JPH08203784A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPH08203784A JPH08203784A JP885495A JP885495A JPH08203784A JP H08203784 A JPH08203784 A JP H08203784A JP 885495 A JP885495 A JP 885495A JP 885495 A JP885495 A JP 885495A JP H08203784 A JPH08203784 A JP H08203784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid electrolytic
- electrolytic capacitor
- semiconductor layer
- oxide film
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims abstract description 12
- PIJPYDMVFNTHIP-UHFFFAOYSA-L lead sulfate Chemical compound [PbH4+2].[O-]S([O-])(=O)=O PIJPYDMVFNTHIP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012452 mother liquor Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1,2-dimethylbenzimidazole Chemical compound ClC1=CC=C2N(C)C(C)=NC2=C1 FLDCSPABIQBYKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001741 Ammonium adipate Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KQNKJJBFUFKYFX-UHFFFAOYSA-N acetic acid;trihydrate Chemical compound O.O.O.CC(O)=O KQNKJJBFUFKYFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019293 ammonium adipate Nutrition 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000012844 infrared spectroscopy analysis Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N lead(2+) Chemical compound [Pb+2] RVPVRDXYQKGNMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- -1 persulfate ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐湿負荷特性が良好な固体電解コンデンサを
提供する。 【構成】 深さ３０μｍ以上にエッチング処理した弁作
用金属箔からなる陽極基体の表面に誘電体酸化皮膜層、
二酸化鉛と硫酸鉛とからなる半導体層が順次形成され、
該半導体層が前記エッチング細孔に電気容量換算値で８
５％以上含浸した固体電解コンデンサ。
提供する。 【構成】 深さ３０μｍ以上にエッチング処理した弁作
用金属箔からなる陽極基体の表面に誘電体酸化皮膜層、
二酸化鉛と硫酸鉛とからなる半導体層が順次形成され、
該半導体層が前記エッチング細孔に電気容量換算値で８
５％以上含浸した固体電解コンデンサ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体電解コンデンサに
関する。さらに詳しくは、高容量で、かつ耐湿負荷特性
が良好な固体電解コンデンサに関する。
関する。さらに詳しくは、高容量で、かつ耐湿負荷特性
が良好な固体電解コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に固体電解コンデンサ素子は、エッ
チングを施した弁作用金属箔からなる陽極基体に酸化皮
膜層を形成し、この誘電体酸化皮膜層の外面に対向電極
として半導体層を形成し、さらに接触抵抗を減じるため
に導電ペースト等で導電体層を形成している。このよう
にして作製された固体電解コンデンサ素子は、エポキシ
樹脂等で封口し、固体電解コンデンサとして使用されて
いる。該半導体層として、二酸化鉛と硫酸鉛からなる半
導体層は、電導度が大きいために、作製した固体電解コ
ンデンサの高周波性能が良好になることが提案されてい
る（特開昭６３−４７９１７号公報）。
チングを施した弁作用金属箔からなる陽極基体に酸化皮
膜層を形成し、この誘電体酸化皮膜層の外面に対向電極
として半導体層を形成し、さらに接触抵抗を減じるため
に導電ペースト等で導電体層を形成している。このよう
にして作製された固体電解コンデンサ素子は、エポキシ
樹脂等で封口し、固体電解コンデンサとして使用されて
いる。該半導体層として、二酸化鉛と硫酸鉛からなる半
導体層は、電導度が大きいために、作製した固体電解コ
ンデンサの高周波性能が良好になることが提案されてい
る（特開昭６３−４７９１７号公報）。
【０００３】一般にコンデンサのような受動部品は、多
数の電子機器類に必ず搭載されるものであるため特に信
頼性が重要であると考えられている。このような信頼性
を測る尺度として、高温負荷テスト、耐湿負荷テスト、
温度サイクルテスト等多数のテスト項目があり、このよ
うなテスト項目に合格し得るコンデンサのみ、市場に提
供されるものとなる。
数の電子機器類に必ず搭載されるものであるため特に信
頼性が重要であると考えられている。このような信頼性
を測る尺度として、高温負荷テスト、耐湿負荷テスト、
温度サイクルテスト等多数のテスト項目があり、このよ
うなテスト項目に合格し得るコンデンサのみ、市場に提
供されるものとなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】一方、近年、電子機器
の軽薄短小化に伴い、小型で高容量なコンデンサが必要
であるが、このようなコンデンサを得るには一般に使用
する弁作用金属箔のエッチング細孔深さを３０μｍ以上
に深くして弁作用金属箔自身の表面積を増す必要がある
といわれている。ところが、このような弁作用金属箔を
使用し、さらに半導体層として、電導度が大きい二酸化
鉛と硫酸鉛からなる半導体層を設けた場合、作製した固
体電解コンデンサの信頼性テストの一つである耐湿負荷
テストにおけるｔａｎδ値が大きく上昇するという問題
があった。
の軽薄短小化に伴い、小型で高容量なコンデンサが必要
であるが、このようなコンデンサを得るには一般に使用
する弁作用金属箔のエッチング細孔深さを３０μｍ以上
に深くして弁作用金属箔自身の表面積を増す必要がある
といわれている。ところが、このような弁作用金属箔を
使用し、さらに半導体層として、電導度が大きい二酸化
鉛と硫酸鉛からなる半導体層を設けた場合、作製した固
体電解コンデンサの信頼性テストの一つである耐湿負荷
テストにおけるｔａｎδ値が大きく上昇するという問題
があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した問題
を解決するためになされたもので、その要旨は、深さ３
０μｍ以上にエッチング処理した弁作用金属箔からなる
陽極基体の表面に、誘電体酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸
鉛からなる半導体層、および導電体層を順次形成してな
る固体電解コンデンサにおいて、前記半導体層のエッチ
ング細孔への含浸率が、電気容量換算値で８５％以上で
ある固体電解コンデンサにある。
を解決するためになされたもので、その要旨は、深さ３
０μｍ以上にエッチング処理した弁作用金属箔からなる
陽極基体の表面に、誘電体酸化皮膜層、二酸化鉛と硫酸
鉛からなる半導体層、および導電体層を順次形成してな
る固体電解コンデンサにおいて、前記半導体層のエッチ
ング細孔への含浸率が、電気容量換算値で８５％以上で
ある固体電解コンデンサにある。
【０００６】以下、本発明の固体電解コンデンサについ
て説明する。本発明の固体電解コンデンサの陽極として
用いられる弁作用金属としては、例えばアルミニウム、
タンタル、ニオブ、チタンおよびこれらを基質とする合
金等弁作用を有する金属箔がいずれも使用できる。
て説明する。本発明の固体電解コンデンサの陽極として
用いられる弁作用金属としては、例えばアルミニウム、
タンタル、ニオブ、チタンおよびこれらを基質とする合
金等弁作用を有する金属箔がいずれも使用できる。
【０００７】本発明に使用される弁作用金属箔は、その
表裏に通常０．１乃至０．５μｍぐらいの平均径を有す
るエッチング細孔が存在する。該エッチング細孔には方
向性がないが、全体のエッチング細孔が存在する部分、
すなわちエッチング処理された部分は、弁作用金属箔の
厚さ方向に３０μｍ以上である（本発明では、エッチン
グ深さをこのように弁作用金属箔の厚さ方向への距離で
定義する）。エッチング深さが３０μｍ未満であると、
単位体積あたりの容量が小さくなり、目的とする軽薄短
小の固体電解コンデンサを得ることが困難になる。この
ようなエッチング細孔を設ける方法は、通常公知の交流
電解法等によって得られる。
表裏に通常０．１乃至０．５μｍぐらいの平均径を有す
るエッチング細孔が存在する。該エッチング細孔には方
向性がないが、全体のエッチング細孔が存在する部分、
すなわちエッチング処理された部分は、弁作用金属箔の
厚さ方向に３０μｍ以上である（本発明では、エッチン
グ深さをこのように弁作用金属箔の厚さ方向への距離で
定義する）。エッチング深さが３０μｍ未満であると、
単位体積あたりの容量が小さくなり、目的とする軽薄短
小の固体電解コンデンサを得ることが困難になる。この
ようなエッチング細孔を設ける方法は、通常公知の交流
電解法等によって得られる。
【０００８】本発明において、エッチング細孔全表面に
沿って誘電体酸化皮膜層が形成される。誘電体酸化皮膜
層は、陽極基体の表面に形成された陽極基体自身の酸化
物層であってもよく、或は、陽極基体の表面上に設けら
れた他の誘電体酸化物からなる層であってもよいが、特
に陽極基体自身の酸化物からなる層であることが好まし
い。上記いずれの場合においても、誘電体酸化皮膜層を
形成する方法としては、電解液を用いた陽極化成法等公
知の方法を用いることができる。
沿って誘電体酸化皮膜層が形成される。誘電体酸化皮膜
層は、陽極基体の表面に形成された陽極基体自身の酸化
物層であってもよく、或は、陽極基体の表面上に設けら
れた他の誘電体酸化物からなる層であってもよいが、特
に陽極基体自身の酸化物からなる層であることが好まし
い。上記いずれの場合においても、誘電体酸化皮膜層を
形成する方法としては、電解液を用いた陽極化成法等公
知の方法を用いることができる。
【０００９】次に、上記誘電体酸化皮膜層の表面に、二
酸化鉛と硫酸鉛とからなる半導体層を形成する。二酸化
鉛と硫酸鉛からなる半導体層は、例えば過硫酸イオンと
鉛イオンを含んだ反応母液から形成される（例えば特開
昭６３−４７９１７号公報）が、本発明においては、該
半導体層のエッチング細孔への含浸率が、電気容量換算
値で８５％以上であることが肝要である。この含浸率が
８５％未満であると、作製した固体電解コンデンサの信
頼性テストの一つである耐湿負荷テストにおいて、ｔａ
ｎδ値が大きくなり実用に耐えない。前述した含浸率
は、電解液をエッチング細孔に浸漬させて弁作用金属箔
の容量を周波数１kHz で測定し、該数値を１００％とし
て、半導体を含浸させた時の容量値との比でもって表現
される。このような、半導体層の含浸率を８５％以上に
する方法として、例えば、前述した反応母液に、誘電体
酸化皮膜を有する弁作用金属箔（以下、化成箔と称す）
を数１０分浸漬しておき、しかる後６０℃前後の温度に
昇温後３０分放置して引き上げ水洗する工程と、１回目
の反応母液よりイオン濃度が低い反応母液に６０℃前後
で３０分放置して引き上げ水洗乾燥する工程を複数回く
り返す方法があげられる。又、半導体層の二酸化鉛と硫
酸鉛との組成は、別途同法で作製した半導体粉の赤外分
光分析により測定されるが、使用する鉛イオン種および
過硫酸イオン種、各濃度、反応時間によって変化し、通
常、二酸化鉛９８重量％乃至４０重量％の範囲で、残部
が硫酸鉛である。
酸化鉛と硫酸鉛とからなる半導体層を形成する。二酸化
鉛と硫酸鉛からなる半導体層は、例えば過硫酸イオンと
鉛イオンを含んだ反応母液から形成される（例えば特開
昭６３−４７９１７号公報）が、本発明においては、該
半導体層のエッチング細孔への含浸率が、電気容量換算
値で８５％以上であることが肝要である。この含浸率が
８５％未満であると、作製した固体電解コンデンサの信
頼性テストの一つである耐湿負荷テストにおいて、ｔａ
ｎδ値が大きくなり実用に耐えない。前述した含浸率
は、電解液をエッチング細孔に浸漬させて弁作用金属箔
の容量を周波数１kHz で測定し、該数値を１００％とし
て、半導体を含浸させた時の容量値との比でもって表現
される。このような、半導体層の含浸率を８５％以上に
する方法として、例えば、前述した反応母液に、誘電体
酸化皮膜を有する弁作用金属箔（以下、化成箔と称す）
を数１０分浸漬しておき、しかる後６０℃前後の温度に
昇温後３０分放置して引き上げ水洗する工程と、１回目
の反応母液よりイオン濃度が低い反応母液に６０℃前後
で３０分放置して引き上げ水洗乾燥する工程を複数回く
り返す方法があげられる。又、半導体層の二酸化鉛と硫
酸鉛との組成は、別途同法で作製した半導体粉の赤外分
光分析により測定されるが、使用する鉛イオン種および
過硫酸イオン種、各濃度、反応時間によって変化し、通
常、二酸化鉛９８重量％乃至４０重量％の範囲で、残部
が硫酸鉛である。
【００１０】次に上述の半導体層上に導電体層を形成す
るが、形成される導電体層は、カーボンペースト、銀ペ
ースト等、従来公知の導電ペーストを一種以上用いて形
成される。そして上述したように導電体層まで形成され
た固体電解素子は、例えばトランスファー成型によりエ
ポキシ樹脂等の封止剤で封口され実用に供される。
るが、形成される導電体層は、カーボンペースト、銀ペ
ースト等、従来公知の導電ペーストを一種以上用いて形
成される。そして上述したように導電体層まで形成され
た固体電解素子は、例えばトランスファー成型によりエ
ポキシ樹脂等の封止剤で封口され実用に供される。
【００１１】
【作用】固体電解コンデンサ素子は、化成箔のエッチン
グ細孔を半導体が含浸する構造になっているが、含浸率
が１００％でないために、誘電体酸化皮膜層上を半導体
層が覆っていない部分が存在する。一方、耐湿負荷テス
トにおいて、テスト環境の湿気が、半導体層で覆われて
いない酸化皮膜および、弁作用金属自身を攻撃し、化学
反応を起して材料構造変化を起すものと考えられる。従
って、この半導体層の含浸率を高くすることによってこ
の種の湿気の進入を緩和することができる。
グ細孔を半導体が含浸する構造になっているが、含浸率
が１００％でないために、誘電体酸化皮膜層上を半導体
層が覆っていない部分が存在する。一方、耐湿負荷テス
トにおいて、テスト環境の湿気が、半導体層で覆われて
いない酸化皮膜および、弁作用金属自身を攻撃し、化学
反応を起して材料構造変化を起すものと考えられる。従
って、この半導体層の含浸率を高くすることによってこ
の種の湿気の進入を緩和することができる。
【００１２】
【実施例】以下に実施例および比較例を示して本発明を
さらに詳しく説明する。
さらに詳しく説明する。
【００１３】（実施例１〜６）表１に示したエッチング
細孔深さを有するアルミニウム弁作用金属箔を、アジピ
ン酸アンモニウム水溶液中で化成して誘電体酸化皮膜層
を形成した。このような誘電体酸化皮膜層を有する小片
２mm×２mmのアジピン酸アンモニウム電解液中の容量を
それぞれ表１に示した。
細孔深さを有するアルミニウム弁作用金属箔を、アジピ
ン酸アンモニウム水溶液中で化成して誘電体酸化皮膜層
を形成した。このような誘電体酸化皮膜層を有する小片
２mm×２mmのアジピン酸アンモニウム電解液中の容量を
それぞれ表１に示した。
【００１４】次に、前述した誘電体酸化皮膜層が形成さ
れた弁作用金属箔各々２mm×３．５mmの小片を２０枚用
意し、小片の下部２mm×２mmの部分を別に用意した酢酸
鉛三水和物２．４モル／リットル水溶液と過硫酸アンモ
ニウム４モル／リットル水溶液の混合液に３０分浸漬し
ておき、しかる後６０℃で３０分放置した後引き上げ水
洗乾燥した後、再度酢酸鉛三水和物１．８モル／リット
ル水溶液と過硫酸アンモニウム２モル／リットル水溶液
との混合液に６０℃で３０分放置した後引き上げ水洗乾
燥した。さらに、このような操作を２回くり返し、二酸
化鉛５４wt％と硫酸鉛４６wt％からなる半導体層を形成
した。次いで半導体層上にカーボンペーストおよび銀ペ
ーストを順に積層し導電体層を設けた後、導電体層側に
銀ペーストで陰極リードを、又前記小片の上部２mm×
１．５mm部に熔接で陽極リードを、各々取り出した後、
エポキシ樹脂で封口して固体電解コンデンサを作製し
た。
れた弁作用金属箔各々２mm×３．５mmの小片を２０枚用
意し、小片の下部２mm×２mmの部分を別に用意した酢酸
鉛三水和物２．４モル／リットル水溶液と過硫酸アンモ
ニウム４モル／リットル水溶液の混合液に３０分浸漬し
ておき、しかる後６０℃で３０分放置した後引き上げ水
洗乾燥した後、再度酢酸鉛三水和物１．８モル／リット
ル水溶液と過硫酸アンモニウム２モル／リットル水溶液
との混合液に６０℃で３０分放置した後引き上げ水洗乾
燥した。さらに、このような操作を２回くり返し、二酸
化鉛５４wt％と硫酸鉛４６wt％からなる半導体層を形成
した。次いで半導体層上にカーボンペーストおよび銀ペ
ーストを順に積層し導電体層を設けた後、導電体層側に
銀ペーストで陰極リードを、又前記小片の上部２mm×
１．５mm部に熔接で陽極リードを、各々取り出した後、
エポキシ樹脂で封口して固体電解コンデンサを作製し
た。
【００１５】（比較例１〜４）実施例１〜６で小片の２
mm×２mmの部分を、酢酸鉛三水和物２．４モル／リット
ル水溶液と過硫酸アンモニウム４モル／リットル水溶液
との混合液に浸漬し６０℃で１時間反応させた後、引き
上げ水洗乾燥する工程を３回くり返した以外は実施例１
〜６と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
mm×２mmの部分を、酢酸鉛三水和物２．４モル／リット
ル水溶液と過硫酸アンモニウム４モル／リットル水溶液
との混合液に浸漬し６０℃で１時間反応させた後、引き
上げ水洗乾燥する工程を３回くり返した以外は実施例１
〜６と同様にして固体電解コンデンサを作製した。
【００１６】このようにして得られた固体電解コンデン
サ２０点の平均の含浸率および電気性能値、そして耐湿
負荷特性として各例のコンデンサを８５℃８５％ＲＨの
恒湿槽に６Ｖの電圧を印加して１００時間放置した後の
ｔａｎδ値を表２に示した。このように耐湿負荷特性と
しての試験後のｔａｎδ値は、含浸率が８５％の実施例
が比較例と比べて小さく、各段に優れていることが判
る。
サ２０点の平均の含浸率および電気性能値、そして耐湿
負荷特性として各例のコンデンサを８５℃８５％ＲＨの
恒湿槽に６Ｖの電圧を印加して１００時間放置した後の
ｔａｎδ値を表２に示した。このように耐湿負荷特性と
しての試験後のｔａｎδ値は、含浸率が８５％の実施例
が比較例と比べて小さく、各段に優れていることが判
る。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】
【発明の効果】深さ３０μｍ以上にエッチング処理した
弁作用金属箔からなる陽極基体の表面に誘電体酸化皮膜
層、二酸化鉛と硫酸鉛とからなる半導体層が順に形成さ
れ、該半導体層が前記エッチング細孔に電気容量換算値
で８５％以上含浸した固体電解コンデンサは、単位体積
あたりの容量が大きく、かつ耐湿負荷テストに耐え得る
ので、良好な固体電解コンデンサとすることができる。
弁作用金属箔からなる陽極基体の表面に誘電体酸化皮膜
層、二酸化鉛と硫酸鉛とからなる半導体層が順に形成さ
れ、該半導体層が前記エッチング細孔に電気容量換算値
で８５％以上含浸した固体電解コンデンサは、単位体積
あたりの容量が大きく、かつ耐湿負荷テストに耐え得る
ので、良好な固体電解コンデンサとすることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 深さ３０μｍ以上にエッチング処理した
弁作用金属箔からなる陽極基体の表面に、誘電体酸化皮
膜層、二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層、および導電
体層を順次形成してなる固体電解コンデンサにおいて、
前記半導体層のエッチング細孔への含浸率が、電気容量
換算値で８５％以上であることを特徴とする固体電解コ
ンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP885495A JPH08203784A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP885495A JPH08203784A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203784A true JPH08203784A (ja) | 1996-08-09 |
Family
ID=11704327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP885495A Pending JPH08203784A (ja) | 1995-01-24 | 1995-01-24 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08203784A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109791843A (zh) * | 2016-09-30 | 2019-05-21 | 日本贵弥功株式会社 | 电极箔以及电解电容器 |
-
1995
- 1995-01-24 JP JP885495A patent/JPH08203784A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109791843A (zh) * | 2016-09-30 | 2019-05-21 | 日本贵弥功株式会社 | 电极箔以及电解电容器 |
| CN109791843B (zh) * | 2016-09-30 | 2022-03-22 | 日本贵弥功株式会社 | 电极箔以及电解电容器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0794368A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH05121274A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
| US6515848B1 (en) | Solid electrolytic capacitors and method for manufacturing the same | |
| JPH05159987A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| US4648010A (en) | Solid electrolytic capacitor and process for preparation thereof | |
| US4408257A (en) | Cathode electrode for an electrical device | |
| JP5786140B2 (ja) | 電解コンデンサ用電極箔およびこれを用いた電解コンデンサ | |
| JPH08203784A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0267708A (ja) | 有機半導体固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS6334917A (ja) | コンデンサ | |
| JP2637207B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH02267915A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0533000Y2 (ja) | ||
| JP2596996B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2001155965A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0444205A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH04192405A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH0547608A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS62279623A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| CN115240985A (zh) | 固体电解电容器及制造固体电解电容器的方法 | |
| JPH04354318A (ja) | チップ状固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS60160605A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPH02187008A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPS6323309A (ja) | 巻回型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH07183167A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 |