JPH08201855A - エレクトロクロミックミラーの製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミックミラーの製造方法Info
- Publication number
- JPH08201855A JPH08201855A JP7010680A JP1068095A JPH08201855A JP H08201855 A JPH08201855 A JP H08201855A JP 7010680 A JP7010680 A JP 7010680A JP 1068095 A JP1068095 A JP 1068095A JP H08201855 A JPH08201855 A JP H08201855A
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- Japan
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- mirror
- substrate
- transparent electrode
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- Pending
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐久性の高いＥＣミラーの簡便な製造方法を
提供する。 【構成】 反射基板(7) 上にエレクトロクロミック層(1
5)を形成し、次いでこのエレクトロクロミック層(15)上
に透明電極(2) を形成することを特徴とする、エレクト
ロクロミックミラーの製造方法。
提供する。 【構成】 反射基板(7) 上にエレクトロクロミック層(1
5)を形成し、次いでこのエレクトロクロミック層(15)上
に透明電極(2) を形成することを特徴とする、エレクト
ロクロミックミラーの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エレクトロクロミック
ミラーの製造方法に関する。
ミラーの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロクロミズムとは、電流あるい
は電場を印加することにより電気化学的酸化還元によっ
て物質の光の吸収が変化し、可逆的にこの物質が着色あ
るいは色変化する現象をいう。この現象を示す物質をエ
レクトロクロミック（ＥＣ）物質といい、この変化を電
気化学的に操作し、ＥＣ物質の色を変化させるものがＥ
Ｃ素子である。
は電場を印加することにより電気化学的酸化還元によっ
て物質の光の吸収が変化し、可逆的にこの物質が着色あ
るいは色変化する現象をいう。この現象を示す物質をエ
レクトロクロミック（ＥＣ）物質といい、この変化を電
気化学的に操作し、ＥＣ物質の色を変化させるものがＥ
Ｃ素子である。
【０００３】ＥＣ物質の具体例としては、アルカリハラ
イド（例えばＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ）及び遷移金属
酸化物（例えばＷＯ3 、ＭｏＯ3 、ＴｉＯ2 ）等の固体
系並びにビオロゲン化合物等の液体系物質が知られてい
る。
イド（例えばＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ）及び遷移金属
酸化物（例えばＷＯ3 、ＭｏＯ3 、ＴｉＯ2 ）等の固体
系並びにビオロゲン化合物等の液体系物質が知られてい
る。
【０００４】遷移金属酸化物として、現在三酸化タング
ステン（ＷＯ3 ）が多く用いられている。この三酸化タ
ングステンは還元されると、無色から青色に変化する。
そこでこの三酸化タングステンを透明電極上に薄膜とし
て成形し、電気化学セルを組立て、三酸化タングステン
をマイナスに電圧を印加すると、三酸化タングステンの
膜が青色を呈し、極性を逆転させると無色透明になる。
これをガラスに応用すると、電圧操作によってガラスの
光透過率を任意に制御することのできるＥＣガラス（調
光ガラス）が得られる。また、このＥＣガラスにおい
て、透明電極の一方にアルミニウムのような反射性のも
のを用いることにより、反射率を電圧操作によって切り
換えることのできるＥＣミラーが得られる。
ステン（ＷＯ3 ）が多く用いられている。この三酸化タ
ングステンは還元されると、無色から青色に変化する。
そこでこの三酸化タングステンを透明電極上に薄膜とし
て成形し、電気化学セルを組立て、三酸化タングステン
をマイナスに電圧を印加すると、三酸化タングステンの
膜が青色を呈し、極性を逆転させると無色透明になる。
これをガラスに応用すると、電圧操作によってガラスの
光透過率を任意に制御することのできるＥＣガラス（調
光ガラス）が得られる。また、このＥＣガラスにおい
て、透明電極の一方にアルミニウムのような反射性のも
のを用いることにより、反射率を電圧操作によって切り
換えることのできるＥＣミラーが得られる。
【０００５】従来のＥＣミラーにおいては、電極に外部
電源を供給するため取り出し部が設けられており、この
取り出し部は封止されることなく露出しているためその
剥離又は金属電極の腐食等の問題があった。このような
問題を解決するため、実公平５−5536号公報において、
図２に示すようなＥＣミラーが考案された。図２におい
て、７は反射基板、５は還元着色性ＥＣ層、４はイオン
導電層、３は可逆的電解酸化層、２は透明電極をそれぞ
れ示す。これらは基板１１上に透明電極（ＩＴＯ）、可
逆的電解酸化層（ＩｒＯx ) 、イオン導電層（Ｔａ2 Ｏ
5)、還元着色性ＥＣ層（ＷＯ3)及び反射基板（Ａｌ）を
順に積層した後、各電極の少なくとも一部を除いて上面
を封止材１２及び封止基板１４を取付けることにより製
造される。このようにクリップを取付け、これを介して
外部配線を接続することにより金属電極の端面を封止す
ることにより上記の問題の解決を試みている。
電源を供給するため取り出し部が設けられており、この
取り出し部は封止されることなく露出しているためその
剥離又は金属電極の腐食等の問題があった。このような
問題を解決するため、実公平５−5536号公報において、
図２に示すようなＥＣミラーが考案された。図２におい
て、７は反射基板、５は還元着色性ＥＣ層、４はイオン
導電層、３は可逆的電解酸化層、２は透明電極をそれぞ
れ示す。これらは基板１１上に透明電極（ＩＴＯ）、可
逆的電解酸化層（ＩｒＯx ) 、イオン導電層（Ｔａ2 Ｏ
5)、還元着色性ＥＣ層（ＷＯ3)及び反射基板（Ａｌ）を
順に積層した後、各電極の少なくとも一部を除いて上面
を封止材１２及び封止基板１４を取付けることにより製
造される。このようにクリップを取付け、これを介して
外部配線を接続することにより金属電極の端面を封止す
ることにより上記の問題の解決を試みている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｅ
Ｃミラーの製造において、ＩＴＯ成膜、ＩｒＯx 成膜、
Ｔａ2 Ｏ5 成膜、ＷＯ3 成膜、及びＡｌ成膜の各成膜工
程は真空中において行わねばならず、真空引きの時間、
真空設備を作動させる電力等において必ずしも生産性は
十分ではなかった。
Ｃミラーの製造において、ＩＴＯ成膜、ＩｒＯx 成膜、
Ｔａ2 Ｏ5 成膜、ＷＯ3 成膜、及びＡｌ成膜の各成膜工
程は真空中において行わねばならず、真空引きの時間、
真空設備を作動させる電力等において必ずしも生産性は
十分ではなかった。
【０００７】本発明は、上記の従来のＥＣミラーの問題
点を解決し、生産性に優れたＥＣミラーの改良された製
造方法を提供することを目的とする。
点を解決し、生産性に優れたＥＣミラーの改良された製
造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のエレクトロクロ
ミックミラーの製造方法は、反射基板上にエレクトロク
ロミック層を形成し、次いでこのエレクトロクロミック
層上に透明電極を形成することを特徴とするものであ
る。
ミックミラーの製造方法は、反射基板上にエレクトロク
ロミック層を形成し、次いでこのエレクトロクロミック
層上に透明電極を形成することを特徴とするものであ
る。
【０００９】
【作用】本発明の方法は、従来の方法とは逆に、反射基
板上から各層を成膜するため封止基板を必要とせず、従
って従来方法よりも成膜工程が少なくてすみ、生産性に
おいて優れている。
板上から各層を成膜するため封止基板を必要とせず、従
って従来方法よりも成膜工程が少なくてすみ、生産性に
おいて優れている。
【００１０】
【実施例】本発明の方法により製造されるＥＣミラーを
図１に示す。まず、反射基板７の上にＥＣ層１５を形成
する。この反射基板は電極としても機能し、例えば金、
銀、アルミニウム、クロム、錫、亜鉛、ニッケル、ルテ
ニウム、ロジウム、ステンレス等の金属を使用すること
ができる。ＥＣ層は通常用いられる積層構造であってよ
く、特に限定はされないが、還元着色性ＥＣ層／イオン
導電層、又は還元着色性ＥＣ層／イオン導電層／可逆的
電解酸化層等が例示される。
図１に示す。まず、反射基板７の上にＥＣ層１５を形成
する。この反射基板は電極としても機能し、例えば金、
銀、アルミニウム、クロム、錫、亜鉛、ニッケル、ルテ
ニウム、ロジウム、ステンレス等の金属を使用すること
ができる。ＥＣ層は通常用いられる積層構造であってよ
く、特に限定はされないが、還元着色性ＥＣ層／イオン
導電層、又は還元着色性ＥＣ層／イオン導電層／可逆的
電解酸化層等が例示される。
【００１１】還元着色性ＥＣ層としては、遷移金属酸化
物、例えばＷＯ3 、ＭｏＯ3 、ＴｉＯ2 等を使用するこ
とができる。イオン導電層としては、例えば酸化珪素、
酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニ
オブ、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム等を使用
することができる。このイオン導電層は、電子に対して
は絶縁体であるが、プロトン及びヒドロキシイオンに対
しては良導体である。
物、例えばＷＯ3 、ＭｏＯ3 、ＴｉＯ2 等を使用するこ
とができる。イオン導電層としては、例えば酸化珪素、
酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニ
オブ、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム等を使用
することができる。このイオン導電層は、電子に対して
は絶縁体であるが、プロトン及びヒドロキシイオンに対
しては良導体である。
【００１２】図１では、反射基板７上にまず還元着色性
ＥＣ層５を形成し、次いでイオン導電層４を形成してい
るが、この還元着色性ＥＣ層とイオン導電層は、どちら
を上にしても下にしてもよい。さらに、図１に示すよう
に、前記還元着色性ＥＣ層に対して、前記イオン導電層
を挟んで可逆的電解酸化層３を設けてもよい。可逆的電
解酸化層としては、例えば酸化イリジウム、酸化ニッケ
ル、酸化クロム、酸化バナジウム等を用いることができ
る。これらの物質は電極又はイオン導電層中に分散させ
てもよい。
ＥＣ層５を形成し、次いでイオン導電層４を形成してい
るが、この還元着色性ＥＣ層とイオン導電層は、どちら
を上にしても下にしてもよい。さらに、図１に示すよう
に、前記還元着色性ＥＣ層に対して、前記イオン導電層
を挟んで可逆的電解酸化層３を設けてもよい。可逆的電
解酸化層としては、例えば酸化イリジウム、酸化ニッケ
ル、酸化クロム、酸化バナジウム等を用いることができ
る。これらの物質は電極又はイオン導電層中に分散させ
てもよい。
【００１３】次いで、こうして形成したＥＣ層１５の上
に透明電極２を形成する。透明電極としては、例えばＳ
ｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＩＴＯ（ＳｎＯ2 とＩｎ2 Ｏ3 の
混合物）、ＺｎＯ等を用いることができる。
に透明電極２を形成する。透明電極としては、例えばＳ
ｎＯ2 、Ｉｎ2 Ｏ3 、ＩＴＯ（ＳｎＯ2 とＩｎ2 Ｏ3 の
混合物）、ＺｎＯ等を用いることができる。
【００１４】これらの各層は、通常の方法、例えば真空
蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング等の真空
薄膜形成法により形成される。
蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング等の真空
薄膜形成法により形成される。
【００１５】また、透明電極２を形成する前に、ＥＣ層
１５の端面をレーザーカットすることが好ましい。従来
のＥＣミラーにおいては図２に示すように、ＥＣ層の端
面がカットされておらず、このＥＣ層内の各層に応力が
残留しやすい。その結果、この応力が集中し、特に還元
着色性ＥＣ層５とイオン導電層４の界面において剥離し
やすかった。本発明において、このＥＣ層の端面をレー
ザーカットすることにより、上記のような従来みられた
ＥＣ層の各層の残留応力が開放され、剥離の可能性が低
下する。従来のＥＣミラーの製造方法では、透明基板側
から各層を形成している。従って、従来の方法により製
造したＥＣミラーの端面をレーザーカットすると、この
透明基板もカットすることになり、電極の取り出しが不
可能となってしまい、従って従来の方法ではこのレーザ
ーカットを実施することはできなかった。本発明の方法
では、従来とは逆の側から各層を形成するため、すなわ
ち、ＥＣ層を形成した後透明基板を形成するため、透明
基板をカットすることなくＥＣ層の端面をレーザーカッ
トすることができる。
１５の端面をレーザーカットすることが好ましい。従来
のＥＣミラーにおいては図２に示すように、ＥＣ層の端
面がカットされておらず、このＥＣ層内の各層に応力が
残留しやすい。その結果、この応力が集中し、特に還元
着色性ＥＣ層５とイオン導電層４の界面において剥離し
やすかった。本発明において、このＥＣ層の端面をレー
ザーカットすることにより、上記のような従来みられた
ＥＣ層の各層の残留応力が開放され、剥離の可能性が低
下する。従来のＥＣミラーの製造方法では、透明基板側
から各層を形成している。従って、従来の方法により製
造したＥＣミラーの端面をレーザーカットすると、この
透明基板もカットすることになり、電極の取り出しが不
可能となってしまい、従って従来の方法ではこのレーザ
ーカットを実施することはできなかった。本発明の方法
では、従来とは逆の側から各層を形成するため、すなわ
ち、ＥＣ層を形成した後透明基板を形成するため、透明
基板をカットすることなくＥＣ層の端面をレーザーカッ
トすることができる。
【００１６】以上のようにして各層を形成した後、導電
性テープ１０及びリード線９を用いて反射基板７及び透
明電極２に電極リードを接続し、最後に全体を樹脂１で
封止する。このように、全体を樹脂で封止することによ
り、水分の侵入経路がリード線９と樹脂１の界面のみと
なり、その結果水の侵入が大幅に低減される。従って、
水分により劣化を防ぐことができ、耐久性を向上させる
ことができる。
性テープ１０及びリード線９を用いて反射基板７及び透
明電極２に電極リードを接続し、最後に全体を樹脂１で
封止する。このように、全体を樹脂で封止することによ
り、水分の侵入経路がリード線９と樹脂１の界面のみと
なり、その結果水の侵入が大幅に低減される。従って、
水分により劣化を防ぐことができ、耐久性を向上させる
ことができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明の方法は、従来の方法とは逆に、
反射基板側から各層を形成するため、従来の方法のよう
な、基板（ガラス）上に透明基板を形成する工程が必要
なく、真空中で実施することが必要な成膜工程が減り、
生産性が向上する。さらに、このガラスを使用する必要
がなく、割れのおそれがなく、またガラス基板を用い
ず、反射基板（アルミニウム）１枚のみでよく、コスト
ダウンの効果が大きい。さらに、本発明の方法では、残
留応力が集中するＥＣ膜の端面をレーザーカットするこ
とができ、その結果、この残留応力を開放し、各層の剥
離を抑制することができ、また、この端面をレーザーカ
ットすることにより漏れ電流を低減することもできる。
反射基板側から各層を形成するため、従来の方法のよう
な、基板（ガラス）上に透明基板を形成する工程が必要
なく、真空中で実施することが必要な成膜工程が減り、
生産性が向上する。さらに、このガラスを使用する必要
がなく、割れのおそれがなく、またガラス基板を用い
ず、反射基板（アルミニウム）１枚のみでよく、コスト
ダウンの効果が大きい。さらに、本発明の方法では、残
留応力が集中するＥＣ膜の端面をレーザーカットするこ
とができ、その結果、この残留応力を開放し、各層の剥
離を抑制することができ、また、この端面をレーザーカ
ットすることにより漏れ電流を低減することもできる。
【００１８】上記実公平５−5536号公報に記載されてい
るような従来のＥＣミラーにおいては、封止樹脂である
エポキシ樹脂とクリップとの界面及びエポキシ樹脂と透
明電極との界面の接着力は湿度によって低下しやすく、
水の侵入経路となりやすい。また、クリップがミラー全
周にわたり設けられているため、水の侵入経路がミラー
全周に存在することになる。この部分から水が侵入する
と、還元着色性ＥＣ層であるＷＯ3 膜の変色、及び還元
着色性ＥＣ層とイオン導電層の界面において層剥離が生
じ、正常な着消色の駆動ができなくなるおそれがある。
本発明のＥＣミラーは、封止樹脂により全体を封止する
ことができ、水の侵入経路がリードと封止樹脂の界面の
みであるため、水の侵入が大幅に低減され、上記のよう
な問題を回避することができる。
るような従来のＥＣミラーにおいては、封止樹脂である
エポキシ樹脂とクリップとの界面及びエポキシ樹脂と透
明電極との界面の接着力は湿度によって低下しやすく、
水の侵入経路となりやすい。また、クリップがミラー全
周にわたり設けられているため、水の侵入経路がミラー
全周に存在することになる。この部分から水が侵入する
と、還元着色性ＥＣ層であるＷＯ3 膜の変色、及び還元
着色性ＥＣ層とイオン導電層の界面において層剥離が生
じ、正常な着消色の駆動ができなくなるおそれがある。
本発明のＥＣミラーは、封止樹脂により全体を封止する
ことができ、水の侵入経路がリードと封止樹脂の界面の
みであるため、水の侵入が大幅に低減され、上記のよう
な問題を回避することができる。
【図１】本発明の方法により得られるＥＣミラーの略断
面図である。
面図である。
【図２】従来のＥＣミラーの略断面図である。
１…封止樹脂 ２…透明電極 ３…可逆性電解酸化層 ４…イオン導電層 ５…還元着色性ＥＣ層 ６…絶縁層 ７…反射基板 ８…はんだ ９…リード線 １０…導電性テープ １１…基板 １２…封止材 １３…電極取り出し用クリップ １４…封止基板 １５…ＥＣ層
Claims (1)
- 【請求項１】 反射基板(7) 上にエレクトロクロミック
層(15)を形成し、次いでこのエレクトロクロミック層(1
5)上に透明電極(2) を形成することを特徴とする、エレ
クトロクロミックミラーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010680A JPH08201855A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | エレクトロクロミックミラーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010680A JPH08201855A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | エレクトロクロミックミラーの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08201855A true JPH08201855A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11756982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7010680A Pending JPH08201855A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | エレクトロクロミックミラーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08201855A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115826311A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-03-21 | 深圳市光羿科技有限公司 | 一种引出结构的绑定方法、电致变色器件及变色装置 |
-
1995
- 1995-01-26 JP JP7010680A patent/JPH08201855A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115826311A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-03-21 | 深圳市光羿科技有限公司 | 一种引出结构的绑定方法、电致变色器件及变色装置 |
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