JPH08220005A - 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 - Google Patents
微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法Info
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パーティクル検査装置のもつ装置座標と他の
分析装置のもつ装置座標とをはるかに高精度でリンクす
ることにより、微小異物の観察、分析および評価をする
ことができる微小異物の分析方法およびその装置を提供
する。 【構成】 パーティクル検査装置において試料表面の微
小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステージ
上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた微小
異物の位置を分析装置の座標ステージに入力して、該微
小異物の内容を分析する微小異物の分析方法であって、
前記パーティクル検査装置で採用する装置座標と前記分
析装置で採用する装置座標の少なくとも一方を、表面に
スケールが設けられた原器ウェハを用いて前記装置座標
の有する誤差をあらかじめ補正して前記パーティクル検
査装置および分析装置の装置座標を互いにリンクする。
分析装置のもつ装置座標とをはるかに高精度でリンクす
ることにより、微小異物の観察、分析および評価をする
ことができる微小異物の分析方法およびその装置を提供
する。 【構成】 パーティクル検査装置において試料表面の微
小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステージ
上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた微小
異物の位置を分析装置の座標ステージに入力して、該微
小異物の内容を分析する微小異物の分析方法であって、
前記パーティクル検査装置で採用する装置座標と前記分
析装置で採用する装置座標の少なくとも一方を、表面に
スケールが設けられた原器ウェハを用いて前記装置座標
の有する誤差をあらかじめ補正して前記パーティクル検
査装置および分析装置の装置座標を互いにリンクする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえば半導体素子用
のシリコンウェハや液晶表示素子用の絶縁性透明基板な
どの平面状試料の表面に存在する微小異物の分析方法、
そのための分析装置およびそれらを用いる半導体素子も
しくは液晶表示素子の製法に関する。さらに詳しくは、
あらかじめ装置座標が定義されたパーティクル検査装置
により検出され、位置特定された微小異物について、そ
の特定された微小異物の存在位置を分析装置のもつ座標
とリンクすることにより、その特定された微小異物につ
いて簡単に分析、検査、評価できるようにするための方
法および装置ならびにこれらを用いる半導体素子および
液晶表示素子の製法に関するものである。
のシリコンウェハや液晶表示素子用の絶縁性透明基板な
どの平面状試料の表面に存在する微小異物の分析方法、
そのための分析装置およびそれらを用いる半導体素子も
しくは液晶表示素子の製法に関する。さらに詳しくは、
あらかじめ装置座標が定義されたパーティクル検査装置
により検出され、位置特定された微小異物について、そ
の特定された微小異物の存在位置を分析装置のもつ座標
とリンクすることにより、その特定された微小異物につ
いて簡単に分析、検査、評価できるようにするための方
法および装置ならびにこれらを用いる半導体素子および
液晶表示素子の製法に関するものである。
【０００２】なお、ここでいう分析装置とは、光、Ｘ
線、電磁波、電子、中性化学種（原子、分子など）、イ
オン、フォノンなどの各種粒子線などのエネルギーを試
料表面に照射し、試料との相互作用により吸収された
り、放射される２次粒子線を検出することにより、試料
表面の色調、立体像、元素分析、化学構造、結晶構造な
どを調べ、または試料表面を加工する分析装置を意味
し、たとえば金属顕微鏡、レーザ顕微鏡、プローブ顕微
鏡、原子間力顕微鏡（以下、ＡＦＭという）、走査型ト
ンネル顕微鏡（以下、ＳＴＭという）、磁気力顕微鏡
（以下、ＭＦＭという）、走査型電子顕微鏡（Scanning
Electron Microscope、以下ＳＥＭという）、電子プ
ローブマイクロアナリシス装置（Electron Probe Micr
o-Analyser、以下ＥＰＭＡという）、Ｘ線光電子分光装
置（X-ray Photoelectron Spectrometer、以下ＸＰＳ
という）、紫外線光電子分光装置（Ultraviolet Photo
electronSpectrometer、以下ＵＰＳという）、２次イオ
ン質量分析装置（Secondary IonMass Spectrometer、
以下ＳＩＭＳという）、飛行時間型質量分析装置（Time
Of Flight-SIMS、以下ＴＯＦ−ＳＩＭＳという）、走
査型オージェ電子分光装置（Scanning Auger Electron
Spectrometer、以下ＳＡＭという）、オージェ電子分
光装置（Auger Electron Spectrometer、以下ＡＥＳと
いう）、高速反射電子線回折装置（Reflection High
Energy Electron Diffraction、以下ＲＨＥＥＤとい
う）、高速電子線回折装置（High Energy Electron Dif
fractionSpectrometer、以下ＨＥＥＤという）、低速電
子線回折装置（Low Energy Electron Diffraction Spec
trometer、以下ＬＥＥＤという）、電子エネルギー損失
分光装置（Electron Energy-Loss Spectrometer、以下
ＥＥＬＳという）、集束イオンビーム装置（Focused I
on Beam instruments、以下ＦＩＢという）、粒子線
励起Ｘ線分光装置（Particle Induced X-ray Emissio
n、以下ＰＩＸＥという）、顕微フーリエ変換赤外分光
装置（以下、顕微ＦＴ−ＩＲという）、顕微ラマンなど
の分析、検査、評価、加工などの機能を有する装置、観
察装置、分析装置、検査装置および評価装置などをい
う。
線、電磁波、電子、中性化学種（原子、分子など）、イ
オン、フォノンなどの各種粒子線などのエネルギーを試
料表面に照射し、試料との相互作用により吸収された
り、放射される２次粒子線を検出することにより、試料
表面の色調、立体像、元素分析、化学構造、結晶構造な
どを調べ、または試料表面を加工する分析装置を意味
し、たとえば金属顕微鏡、レーザ顕微鏡、プローブ顕微
鏡、原子間力顕微鏡（以下、ＡＦＭという）、走査型ト
ンネル顕微鏡（以下、ＳＴＭという）、磁気力顕微鏡
（以下、ＭＦＭという）、走査型電子顕微鏡（Scanning
Electron Microscope、以下ＳＥＭという）、電子プ
ローブマイクロアナリシス装置（Electron Probe Micr
o-Analyser、以下ＥＰＭＡという）、Ｘ線光電子分光装
置（X-ray Photoelectron Spectrometer、以下ＸＰＳ
という）、紫外線光電子分光装置（Ultraviolet Photo
electronSpectrometer、以下ＵＰＳという）、２次イオ
ン質量分析装置（Secondary IonMass Spectrometer、
以下ＳＩＭＳという）、飛行時間型質量分析装置（Time
Of Flight-SIMS、以下ＴＯＦ−ＳＩＭＳという）、走
査型オージェ電子分光装置（Scanning Auger Electron
Spectrometer、以下ＳＡＭという）、オージェ電子分
光装置（Auger Electron Spectrometer、以下ＡＥＳと
いう）、高速反射電子線回折装置（Reflection High
Energy Electron Diffraction、以下ＲＨＥＥＤとい
う）、高速電子線回折装置（High Energy Electron Dif
fractionSpectrometer、以下ＨＥＥＤという）、低速電
子線回折装置（Low Energy Electron Diffraction Spec
trometer、以下ＬＥＥＤという）、電子エネルギー損失
分光装置（Electron Energy-Loss Spectrometer、以下
ＥＥＬＳという）、集束イオンビーム装置（Focused I
on Beam instruments、以下ＦＩＢという）、粒子線
励起Ｘ線分光装置（Particle Induced X-ray Emissio
n、以下ＰＩＸＥという）、顕微フーリエ変換赤外分光
装置（以下、顕微ＦＴ−ＩＲという）、顕微ラマンなど
の分析、検査、評価、加工などの機能を有する装置、観
察装置、分析装置、検査装置および評価装置などをい
う。
【０００３】
【従来の技術】４Ｍビット、１６Ｍビット−ＤＲＡＭな
どに代表される超高集積ＬＳＩの製造における歩留り
は、ウェハ付着異物に起因する不良が、ほとんどの要因
をしめるといわれている。
どに代表される超高集積ＬＳＩの製造における歩留り
は、ウェハ付着異物に起因する不良が、ほとんどの要因
をしめるといわれている。
【０００４】これはパターン幅が微細化されるにしたが
い、前工程の製造プロセスにおいてウェハに付着する、
従来では問題とされなかった微小サイズの異物が汚染源
となるためである。一般にこの問題となる微小異物の大
きさは、製造しようとする超高集積ＬＳＩが有する最小
配線幅の数分の一といわれており、このことから１６Ｍ
ビット−ＤＲＡＭ（最小配線幅０．５μｍ）において
は、直径０．１μｍレベルの微小異物が対象となってい
る。このような微小異物は汚染物質となって回路パター
ンの断線、ショートを引き起こす原因となり、不良の発
生や品質、信頼性の低下に大きくつながっている。その
ため微小異物の付着状態などの実態を定量的に精度よく
計測および分析して把握し、管理することが、歩留り向
上のキーポイントとなっている。
い、前工程の製造プロセスにおいてウェハに付着する、
従来では問題とされなかった微小サイズの異物が汚染源
となるためである。一般にこの問題となる微小異物の大
きさは、製造しようとする超高集積ＬＳＩが有する最小
配線幅の数分の一といわれており、このことから１６Ｍ
ビット−ＤＲＡＭ（最小配線幅０．５μｍ）において
は、直径０．１μｍレベルの微小異物が対象となってい
る。このような微小異物は汚染物質となって回路パター
ンの断線、ショートを引き起こす原因となり、不良の発
生や品質、信頼性の低下に大きくつながっている。その
ため微小異物の付着状態などの実態を定量的に精度よく
計測および分析して把握し、管理することが、歩留り向
上のキーポイントとなっている。
【０００５】これを行う手段として、従来より、シリコ
ンウェハなどの平面状試料の表面に存在する微小異物の
存在位置を検出できるパーティクル検査装置が用いられ
ている。なお、従来のパーティクル検査装置としては、
日立電子エンジニアリング（株）製、装置名；ＩＳ−２
０００、ＬＳ−６０００あるいは米国、Ｔｅｎｃｏｒ社
製、装置名；サーフスキャン６２００、Ｅｓｔｅｋ社
製、装置名；ＷＩＳ−９０００などがある。またこれら
のパーティクル検査装置に用いられる測定原理やそれを
実現するための装置構成については、たとえば文献、
「高性能半導体プロセス用分析・評価技術」、１１１〜
１２９頁、半導体基盤技術研究会編、（株）リアライズ
社発行に詳細に記載されている。
ンウェハなどの平面状試料の表面に存在する微小異物の
存在位置を検出できるパーティクル検査装置が用いられ
ている。なお、従来のパーティクル検査装置としては、
日立電子エンジニアリング（株）製、装置名；ＩＳ−２
０００、ＬＳ−６０００あるいは米国、Ｔｅｎｃｏｒ社
製、装置名；サーフスキャン６２００、Ｅｓｔｅｋ社
製、装置名；ＷＩＳ−９０００などがある。またこれら
のパーティクル検査装置に用いられる測定原理やそれを
実現するための装置構成については、たとえば文献、
「高性能半導体プロセス用分析・評価技術」、１１１〜
１２９頁、半導体基盤技術研究会編、（株）リアライズ
社発行に詳細に記載されている。
【０００６】図８はパーティクル検査装置ＬＳ−６００
０を用いて、実際の６インチシリコンウェハ上に存在す
る微小異物（０．１μｍ以上）について計測した結果を
表わすＣＲＴの表示画面を示す。すなわち、この表示画
面には微小異物のおおよその位置と大きさごとの個数お
よびその粒径分布しか示されない。図８中に示される円
は、６インチシリコンウェハの外周を表現し、その中に
存在する点が、微小異物の存在する位置に対応してい
る。なお、ここに記載するパーティクル、異物とはウェ
ハに対して凸部、凹部、付着粒子、欠陥などの何らかの
異なる部分を意味し、光散乱（乱反射）を生ずる部分で
ある。
０を用いて、実際の６インチシリコンウェハ上に存在す
る微小異物（０．１μｍ以上）について計測した結果を
表わすＣＲＴの表示画面を示す。すなわち、この表示画
面には微小異物のおおよその位置と大きさごとの個数お
よびその粒径分布しか示されない。図８中に示される円
は、６インチシリコンウェハの外周を表現し、その中に
存在する点が、微小異物の存在する位置に対応してい
る。なお、ここに記載するパーティクル、異物とはウェ
ハに対して凸部、凹部、付着粒子、欠陥などの何らかの
異なる部分を意味し、光散乱（乱反射）を生ずる部分で
ある。
【０００７】しかし、図８からもわかるように従来のパ
ーティクル検査装置からえられる情報は、シリコンウェ
ハなどの試料表面に存在する微小異物の大きさおよび試
料表面上での存在位置のみであるため、その微小異物が
何であるかなどの実態についての特定はできない。
ーティクル検査装置からえられる情報は、シリコンウェ
ハなどの試料表面に存在する微小異物の大きさおよび試
料表面上での存在位置のみであるため、その微小異物が
何であるかなどの実態についての特定はできない。
【０００８】たとえば、図４は（株）ニデックから販売
されているＩＣ検査顕微鏡装置ＭＯＤＥＲ：ＩＭ−１２
０などに見られる従来の微小異物の検出に用いられる位
置決め機能つき金属顕微鏡の一例である従来のアクチュ
エータつき金属顕微鏡の基本構成を示す説明図である。
図４において、試料のシリコンウェハ２は、パーティク
ル検査装置の有する座標と大まかにリンクされた座標を
有するｘ−ｙアクチュエータ１上に載せられている。パ
ーティクル検査装置により検出された異物７は、パーテ
ィクル検査装置からえた異物の位置情報をもとにｘ−ｙ
アクチュエータ１により、金属顕微鏡３の視野あるいは
その近傍に運ばれるようになっている。以下、従来のア
クチュエータつき金属顕微鏡を用いて平面状のシリコン
ウェハ表面に存在する異物７を検査するときの、検査手
順ならびに検査結果について記す。
されているＩＣ検査顕微鏡装置ＭＯＤＥＲ：ＩＭ−１２
０などに見られる従来の微小異物の検出に用いられる位
置決め機能つき金属顕微鏡の一例である従来のアクチュ
エータつき金属顕微鏡の基本構成を示す説明図である。
図４において、試料のシリコンウェハ２は、パーティク
ル検査装置の有する座標と大まかにリンクされた座標を
有するｘ−ｙアクチュエータ１上に載せられている。パ
ーティクル検査装置により検出された異物７は、パーテ
ィクル検査装置からえた異物の位置情報をもとにｘ−ｙ
アクチュエータ１により、金属顕微鏡３の視野あるいは
その近傍に運ばれるようになっている。以下、従来のア
クチュエータつき金属顕微鏡を用いて平面状のシリコン
ウェハ表面に存在する異物７を検査するときの、検査手
順ならびに検査結果について記す。
【０００９】まず、複数枚の少し汚れた鏡面研磨された
シリコンウェハ２｛三菱マテリアルシリコン製ＣＺ（面
方位；１００）６インチ径シリコンウェハ｝を、パーテ
ィクル検査装置｛米国；Ｔｅｎｃｏｒ社製、装置名；サ
ーフスキャン６２００｝にかけ、シリコンウェハ２上に
存在する異物のおおよその大きさおよびそのおおよその
存在位置を観察した。シリコンウェハ２上には、それぞ
れランダムな位置に平均０．１〜０．２μｍレベル径の
異物が約８００個、０．２〜０．３μｍレベル径の異物
が約１３０個、０．３〜０．４μｍレベル径の異物が約
３０個、０．４〜０．５μｍレベル径の異物が約１３
個、０．５μｍレベル径以上が約１５個、それぞれ存在
していた。なお、サーフスキャン６２００の座標は、ウ
ェハがもつオリエンテーションフラット（以下、オリフ
ラという）と接する方向をｘ軸（もしくはｙ軸）方向と
し、ウェハ面内でのその垂線方向をｙ軸（もしくはｘ
軸）方向とし、かつ、ウェハの最外周を３点以上測定し
て（ただし、オリフラの部分は避ける）、これを円もし
くはだ円の方程式に当てはめることで、ウェハの中心位
置を（０，０）とした形で定義されている。
シリコンウェハ２｛三菱マテリアルシリコン製ＣＺ（面
方位；１００）６インチ径シリコンウェハ｝を、パーテ
ィクル検査装置｛米国；Ｔｅｎｃｏｒ社製、装置名；サ
ーフスキャン６２００｝にかけ、シリコンウェハ２上に
存在する異物のおおよその大きさおよびそのおおよその
存在位置を観察した。シリコンウェハ２上には、それぞ
れランダムな位置に平均０．１〜０．２μｍレベル径の
異物が約８００個、０．２〜０．３μｍレベル径の異物
が約１３０個、０．３〜０．４μｍレベル径の異物が約
３０個、０．４〜０．５μｍレベル径の異物が約１３
個、０．５μｍレベル径以上が約１５個、それぞれ存在
していた。なお、サーフスキャン６２００の座標は、ウ
ェハがもつオリエンテーションフラット（以下、オリフ
ラという）と接する方向をｘ軸（もしくはｙ軸）方向と
し、ウェハ面内でのその垂線方向をｙ軸（もしくはｘ
軸）方向とし、かつ、ウェハの最外周を３点以上測定し
て（ただし、オリフラの部分は避ける）、これを円もし
くはだ円の方程式に当てはめることで、ウェハの中心位
置を（０，０）とした形で定義されている。
【００１０】つぎに、従来のアクチュエータつき金属顕
微鏡を用いて、ウェハがもつオリフラと接する方向をｘ
軸方向とし、ウェハ面内での垂線方向をｙ軸（もしくは
ｘ軸）方向とし、かつ、ウェハの最外周を３点測定して
（ただし、オリフラの部分は避ける）、これを円の方程
式に当てはめることで、ウェハの中心位置を（０，０）
とした形で、シリコンウェハ２をｘ−ｙアクチュエータ
１上にセッティングし、パーティクル検査装置からえた
異物の位置情報をもとにｘ−ｙアクチュエータ１を動か
すことにより、それぞれの大きさの異物について金属顕
微鏡３を用い観察しようとした（なお、接眼レンズの倍
率を１０倍固定とし、対物レンズを５、２０、５０倍と
可変することで評価し、観察した）。
微鏡を用いて、ウェハがもつオリフラと接する方向をｘ
軸方向とし、ウェハ面内での垂線方向をｙ軸（もしくは
ｘ軸）方向とし、かつ、ウェハの最外周を３点測定して
（ただし、オリフラの部分は避ける）、これを円の方程
式に当てはめることで、ウェハの中心位置を（０，０）
とした形で、シリコンウェハ２をｘ−ｙアクチュエータ
１上にセッティングし、パーティクル検査装置からえた
異物の位置情報をもとにｘ−ｙアクチュエータ１を動か
すことにより、それぞれの大きさの異物について金属顕
微鏡３を用い観察しようとした（なお、接眼レンズの倍
率を１０倍固定とし、対物レンズを５、２０、５０倍と
可変することで評価し、観察した）。
【００１１】その結果、金属顕微鏡の対物レンズ５倍を
用いたばあい、０．４〜０．５μｍレベル径の異物を暗
点としてみつけるのがやっとであり、それ以下の異物は
ほとんどみつからなかった。なお、０．４μｍ以上の異
物はすべてみつけることができた。一方、対物レンズ５
０倍を用いると、０．２〜０．３μｍレベル径の異物を
暗点としてまれにみつけることができた。しかし、それ
以下の異物はほとんどみつからなかった。そこで、原因
を調べるため、このときの座標のずれ量について、格子
状のパターンを刻んだウェハ複数枚を用いて、調査した
ところ、ｘ−ｙ座標表示において、原点位置あるいはウ
ェハの中心位置およびその中に定義できる任意の点に対
し概ね（±２５０μｍ、±２５０μｍ）のずれ量をもつ
ことが判明した。
用いたばあい、０．４〜０．５μｍレベル径の異物を暗
点としてみつけるのがやっとであり、それ以下の異物は
ほとんどみつからなかった。なお、０．４μｍ以上の異
物はすべてみつけることができた。一方、対物レンズ５
０倍を用いると、０．２〜０．３μｍレベル径の異物を
暗点としてまれにみつけることができた。しかし、それ
以下の異物はほとんどみつからなかった。そこで、原因
を調べるため、このときの座標のずれ量について、格子
状のパターンを刻んだウェハ複数枚を用いて、調査した
ところ、ｘ−ｙ座標表示において、原点位置あるいはウ
ェハの中心位置およびその中に定義できる任意の点に対
し概ね（±２５０μｍ、±２５０μｍ）のずれ量をもつ
ことが判明した。
【００１２】これに対し、今回用いた装置の対物レンズ
５倍のときの視野は約１５００μｍφであるのに対し
て、対物レンズ５０倍では約１５０μｍφしかなかっ
た。
５倍のときの視野は約１５００μｍφであるのに対し
て、対物レンズ５０倍では約１５０μｍφしかなかっ
た。
【００１３】すなわち、対物レンズ５０倍のときに０．
２〜０．３μｍレベル径の異物の多くを見つけることが
できなかったのは、対物レンズの倍率を５倍から５０倍
と高倍率にかえたことにより、顕微鏡の視野の範囲より
ずれ量が相対的に大きくなり、目的である０．２〜０．
３μｍレベル径の異物が現状の装置のもつ視野内におさ
まらなかったことによることがわかった。
２〜０．３μｍレベル径の異物の多くを見つけることが
できなかったのは、対物レンズの倍率を５倍から５０倍
と高倍率にかえたことにより、顕微鏡の視野の範囲より
ずれ量が相対的に大きくなり、目的である０．２〜０．
３μｍレベル径の異物が現状の装置のもつ視野内におさ
まらなかったことによることがわかった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】そのため、個々の微小
異物について、適当なＳＥＭなどの分析装置を用いるこ
とにより、それを直接観察したりあるいは組成分析した
りすることにより、その実態の同定が必要となる。しか
し、パーティクル検査装置からえられる個々の微小異物
が存在するウェハ上の位置は、パーティクル検査装置の
もつ装置座標において定義されるため、必ずしもパーテ
ィクル検査装置でない分析装置がもつ装置座標と一致し
ない。また、パーティクル検査装置で異物検査をしたウ
ェハなどの試料をＳＥＭなどのパーティクル検査装置で
ない分析装置にセッティングするばあい、どうしても新
たなセッティングに伴う座標ずれ誤差が発生してしま
う。そのため、微小異物の実態同定を行うには、何等か
の方策を用いることにより、パーティクル検査装置のも
つ装置座標とＳＥＭなどのパーティクル検査装置でない
分析装置のもつ装置座標とを高精度でリンクさせること
が必要となる。
異物について、適当なＳＥＭなどの分析装置を用いるこ
とにより、それを直接観察したりあるいは組成分析した
りすることにより、その実態の同定が必要となる。しか
し、パーティクル検査装置からえられる個々の微小異物
が存在するウェハ上の位置は、パーティクル検査装置の
もつ装置座標において定義されるため、必ずしもパーテ
ィクル検査装置でない分析装置がもつ装置座標と一致し
ない。また、パーティクル検査装置で異物検査をしたウ
ェハなどの試料をＳＥＭなどのパーティクル検査装置で
ない分析装置にセッティングするばあい、どうしても新
たなセッティングに伴う座標ずれ誤差が発生してしま
う。そのため、微小異物の実態同定を行うには、何等か
の方策を用いることにより、パーティクル検査装置のも
つ装置座標とＳＥＭなどのパーティクル検査装置でない
分析装置のもつ装置座標とを高精度でリンクさせること
が必要となる。
【００１５】そこで、個々のパーティクル検査装置およ
びＳＥＭなどのパーティクル検査装置でない分析装置が
もつ装置座標について調べた。その結果、ほとんどの装
置において、ｘ−ｙ座標系が採用されていることがわか
った。また、被測定試料であるウェハに対しての各装置
のもつ座標軸および原点位置の決め方は、（１）ウェハ
がもつオリフラと接する方向をｘ軸（もしくはｙ軸）方
向とし、ウェハ面内でのその垂線方向をｙ軸（もしくは
ｘ軸）方向とし、かつ、ウェハの最外周とｙ軸との交点
を（０，ｙ）とし、ｘ軸との交点を（０，０）として定
義する方法（図９（ａ）参照）、あるいは、（２）ウェ
ハがもつオリフラと接する方向をｘ軸（もしくはｙ軸）
方向とし、ウェハ面内でのその垂線方向をｙ軸（もしく
はｘ軸）方向とし、かつ、ウェハの最外周の３点以上の
サンプル点を測定して、これを円あるいは楕円の方程式
に当てはめることで、ウェハの中心位置を原点（０，
０）として定義する方法（図９（ｂ）参照）が採用され
ている。
びＳＥＭなどのパーティクル検査装置でない分析装置が
もつ装置座標について調べた。その結果、ほとんどの装
置において、ｘ−ｙ座標系が採用されていることがわか
った。また、被測定試料であるウェハに対しての各装置
のもつ座標軸および原点位置の決め方は、（１）ウェハ
がもつオリフラと接する方向をｘ軸（もしくはｙ軸）方
向とし、ウェハ面内でのその垂線方向をｙ軸（もしくは
ｘ軸）方向とし、かつ、ウェハの最外周とｙ軸との交点
を（０，ｙ）とし、ｘ軸との交点を（０，０）として定
義する方法（図９（ａ）参照）、あるいは、（２）ウェ
ハがもつオリフラと接する方向をｘ軸（もしくはｙ軸）
方向とし、ウェハ面内でのその垂線方向をｙ軸（もしく
はｘ軸）方向とし、かつ、ウェハの最外周の３点以上の
サンプル点を測定して、これを円あるいは楕円の方程式
に当てはめることで、ウェハの中心位置を原点（０，
０）として定義する方法（図９（ｂ）参照）が採用され
ている。
【００１６】しかし、これらの方法では、各装置によっ
て座標の定義に用いた関数が異なったり、サンプル点の
数が異なったりするため、定義される座標そのものがま
ちまちになる。また、各装置のステージ精度に依存した
ｘ−ｙステージが本来もつステージ誤差（図３に示すよ
うに、理想的なｘ−ｙ座標に対し、実際のｘ−ｙステー
ジは幾分歪んだ座標になる。この差分ｅiをいう）や各
装置のもつくせによる不確定な個体誤差のため、従来行
われていた単純な「パーティクル検査装置で検出した微
小な欠陥や異物の位置情報をパーティクル検査装置でな
いＳＥＭなどの分析装置の座標に入力するという座標リ
ンクの方法」では、どうしても装置座標の座標軸および
原点位置にずれが生じる。すなわち、微小異物を検査す
るには倍率を上げる必要があるが、倍率を上げると検査
領域または分析領域である視野は狭くなる。
て座標の定義に用いた関数が異なったり、サンプル点の
数が異なったりするため、定義される座標そのものがま
ちまちになる。また、各装置のステージ精度に依存した
ｘ−ｙステージが本来もつステージ誤差（図３に示すよ
うに、理想的なｘ−ｙ座標に対し、実際のｘ−ｙステー
ジは幾分歪んだ座標になる。この差分ｅiをいう）や各
装置のもつくせによる不確定な個体誤差のため、従来行
われていた単純な「パーティクル検査装置で検出した微
小な欠陥や異物の位置情報をパーティクル検査装置でな
いＳＥＭなどの分析装置の座標に入力するという座標リ
ンクの方法」では、どうしても装置座標の座標軸および
原点位置にずれが生じる。すなわち、微小異物を検査す
るには倍率を上げる必要があるが、倍率を上げると検査
領域または分析領域である視野は狭くなる。
【００１７】そのため、分析装置の微小異物に対する分
析可能な倍率において、そのときの装置のもつ視野内に
微小な欠陥や異物をセッティングできなくなる。すなわ
ち、微小異物を検査するには倍率を上げる必要がある
が、倍率を上げると検査領域または分析領域である視野
は狭くなる。
析可能な倍率において、そのときの装置のもつ視野内に
微小な欠陥や異物をセッティングできなくなる。すなわ
ち、微小異物を検査するには倍率を上げる必要がある
が、倍率を上げると検査領域または分析領域である視野
は狭くなる。
【００１８】そこで前記理由により発生する座標のずれ
量について、格子状のパターンを刻んだウェハ複数枚を
用いて、種々の装置について調査したところ、精度のよ
い装置間（日立電子エンジニアリング（株）製・パーテ
ィクル検査装置、装置名；ＩＳ−２０００と（株）日立
製作所製・測長ＳＥＭ、装置名；Ｓ−７０００）でさ
え、ｘ−ｙ座標表示において、原点位置あるいは中心位
置およびその中に定義できる任意の点に対しおおむね
（±１００μｍ、±１００μｍ）のずれ量をもつことが
判明した。そのため、パーティクル検査装置で検出され
るウェハ上の任意の位置にある微小異物について、ＳＥ
Ｍなどのパーティクル検査装置でない分析装置を用いて
観察あるいは分析し、評価しようとするばあい、少なく
とも、パーティクル検査装置で検出される微小異物の存
在すると考えられる位置を中心として、（±１００μ
ｍ、±１００μｍ）以上の範囲を網羅した範囲（２００
μｍ×２００μｍ＝４００００μｍ2、倍率５００倍に
おけるＳＥＭの視野）において、ＳＥＭなどのパーティ
クル検査装置でない分析装置を用いて観察を施し、その
微小異物の位置を確認したのちに、その部分を拡大する
などのなんらかの方法により、当初の目的であるその微
小異物の観察あるいは分析および評価をすることが必要
となる。そのためかなりの時間を要することになる。
量について、格子状のパターンを刻んだウェハ複数枚を
用いて、種々の装置について調査したところ、精度のよ
い装置間（日立電子エンジニアリング（株）製・パーテ
ィクル検査装置、装置名；ＩＳ−２０００と（株）日立
製作所製・測長ＳＥＭ、装置名；Ｓ−７０００）でさ
え、ｘ−ｙ座標表示において、原点位置あるいは中心位
置およびその中に定義できる任意の点に対しおおむね
（±１００μｍ、±１００μｍ）のずれ量をもつことが
判明した。そのため、パーティクル検査装置で検出され
るウェハ上の任意の位置にある微小異物について、ＳＥ
Ｍなどのパーティクル検査装置でない分析装置を用いて
観察あるいは分析し、評価しようとするばあい、少なく
とも、パーティクル検査装置で検出される微小異物の存
在すると考えられる位置を中心として、（±１００μ
ｍ、±１００μｍ）以上の範囲を網羅した範囲（２００
μｍ×２００μｍ＝４００００μｍ2、倍率５００倍に
おけるＳＥＭの視野）において、ＳＥＭなどのパーティ
クル検査装置でない分析装置を用いて観察を施し、その
微小異物の位置を確認したのちに、その部分を拡大する
などのなんらかの方法により、当初の目的であるその微
小異物の観察あるいは分析および評価をすることが必要
となる。そのためかなりの時間を要することになる。
【００１９】いま、この領域の大きさが微小異物に対し
てどのような大きさであるかを直観的に掴むために、こ
の４００００μｍ2（２００μｍ×２００μｍ）の範囲
について、現在、比較的高い分解能をもったＣＣＤカメ
ラと考えられている１００万画素のＣＣＤカメラを用い
て観察したと仮定して、そのＣＣＤカメラがもつ１画素
が占める検出範囲（面積）を計算することにより、検出
が可能であると考えられる微小異物の大きさについて考
察してみる。前記の条件下において１画素の占める検出
範囲は、計算から０．０４μｍ2（４万μｍ2÷１００万
＝０．２μｍ×０．２μｍ）と求まる。一方、１画素に
満たない大きさの物の識別は困難であるから、微小異物
の検出限界は０．０４μｍ2（０．２μｍ×０．２μ
ｍ）となる。すなわち、投影面積が０．０４μｍ2以下
の大きさ（直径約０．２μｍ）の微小異物を直接１００
万画素のＣＣＤカメラを用いて検出することは、困難で
あり、その微小異物の位置を特定することも極めて困難
であることがわかる。まして、０．２μｍ以下の微小異
物の位置を特定することは不可能に近い。
てどのような大きさであるかを直観的に掴むために、こ
の４００００μｍ2（２００μｍ×２００μｍ）の範囲
について、現在、比較的高い分解能をもったＣＣＤカメ
ラと考えられている１００万画素のＣＣＤカメラを用い
て観察したと仮定して、そのＣＣＤカメラがもつ１画素
が占める検出範囲（面積）を計算することにより、検出
が可能であると考えられる微小異物の大きさについて考
察してみる。前記の条件下において１画素の占める検出
範囲は、計算から０．０４μｍ2（４万μｍ2÷１００万
＝０．２μｍ×０．２μｍ）と求まる。一方、１画素に
満たない大きさの物の識別は困難であるから、微小異物
の検出限界は０．０４μｍ2（０．２μｍ×０．２μ
ｍ）となる。すなわち、投影面積が０．０４μｍ2以下
の大きさ（直径約０．２μｍ）の微小異物を直接１００
万画素のＣＣＤカメラを用いて検出することは、困難で
あり、その微小異物の位置を特定することも極めて困難
であることがわかる。まして、０．２μｍ以下の微小異
物の位置を特定することは不可能に近い。
【００２０】このことから、従来、パーティクル検査装
置で検出される直径約０．２μｍ以下の微小異物につい
て、パーティクル検査装置のもつ装置座標をもとにし
て、パーティクル検査装置でないＳＥＭなどの分析装置
のもつ装置座標とリンクさせることにより、その微小異
物の位置を特定して、直接微小異物を観察し、あるいは
評価することは一般的に困難である。
置で検出される直径約０．２μｍ以下の微小異物につい
て、パーティクル検査装置のもつ装置座標をもとにし
て、パーティクル検査装置でないＳＥＭなどの分析装置
のもつ装置座標とリンクさせることにより、その微小異
物の位置を特定して、直接微小異物を観察し、あるいは
評価することは一般的に困難である。
【００２１】本発明はかかる問題を解消するためになさ
れたものであり、パーティクル検査装置のもつ装置座標
とパーティクル検査装置でないＳＥＭなどの他の分析装
置のもつ装置座標とを従来の装置座標のリンク方法を採
用した装置よりはるかに高精度でリンクすることができ
る方法を採用することにより、微小異物の観察、分析お
よび評価をすることができる微小異物の分析方法および
その装置を提供することを目的とする。
れたものであり、パーティクル検査装置のもつ装置座標
とパーティクル検査装置でないＳＥＭなどの他の分析装
置のもつ装置座標とを従来の装置座標のリンク方法を採
用した装置よりはるかに高精度でリンクすることができ
る方法を採用することにより、微小異物の観察、分析お
よび評価をすることができる微小異物の分析方法および
その装置を提供することを目的とする。
【００２２】本発明の他の目的は、半導体素子または液
晶表示素子の製造工程において、前記分析方法を用いて
ウェハやガラスなどの絶縁性透明基板表面の微小異物を
検査し、分析することにより、半導体素子または液晶表
示素子などの歩留りを向上させ、かつ、信頼性を向上さ
せる半導体素子または液晶表示素子の製法を提供するこ
とにある。
晶表示素子の製造工程において、前記分析方法を用いて
ウェハやガラスなどの絶縁性透明基板表面の微小異物を
検査し、分析することにより、半導体素子または液晶表
示素子などの歩留りを向上させ、かつ、信頼性を向上さ
せる半導体素子または液晶表示素子の製法を提供するこ
とにある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の微小異物
の分析方法は、パーティクル検査装置において試料表面
の微小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステ
ージ上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた
微小異物の位置を分析装置の座標ステージに入力して、
該微小異物の内容を分析する微小異物の分析方法であっ
て、前記パーティクル検査装置で採用する装置座標と前
記分析装置で採用する装置座標の少なくとも一方を、表
面に相対的な位置関係を有するドット列が設けられた原
器ウェハを用いて前記装置座標の有する誤差をあらかじ
め測定し、その誤差を前記装置座標に対して補正するこ
とにより前記パーティクル検査装置および分析装置の装
置座標を互いにリンクすることを特徴とするものであ
る。
の分析方法は、パーティクル検査装置において試料表面
の微小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステ
ージ上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた
微小異物の位置を分析装置の座標ステージに入力して、
該微小異物の内容を分析する微小異物の分析方法であっ
て、前記パーティクル検査装置で採用する装置座標と前
記分析装置で採用する装置座標の少なくとも一方を、表
面に相対的な位置関係を有するドット列が設けられた原
器ウェハを用いて前記装置座標の有する誤差をあらかじ
め測定し、その誤差を前記装置座標に対して補正するこ
とにより前記パーティクル検査装置および分析装置の装
置座標を互いにリンクすることを特徴とするものであ
る。
【００２４】前記原器ウェハを用いて行う装置座標の補
正を、前記パーティクル検査装置および分析装置の双方
で同じ原器ウェハを用いて行うことが、誤差を少なくす
ることができるため好ましい。
正を、前記パーティクル検査装置および分析装置の双方
で同じ原器ウェハを用いて行うことが、誤差を少なくす
ることができるため好ましい。
【００２５】請求項３記載の微小異物の分析方法は、パ
ーティクル検査装置において試料表面の微小異物の位置
を求め、該試料を分析装置の座標ステージ上に移し、前
記パーティクル検査装置で求められた微小異物の位置を
分析装置の座標に入力して、該微小異物の内容を分析す
る微小異物の分析方法であって、前記パーティクル検査
装置において原器ウェハ上のドットの位置を検出するこ
とにより求めた各ドットの装置座標上での相対的な位置
関係を求め、前記分析装置において前記原器ウェハ上の
ドットの位置を検出することにより求めた各ドットの装
置座標上での相対的な位置関係を求め、前記両装置のそ
れぞれの相対的位置関係を比較することにより該両装置
の装置座標を互いにリンクすることを特徴とする。
ーティクル検査装置において試料表面の微小異物の位置
を求め、該試料を分析装置の座標ステージ上に移し、前
記パーティクル検査装置で求められた微小異物の位置を
分析装置の座標に入力して、該微小異物の内容を分析す
る微小異物の分析方法であって、前記パーティクル検査
装置において原器ウェハ上のドットの位置を検出するこ
とにより求めた各ドットの装置座標上での相対的な位置
関係を求め、前記分析装置において前記原器ウェハ上の
ドットの位置を検出することにより求めた各ドットの装
置座標上での相対的な位置関係を求め、前記両装置のそ
れぞれの相対的位置関係を比較することにより該両装置
の装置座標を互いにリンクすることを特徴とする。
【００２６】前記原器ウェハは、前記相対的な位置関係
を有するドット列の各ドットがランダムに設けられ、か
つ、各ドット間の位置関係が正確に把握されているもの
であることが、ドット列の形成が容易である。
を有するドット列の各ドットがランダムに設けられ、か
つ、各ドット間の位置関係が正確に把握されているもの
であることが、ドット列の形成が容易である。
【００２７】前記原器ウェハは、前記相対的な位置関係
を有するドット列の各ドットがデジタル的に定義される
関数によって定められているものであることが、装置座
標の補正の際関数により処理できるため容易である。
を有するドット列の各ドットがデジタル的に定義される
関数によって定められているものであることが、装置座
標の補正の際関数により処理できるため容易である。
【００２８】前記ドット列の各ドットが少なくとも円周
上の一定角度ごと、または直交座標軸上の一定間隔ごと
に設けられていることが、装置座標の補正の際の処理が
一層容易になる。
上の一定角度ごと、または直交座標軸上の一定間隔ごと
に設けられていることが、装置座標の補正の際の処理が
一層容易になる。
【００２９】前記ドット列は直径の異なるドットの組か
らなることにより、たとえ任意の大きさの異物により原
器ウェハが汚染されたとしても、原器ウェハが用いられ
ているドット列の直径ならびに配列がわかっていること
により汚染によるものか意図して作ったドットの組なの
かの判別が可能となる。また、ドットの組にすることに
より、ドット列にスケール上の目盛りとしての情報を与
えることができる。
らなることにより、たとえ任意の大きさの異物により原
器ウェハが汚染されたとしても、原器ウェハが用いられ
ているドット列の直径ならびに配列がわかっていること
により汚染によるものか意図して作ったドットの組なの
かの判別が可能となる。また、ドットの組にすることに
より、ドット列にスケール上の目盛りとしての情報を与
えることができる。
【００３０】前記試料が製造工程の途中における半導体
素子もしくは該素子が形成されつつある半導体ウェハで
あってもよい。
素子もしくは該素子が形成されつつある半導体ウェハで
あってもよい。
【００３１】前記試料が製造工程の途中における液晶表
示素子もしくは該素子が形成されつつある絶縁性透明基
板であってもよい。
示素子もしくは該素子が形成されつつある絶縁性透明基
板であってもよい。
【００３２】本発明の微小異物の分析装置は、パーティ
クル検査装置において微小異物の位置が検出された試料
がステージ上に載置され、前記微小異物を分析する分析
装置であって、原器ウェハのドットの相対的な位置関係
を用いて前記分析装置の全体誤差であるトータル誤差の
変化傾向を求める手段と、該トータル誤差の変化傾向に
基づいて装置座標からトータル誤差を差し引き座標補正
を行う手段とが付加されている。
クル検査装置において微小異物の位置が検出された試料
がステージ上に載置され、前記微小異物を分析する分析
装置であって、原器ウェハのドットの相対的な位置関係
を用いて前記分析装置の全体誤差であるトータル誤差の
変化傾向を求める手段と、該トータル誤差の変化傾向に
基づいて装置座標からトータル誤差を差し引き座標補正
を行う手段とが付加されている。
【００３３】前記変化傾向を求める手段が、各ドットの
位置を測定し、真値との誤差を求める手段と、前記原器
ウェハの各ドットが有するデジタル的に定義される関数
に基づき前記測定した位置の誤差から前記装置のトータ
ル誤差を算出することからなってもよい。
位置を測定し、真値との誤差を求める手段と、前記原器
ウェハの各ドットが有するデジタル的に定義される関数
に基づき前記測定した位置の誤差から前記装置のトータ
ル誤差を算出することからなってもよい。
【００３４】本発明のパーティクル検査装置は、試料上
の微小異物を検出するパーティクル検査装置であって、
原器ウェハのドットの相対的な位置関係を用いて前記パ
ーティクル検査装置の全体誤差であるトータル誤差の変
化傾向を求める手段と、該トータル誤差の変化傾向に基
づいて装置座標からトータル誤差を差し引き座標補正を
行う手段とが付加されている。
の微小異物を検出するパーティクル検査装置であって、
原器ウェハのドットの相対的な位置関係を用いて前記パ
ーティクル検査装置の全体誤差であるトータル誤差の変
化傾向を求める手段と、該トータル誤差の変化傾向に基
づいて装置座標からトータル誤差を差し引き座標補正を
行う手段とが付加されている。
【００３５】前記各分析方法または分析装置における前
記分析装置が、走査型電子顕微鏡、金属顕微鏡、走査型
レーザ顕微鏡、化学構造の分析を行う顕微赤外分光装
置、顕微ラマン分光装置、蛍光分光分析を行うフォトル
ミネッセンス装置、表面微量元素分析を行う電子線プロ
ーブマイクロアナリシス装置、オージェ電子分光装置、
電子エネルギー損失分光装置、２次イオン質量分析装
置、飛行時間型質量分析装置、粒子線励起Ｘ線分光装
置、結晶解析を行う高速反射電子線回折装置、表面加工
を行う収束イオン分析装置、化学構造の分析を行うＸ線
光電子分光装置、紫外線光電子分光装置、さらに走査型
プローブ顕微鏡、原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微
鏡および磁気力顕微鏡よりなる群から選ばれた少なくと
も１種であってもよい。
記分析装置が、走査型電子顕微鏡、金属顕微鏡、走査型
レーザ顕微鏡、化学構造の分析を行う顕微赤外分光装
置、顕微ラマン分光装置、蛍光分光分析を行うフォトル
ミネッセンス装置、表面微量元素分析を行う電子線プロ
ーブマイクロアナリシス装置、オージェ電子分光装置、
電子エネルギー損失分光装置、２次イオン質量分析装
置、飛行時間型質量分析装置、粒子線励起Ｘ線分光装
置、結晶解析を行う高速反射電子線回折装置、表面加工
を行う収束イオン分析装置、化学構造の分析を行うＸ線
光電子分光装置、紫外線光電子分光装置、さらに走査型
プローブ顕微鏡、原子間力顕微鏡、走査型トンネル顕微
鏡および磁気力顕微鏡よりなる群から選ばれた少なくと
も１種であってもよい。
【００３６】また本発明の半導体素子の製法は、少なく
とも洗浄工程、成膜工程、露光工程、エッチング工程、
イオン注入工程、拡散工程、熱処理工程を含む工程から
なる半導体素子の製法であって、前記各工程の少なくと
も１つの工程が検査工程を伴い、該検査工程のうちの少
なくとも１つが請求項１記載の方法または請求項８記載
の装置により微小異物の分析をするものである。
とも洗浄工程、成膜工程、露光工程、エッチング工程、
イオン注入工程、拡散工程、熱処理工程を含む工程から
なる半導体素子の製法であって、前記各工程の少なくと
も１つの工程が検査工程を伴い、該検査工程のうちの少
なくとも１つが請求項１記載の方法または請求項８記載
の装置により微小異物の分析をするものである。
【００３７】さらに本発明の液晶表示素子の製法は、絶
縁性透明基板に少なくとも薄膜トランジスタと画素電極
とが設けられたＴＦＴ基板と、絶縁性透明基板に少なく
とも対向電極が設けられた対向基板とを一定間隙を保持
して周囲で貼着し、該間隙に液晶材料を注入する液晶表
示素子の製法であって、前記ＴＦＴ基板または対向基板
の製造工程である洗浄工程、成膜工程、露光工程、エッ
チング工程、イオン注入工程の少なくとも１つの工程が
検査工程を伴い、該検査工程の少なくとも１つが請求項
１記載の方法または請求項８記載の装置により微小異物
の分析をするものである。
縁性透明基板に少なくとも薄膜トランジスタと画素電極
とが設けられたＴＦＴ基板と、絶縁性透明基板に少なく
とも対向電極が設けられた対向基板とを一定間隙を保持
して周囲で貼着し、該間隙に液晶材料を注入する液晶表
示素子の製法であって、前記ＴＦＴ基板または対向基板
の製造工程である洗浄工程、成膜工程、露光工程、エッ
チング工程、イオン注入工程の少なくとも１つの工程が
検査工程を伴い、該検査工程の少なくとも１つが請求項
１記載の方法または請求項８記載の装置により微小異物
の分析をするものである。
【００３８】
【作用】請求項１記載の微小異物の分析方法によれば、
表面に相対的な位置関係を有するドット列が設けられた
原器ウェハを用いてパーティクル検査装置および／また
は分析装置の装置座標を補正しているため、装置座標が
潜在的に有するステージ誤差および各装置のもつくせに
よる不確定な個体誤差の合計であるトータル誤差を有効
に補正することができる。したがって試料に存在する微
小異物の位置を原器ウェハの各ドットの相対的位置関係
（以下、スケールという）に基づいて正確に特定するこ
とができ、異なる装置間でそれぞれの装置座標に潜在的
に誤差を有していてもパーティクル検査装置で検出した
微小異物の場所を分析装置の視野に即座にセッティング
することができ、容易に分析をすることができる。
表面に相対的な位置関係を有するドット列が設けられた
原器ウェハを用いてパーティクル検査装置および／また
は分析装置の装置座標を補正しているため、装置座標が
潜在的に有するステージ誤差および各装置のもつくせに
よる不確定な個体誤差の合計であるトータル誤差を有効
に補正することができる。したがって試料に存在する微
小異物の位置を原器ウェハの各ドットの相対的位置関係
（以下、スケールという）に基づいて正確に特定するこ
とができ、異なる装置間でそれぞれの装置座標に潜在的
に誤差を有していてもパーティクル検査装置で検出した
微小異物の場所を分析装置の視野に即座にセッティング
することができ、容易に分析をすることができる。
【００３９】請求項２記載の分析方法によれば、両装置
の補正を同じ原器ウェハにより行うため、両装置間の装
置座標を同じ基準に合わせることができ、完全にリンク
させることができる。
の補正を同じ原器ウェハにより行うため、両装置間の装
置座標を同じ基準に合わせることができ、完全にリンク
させることができる。
【００４０】請求項３記載の分析方法によれば、パーテ
ィクル検査装置および分析装置のそれぞれにおいて原器
ウェハのドット位置と装置座標との相対的な位置関係を
求め、その両方を比較することにより両装置の装置座標
を互いにリンクさせているため、それぞれの装置におい
て別々に装置座標を補正する必要がなく、しかも装置間
の装置座標はリンクされており、パーティクル検査装置
で検出した微小異物の場所を分析装置の視野に即座にセ
ッティングすることができ、容易に分析することができ
る。
ィクル検査装置および分析装置のそれぞれにおいて原器
ウェハのドット位置と装置座標との相対的な位置関係を
求め、その両方を比較することにより両装置の装置座標
を互いにリンクさせているため、それぞれの装置におい
て別々に装置座標を補正する必要がなく、しかも装置間
の装置座標はリンクされており、パーティクル検査装置
で検出した微小異物の場所を分析装置の視野に即座にセ
ッティングすることができ、容易に分析することができ
る。
【００４１】請求項４記載の分析方法によれば、原器ウ
ェハのドット列がランダムにもうけられているため、原
器ウェハの製作が容易である一方で、ドット列の各ドッ
ト間の相対的位置関係が正確に把握されているため、各
装置座標の補正や両装置座標間のリンクを容易に行うこ
とができる。
ェハのドット列がランダムにもうけられているため、原
器ウェハの製作が容易である一方で、ドット列の各ドッ
ト間の相対的位置関係が正確に把握されているため、各
装置座標の補正や両装置座標間のリンクを容易に行うこ
とができる。
【００４２】請求項５記載の分析方法によれば、原器ウ
ェハのドット列がデジタル的に定義される関数によって
定められているため、各装置のトータル誤差を演算処理
で求めることができ、各装置の装置座標の補正や両装置
座標間のリンクを容易に行うことができる。
ェハのドット列がデジタル的に定義される関数によって
定められているため、各装置のトータル誤差を演算処理
で求めることができ、各装置の装置座標の補正や両装置
座標間のリンクを容易に行うことができる。
【００４３】請求項６記載の分析方法によれば、各ドッ
トが円周上または直交座標軸上の一定間隔ごとに設けら
れているので、回転方向およびｘ、ｙ軸方向それぞれの
座標を一層容易に補正することができる。なお、各ドッ
ト間の相対的位置関係がわかっていれば、離散数学的定
義にはとらわれない。
トが円周上または直交座標軸上の一定間隔ごとに設けら
れているので、回転方向およびｘ、ｙ軸方向それぞれの
座標を一層容易に補正することができる。なお、各ドッ
ト間の相対的位置関係がわかっていれば、離散数学的定
義にはとらわれない。
【００４４】請求項７記載の分析方法によれば、原器ウ
ェハのスケールとするドット列の各ドットが直径の異な
るドットの組からなっているため、たとえ任意の大きさ
の異物により原器ウェハが汚染されたとしても、原器ウ
ェハに用いられているドット列の直径、ならびにその配
列をみきわめることにより、汚染によるノイズなのか、
原器ウェハ上に意図して作られたドットの組なのかの判
別ができるため、座標を読み取りやすくなり、その結
果、緻密に原器ウェハを用いて補正をすることができ
る。また、ドットの組にすることにより、ドット列にス
ケール上の目盛りとしての情報を与えることができる。
ェハのスケールとするドット列の各ドットが直径の異な
るドットの組からなっているため、たとえ任意の大きさ
の異物により原器ウェハが汚染されたとしても、原器ウ
ェハに用いられているドット列の直径、ならびにその配
列をみきわめることにより、汚染によるノイズなのか、
原器ウェハ上に意図して作られたドットの組なのかの判
別ができるため、座標を読み取りやすくなり、その結
果、緻密に原器ウェハを用いて補正をすることができ
る。また、ドットの組にすることにより、ドット列にス
ケール上の目盛りとしての情報を与えることができる。
【００４５】請求項８記載の分析方法によれば、製造工
程にある半導体ウェハの微小異物を分析することができ
るため、半導体素子の製造工程の不良原因を解析するこ
とができる。
程にある半導体ウェハの微小異物を分析することができ
るため、半導体素子の製造工程の不良原因を解析するこ
とができる。
【００４６】請求項９記載の分析方法によれば、液晶表
示素子の製造工程にある絶縁性透明基板の微小異物を分
析することができるため、液晶表示素子の製造工程の不
良原因を解析することができる。
示素子の製造工程にある絶縁性透明基板の微小異物を分
析することができるため、液晶表示素子の製造工程の不
良原因を解析することができる。
【００４７】請求項１０または１４記載の方法または装
置によれば、分析装置の選択により微小異物の表面形
状、元素分析、化学構造、結晶構造などを分析すること
ができるとともに表面加工をすることもできる。
置によれば、分析装置の選択により微小異物の表面形
状、元素分析、化学構造、結晶構造などを分析すること
ができるとともに表面加工をすることもできる。
【００４８】請求項１１および１３記載のパーティクル
検査装置および分析装置によれば、原器ウェハのスケー
ルに基づき装置座標の潜在的に有するトータル誤差を補
正する手段が設けられているため、パーティクル検査装
置および／または分析装置の有するトータル誤差の影響
を小さくでき、パーティクル検査装置により誤差を含ん
だ状態で検出された微小異物の位置が正確に分析装置の
装置座標にリンクされ、容易に分析装置の視野内に微小
異物のセッティングをすることができる。
検査装置および分析装置によれば、原器ウェハのスケー
ルに基づき装置座標の潜在的に有するトータル誤差を補
正する手段が設けられているため、パーティクル検査装
置および／または分析装置の有するトータル誤差の影響
を小さくでき、パーティクル検査装置により誤差を含ん
だ状態で検出された微小異物の位置が正確に分析装置の
装置座標にリンクされ、容易に分析装置の視野内に微小
異物のセッティングをすることができる。
【００４９】請求項１２記載の分析装置によれば、トー
タル誤差の変化傾向を求める手段が各ドットの誤差を求
める手段とトータル誤差を算出する手段とからなってい
るので、簡単に各装置のトータル誤差を求めることがで
きる。
タル誤差の変化傾向を求める手段が各ドットの誤差を求
める手段とトータル誤差を算出する手段とからなってい
るので、簡単に各装置のトータル誤差を求めることがで
きる。
【００５０】請求項１５〜１６記載の半導体素子の製法
によれば、製造プロセスの途中で随時ウェハ表面の微小
異物の状況を抜取りまたは全数検査で行うことができる
ため、製造工程での微小異物の発生状況や発生原因を知
ることができ、直ちに製造プロセスにフィードバックす
ることができる。その結果、サブミクロンオーダの配線
となる超ＬＳＩにおいても微小異物に基づく不具合を最
小限に留めることができ、歩留りを向上させるとともに
信頼性が向上する。
によれば、製造プロセスの途中で随時ウェハ表面の微小
異物の状況を抜取りまたは全数検査で行うことができる
ため、製造工程での微小異物の発生状況や発生原因を知
ることができ、直ちに製造プロセスにフィードバックす
ることができる。その結果、サブミクロンオーダの配線
となる超ＬＳＩにおいても微小異物に基づく不具合を最
小限に留めることができ、歩留りを向上させるとともに
信頼性が向上する。
【００５１】また請求項１７〜１８記載の液晶表示素子
の製法によれば、薄膜トランジスタや信号配線などの形
成工程の途中で微小異物の状況を把握することができる
ため、高精細化に伴う微細配線の液晶表示素子において
も断線などの事故を防止することができ、液晶表示素子
の歩留りおよび信頼性の向上が図れる。
の製法によれば、薄膜トランジスタや信号配線などの形
成工程の途中で微小異物の状況を把握することができる
ため、高精細化に伴う微細配線の液晶表示素子において
も断線などの事故を防止することができ、液晶表示素子
の歩留りおよび信頼性の向上が図れる。
【００５２】
【実施例】つぎに本発明の微小異物の分析方法、そのた
めの分析装置、およびこれらを用いた半導体素子または
液晶表示素子の製法について説明する。
めの分析装置、およびこれらを用いた半導体素子または
液晶表示素子の製法について説明する。
【００５３】［実施例１］前述のように、パーティクル
検査装置で検出した微小異物をリンクさせて、分析装置
により微小異物の同定を図るため、両装置の座標をリン
クさせて微小異物の位置座標に分析装置の装置座標を合
わせても分析装置の視野内に微小異物を容易に位置合わ
せすることができない。本発明者らはその原因をなくし
て、両装置間での微小異物の位置合わせを容易に、か
つ、正確に行うため鋭意検討を重ねた結果、前述のよう
に装置座標にステージ誤差と各装置のもつくせなどによ
る不確定な個体誤差を含むトータル誤差が各装置に潜在
的に存在することを見出した。このトータル誤差はパー
ティクル検査装置と分析装置間で異なるのみではなく、
分析装置の各々のあいだにおいてもそれぞれの装置に固
有の誤差として存在している。そのため、試料と各装置
の座標間のリンクのみでなく、各装置間の座標そのもの
を基準の座標とリンクさせなければ、各装置間での位置
座標を完全にリンクさせることができないということを
見出し、絶対スケールを有する物差しである原器ウェハ
を用いて各装置のトータル誤差を除去することにより、
または原器ウェハに対する各装置の相対的な位置関係を
比較することにより装置間での座標の誤差を軽減し簡単
に微小異物の位置合わせをすることができるようにし
た。
検査装置で検出した微小異物をリンクさせて、分析装置
により微小異物の同定を図るため、両装置の座標をリン
クさせて微小異物の位置座標に分析装置の装置座標を合
わせても分析装置の視野内に微小異物を容易に位置合わ
せすることができない。本発明者らはその原因をなくし
て、両装置間での微小異物の位置合わせを容易に、か
つ、正確に行うため鋭意検討を重ねた結果、前述のよう
に装置座標にステージ誤差と各装置のもつくせなどによ
る不確定な個体誤差を含むトータル誤差が各装置に潜在
的に存在することを見出した。このトータル誤差はパー
ティクル検査装置と分析装置間で異なるのみではなく、
分析装置の各々のあいだにおいてもそれぞれの装置に固
有の誤差として存在している。そのため、試料と各装置
の座標間のリンクのみでなく、各装置間の座標そのもの
を基準の座標とリンクさせなければ、各装置間での位置
座標を完全にリンクさせることができないということを
見出し、絶対スケールを有する物差しである原器ウェハ
を用いて各装置のトータル誤差を除去することにより、
または原器ウェハに対する各装置の相対的な位置関係を
比較することにより装置間での座標の誤差を軽減し簡単
に微小異物の位置合わせをすることができるようにし
た。
【００５４】原器ウェハは、図２にその一実施例が示さ
れるように、ウェハのほぼ中心を原点とする円周上に１
個／度の間隔で、また原点を通るオリフラとほぼ平行あ
るいは直交する軸上に１個／ｍｍの間隔でドットを描い
ている。
れるように、ウェハのほぼ中心を原点とする円周上に１
個／度の間隔で、また原点を通るオリフラとほぼ平行あ
るいは直交する軸上に１個／ｍｍの間隔でドットを描い
ている。
【００５５】なお、原器ウェハはここに記した模様に拘
束されるものではなく、各ドットの相対的な位置関係が
わかるいかなる模様であってもよいが、離散数学を用い
た関数による、たとえば同一円周上で中心から一定角度
ごとに、または中心から直角方向にそれぞれ一定距離ご
とにドットが設けられているドット列の方が、各ドット
の相対的位置関係を座標を用いて把握することができる
ため、パーティクル検査装置および分析装置で位置が検
出された、各列のもつ相対的な位置関係も前記関数に近
い型をとる。そのため、誤差を見つけやすくなり、その
結果回転角およびｘ、ｙ軸方向の距離を正確に補正する
ことができるため、望ましい。
束されるものではなく、各ドットの相対的な位置関係が
わかるいかなる模様であってもよいが、離散数学を用い
た関数による、たとえば同一円周上で中心から一定角度
ごとに、または中心から直角方向にそれぞれ一定距離ご
とにドットが設けられているドット列の方が、各ドット
の相対的位置関係を座標を用いて把握することができる
ため、パーティクル検査装置および分析装置で位置が検
出された、各列のもつ相対的な位置関係も前記関数に近
い型をとる。そのため、誤差を見つけやすくなり、その
結果回転角およびｘ、ｙ軸方向の距離を正確に補正する
ことができるため、望ましい。
【００５６】さらに、図２に示される例ではドットの直
径を１μｍ、３μｍ、５μｍと種類分けして設けている
ため、大まかな位置の補正を行うときは直径の大きなド
ットで位置合わせをすることができ、細かな座標の補正
をするときは小さな直径のドットにより緻密な補正をす
ることができる。
径を１μｍ、３μｍ、５μｍと種類分けして設けている
ため、大まかな位置の補正を行うときは直径の大きなド
ットで位置合わせをすることができ、細かな座標の補正
をするときは小さな直径のドットにより緻密な補正をす
ることができる。
【００５７】さらに、ドット列を各ドットの直径が異な
るドットの組により構成することにより、たとえ任意の
大きさの異物により原器ウェハが汚染されたとしても、
原器ウェハに用いられているドット列の直径、ならびに
その配列をみきわめることにより、汚染によるノイズな
のか、原器ウェハ上に意図して作られたドットの組なの
かの判別ができるため、座標を読み取りやすくなり、そ
の結果、緻密に原器ウェハを用いて補正をすることがで
きる。また、ドットの組にすることにより、ドット列に
スケール上の目盛りとしての情報を与えることができ
る。
るドットの組により構成することにより、たとえ任意の
大きさの異物により原器ウェハが汚染されたとしても、
原器ウェハに用いられているドット列の直径、ならびに
その配列をみきわめることにより、汚染によるノイズな
のか、原器ウェハ上に意図して作られたドットの組なの
かの判別ができるため、座標を読み取りやすくなり、そ
の結果、緻密に原器ウェハを用いて補正をすることがで
きる。また、ドットの組にすることにより、ドット列に
スケール上の目盛りとしての情報を与えることができ
る。
【００５８】以下、ステージ誤差と個体誤差のトータル
の誤差の評価方法および補正方法について図１を参照し
ながら説明する。
の誤差の評価方法および補正方法について図１を参照し
ながら説明する。
【００５９】（１）各装置のステージ上に原器ウェハを
セッティングし、原器ウェハに描かれた各ドットの位置
Ｐin（図２参照）をそれぞれ測定する（図１のＳ１参
照）。なお、ウェハのセッティングの方法は、従来の方
法と同じで、たとえばオリフラ部をｘ軸方向と合わせ、
その中心点を原点にしてもよいし、任意の向きに配置し
てもよい。
セッティングし、原器ウェハに描かれた各ドットの位置
Ｐin（図２参照）をそれぞれ測定する（図１のＳ１参
照）。なお、ウェハのセッティングの方法は、従来の方
法と同じで、たとえばオリフラ部をｘ軸方向と合わせ、
その中心点を原点にしてもよいし、任意の向きに配置し
てもよい。
【００６０】（２）それぞれの装置の座標上で測られた
各ドットの装置の座標上の相対的位置関係は、概ね原器
ウェハのドット列と一致する。また、それぞれの装置で
測られた各ドットの位置Ｐinは、それぞれの装置のステ
ージ誤差と個体誤差のトータルの誤差ｅを含んだ値とな
る。そのため、ステージ誤差と個体誤差のトータルの誤
差ｅは、測定したドットの位置Ｐinと本当のドットの位
置Ｐin（原器ウェハ上に離散数学を用いた円の方程式、
直線の方程式で定義されている位置に対し、平行移動と
回転の方程式を用いて、Ｐinとほぼ重ねることでえられ
る位置）との差として求まる（Ｓ２参照）。
各ドットの装置の座標上の相対的位置関係は、概ね原器
ウェハのドット列と一致する。また、それぞれの装置で
測られた各ドットの位置Ｐinは、それぞれの装置のステ
ージ誤差と個体誤差のトータルの誤差ｅを含んだ値とな
る。そのため、ステージ誤差と個体誤差のトータルの誤
差ｅは、測定したドットの位置Ｐinと本当のドットの位
置Ｐin（原器ウェハ上に離散数学を用いた円の方程式、
直線の方程式で定義されている位置に対し、平行移動と
回転の方程式を用いて、Ｐinとほぼ重ねることでえられ
る位置）との差として求まる（Ｓ２参照）。
【００６１】（３）つぎに各ドットが測られたそれぞれ
の装置の座標上でのトータルの誤差ｅを用いてステージ
上全体でのトータル誤差ｅの変化傾向を求める。なお、
ステージ上全体でのトータル誤差ｅは連続的に変化する
と考えられるため、装置の座標上の特定の位置ｘ、ｙで
のトータル誤差ｅxyの絶対値は位置ｘ、ｙ近傍で測定し
た複数点、たとえば３点から補間して求めるウェハ上の
位置によりほぼ決まる（Ｓ３参照）。よって、各装置座
標上の各ドットの位置Ｐinの順番に沿ってトータルの誤
差ｅを整理すれば、ステージ上全体でのトータル誤差ｅ
の変化を把握できる。なお、図３は装置のもつステージ
誤差の例を示したもので、（ａ）がｘ軸およびｙ軸の誤
差の例、（ｂ）はｘ座標、ｙ座標で積算される誤差の例
を示した図である。
の装置の座標上でのトータルの誤差ｅを用いてステージ
上全体でのトータル誤差ｅの変化傾向を求める。なお、
ステージ上全体でのトータル誤差ｅは連続的に変化する
と考えられるため、装置の座標上の特定の位置ｘ、ｙで
のトータル誤差ｅxyの絶対値は位置ｘ、ｙ近傍で測定し
た複数点、たとえば３点から補間して求めるウェハ上の
位置によりほぼ決まる（Ｓ３参照）。よって、各装置座
標上の各ドットの位置Ｐinの順番に沿ってトータルの誤
差ｅを整理すれば、ステージ上全体でのトータル誤差ｅ
の変化を把握できる。なお、図３は装置のもつステージ
誤差の例を示したもので、（ａ）がｘ軸およびｙ軸の誤
差の例、（ｂ）はｘ座標、ｙ座標で積算される誤差の例
を示した図である。
【００６２】（４）つぎに、それぞれの装置の装置座標
から、さきほど把握したステージ誤差と個体誤差とのト
ータル誤差ｅを数学的に差し引くことにより座標補正を
行い（Ｓ４参照）、たとえパーティクル検査装置で採用
する装置座標とパーティクル検査装置でない分析装置で
採用する装置座標とが互いに異なっていても、高精度で
座標リンクができる。
から、さきほど把握したステージ誤差と個体誤差とのト
ータル誤差ｅを数学的に差し引くことにより座標補正を
行い（Ｓ４参照）、たとえパーティクル検査装置で採用
する装置座標とパーティクル検査装置でない分析装置で
採用する装置座標とが互いに異なっていても、高精度で
座標リンクができる。
【００６３】この一連の演算手段はコンピュータにより
行われる。
行われる。
【００６４】［実施例２］図４は本発明の微小異物の観
察方法の一実施例において用いられる座標リンク機能つ
き金属顕微鏡の一例であるアクチュエータつき金属顕微
鏡の基本構成を示す説明図である。装置構成は従来のア
クチュエータつき金属顕微鏡の基本構成と同じである
が、本発明の金属顕微鏡には共通の座標系を設定するた
めの前述の手段が設けられている。
察方法の一実施例において用いられる座標リンク機能つ
き金属顕微鏡の一例であるアクチュエータつき金属顕微
鏡の基本構成を示す説明図である。装置構成は従来のア
クチュエータつき金属顕微鏡の基本構成と同じである
が、本発明の金属顕微鏡には共通の座標系を設定するた
めの前述の手段が設けられている。
【００６５】まず、Ｔｅｎｃｏｒ社製パーティクル検査
装置、装置名サーフスキャン６２００とアクチュエータ
つき金属顕微鏡に対し、実施例１で示した手順に従い、
同一の原器ウェハを用いてそれぞれの装置の装置座標上
でのトータル誤差ｅを求めたところ、サーフスキャン６
２００では、ｘ−ｙ装置座標上の任意の点に対し概ね
（±１５０μｍ、±１５０μｍ）のずれ量があり、ま
た、アクチュエータつき金属顕微鏡で概ね（±１００μ
ｍ、±１００μｍ）のずれ量があることが判明した。
装置、装置名サーフスキャン６２００とアクチュエータ
つき金属顕微鏡に対し、実施例１で示した手順に従い、
同一の原器ウェハを用いてそれぞれの装置の装置座標上
でのトータル誤差ｅを求めたところ、サーフスキャン６
２００では、ｘ−ｙ装置座標上の任意の点に対し概ね
（±１５０μｍ、±１５０μｍ）のずれ量があり、ま
た、アクチュエータつき金属顕微鏡で概ね（±１００μ
ｍ、±１００μｍ）のずれ量があることが判明した。
【００６６】つぎに、各装置の装置座標上の各点に対
し、先程求めたトータル誤差ｅを数学的に差し引くこと
で、座標補正を行い、前記両装置間における装置座標の
リンクを行った。
し、先程求めたトータル誤差ｅを数学的に差し引くこと
で、座標補正を行い、前記両装置間における装置座標の
リンクを行った。
【００６７】つぎに同じ原器ウェハを用いてそれぞれの
装置上でのずれ量の大きさについて再評価したところ、
パーティクル検査装置で（±４０μｍ、±４０μｍ）、
金属顕微鏡で（±１５μｍ、±１５μｍ）のずれ量に改
善されていた。
装置上でのずれ量の大きさについて再評価したところ、
パーティクル検査装置で（±４０μｍ、±４０μｍ）、
金属顕微鏡で（±１５μｍ、±１５μｍ）のずれ量に改
善されていた。
【００６８】つぎに、先程用いた原器ウェハ以外の原器
ウェハ複数枚を用いてその量を測ったところ、任意の点
に対しそれぞれ概ね（±８０μｍ、±８０μｍ）、（±
５０μｍ、±５０μｍ）のずれ量におさまることが判明
し、若干改善効果が悪くなることがわかった。
ウェハ複数枚を用いてその量を測ったところ、任意の点
に対しそれぞれ概ね（±８０μｍ、±８０μｍ）、（±
５０μｍ、±５０μｍ）のずれ量におさまることが判明
し、若干改善効果が悪くなることがわかった。
【００６９】そこで半導体素子の製造で使われるシリコ
ンウェハ上に存在する０．３μｍレベルの微小異物の観
察を試みた。その結果、金属顕微鏡の倍率４００（接眼
レンズの倍率を２０倍、対物レンズを２０倍固定）にお
いても、微小異物を視野範囲におさめることができ、従
来できなかった０．３μｍレベルの微小異物を確実に顕
微鏡観察ができるようになった（暗い点として観察され
た）。
ンウェハ上に存在する０．３μｍレベルの微小異物の観
察を試みた。その結果、金属顕微鏡の倍率４００（接眼
レンズの倍率を２０倍、対物レンズを２０倍固定）にお
いても、微小異物を視野範囲におさめることができ、従
来できなかった０．３μｍレベルの微小異物を確実に顕
微鏡観察ができるようになった（暗い点として観察され
た）。
【００７０】［実施例３］本実施例では、分析装置とし
て、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、
（株）ニコンから販売されている装置名ＲＣＭ８０００
などに見られる従来の走査型レーザ顕微鏡に前述の装置
座標を補正する手段が設けられたものを用いたものであ
る。そのため、他の構成は図４に示される構成と全く同
じであり、座標リンクの方法も実施例２と全く同じであ
る。
て、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、
（株）ニコンから販売されている装置名ＲＣＭ８０００
などに見られる従来の走査型レーザ顕微鏡に前述の装置
座標を補正する手段が設けられたものを用いたものであ
る。そのため、他の構成は図４に示される構成と全く同
じであり、座標リンクの方法も実施例２と全く同じであ
る。
【００７１】そこで、半導体素子の製造で使われるシリ
コンウェハ上に存在する０．２μｍレベルの微小異物の
観察を試みた。測定にＵＶ光を用い各異物７の観察を行
った結果、０．２μｍ径レベル以上の微小異物に対して
異物７の表面観察を行うことができ、０．２μｍ以下の
微小異物７について暗い点を見つけることができた。
コンウェハ上に存在する０．２μｍレベルの微小異物の
観察を試みた。測定にＵＶ光を用い各異物７の観察を行
った結果、０．２μｍ径レベル以上の微小異物に対して
異物７の表面観察を行うことができ、０．２μｍ以下の
微小異物７について暗い点を見つけることができた。
【００７２】本実施例は非破壊でかつ大気中において表
面観察できることに特徴があり、たとえば、半導体素子
または液晶表示素子の製造プロセスに使用するばあいに
は成膜工程以後の工程の異物分析にとくに効果的であ
る。
面観察できることに特徴があり、たとえば、半導体素子
または液晶表示素子の製造プロセスに使用するばあいに
は成膜工程以後の工程の異物分析にとくに効果的であ
る。
【００７３】［実施例４］本実施例では、分析装置とし
て、実施例２の金属顕微鏡３の代わりに、たとえば日本
電子（株）から販売されている装置名、顕微赤外ユニッ
トＩＲ−ＭＡＵ１１０搭載ＪＩＲ−５５００などに見ら
れる従来の顕微ＦＴＩＲを用いたもので、前述の装置座
標を補正する手段が設けられていることなどは同じであ
る（なお、本装置には金属顕微鏡が搭載されている）。
そのため、他の構成は図４に示される構成と全く同じで
あり、座標リンクの方法も実施例２と全く同じで、０．
２μｍまでの微小異物のセッティングをすることができ
た。
て、実施例２の金属顕微鏡３の代わりに、たとえば日本
電子（株）から販売されている装置名、顕微赤外ユニッ
トＩＲ−ＭＡＵ１１０搭載ＪＩＲ−５５００などに見ら
れる従来の顕微ＦＴＩＲを用いたもので、前述の装置座
標を補正する手段が設けられていることなどは同じであ
る（なお、本装置には金属顕微鏡が搭載されている）。
そのため、他の構成は図４に示される構成と全く同じで
あり、座標リンクの方法も実施例２と全く同じで、０．
２μｍまでの微小異物のセッティングをすることができ
た。
【００７４】そこで、半導体素子の製造で使われるシリ
コンウェハ上に存在する０．２μｍレベル以上の微小異
物の観察を試みた。その結果、０．２μｍ程度の微小異
物では赤外線の波長が長いため、ＩＲスペクトルがえら
れなかったが、徐々に大きい異物に合わせたところ、３
μｍ以上の幾つかの異物から有機物特有のＩＲスペクト
ルがえられ、その異物の発生原因がレジスト除去の不具
合に依存していることが判明した。この分析は半導体素
子または液晶表示素子の製造プロセスでとくにレジスト
塗布工程以後の工程に用いることが有効である。
コンウェハ上に存在する０．２μｍレベル以上の微小異
物の観察を試みた。その結果、０．２μｍ程度の微小異
物では赤外線の波長が長いため、ＩＲスペクトルがえら
れなかったが、徐々に大きい異物に合わせたところ、３
μｍ以上の幾つかの異物から有機物特有のＩＲスペクト
ルがえられ、その異物の発生原因がレジスト除去の不具
合に依存していることが判明した。この分析は半導体素
子または液晶表示素子の製造プロセスでとくにレジスト
塗布工程以後の工程に用いることが有効である。
【００７５】［実施例５］本実施例では、分析装置とし
て、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、
（株）日本分光から販売されている装置名、ＮＲ−１８
００などに見られる従来の顕微ラマンを用いたもので、
前述の装置座標を補正する手段が設けられていることな
どは同じである（なお、本装置には金属顕微鏡が搭載さ
れている）。そのため、他の構成は図４に示される構成
と全く同じであり、座標リンクの方法も実施例２と全く
同じで、０．２μｍまでの微小異物のセッティングをす
ることができた。
て、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、
（株）日本分光から販売されている装置名、ＮＲ−１８
００などに見られる従来の顕微ラマンを用いたもので、
前述の装置座標を補正する手段が設けられていることな
どは同じである（なお、本装置には金属顕微鏡が搭載さ
れている）。そのため、他の構成は図４に示される構成
と全く同じであり、座標リンクの方法も実施例２と全く
同じで、０．２μｍまでの微小異物のセッティングをす
ることができた。
【００７６】そこで、半導体素子の製造で使われるシリ
コンウェハ上に存在する０．２μｍレベル以上の異物の
観察を試みた。その結果、０．２μｍ程度の微小異物で
はラマンスペクトルがえられなかったが１μｍ以上の幾
つかの異物から無機物特有のラマンスペクトルがえら
れ、その異物の発生原因が成膜工程中に関連することが
判明した。この分析は半導体素子または液晶表示素子の
製造プロセスでとくに成膜、エッチング、洗浄などに関
連する工程に用いることが有効である。
コンウェハ上に存在する０．２μｍレベル以上の異物の
観察を試みた。その結果、０．２μｍ程度の微小異物で
はラマンスペクトルがえられなかったが１μｍ以上の幾
つかの異物から無機物特有のラマンスペクトルがえら
れ、その異物の発生原因が成膜工程中に関連することが
判明した。この分析は半導体素子または液晶表示素子の
製造プロセスでとくに成膜、エッチング、洗浄などに関
連する工程に用いることが有効である。
【００７７】［実施例６］本実施例では、分析装置とし
て、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、
（株）日本分光から販売されている装置名、２５Ｃ型な
どに見られる従来のＰＬを用いたもので、前述の装置座
標を補正する手段が設けられていることなどは同じであ
る（なお、本装置には金属顕微鏡が搭載されている）。
そのため、他の構成は図４に示される構成と全く同じで
あり、座標リンクの方法も実施例２と全く同じで、０．
２μｍまでの微小異物のセッティングをすることができ
た。
て、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、
（株）日本分光から販売されている装置名、２５Ｃ型な
どに見られる従来のＰＬを用いたもので、前述の装置座
標を補正する手段が設けられていることなどは同じであ
る（なお、本装置には金属顕微鏡が搭載されている）。
そのため、他の構成は図４に示される構成と全く同じで
あり、座標リンクの方法も実施例２と全く同じで、０．
２μｍまでの微小異物のセッティングをすることができ
た。
【００７８】そこで、半導体素子の製造で使われるシリ
コンウェハ上に存在する０．２μｍレベル以上の微小異
物の観察を試みた。その結果、０．２μｍ程度の微小異
物では蛍光スペクトルがえられなかったが、２μｍ以上
の幾つかの異物から無機物および結晶性特有の蛍光スペ
クトルがえられ、その異物の発生原因が成膜、エッチン
グ、熱処理に関連することが判明した。この分析は半導
体素子または液晶表示素子の製造プロセスでとくに成
膜、エッチング、熱処理に関連する工程に用いることが
有効である。
コンウェハ上に存在する０．２μｍレベル以上の微小異
物の観察を試みた。その結果、０．２μｍ程度の微小異
物では蛍光スペクトルがえられなかったが、２μｍ以上
の幾つかの異物から無機物および結晶性特有の蛍光スペ
クトルがえられ、その異物の発生原因が成膜、エッチン
グ、熱処理に関連することが判明した。この分析は半導
体素子または液晶表示素子の製造プロセスでとくに成
膜、エッチング、熱処理に関連する工程に用いることが
有効である。
【００７９】［実施例７］本実施例では、分析装置とし
て、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、
（株）日立製作所から販売されている装置名、Ｆ−２０
００などに見られる従来の分光蛍光光度計を用いたもの
で、前述の装置座標を補正する手段が設けられているこ
となどは同じである（なお、本装置には金属顕微鏡が搭
載されている）。そのため、他の構成は図４に示される
構成と全く同じであり、座標リンクの方法も実施例２と
全く同じで、０．２μｍまでの微小異物のセッティング
をすることができた。
て、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、
（株）日立製作所から販売されている装置名、Ｆ−２０
００などに見られる従来の分光蛍光光度計を用いたもの
で、前述の装置座標を補正する手段が設けられているこ
となどは同じである（なお、本装置には金属顕微鏡が搭
載されている）。そのため、他の構成は図４に示される
構成と全く同じであり、座標リンクの方法も実施例２と
全く同じで、０．２μｍまでの微小異物のセッティング
をすることができた。
【００８０】そこで、半導体素子の製造で使われるシリ
コンウェハ上に存在する０．２μｍレベル以上の微小異
物の観察を試みた。その結果、０．２μｍ程度の微小異
物では蛍光スペクトルがえられなかったが、２μｍ以上
の幾つかの異物から無機物特有の蛍光スペクトルがえら
れ、その異物の発生原因が成膜、エッチング、洗浄に関
連することが判明した。この分析は半導体素子または液
晶表示素子の製造プロセスでとくに成膜、エッチング、
洗浄などに関連する工程に用いることが有効である。
コンウェハ上に存在する０．２μｍレベル以上の微小異
物の観察を試みた。その結果、０．２μｍ程度の微小異
物では蛍光スペクトルがえられなかったが、２μｍ以上
の幾つかの異物から無機物特有の蛍光スペクトルがえら
れ、その異物の発生原因が成膜、エッチング、洗浄に関
連することが判明した。この分析は半導体素子または液
晶表示素子の製造プロセスでとくに成膜、エッチング、
洗浄などに関連する工程に用いることが有効である。
【００８１】［実施例８］図６は本発明の微小異物の分
析方法の他の実施例の基本構成を示す説明図である。本
実施例と実施例２との違いは、図４において用いた金属
顕微鏡３の代わりにたとえば、（株）日立製作所から販
売されている測長ＳＥＭなどの装置名、Ｓ−７０００を
用いたもので、前述の装置座標を補正する手段が設けら
れていることなどは同じである（なお、用いるｘ−ｙス
テージは実施例２と異なる）。
析方法の他の実施例の基本構成を示す説明図である。本
実施例と実施例２との違いは、図４において用いた金属
顕微鏡３の代わりにたとえば、（株）日立製作所から販
売されている測長ＳＥＭなどの装置名、Ｓ−７０００を
用いたもので、前述の装置座標を補正する手段が設けら
れていることなどは同じである（なお、用いるｘ−ｙス
テージは実施例２と異なる）。
【００８２】本実施例では分析装置が図５に示されるよ
うに、シリコンウェハ２に走査電子線５０を当てるため
の電子銃と電子レンズを備えた電子銃ユニット４３とシ
リコンウェハ２より発生する２次電子を電気信号に変え
るための２次電子検出器４４とからなっており、２次電
子検出器４４でえられた信号は電気信号を増幅し、制御
するための増幅・制御ユニット４５に送られ２次電子像
を出力するＣＲＴ４６により表示される。４１はこれら
を真空に保つためのチャンバーで、排気口４２を介し
て、真空排気され、真空に保たれる。この測長ＳＥＭを
用いて実施例２と全く同じ手順でシリコンウェハ２上に
存在する微小異物７の検査を行える。すなわち実施例１
に示した手順に従い、同一の原器ウェハを用いて測長Ｓ
ＥＭの装置座標上でのトータル誤差ｅを求め、これを数
学的に装置座標から差し引き、座標補正を行ったもので
ある。
うに、シリコンウェハ２に走査電子線５０を当てるため
の電子銃と電子レンズを備えた電子銃ユニット４３とシ
リコンウェハ２より発生する２次電子を電気信号に変え
るための２次電子検出器４４とからなっており、２次電
子検出器４４でえられた信号は電気信号を増幅し、制御
するための増幅・制御ユニット４５に送られ２次電子像
を出力するＣＲＴ４６により表示される。４１はこれら
を真空に保つためのチャンバーで、排気口４２を介し
て、真空排気され、真空に保たれる。この測長ＳＥＭを
用いて実施例２と全く同じ手順でシリコンウェハ２上に
存在する微小異物７の検査を行える。すなわち実施例１
に示した手順に従い、同一の原器ウェハを用いて測長Ｓ
ＥＭの装置座標上でのトータル誤差ｅを求め、これを数
学的に装置座標から差し引き、座標補正を行ったもので
ある。
【００８３】つぎに実施例２と同様に、座標リンクによ
り発生するずれ量について、原器ウェハ複数枚を用いて
調査したところ、ｘ−ｙ座標表示において、原点位置あ
るいは中心位置およびその中に定義できる任意の点に対
し概ね（±５０μｍ、±５０μｍ）のずれ量におさまる
ことが判明し、かなりの改善効果があることがわかっ
た。
り発生するずれ量について、原器ウェハ複数枚を用いて
調査したところ、ｘ−ｙ座標表示において、原点位置あ
るいは中心位置およびその中に定義できる任意の点に対
し概ね（±５０μｍ、±５０μｍ）のずれ量におさまる
ことが判明し、かなりの改善効果があることがわかっ
た。
【００８４】そこで、半導体素子の製造で使われるシリ
コンウェハ上に存在する０．１μｍレベルの微小異物の
観察を試みた。本実施例によれば、微小異物７に対して
ＳＥＭの視野内（倍率２０００倍）で異物を見つけるこ
とができ、鮮明なＳＥＭ像をえることができた。微小異
物７は出っ張っている（凸状の）もの、あるいはへこん
でいる（凹状の）ものなど種々あり、その形状を把握す
ることができた。本実施例における分析は半導体素子ま
たは液晶表示素子の製造プロセスでとくに成膜、エッチ
ング、洗浄、露光、イオン注入、拡散、熱処理工程など
すべての工程に有効である。
コンウェハ上に存在する０．１μｍレベルの微小異物の
観察を試みた。本実施例によれば、微小異物７に対して
ＳＥＭの視野内（倍率２０００倍）で異物を見つけるこ
とができ、鮮明なＳＥＭ像をえることができた。微小異
物７は出っ張っている（凸状の）もの、あるいはへこん
でいる（凹状の）ものなど種々あり、その形状を把握す
ることができた。本実施例における分析は半導体素子ま
たは液晶表示素子の製造プロセスでとくに成膜、エッチ
ング、洗浄、露光、イオン注入、拡散、熱処理工程など
すべての工程に有効である。
【００８５】［実施例９］図６は本発明の微小異物の分
析方法の他の実施例の基本構成を示す説明図である。本
実施例では、実施例８のＳＥＭを用いたものに、さらに
Ｘ線検出器４７、Ｘ線検出器４７よりもたらされた電気
信号を増幅・制御するための増幅・制御ユニット４８、
Ｘ線出力を表示するＣＲＴ４９が付加されたものであ
る。これによってＥＰＭＡが形成されるが、他の部品の
構成は実施例８と全て同じであり、装置座標を補正する
ための手段が設けられるなどの座標リンクの方法も実施
例８と全く同じである。本実施例を用いて、実施例８と
全く同じ手順で、同じシリコンウェハ２の表面に存在す
る微小異物７の検査を行った結果、出っ張っている微小
異物７について元素分析を行うことができた。微小異物
７は、Ｗ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃ、Ｓ、Ｏ、Ｃｌの化合物など
であることがわかった。しかし、０．３μｍ以下の微小
異物７については、詳細な元素分析を行うには、かなり
の検出時間が必要であった。
析方法の他の実施例の基本構成を示す説明図である。本
実施例では、実施例８のＳＥＭを用いたものに、さらに
Ｘ線検出器４７、Ｘ線検出器４７よりもたらされた電気
信号を増幅・制御するための増幅・制御ユニット４８、
Ｘ線出力を表示するＣＲＴ４９が付加されたものであ
る。これによってＥＰＭＡが形成されるが、他の部品の
構成は実施例８と全て同じであり、装置座標を補正する
ための手段が設けられるなどの座標リンクの方法も実施
例８と全く同じである。本実施例を用いて、実施例８と
全く同じ手順で、同じシリコンウェハ２の表面に存在す
る微小異物７の検査を行った結果、出っ張っている微小
異物７について元素分析を行うことができた。微小異物
７は、Ｗ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃ、Ｓ、Ｏ、Ｃｌの化合物など
であることがわかった。しかし、０．３μｍ以下の微小
異物７については、詳細な元素分析を行うには、かなり
の検出時間が必要であった。
【００８６】本実施例における分析は半導体素子または
液晶表示素子の製造プロセスでとくに成膜、エッチン
グ、洗浄、露光、イオン注入、拡散、熱処理工程などす
べての工程に有効である。
液晶表示素子の製造プロセスでとくに成膜、エッチン
グ、洗浄、露光、イオン注入、拡散、熱処理工程などす
べての工程に有効である。
【００８７】［実施例１０］本実施例では分析装置とし
て、実施例９のＥＰＭＡの代わりにＡＥＳを用いたもの
で、他の構成は図６に示される構成と全く同じであり、
装置座標を補正する手段およびその操作方法も実施例８
と同じである。ＡＥＳとしては、たとえばパーキンエル
マー社製ＰＨＩ−６７０などを用いることができる。こ
れにより前記各実施例と同様にシリコンウェハ２の表面
に存在する微小異物７の分析を行った結果、出っ張って
いる微小異物７について元素分析を行うことができた。
微小異物７の組成が、Ｗ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃ、Ｓ、Ｏ、Ｃ
ｌの化合物の区別をすることができ、発塵源の特定とそ
の対策をすることができた。本実施例による分析は半導
体素子または液晶表示素子の製造プロセスでとくに成
膜、エッチング、洗浄、露光、イオン注入、拡散、熱処
理工程などすべての工程に有効である。
て、実施例９のＥＰＭＡの代わりにＡＥＳを用いたもの
で、他の構成は図６に示される構成と全く同じであり、
装置座標を補正する手段およびその操作方法も実施例８
と同じである。ＡＥＳとしては、たとえばパーキンエル
マー社製ＰＨＩ−６７０などを用いることができる。こ
れにより前記各実施例と同様にシリコンウェハ２の表面
に存在する微小異物７の分析を行った結果、出っ張って
いる微小異物７について元素分析を行うことができた。
微小異物７の組成が、Ｗ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃ、Ｓ、Ｏ、Ｃ
ｌの化合物の区別をすることができ、発塵源の特定とそ
の対策をすることができた。本実施例による分析は半導
体素子または液晶表示素子の製造プロセスでとくに成
膜、エッチング、洗浄、露光、イオン注入、拡散、熱処
理工程などすべての工程に有効である。
【００８８】［実施例１１］本実施例では分析装置とし
て、実施例９のＥＰＭＡの代わりにＥＥＬＳを用いたも
ので、他の構成は図６に示される構成と全く同じであ
り、装置座標を補正するための手段およびその操作方法
も実施例８と同じである。ＥＥＬＳとしては、たとえば
パーキンエルマー社製ＰＨＩ−６６０などを用いること
ができる。これにより前記各実施例と同様にシリコンウ
ェハ２の表面に存在する微小異物７の検査を行った結
果、出っ張っている微小異物７について化合物分析を行
うことができ、微小異物７の化学結合状態が明らかとな
り、発塵源の特定とその対策をすることができた。本実
施例による分析は半導体素子または液晶表示素子の製造
プロセスでとくに成膜、エッチング、露光の各工程に有
効である。
て、実施例９のＥＰＭＡの代わりにＥＥＬＳを用いたも
ので、他の構成は図６に示される構成と全く同じであ
り、装置座標を補正するための手段およびその操作方法
も実施例８と同じである。ＥＥＬＳとしては、たとえば
パーキンエルマー社製ＰＨＩ−６６０などを用いること
ができる。これにより前記各実施例と同様にシリコンウ
ェハ２の表面に存在する微小異物７の検査を行った結
果、出っ張っている微小異物７について化合物分析を行
うことができ、微小異物７の化学結合状態が明らかとな
り、発塵源の特定とその対策をすることができた。本実
施例による分析は半導体素子または液晶表示素子の製造
プロセスでとくに成膜、エッチング、露光の各工程に有
効である。
【００８９】［実施例１２］図７は本発明の微小異物の
分析方法の他の実施例のＲＨＥＥＤの基本構成を示す説
明図である。本実施例は、実施例８で用いた電子銃ユニ
ット４３をシリコンウェハ２に対する２次電子検出器４
４の傾きとほぼ同じ角度に傾けることで、シリコンウェ
ハ２の表面すれすれに電子線５０が当たるような位置に
設置したこと、また、２次電子検出器４４の代わりにシ
リコンウェハ２の表面で回折した電子線による回析スポ
ットをうるためのＣＣＤカメラ５７を取りつけた点で実
施例８と異なり、他は同じである。
分析方法の他の実施例のＲＨＥＥＤの基本構成を示す説
明図である。本実施例は、実施例８で用いた電子銃ユニ
ット４３をシリコンウェハ２に対する２次電子検出器４
４の傾きとほぼ同じ角度に傾けることで、シリコンウェ
ハ２の表面すれすれに電子線５０が当たるような位置に
設置したこと、また、２次電子検出器４４の代わりにシ
リコンウェハ２の表面で回折した電子線による回析スポ
ットをうるためのＣＣＤカメラ５７を取りつけた点で実
施例８と異なり、他は同じである。
【００９０】これを前記各実施例と同様にシリコンウェ
ハ２の表面に存在する微小異物７の検査を行った結果、
微小異物７の幾つかについて回折スポットをうることが
でき、これらが結晶性物質であることがわかり、たとえ
ばウィスカーなどの結晶性物質であるばあいにその抑制
を施すことができた。本実施例による分析は半導体素子
または液晶表示素子の製造プロセスでとくに成膜、熱処
理工程の後に用いると、結晶の異常成長の抑制効果およ
びその条件選択のため有効である。
ハ２の表面に存在する微小異物７の検査を行った結果、
微小異物７の幾つかについて回折スポットをうることが
でき、これらが結晶性物質であることがわかり、たとえ
ばウィスカーなどの結晶性物質であるばあいにその抑制
を施すことができた。本実施例による分析は半導体素子
または液晶表示素子の製造プロセスでとくに成膜、熱処
理工程の後に用いると、結晶の異常成長の抑制効果およ
びその条件選択のため有効である。
【００９１】［実施例１３］本実施例では分析装置とし
て、実施例９のＥＰＭＡの代わりにＳＩＭＳすなわち実
施例８の電子銃ユニット４３をイオン銃とコンデンサ−
レンズを備えたイオン銃ユニットとし、シリコンウェハ
２の表面に電子銃５０の代わりに走査イオンビームを照
射すること、また２次電子検出器４４の代わりにシリコ
ンウェハ２の表面で発生した２次イオンを分離検出する
ために、二重収束型質量分析計あるいは四重極質量分析
計などを用いた質量分析ユニットを用いたもので、他の
構成は図４で示されるものと全く同じ物であり、装置座
標の補正手段およびその座標リンクの方法なども実施例
９と同様である。
て、実施例９のＥＰＭＡの代わりにＳＩＭＳすなわち実
施例８の電子銃ユニット４３をイオン銃とコンデンサ−
レンズを備えたイオン銃ユニットとし、シリコンウェハ
２の表面に電子銃５０の代わりに走査イオンビームを照
射すること、また２次電子検出器４４の代わりにシリコ
ンウェハ２の表面で発生した２次イオンを分離検出する
ために、二重収束型質量分析計あるいは四重極質量分析
計などを用いた質量分析ユニットを用いたもので、他の
構成は図４で示されるものと全く同じ物であり、装置座
標の補正手段およびその座標リンクの方法なども実施例
９と同様である。
【００９２】ＳＩＭＳとしては、たとえばＣＡＭＥＣＡ
製ＩＭＳ−５Ｆなどを用いることができる。
製ＩＭＳ−５Ｆなどを用いることができる。
【００９３】これを前記各実施例と同様にシリコンウェ
ハ２の表面に存在する微小異物７の検査を行った結果、
出っ張っている（凸状の）微小異物７について組成分析
を行うことができ、微小異物の発生原因が判明し、また
異物からの金属の拡散による電気特性劣化による歩留り
低下に影響するということが判明した。この分析は半導
体素子または液晶表示素子の製造プロセスでとくに成
膜、エッチング、洗浄、熱処理の各工程に用いることが
有効である。
ハ２の表面に存在する微小異物７の検査を行った結果、
出っ張っている（凸状の）微小異物７について組成分析
を行うことができ、微小異物の発生原因が判明し、また
異物からの金属の拡散による電気特性劣化による歩留り
低下に影響するということが判明した。この分析は半導
体素子または液晶表示素子の製造プロセスでとくに成
膜、エッチング、洗浄、熱処理の各工程に用いることが
有効である。
【００９４】［実施例１４］本実施例は前記実施例１３
のＳＩＭＳの代わりにＴＯＦ−ＳＩＭＳを使用し、二重
収束型質量分析計あるいは四重極質量分析計などの質量
分析ユニットの代わりに飛行時間型の質量分析計を用い
た質量分析ユニットを用いているもので、他の構成は図
４で示されるものと全く同じ物であり、装置座標を補正
する手段およびその座標リンクの方法なども実施例９と
同様である。
のＳＩＭＳの代わりにＴＯＦ−ＳＩＭＳを使用し、二重
収束型質量分析計あるいは四重極質量分析計などの質量
分析ユニットの代わりに飛行時間型の質量分析計を用い
た質量分析ユニットを用いているもので、他の構成は図
４で示されるものと全く同じ物であり、装置座標を補正
する手段およびその座標リンクの方法なども実施例９と
同様である。
【００９５】本実施例によれば、各異物からのフラグメ
ントを解析することにより、異物の化学構造の解析を行
うことができる。実施例１３と異なり、異物の最表面に
存在する高分子量の物質分析を行える効果がある。従っ
て有機物などを含む異物を分析するのにとくに有効であ
る。
ントを解析することにより、異物の化学構造の解析を行
うことができる。実施例１３と異なり、異物の最表面に
存在する高分子量の物質分析を行える効果がある。従っ
て有機物などを含む異物を分析するのにとくに有効であ
る。
【００９６】［実施例１５］本実施例は前記実施例１３
のＳＩＭＳの代わりにＰＩＸＥを使用するもので、実施
例１３の構成にさらにＸ線検出器、Ｘ線検出器よりもた
らされた電気信号を増幅・制御するための増幅・制御ユ
ニット、およびＸ線像を出力するＣＲＴが付加されてＰ
ＩＸＥ装置を構成している。
のＳＩＭＳの代わりにＰＩＸＥを使用するもので、実施
例１３の構成にさらにＸ線検出器、Ｘ線検出器よりもた
らされた電気信号を増幅・制御するための増幅・制御ユ
ニット、およびＸ線像を出力するＣＲＴが付加されてＰ
ＩＸＥ装置を構成している。
【００９７】本実施例によれば、各異物の組成分析を行
うことができるが、とくに高感度、高精度の元素分析に
適している。従って０．１μｍ以下の超微粒子である異
物を分析するのにとくに有効である。
うことができるが、とくに高感度、高精度の元素分析に
適している。従って０．１μｍ以下の超微粒子である異
物を分析するのにとくに有効である。
【００９８】［実施例１６］本実施例では分析装置とし
て、実施例８のＸ線検出器の代わりにＦＩＢすなわち実
施例８の電子銃ユニット４３をイオン銃とコンデンサ−
レンズを備えたイオン銃ユニットとし、シリコンウェハ
２の表面に電子銃５０の代わりに走査イオンビームを照
射することにより、不要な異物を取り除く加工をするこ
とができるＦＩＢとしたものである。その他の構成は図
５で示されるものと全く同じ物であり、座標リンクの手
段およびその方法なども実施例８と同様である。
て、実施例８のＸ線検出器の代わりにＦＩＢすなわち実
施例８の電子銃ユニット４３をイオン銃とコンデンサ−
レンズを備えたイオン銃ユニットとし、シリコンウェハ
２の表面に電子銃５０の代わりに走査イオンビームを照
射することにより、不要な異物を取り除く加工をするこ
とができるＦＩＢとしたものである。その他の構成は図
５で示されるものと全く同じ物であり、座標リンクの手
段およびその方法なども実施例８と同様である。
【００９９】本実施例によれば、微小異物を観察すると
ともに、不要な異物を取り除くことができ、直ちに修復
できるという効果がある。従って異物に基づく不具合の
修繕による歩留りの向上にとくに有効である。
ともに、不要な異物を取り除くことができ、直ちに修復
できるという効果がある。従って異物に基づく不具合の
修繕による歩留りの向上にとくに有効である。
【０１００】［実施例１７］本実施例は実施例９の電子
銃ユニット４３の代わりにＡｌＫαやＭｇＫαなどの軟
Ｘ線を用いたＸＰＳにしたもので、その他の構成は図６
で示されるものと全く同じ物であり、座標リンク方法な
ども実施例９と同様である。
銃ユニット４３の代わりにＡｌＫαやＭｇＫαなどの軟
Ｘ線を用いたＸＰＳにしたもので、その他の構成は図６
で示されるものと全く同じ物であり、座標リンク方法な
ども実施例９と同様である。
【０１０１】本実施例によれば、出っ張っている（凸状
の）微小異物７について化学結合分析を行うことがで
き、本実施例ではとくに軟Ｘ線ビームを使用するため、
とくに試料へのダメージが少ないという効果がある。従
って破壊すること無く異物の最表面から数十Å程度の深
さの分析を行うのにとくに有効である。
の）微小異物７について化学結合分析を行うことがで
き、本実施例ではとくに軟Ｘ線ビームを使用するため、
とくに試料へのダメージが少ないという効果がある。従
って破壊すること無く異物の最表面から数十Å程度の深
さの分析を行うのにとくに有効である。
【０１０２】［実施例１８］本実施例は実施例９の電子
銃ユニット４３の代わりに高圧水銀灯から発生する紫外
線をビーム状にする紫外線ビームを用いたＵＰＳにした
もので、その他の構成は図６で示されるものと全く同じ
物であり、座標リンクの手段およびその方法なども実施
例９と同様である。
銃ユニット４３の代わりに高圧水銀灯から発生する紫外
線をビーム状にする紫外線ビームを用いたＵＰＳにした
もので、その他の構成は図６で示されるものと全く同じ
物であり、座標リンクの手段およびその方法なども実施
例９と同様である。
【０１０３】本実施例によっても、出っ張っている微小
異物７について組成分析を行うことができ、本実施例で
はとくに紫外線ビームを使用するためとくに試料へのダ
メージが少ないという効果がある。従って破壊すること
なく異物の最表面から数十Å程度の深さの組成分析を行
うのにとくに有効である。
異物７について組成分析を行うことができ、本実施例で
はとくに紫外線ビームを使用するためとくに試料へのダ
メージが少ないという効果がある。従って破壊すること
なく異物の最表面から数十Å程度の深さの組成分析を行
うのにとくに有効である。
【０１０４】［実施例１９］本実施例では、分析装置と
して、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、セ
イコー電子工業（株）製プローブ顕微鏡ＳＰＡ３５０
（探針としてＡＦＭプローブを用いた）を用いたもので
ある。そのため、他の構成は図４に示される構成と全く
同じであり、座標リンクの手段およびその方法も実施例
２と全く同じである。本実施例は大気中において表面観
察できることに特徴がある。
して、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、セ
イコー電子工業（株）製プローブ顕微鏡ＳＰＡ３５０
（探針としてＡＦＭプローブを用いた）を用いたもので
ある。そのため、他の構成は図４に示される構成と全く
同じであり、座標リンクの手段およびその方法も実施例
２と全く同じである。本実施例は大気中において表面観
察できることに特徴がある。
【０１０５】そこで、半導体素子の製造で使われるシリ
コンウェハ上に存在する０．１μｍレベルの異物の観察
を試みた。本実施例によれば、微小異物７に対して容易
にＡＦＭの走査範囲内（スキャン範囲８０μｍ）で異物
を見つけることができ、鮮明なＡＦＭ像をうることがで
きた。微小異物７は出っ張っている（凸状の）もの、あ
るいはへこんでいる（凹状の）ものなど種々あり、その
形状を把握することができた。本実施例における分析は
半導体素子または液晶表示素子の製造プロセスでとくに
成膜、エッチング、洗浄、露光、イオン注入、拡散、熱
処理の各工程などすべての工程に有効である。
コンウェハ上に存在する０．１μｍレベルの異物の観察
を試みた。本実施例によれば、微小異物７に対して容易
にＡＦＭの走査範囲内（スキャン範囲８０μｍ）で異物
を見つけることができ、鮮明なＡＦＭ像をうることがで
きた。微小異物７は出っ張っている（凸状の）もの、あ
るいはへこんでいる（凹状の）ものなど種々あり、その
形状を把握することができた。本実施例における分析は
半導体素子または液晶表示素子の製造プロセスでとくに
成膜、エッチング、洗浄、露光、イオン注入、拡散、熱
処理の各工程などすべての工程に有効である。
【０１０６】［実施例２０］本実施例では、分析装置と
して、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、セ
イコー電子工業（株）製プローブ顕微鏡ＳＰＡ３５０
（探針としてＳＴＭプローブを用いた）を用いたもので
ある。そのため、他の構成は図４に示される構成と全く
同じであり、座標リンクの手段およびその方法も実施例
２と全く同じである。本実施例は大気中において表面観
察できることに特徴がある。
して、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、セ
イコー電子工業（株）製プローブ顕微鏡ＳＰＡ３５０
（探針としてＳＴＭプローブを用いた）を用いたもので
ある。そのため、他の構成は図４に示される構成と全く
同じであり、座標リンクの手段およびその方法も実施例
２と全く同じである。本実施例は大気中において表面観
察できることに特徴がある。
【０１０７】そこで、半導体素子の製造で使われるシリ
コンウェハ上に存在する０．１μｍレベルの異物の観察
を試みた。本実施例によれば、異物７に対して容易にＳ
ＴＭの走査範囲内（スキャン範囲８０μｍ）で異物を見
つけることができ、鮮明なＳＴＭ像をうることができ
た。微小異物７は出っ張っている（凸状の）もの、ある
いはへこんでいる（凹状の）ものなど種々あり、その形
状を把握することができた、本実施例における分析は半
導体素子または液晶表示素子の製造プロセスでとくに成
膜、エッチング、洗浄、露光、イオン注入、拡散、熱処
理の各工程などすべての工程に有効である。
コンウェハ上に存在する０．１μｍレベルの異物の観察
を試みた。本実施例によれば、異物７に対して容易にＳ
ＴＭの走査範囲内（スキャン範囲８０μｍ）で異物を見
つけることができ、鮮明なＳＴＭ像をうることができ
た。微小異物７は出っ張っている（凸状の）もの、ある
いはへこんでいる（凹状の）ものなど種々あり、その形
状を把握することができた、本実施例における分析は半
導体素子または液晶表示素子の製造プロセスでとくに成
膜、エッチング、洗浄、露光、イオン注入、拡散、熱処
理の各工程などすべての工程に有効である。
【０１０８】［実施例２１］本実施例では、分析装置と
して、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、セ
イコー電子工業（株）製プローブ顕微鏡ＳＰＡ３５０
（探針としてＭＦＭプローブを用いた）を用いたもので
ある。そのため、他の構成は図４に示される構成と全く
同じであり、座標リンクの手段およびその方法も実施例
２と全く同じである。本実施例は大気中において表面観
察できることに特徴がある。
して、実施例２の金属顕微鏡３の代わりにたとえば、セ
イコー電子工業（株）製プローブ顕微鏡ＳＰＡ３５０
（探針としてＭＦＭプローブを用いた）を用いたもので
ある。そのため、他の構成は図４に示される構成と全く
同じであり、座標リンクの手段およびその方法も実施例
２と全く同じである。本実施例は大気中において表面観
察できることに特徴がある。
【０１０９】そこで、半導体素子の製造で使われるシリ
コンウェハ上に存在する０．１μｍレベルの異物の観察
を試みた。本実施例によれば、微小異物７に対して容易
にＭＦＭ走査範囲内（スキャン範囲８０μｍ）で異物を
見つけることができ、鮮明なＭＦＭ像をうることがで
き、異物の発生原因が判明した。本実施例における分析
は半導体素子または液晶表示素子の製造プロセスでとく
に成膜、イオン注入の工程に有効である。
コンウェハ上に存在する０．１μｍレベルの異物の観察
を試みた。本実施例によれば、微小異物７に対して容易
にＭＦＭ走査範囲内（スキャン範囲８０μｍ）で異物を
見つけることができ、鮮明なＭＦＭ像をうることがで
き、異物の発生原因が判明した。本実施例における分析
は半導体素子または液晶表示素子の製造プロセスでとく
に成膜、イオン注入の工程に有効である。
【０１１０】［比較例１］Ｔｅｎｃｏｒ社製・パーティ
クル検査装置、装置名；サーフスキャン６２００と
（株）日立製作所製・測長ＳＥＭ、装置名；Ｓ−７００
０を用い、そのまま前記両装置間における装置座標のリ
ンクを行い、発生するずれ量について、原器ウェハ複数
枚を用いて調査したところ、ｘ−ｙ座標表示において、
原点位置あるいは中心位置およびその中に定義できる任
意の点に対し概ね（±１５０μｍ、±１５０μｍ）のず
れ量があることが判明した。
クル検査装置、装置名；サーフスキャン６２００と
（株）日立製作所製・測長ＳＥＭ、装置名；Ｓ−７００
０を用い、そのまま前記両装置間における装置座標のリ
ンクを行い、発生するずれ量について、原器ウェハ複数
枚を用いて調査したところ、ｘ−ｙ座標表示において、
原点位置あるいは中心位置およびその中に定義できる任
意の点に対し概ね（±１５０μｍ、±１５０μｍ）のず
れ量があることが判明した。
【０１１１】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の分析方法
によれば、パーティクル検査装置の装置座標と分析装置
の装置座標の少なくとも一方の装置座標が原器ウェハに
より補正されているか、または原器ウェハを介して両装
置の装置座標間をリンクしているため、装置座標に潜在
的に存在するステージ誤差や装置の有するくせなど不確
定な要素に基づく個体誤差などのトータル誤差をなくす
ることができ、従来のパーティクル検査装置の装置座標
と分析装置の装置座標をリンクさせるときに生ずるずれ
を激減させることができる。その結果、パーティクル検
査装置により検出した微小異物の場所を両装置の装置座
標をそれぞれ操作することにより分析装置の視野内に簡
単に確実にセッティングすることができる。
によれば、パーティクル検査装置の装置座標と分析装置
の装置座標の少なくとも一方の装置座標が原器ウェハに
より補正されているか、または原器ウェハを介して両装
置の装置座標間をリンクしているため、装置座標に潜在
的に存在するステージ誤差や装置の有するくせなど不確
定な要素に基づく個体誤差などのトータル誤差をなくす
ることができ、従来のパーティクル検査装置の装置座標
と分析装置の装置座標をリンクさせるときに生ずるずれ
を激減させることができる。その結果、パーティクル検
査装置により検出した微小異物の場所を両装置の装置座
標をそれぞれ操作することにより分析装置の視野内に簡
単に確実にセッティングすることができる。
【０１１２】したがって、広い面積の試料の中で従来困
難であった微小異物に対しても高倍率にすることで検出
を可能にし、かつ分析装置の視野内に微小異物をセッテ
ィングできるため微小異物を簡単に検出することがで
き、微小異物の存在する範囲のみに選択的に表面観察、
組成分析などをすることができるため、測定時間を大幅
に短縮し、早期に試料の品質評価を行うことができる。
難であった微小異物に対しても高倍率にすることで検出
を可能にし、かつ分析装置の視野内に微小異物をセッテ
ィングできるため微小異物を簡単に検出することがで
き、微小異物の存在する範囲のみに選択的に表面観察、
組成分析などをすることができるため、測定時間を大幅
に短縮し、早期に試料の品質評価を行うことができる。
【０１１３】また、本発明の分析装置によれば、原器ウ
ェハのスケールに基づき装置座標の潜在的に有するトー
タル誤差を補正する手段が設けられているため、パーテ
ィクル検査装置および／または分析装置の有するトータ
ル誤差の影響を小さくでき、パーティクル検査装置によ
りその装置座標で検出された微小異物を分析装置の装置
座標により短時間で確実に分析装置の視野内にセッティ
ングすることができる。
ェハのスケールに基づき装置座標の潜在的に有するトー
タル誤差を補正する手段が設けられているため、パーテ
ィクル検査装置および／または分析装置の有するトータ
ル誤差の影響を小さくでき、パーティクル検査装置によ
りその装置座標で検出された微小異物を分析装置の装置
座標により短時間で確実に分析装置の視野内にセッティ
ングすることができる。
【０１１４】さらに、前述の各種分析装置の各々に前述
の試料の原器ウェハに基づく座標を補正する手段が設け
られることにより、パーティクル検査装置により検出し
た微小異物を分析装置の視野内に簡単にセッティングで
き、分析装置として目的に応じた分析装置を利用するこ
とができ、微小異物の表面形状、元素分析、化学構造、
結晶構造などを分析することができるとともに、表面加
工をすることもできる。
の試料の原器ウェハに基づく座標を補正する手段が設け
られることにより、パーティクル検査装置により検出し
た微小異物を分析装置の視野内に簡単にセッティングで
き、分析装置として目的に応じた分析装置を利用するこ
とができ、微小異物の表面形状、元素分析、化学構造、
結晶構造などを分析することができるとともに、表面加
工をすることもできる。
【０１１５】また、半導体素子の製造プロセスや液晶表
示素子の製造プロセスに本発明の分析方法や分析装置を
適用することにより、微細パターンへの異物の影響を防
止することができ、歩留りおよび信頼性の向上した半導
体素子や液晶表示素子がえられる。
示素子の製造プロセスに本発明の分析方法や分析装置を
適用することにより、微細パターンへの異物の影響を防
止することができ、歩留りおよび信頼性の向上した半導
体素子や液晶表示素子がえられる。
【図１】 本発明の分析方法および分析装置で各装置の
装置座標を原器ウェハを用いて補正するフローチャート
である。
装置座標を原器ウェハを用いて補正するフローチャート
である。
【図２】 原器ウェハの表面に設けられたスケールのパ
ターンの一実施例を示す図である。
ターンの一実施例を示す図である。
【図３】 装置座標が有するステージ誤差の例を説明す
る図である。
る図である。
【図４】 本発明の分析方法および分析装置の一実施例
で分析装置に金属顕微鏡を用いた構成を示す図である。
で分析装置に金属顕微鏡を用いた構成を示す図である。
【図５】 本発明の分析方法および分析装置の一実施例
で分析装置に測長ＳＥＭを用いた構成を示す図である。
で分析装置に測長ＳＥＭを用いた構成を示す図である。
【図６】 本発明の分析方法および分析装置の一実施例
で分析装置に位置決め機能つきＥＰＭＡを用いた構成を
示す図である。
で分析装置に位置決め機能つきＥＰＭＡを用いた構成を
示す図である。
【図７】 本発明の分析方法および分析装置の一実施例
で分析装置にＲＨＥＥＤを用いた構成を示す図である。
で分析装置にＲＨＥＥＤを用いた構成を示す図である。
【図８】 パーティクル検査装置でシリコンウェハ上の
異物について計測した結果の一例を示す。
異物について計測した結果の一例を示す。
【図９】 従来のパーティクル検査装置および分析装置
が採用する装置座標の定義例を示す図である。
が採用する装置座標の定義例を示す図である。
【符号の説明】 １ ステージ、２ ウェハ（試料）、３ 金属顕微鏡、
７ 微小異物。
７ 微小異物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大森 雅司 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式会 社北伊丹製作所内 (72)発明者 安武 正敏 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内 (72)発明者 脇山 茂 東京都江東区亀戸６丁目31番１号 セイコ ー電子工業株式会社内
Claims (18)
- 【請求項１】 パーティクル検査装置において試料表面
の微小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステ
ージ上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた
微小異物の位置を分析装置の座標に入力して、該微小異
物の内容を分析する微小異物の分析方法であって、前記
パーティクル検査装置で採用する装置座標と前記分析装
置で採用する装置座標の少なくとも一方を、表面に相対
的な位置関係を有するドット列が設けられた原器ウェハ
を用いて前記装置座標の有する誤差をあらかじめ測定
し、その誤差を前記装置座標に対して補正することによ
り前記パーティクル検査装置および分析装置の装置座標
を互いにリンクすることを特徴とする微小異物の分析方
法。 - 【請求項２】 前記原器ウェハを用いて行う装置座標の
補正を、前記パーティクル検査装置および分析装置の双
方で同じ原器ウェハを用いて行う請求項１記載の分析方
法。 - 【請求項３】 パーティクル検査装置において試料表面
の微小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステ
ージ上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた
微小異物の位置を分析装置の座標に入力して、該微小異
物の内容を分析する微小異物の分析方法であって、前記
パーティクル検査装置において原器ウェハ上のドットの
位置を検出することにより求めた各ドットの装置座標上
での相対的な位置関係を求め、前記分析装置において前
記原器ウェハ上のドットの位置を検出することにより求
めた各ドットの装置座標上での相対的な位置関係を求
め、前記両装置のそれぞれの相対的位置関係を比較する
ことにより該両装置の装置座標を互いにリンクすること
を特徴とする微小異物の分析方法。 - 【請求項４】 前記原器ウェハは、前記相対的な位置関
係を有するドット列の各ドットがランダムに設けられ、
かつ、各ドット間の位置関係が正確に把握されているも
のである請求項１、２または３記載の分析方法。 - 【請求項５】 前記原器ウェハは、前記相対的な位置関
係を有するドット列の各ドットがデジタル的に定義され
る関数によって定められているものである請求項１、２
または３記載の分析方法。 - 【請求項６】 前記ドット列の各ドットが少なくとも円
周上の一定角度ごと、または直交座標軸上の一定間隔ご
とに設けられてなる請求項５記載の分析方法。 - 【請求項７】 前記ドット列は直径の異なるドットの組
からなる請求項１、２、３、４、５または６記載の分析
方法。 - 【請求項８】 前記試料が製造工程の途中における半導
体素子もしくは該素子が形成されつつある半導体ウェハ
である請求項１、２、３、４、５、６または７記載の分
析方法。 - 【請求項９】 前記試料が製造工程の途中における液晶
表示素子もしくは該素子が形成されつつある絶縁性透明
基板である請求項１、２、３、４、５、６または７記載
の分析方法。 - 【請求項１０】 前記分析装置が走査型電子顕微鏡、金
属顕微鏡、走査型レーザ顕微鏡、化学構造の分析を行う
顕微赤外分光装置、顕微ラマン分光装置、蛍光分光分析
を行うフォトルミネッセンス装置、表面微量元素分析を
行う電子線プローブマイクロアナリシス装置、オージェ
電子分光装置、電子エネルギー損失分光装置、２次イオ
ン質量分析装置、飛行時間型質量分析装置、粒子線励起
Ｘ線分光装置、結晶解析を行う高速反射電子線回折装
置、表面加工を行う収束イオン分析装置、化学構造の分
析を行うＸ線光電子分光装置、紫外線光電子分光装置、
さらに走査型プローブ顕微鏡、原子間力顕微鏡、走査型
トンネル顕微鏡および磁気力顕微鏡よりなる群から選ば
れた少なくとも１種である請求項１、２、３、４、５、
６、７、８または９記載の分析方法。 - 【請求項１１】 パーティクル検査装置において微小異
物の位置が検出された試料がステージ上に載置され、前
記微小異物を分析する分析装置であって、原器ウェハの
ドットの相対的な位置関係を用いて前記分析装置の全体
誤差であるトータル誤差の変化傾向を求める手段と、該
トータル誤差の変化傾向に基づいて装置座標からトータ
ル誤差を差し引き座標補正を行う手段とが付加されてな
る微小異物の分析装置。 - 【請求項１２】 前記変化傾向を求める手段が、各ドッ
トの位置を測定し、真値との誤差を求める手段と、前記
原器ウェハの各ドットが有するデジタル的に定義される
関数に基づき前記測定した位置の誤差から前記装置のト
ータル誤差を算出することからなる請求項１１記載の分
析方法。 - 【請求項１３】 試料上の微小異物を検出するパーティ
クル検査装置であって、原器ウェハのドットの相対的な
位置関係を用いて前記パーティクル検査装置の全体誤差
であるトータル誤差の変化傾向を求める手段と、該トー
タル誤差の変化傾向に基づいて装置座標からトータル誤
差を差し引き座標補正を行う手段とが付加されてなるパ
ーティクル検査装置。 - 【請求項１４】 前記分析装置が走査型電子顕微鏡、金
属顕微鏡、走査型レーザ顕微鏡、化学構造の分析を行う
顕微赤外分光装置、顕微ラマン分光装置、蛍光分光分析
を行うフォトルミネッセンス装置、表面微量元素分析を
行う電子線プローブマイクロアナリシス装置、オージェ
電子分光装置、電子エネルギー損失分光装置、２次イオ
ン質量分析装置、飛行時間型質量分析装置、粒子線励起
Ｘ線分光装置、結晶解析を行う高速反射電子線回折装
置、表面加工を行う収束イオン分析装置、化学構造の分
析を行うＸ線光電子分光装置、紫外線光電子分光装置、
さらに走査型プローブ顕微鏡、原子間力顕微鏡、走査型
トンネル顕微鏡および磁気力顕微鏡よりなる群から選ば
れた少なくとも１種である請求項１１または１２記載の
分析装置。 - 【請求項１５】 少なくとも洗浄工程、成膜工程、露光
工程、エッチング工程、イオン注入工程、拡散工程、熱
処理工程を含む工程からなる半導体素子の製法であっ
て、前記各工程の少なくとも１つの工程が検査工程を伴
い、該検査工程のうちの少なくとも１つが請求項１また
は３記載の方法により微小異物の分析をするものである
半導体素子の製法。 - 【請求項１６】 少なくとも洗浄工程、成膜工程、露光
工程、エッチング工程、イオン注入工程、拡散工程、熱
処理工程を含む工程からなる半導体素子の製法であっ
て、前記各工程の少なくとも１つの工程が検査工程を伴
い、該検査工程のうちの少なくとも１つが請求項１１記
載の分析装置を用いて微小異物の分析をするものである
半導体装置の製法。 - 【請求項１７】 絶縁性透明基板に少なくとも薄膜トラ
ンジスタと画素電極とが設けられたＴＦＴ基板と、絶縁
性透明基板に少なくとも対向電極が設けられた対向基板
とを一定間隙を保持して周囲で貼着し、該間隙に液晶材
料を注入する液晶表示素子の製法であって、前記ＴＦＴ
基板または対向基板の製造工程である洗浄工程、成膜工
程、露光工程、エッチング工程、イオン注入工程、熱処
理工程の少なくとも１つの工程が検査工程を伴い、該検
査工程の少なくとも１つが請求項１または３記載の方法
により微小異物の分析をするものである液晶表示素子の
製法。 - 【請求項１８】 絶縁性透明基板に少なくとも薄膜トラ
ンジスタと画素電極とが設けられたＴＦＴ基板と、絶縁
性透明基板に少なくとも対向電極が設けられた対向基板
とを一定間隙を保持して周囲で貼着し、該間隙に液晶材
料を注入する液晶表示素子の製法であって、前記ＴＦＴ
基板または対向基板の製造工程である洗浄工程、成膜工
程、露光工程、エッチング工程、イオン注入工程、熱処
理工程の少なくとも１つの工程が検査工程を伴い、該検
査工程の少なくとも１つが請求項１１記載の分析装置を
用いて微小異物の分析をするものである液晶表示素子の
製法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7025117A JP2813147B2 (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 |
| US08/600,142 US6124142A (en) | 1995-02-14 | 1996-02-12 | Method for analyzing minute foreign substance elements |
| EP96301031A EP0727659A3 (en) | 1995-02-14 | 1996-02-14 | Method and apparatus for analyzing minute foreign substances, and process for manufacturing semiconductor or LCD elements |
| US09/553,339 US6355495B1 (en) | 1995-02-14 | 2000-04-20 | Method and apparatus for analyzing minute foreign substance, and process for semiconductor elements or liquid crystal elements by use thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7025117A JP2813147B2 (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08220005A true JPH08220005A (ja) | 1996-08-30 |
| JP2813147B2 JP2813147B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=12156994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7025117A Expired - Fee Related JP2813147B2 (ja) | 1995-02-14 | 1995-02-14 | 微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6124142A (ja) |
| EP (1) | EP0727659A3 (ja) |
| JP (1) | JP2813147B2 (ja) |
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| DE19734074C2 (de) * | 1996-08-08 | 2003-04-10 | Mitsubishi Electric Corp | Partikeldetektionsverfahren und Detektionssystem zum Feststellen winziger Partikel auf einem Werkstück |
| KR100413021B1 (ko) * | 2000-03-18 | 2003-12-31 | 가부시끼가이샤 한도따이 센단 테크놀로지스 | 좌표 수정 장치 |
| US7593564B2 (en) | 2004-11-17 | 2009-09-22 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method and apparatus for reviewing defect of subject to be inspected |
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| KR20190027915A (ko) * | 2016-09-29 | 2019-03-15 | 가부시키가이샤 사무코 | 실리콘 웨이퍼의 평가 방법, 실리콘 웨이퍼 제조 공정의 평가 방법, 실리콘 웨이퍼의 제조 방법 및 실리콘 웨이퍼 |
| WO2021090624A1 (ja) * | 2019-11-07 | 2021-05-14 | 株式会社Sumco | レーザー表面検査装置の座標位置特定精度校正方法および半導体ウェーハの評価方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| TW442880B (en) * | 2000-02-02 | 2001-06-23 | Promos Technologies Inc | Method for automatically classifying the wafer with failure mode |
| US6934920B2 (en) * | 2000-10-11 | 2005-08-23 | Sii Nanotechnology Inc. | Specimen analyzing method |
| JP2002329473A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-11-15 | Jeol Ltd | Ｘ線分光器を備えた透過型電子顕微鏡 |
| KR100979071B1 (ko) * | 2002-02-22 | 2010-08-31 | 에이저 시스템즈 인크 | 이중 배향 다결정성 재료의 화학 기계적 연마 |
| WO2003086637A1 (en) | 2002-04-12 | 2003-10-23 | Instrumentation Laboratory Company | Immunoassay probe |
| US7027145B2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-04-11 | The Regents Of The University Of Michigan | Reconfigurable surface finish inspection apparatus for cylinder bores and other surfaces |
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