有し、二次加工等にも好適な本発
明に係るポリスチレン系延伸フィルムを効率良く確実に
製造することができる。
【0023】
【実施例】以下に、本発明を実施例によりさらに具体的
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限
定されるものではない。 参考例1 アルゴン置換した内容積500ミリリットルのガラス製
容器に、硫酸銅5水塩( Cu SO4 ・5H2 O)17g
(71ミリモル),トルエン200ミリリットル及びトリ
メチルアルミニウム24ミリリットル(250ミリモ
ル)を入れ、40℃で8時間反応させた。その後、固体
部分を除去して接触生成物 6. 7gを得た。このものの
凝固点降下法によって測定した分子量は610であっ
た。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限
定されるものではない。 参考例1 アルゴン置換した内容積500ミリリットルのガラス製
容器に、硫酸銅5水塩( Cu SO4 ・5H2 O)17g
(71ミリモル),トルエン200ミリリットル及びトリ
メチルアルミニウム24ミリリットル(250ミリモ
ル)を入れ、40℃で8時間反応させた。その後、固体
部分を除去して接触生成物 6. 7gを得た。このものの
凝固点降下法によって測定した分子量は610であっ
た。
【0024】製造例1 シンジオタクチック構造を有
するスチレン系重合体の製造 内容積2リットルの反応容器に、上記参考例1で得られ
た接触生成物をアルミニウム原子として7.5ミリモル,
トリイソブチルアルミニウムを7.5ミリモル,ペンタ
メチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシドを
0. 038ミリモル及び精製スチレンを1リットルと
り、90℃で5時間重合反応を行った。反応終了後、水
酸化ナトリウムのメタノール溶液で触媒成分を分解後、
生成物をメタノールで繰り返し洗浄し、乾燥して重合体
466gを得た。得られた重合体の重量平均分子量を1,
2,4−トリクロロベンゼンを溶媒として、130℃で
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定した
ところ290,000であり、また重量平均分子量/数平
均分子量は2.72であった。更に融点及び13C−NMR
の測定により、得られた重合体はシンジオタクチック構
造のポリスチレンであることが確認された。
するスチレン系重合体の製造 内容積2リットルの反応容器に、上記参考例1で得られ
た接触生成物をアルミニウム原子として7.5ミリモル,
トリイソブチルアルミニウムを7.5ミリモル,ペンタ
メチルシクロペンタジエニルチタントリメトキシドを
0. 038ミリモル及び精製スチレンを1リットルと
り、90℃で5時間重合反応を行った。反応終了後、水
酸化ナトリウムのメタノール溶液で触媒成分を分解後、
生成物をメタノールで繰り返し洗浄し、乾燥して重合体
466gを得た。得られた重合体の重量平均分子量を1,
2,4−トリクロロベンゼンを溶媒として、130℃で
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定した
ところ290,000であり、また重量平均分子量/数平
均分子量は2.72であった。更に融点及び13C−NMR
の測定により、得られた重合体はシンジオタクチック構
造のポリスチレンであることが確認された。
【0025】実施例1 製造例1の様にして得られたシンジオタクチック構造の
スチレン系重合体を300℃で溶融押出後、ペレットと
した。得られたペレットを濾過精度5μmの溶融フィル
ターを取り付けた押出機にて、溶融押出し静電ピニング
法にて50℃の冷却ロールに密着させて急冷し、厚さ1
00μmの非晶性予備成形シートを作成した。この非晶
性予備成形シートを170℃で30秒間加熱処理し、延
伸用予備成形シートを得た。加熱前後のこれらシートの
結晶の有無を400倍の偏光顕微鏡で観察した。観察の
結果、加熱後の延伸用予備成形シート中には結晶が存在
しており、示差走査熱量計(DSC)により測定した結
晶化度は20%であった。この加熱処理した延伸用予備
成形シートを連続的に、縦方向には110℃で3倍に、
横方向には125℃で3倍にそれぞれ延伸し、240℃
で熱処理を施し、厚さ約7μmの延伸フィルムを得た。
この得られた延伸フィルムの二次加工適正を判断するた
めに、巻取り直前にゴム性ロールを取り付けて、荷重5
kgf で巻取り、白粉の発生を観察した。得られた延伸フ
ィルムの表面を走査型電子顕微鏡にて表面傷の有無及び
突起を観察した。また、動摩擦係数をASTM D-1984 法、
絶縁破壊電圧をJIS C-2318法に準拠して測定した。その
結果を第1表に示す。また、走査型電子顕微鏡による延
伸フィルムの表面写真を図1に示す。なお、得られたフ
ィルムを加熱装置付偏光顕微鏡により、昇温しながらフ
ィルム表面の突起部に相当する部分を偏光下で観察した
ところ、SPSの融点である270℃付近で融解した。
スチレン系重合体を300℃で溶融押出後、ペレットと
した。得られたペレットを濾過精度5μmの溶融フィル
ターを取り付けた押出機にて、溶融押出し静電ピニング
法にて50℃の冷却ロールに密着させて急冷し、厚さ1
00μmの非晶性予備成形シートを作成した。この非晶
性予備成形シートを170℃で30秒間加熱処理し、延
伸用予備成形シートを得た。加熱前後のこれらシートの
結晶の有無を400倍の偏光顕微鏡で観察した。観察の
結果、加熱後の延伸用予備成形シート中には結晶が存在
しており、示差走査熱量計(DSC)により測定した結
晶化度は20%であった。この加熱処理した延伸用予備
成形シートを連続的に、縦方向には110℃で3倍に、
横方向には125℃で3倍にそれぞれ延伸し、240℃
で熱処理を施し、厚さ約7μmの延伸フィルムを得た。
この得られた延伸フィルムの二次加工適正を判断するた
めに、巻取り直前にゴム性ロールを取り付けて、荷重5
kgf で巻取り、白粉の発生を観察した。得られた延伸フ
ィルムの表面を走査型電子顕微鏡にて表面傷の有無及び
突起を観察した。また、動摩擦係数をASTM D-1984 法、
絶縁破壊電圧をJIS C-2318法に準拠して測定した。その
結果を第1表に示す。また、走査型電子顕微鏡による延
伸フィルムの表面写真を図1に示す。なお、得られたフ
ィルムを加熱装置付偏光顕微鏡により、昇温しながらフ
ィルム表面の突起部に相当する部分を偏光下で観察した
ところ、SPSの融点である270℃付近で融解した。
【0026】実施例2 実施例1において、厚さ40μmの非晶性予備成形シー
トを作成し、160℃で30秒間加熱処理して延伸用予
備成形シートとしたこと以外は、実施例1と同様にして
延伸フィルムを得た。そして、実施例1と同様の評価を
行った。結果を第1表に示す。また、走査型電子顕微鏡
による延伸フィルムの表面写真を図2に示す。
トを作成し、160℃で30秒間加熱処理して延伸用予
備成形シートとしたこと以外は、実施例1と同様にして
延伸フィルムを得た。そして、実施例1と同様の評価を
行った。結果を第1表に示す。また、走査型電子顕微鏡
による延伸フィルムの表面写真を図2に示す。
【0026】実施例3 実施例1において、厚さ300μmの非晶性予備成形シ
ートを作成し、180℃で20秒間加熱処理して延伸用
予備成形シートとしたこと以外は、実施例1と同様にし
て延伸フィルムを得た。そして、実施例1と同様の評価
を行った。結果を第1表に示す。また、走査型電子顕微
鏡による延伸フィルムの表面写真を図3に示す。
ートを作成し、180℃で20秒間加熱処理して延伸用
予備成形シートとしたこと以外は、実施例1と同様にし
て延伸フィルムを得た。そして、実施例1と同様の評価
を行った。結果を第1表に示す。また、走査型電子顕微
鏡による延伸フィルムの表面写真を図3に示す。
【0027】比較例1 実施例1において、非晶性予備成形シートを加熱処理せ
ずに、延伸及び延伸後の熱処理をしたこと以外は、実施
例1と同様にして延伸フィルムを得た。そして、実施例
1と同様の評価を行った。結果を第1表に示す。また、
走査型電子顕微鏡による延伸フィルムの表面写真を図4
に示す。
ずに、延伸及び延伸後の熱処理をしたこと以外は、実施
例1と同様にして延伸フィルムを得た。そして、実施例
1と同様の評価を行った。結果を第1表に示す。また、
走査型電子顕微鏡による延伸フィルムの表面写真を図4
に示す。
【0028】比較例2 比較例1において、製造例で得られた上記スチレン系重
合体に直径0.8μmの球状シリカを0.15重量%添加し
たこと以外は、比較例1と同様にして延伸フィルムを得
た。そして、実施例1と同様の評価を行った。結果を第
1表に示す。
合体に直径0.8μmの球状シリカを0.15重量%添加し
たこと以外は、比較例1と同様にして延伸フィルムを得
た。そして、実施例1と同様の評価を行った。結果を第
1表に示す。
【0029】
【表1】
【0030】
【発明の効果】以上詳細に述べたように、本発明に係る
ポリスチレン系延伸フィルムは、滑り性に優れ、表面傷
が低減し、また絶縁破壊電圧を低下させず、一方で端材
の再利用を可能にすべくアンチブロッキング剤が無添加
あるいは添加量が少ない等の優れた特性を有する。この
ような本発明のポリスチレン系延伸フィルムは、コンデ
ンサー,FPC電絶用フィルム,写真用フィルム,製版
用フィルム,OHP等の光学フィルム,包装用フィルム
などに好適に用いることができ、工業的利用価値は極め
て大きい。
ポリスチレン系延伸フィルムは、滑り性に優れ、表面傷
が低減し、また絶縁破壊電圧を低下させず、一方で端材
の再利用を可能にすべくアンチブロッキング剤が無添加
あるいは添加量が少ない等の優れた特性を有する。この
ような本発明のポリスチレン系延伸フィルムは、コンデ
ンサー,FPC電絶用フィルム,写真用フィルム,製版
用フィルム,OHP等の光学フィルム,包装用フィルム
などに好適に用いることができ、工業的利用価値は極め
て大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例1において、得られた延伸フィルムの
走査型電子顕微鏡による表面写真(1000倍)であ
る。
走査型電子顕微鏡による表面写真(1000倍)であ
る。
【図2】 実施例2において、得られた延伸フィルムの
走査型電子顕微鏡による表面写真(1000倍)であ
る。
走査型電子顕微鏡による表面写真(1000倍)であ
る。
【図3】 実施例3において、得られた延伸フィルムの
走査型電子顕微鏡による表面写真(1000倍)であ
る。
走査型電子顕微鏡による表面写真(1000倍)であ
る。
【図4】 比較例1において、得られた延伸フィルムの
走査型電子顕微鏡による表面写真(1000倍)であ
る。
走査型電子顕微鏡による表面写真(1000倍)であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B29L 7:00
Claims (4)
- 【請求項1】 高度のシンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体を70〜100重量%含有するスチレ
ン系樹脂組成物からなる延伸フィルムであって、少なく
とも一方の表面に該スチレン系重合体からなる直径0.2
〜5.0μmの突起を有することを特徴とするポリスチレ
ン系延伸フィルム。 - 【請求項2】 前記突起が10000μm2 中に10個
以上であることを特徴とする請求項1記載のポリスチレ
ン系延伸フィルム。 - 【請求項3】 動摩擦係数が0.7以下であることを特徴
とする請求項1又は2記載のポリスチレン系延伸フィル
ム。 - 【請求項4】 高度のシンジオタクチック構造を有する
スチレン系重合体を70〜100重量%含有するスチレ
ン系樹脂組成物からなり、平均結晶化度25%以下で且
つ球晶の存在する予備成形体を、2軸延伸、熱処理する
ことを特徴とするポリスチレン系延伸フィルムの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1994895A JPH08187779A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | ポリスチレン系延伸フィルム及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1994895A JPH08187779A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | ポリスチレン系延伸フィルム及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08187779A true JPH08187779A (ja) | 1996-07-23 |
Family
ID=12013436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1994895A Pending JPH08187779A (ja) | 1995-01-13 | 1995-01-13 | ポリスチレン系延伸フィルム及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08187779A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000309020A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-11-07 | Sekisui Chem Co Ltd | 延伸成形用ポリエチレン原反シート及び延伸ポリエチレンシートの製造方法 |
| JP2013241626A (ja) * | 2013-08-30 | 2013-12-05 | Teijin Ltd | 高絶縁性フィルム |
-
1995
- 1995-01-13 JP JP1994895A patent/JPH08187779A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000309020A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-11-07 | Sekisui Chem Co Ltd | 延伸成形用ポリエチレン原反シート及び延伸ポリエチレンシートの製造方法 |
| JP2013241626A (ja) * | 2013-08-30 | 2013-12-05 | Teijin Ltd | 高絶縁性フィルム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040401 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040427 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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