JPH08227894A - バンプ電極への半田供給方法 - Google Patents
バンプ電極への半田供給方法Info
- Publication number
- JPH08227894A JPH08227894A JP7032137A JP3213795A JPH08227894A JP H08227894 A JPH08227894 A JP H08227894A JP 7032137 A JP7032137 A JP 7032137A JP 3213795 A JP3213795 A JP 3213795A JP H08227894 A JPH08227894 A JP H08227894A
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- JP
- Japan
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- solder
- plate
- semiconductor element
- bump electrode
- bump
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3478—Application of solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バンプ電極へ予備半田付けするための半田供
給方法に関し、半田量のばらつきやブリッジ等をなくし
て、電極の端子間の狭ピッチ化に対応する。 【構成】 半導体素子６のバンプ電極７に対向する位置
に貫通孔３を形成したプレート１を支持板２上に配置す
る。スキージ４を用いてクリーム半田５を貫通孔３に埋
め込む。支持板２をプレート１から取り外し、半導体素
子６をプレート１に位置合わせし、リフロー処理を行
う。溶融したクリーム半田５は、半導体素子６上のバン
プ電極７に引きつけられる。
給方法に関し、半田量のばらつきやブリッジ等をなくし
て、電極の端子間の狭ピッチ化に対応する。 【構成】 半導体素子６のバンプ電極７に対向する位置
に貫通孔３を形成したプレート１を支持板２上に配置す
る。スキージ４を用いてクリーム半田５を貫通孔３に埋
め込む。支持板２をプレート１から取り外し、半導体素
子６をプレート１に位置合わせし、リフロー処理を行
う。溶融したクリーム半田５は、半導体素子６上のバン
プ電極７に引きつけられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子に形成され
たバンプ電極に予備半田付けする、バンプ電極への半田
供給方法に関するものである。
たバンプ電極に予備半田付けする、バンプ電極への半田
供給方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、裸の半導体素子をガラス基板上の
電極に直付けすることにより、実装面積の効率的な利用
が図られている。ガラス基板上に実装する前に、半導体
素子に予備半田付けをする方法としては、図２に示すよ
うにスクリーン印刷によるものがある。これは平板８上
に半田ペースト９を形成した後、半田ペースト９上に半
導体素子６のバンプ電極７を整合して配置する。そして
リフローソルダリング法により、半田ペースト９を溶融
することにより、バンプ電極７に予備半田付けする工程
が一般的である。
電極に直付けすることにより、実装面積の効率的な利用
が図られている。ガラス基板上に実装する前に、半導体
素子に予備半田付けをする方法としては、図２に示すよ
うにスクリーン印刷によるものがある。これは平板８上
に半田ペースト９を形成した後、半田ペースト９上に半
導体素子６のバンプ電極７を整合して配置する。そして
リフローソルダリング法により、半田ペースト９を溶融
することにより、バンプ電極７に予備半田付けする工程
が一般的である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の方法では、半田ペースト粘度、スクリーン形状などの
他、種々の印刷条件によって半田ペーストの抜け性が変
わり、印刷量が変動しやすくなる。またリフローソルダ
リングによって、印刷された半田ペーストが薄く広がる
ため、遊離した半田粒が核となり、隣接したバンプ電極
間で半田ブリッジが生じたり、バンプ電極毎の半田量が
ばらつくことがある。さらに電極のピッチが５００μｍ
程度であれば、半田ペーストも安定して印刷可能だが、
それ以下だと歩留まりが低下し生産性に欠けてしまう。
の方法では、半田ペースト粘度、スクリーン形状などの
他、種々の印刷条件によって半田ペーストの抜け性が変
わり、印刷量が変動しやすくなる。またリフローソルダ
リングによって、印刷された半田ペーストが薄く広がる
ため、遊離した半田粒が核となり、隣接したバンプ電極
間で半田ブリッジが生じたり、バンプ電極毎の半田量が
ばらつくことがある。さらに電極のピッチが５００μｍ
程度であれば、半田ペーストも安定して印刷可能だが、
それ以下だと歩留まりが低下し生産性に欠けてしまう。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明のバンプ電極への半田供給方法は、半導体素子
のバンプ電極に対向して貫通孔を形成したプレートを、
支持板上に配置することにより形成された凹部に、低融
点合金または金属を主成分とするペーストを埋め込み、
前記凹部と半導体素子の電極端子とが整合するように、
半導体素子を前記プレート上に配置し、リフローソルダ
リングによって前記ペーストを溶融させることにより、
前記バンプ電極に半田を供給することを特徴とするもの
である。
に本発明のバンプ電極への半田供給方法は、半導体素子
のバンプ電極に対向して貫通孔を形成したプレートを、
支持板上に配置することにより形成された凹部に、低融
点合金または金属を主成分とするペーストを埋め込み、
前記凹部と半導体素子の電極端子とが整合するように、
半導体素子を前記プレート上に配置し、リフローソルダ
リングによって前記ペーストを溶融させることにより、
前記バンプ電極に半田を供給することを特徴とするもの
である。
【０００５】
【作用】上記方法によれば、バンプ電極に供給される半
田量は、支持板と貫通孔を設けたプレートとにより形成
された凹部の大きさで決まるため、半田量のばらつきは
なくなる。また隣接するバンプ電極間は、プレートで仕
切られているため、ペーストの溶融時にブリッジが発生
することはない。
田量は、支持板と貫通孔を設けたプレートとにより形成
された凹部の大きさで決まるため、半田量のばらつきは
なくなる。また隣接するバンプ電極間は、プレートで仕
切られているため、ペーストの溶融時にブリッジが発生
することはない。
【０００６】
【実施例】以下本発明のバンプ電極への半田供給方法に
ついて、その実施例を図面を参照しながら説明する。図
１において、１はガラス基板等からなるプレート、２は
プレート１を支持するガラス基板等からなる支持板、３
はプレート１に形成された貫通孔、４はクリーム半田５
をプレート１の貫通孔に充填するためのスキージ、６は
予めボールボンディング法やメッキ法によりバンプ電極
７を形成した半導体素子を示している。
ついて、その実施例を図面を参照しながら説明する。図
１において、１はガラス基板等からなるプレート、２は
プレート１を支持するガラス基板等からなる支持板、３
はプレート１に形成された貫通孔、４はクリーム半田５
をプレート１の貫通孔に充填するためのスキージ、６は
予めボールボンディング法やメッキ法によりバンプ電極
７を形成した半導体素子を示している。
【０００７】プレート１の貫通孔３は、半導体素子６の
バンプ電極７と対向するように、エキシマレーザー等に
より、１００μｍピッチで８０μｍφの大きさのものを
形成している。
バンプ電極７と対向するように、エキシマレーザー等に
より、１００μｍピッチで８０μｍφの大きさのものを
形成している。
【０００８】図１（ａ）に示すように、上記プレート１
と支持板２とを密着させ、スキージ４を用いてクリーム
半田５を貫通孔３に埋め込む。ここでクリーム半田５に
は、半田粒径が１０μｍφ以下で、６３Ｓｎ−Ｐｂの組
成のものを用いたが、これに限らず錫あるいはインジウ
ムなどの金属からなるものを用いてもよい。
と支持板２とを密着させ、スキージ４を用いてクリーム
半田５を貫通孔３に埋め込む。ここでクリーム半田５に
は、半田粒径が１０μｍφ以下で、６３Ｓｎ−Ｐｂの組
成のものを用いたが、これに限らず錫あるいはインジウ
ムなどの金属からなるものを用いてもよい。
【０００９】次に図１（ｂ）に示すように、支持板２を
プレート１から取り外し、半導体素子６のバンプ電極７
と、クリーム半田５が充填された貫通孔３とを位置合わ
せをし、プレート１上に半導体素子６を密着させる。
プレート１から取り外し、半導体素子６のバンプ電極７
と、クリーム半田５が充填された貫通孔３とを位置合わ
せをし、プレート１上に半導体素子６を密着させる。
【００１０】そしてリフロー処理を行い、プレート１に
埋め込まれたクリーム半田５を溶融させた状態で、半導
体素子６をプレート１から取り外すと、溶融したクリー
ム半田５はバンプ電極７に引きつけられ、図１（ｃ）に
示すように、バンプ電極７に半田が供給されることとな
る。
埋め込まれたクリーム半田５を溶融させた状態で、半導
体素子６をプレート１から取り外すと、溶融したクリー
ム半田５はバンプ電極７に引きつけられ、図１（ｃ）に
示すように、バンプ電極７に半田が供給されることとな
る。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、狭ピッチ
化する半導体素子のバンプ電極への予備半田付けにおい
て、半田量のばらつきや、ブリッジ等による歩留まりの
低下をなくすることができ、実装面積を小さくすること
に対して有効である。
化する半導体素子のバンプ電極への予備半田付けにおい
て、半田量のばらつきや、ブリッジ等による歩留まりの
低下をなくすることができ、実装面積を小さくすること
に対して有効である。
【図１】本発明のバンプ電極への半田供給方法の実施例
における各工程を示す断面図
における各工程を示す断面図
【図２】従来のバンプ電極への半田供給方法を示す断面
図
図
１ プレート ２ 支持板 ３ 貫通孔 ４ スキージ ５ クリーム半田 ６ 半導体素子 ７ バンプ電極 ８ 平板 ９ 半田ペースト
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子のバンプ電極に対向して貫通孔
を形成したプレートを、支持板上に配置することにより
形成された凹部に、低融点合金または金属を主成分とす
るペーストを埋め込み、前記凹部と半導体素子の電極端
子とが整合するように、半導体素子を前記プレート上に
配置し、リフローソルダリングによって前記ペーストを
溶融させることにより、前記バンプ電極に半田を供給す
ることを特徴とするバンプ電極への半田供給方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7032137A JPH08227894A (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | バンプ電極への半田供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7032137A JPH08227894A (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | バンプ電極への半田供給方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227894A true JPH08227894A (ja) | 1996-09-03 |
Family
ID=12350515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7032137A Pending JPH08227894A (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | バンプ電極への半田供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08227894A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0854520A3 (en) * | 1997-01-20 | 1999-06-16 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for mounting optical semiconductor device on supporting substrate |
| JP2013529853A (ja) * | 2010-06-28 | 2013-07-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法 |
-
1995
- 1995-02-21 JP JP7032137A patent/JPH08227894A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0854520A3 (en) * | 1997-01-20 | 1999-06-16 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for mounting optical semiconductor device on supporting substrate |
| US6087194A (en) * | 1997-01-20 | 2000-07-11 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Composite unit of optical semiconductor device and supporting substrate and method for mounting optical semiconductor device on supporting substrate |
| JP2013529853A (ja) * | 2010-06-28 | 2013-07-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | オプトエレクトロニクス部品およびその製造方法 |
| US9263655B2 (en) | 2010-06-28 | 2016-02-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for the production thereof |
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