JPH0823007A - 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法

Info

Publication number
JPH0823007A
JPH0823007A JP15734694A JP15734694A JPH0823007A JP H0823007 A JPH0823007 A JP H0823007A JP 15734694 A JP15734694 A JP 15734694A JP 15734694 A JP15734694 A JP 15734694A JP H0823007 A JPH0823007 A JP H0823007A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bonding
silicon
integrated circuit
semiconductor integrated
circuit device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP15734694A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3354716B2 (ja
Inventor
Mutsumi Sasaki
睦実 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Precision Circuits Inc
Original Assignee
Nippon Precision Circuits Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Precision Circuits Inc filed Critical Nippon Precision Circuits Inc
Priority to JP15734694A priority Critical patent/JP3354716B2/ja
Publication of JPH0823007A publication Critical patent/JPH0823007A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3354716B2 publication Critical patent/JP3354716B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/019—Manufacture or treatment of bond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H10W72/01515—Forming coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/541—Dispositions of bond wires
    • H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/931—Shapes of bond pads
    • H10W72/934—Cross-sectional shape, i.e. in side view
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/90—Bond pads, in general
    • H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
    • H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ボンディングパッドとボンディングワイヤの
ボンディングパッドとの接続部をシリコン系被膜で全て
被覆することにより、信頼性の向上が可能な半導体集積
回路装置および半導体集積回路装置の製造方法を提供す
る。 【構成】 ボンディングワイヤ３〜３の頂点部分の配列
に応じた形状となっているノズル５から滴下されるシリ
コン系液材により、ボンディングパッド２〜２およびボ
ンディングワイヤ３〜３がシリコン系被膜によって被覆
されるので、水分の侵入によるボンディングパッド２〜
２の腐食を解消でき、半導体集積回路装置の信頼性が格
段に向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置お
よび半導体集積回路装置の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体チップ表面と封止パッケー
ジのモールド材との間の応力緩衝膜としてシリコン系液
材を介在させるものがあった。このようなものでは、図
４に示したように半導体チップ４１の中央にノズル４２
からシリコン系液材を滴下して形成していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ものではシリコン系液材をチップの中央部分に滴下して
形成するので、シリコン系液材が全てのボンディングパ
ッド部分に十分いきわたらなかった。よって、ボンディ
ングパットのうちシリコン系液材で覆われていない部分
が水分の侵入によって腐食してしまい、半導体集積回路
装置の信頼性が低下してしまうという問題点を有してい
た。
【０００４】本願の発明の目的は、信頼性の向上が可能
な半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造
方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願の半導体集積回路装
置に係る発明は、ボンディングパッドおよびこのボンデ
ィングパッドに接続されるボンディングワイヤを有する
半導体集積回路装置において、上記ボンディングパッド
および上記ボンディングワイヤの上記ボンディングパッ
ドとの接続部をシリコン系被膜で全て被覆してあるもの
である。
【０００６】本願の半導体集積回路装置の製造方法に係
る発明は、上記ボンディングワイヤの頂点部分にシリコ
ン系液材を滴下することにより、上記ボンディングパッ
ドおよび上記ボンディングワイヤの上記ボンディングパ
ッドとの接続部をシリコン系被膜で全て被覆するもので
ある。
【０００７】本願の半導体集積回路装置の製造方法に係
る発明は、上記のボンディングワイヤの頂点部分の配列
に応じた形状の部材から、上記ボンディングワイヤの頂
点部分にシリコン系液材を滴下することが望ましい。
【０００８】
【実施例】以下、本願の半導体集積回路装置および半導
体集積回路装置の製造方法に係る発明を図面に示す実施
例に基づいて説明する。
【０００９】図１において、１は半導体集積回路のチッ
プで、チップ１上に設けてあるボンディングパッド２〜
２にボンディングワイヤ３〜３が接続してある。Ａ，Ｂ
は、対向するボンディングワイヤ３〜３の頂点分部の距
離をそれぞれ示している。４〜４はリードで、それぞれ
ボンディングワイヤ３〜３と接続している。５はノズル
で、各ボンディングワイヤ３〜３の頂点部分にＪＣＲコ
ートからなるシリコン系液材を滴下する。図２は、ノズ
ル５の注入口５ａの形状を示しており、図中Ａ，Ｂの長
さはそれぞれ図１のＡ，Ｂの長さに対応している。すな
わち、ノズル５の注入口５ａは、ボンディングワイヤ３
〜３の頂点部分の配列に応じた形状となっている。よっ
て、注入口５ａから滴下されるシリコン系液材は、各ボ
ンディングワイヤ３〜３の頂点部分に滴下される。この
滴下されたシリコン系液材はそれぞれのボンディングワ
イヤ３〜３を被覆しながらボンディングパッド２〜２に
達して、ボンディングパッド２〜２を被覆する。
【００１０】よって、図３に示したように、ボンディン
グワイヤ３〜３の頂点部分からボンディングパッド２〜
２との接続部までの部分およびボンディングパッド２〜
２がシリコン系被膜６で全て被覆される。同図は図１の
Ｃ−Ｃ線断面のボンディングバッド２が形成してある部
分の拡大図で、同図において、７はシリコン基板、８は
層間絶縁層、９は保護膜である。なお、図１と同一番号
のものは、同一のものとする。
【００１１】このように、ボンディングワイヤ３〜３の
頂点部分にシリコン系液材を滴下するので、ボンディン
グパッド２〜２およびボンディングワイヤ３〜３の頂点
部分からボンディングパッド２〜２との接続部までの部
分がシリコン系被膜６によって被覆され、水分の侵入に
よるボンディングパッド２〜２の腐食を解消でき、半導
体集積回路装置の信頼性が格段に向上する。
【００１２】なお、リード４〜４と接続している側のボ
ンディングワイヤ３〜３に流れるシリコン系液材も、ボ
ンディングワイヤ３〜３を被覆しながらリード４〜４に
達する。
【００１３】シリコン系液材６を滴下するノズル５の注
入口５ａの形状がボンディングワイヤ３〜３の頂点部分
の配列に応じた形状なので、シリコン系液材６を滴下す
る際にノズルとボンディングワイヤ３〜３の頂点との位
置合わせが一度で済み製造工程の簡略化が図れるととも
に、確実に全てのボンディンクワイヤ３〜３の頂点部分
にシリコン系液材６を滴下できる。
【００１４】なお、シリコン系液材６を滴下するノズル
５の形状は、図２に示したものに限らず、ボンディング
ワイヤ３〜３の頂点部分の配列に応じて、適宜変更可能
である。
【００１５】
【発明の効果】本願の半導体集積回路装置によれば、ボ
ンディングパッドおよびボンディングワイヤのボンディ
ングパッドとの接続部をシリコン系被膜で全て被覆する
ことにより、水分の侵入によるボンディングパッドの腐
食を解消でき、半導体集積回路装置の信頼性が格段に向
上する。
【００１６】本願の半導体集積回路装置の製造方法によ
れば、ボンディングワイヤの頂点部分にシリコン系液材
を滴下することにより、ボンディングパッドおよびボン
ディングワイヤのボンディングパッドとの接続部をシリ
コン系被膜で全て被覆できるので、信頼性の高い半導体
集積回路装置を製造できる。
【００１７】さらに、ボンディングワイヤの頂点部分の
配列に応じた形状の部材から、ボンディングワイヤの頂
点部分にシリコン系液材を滴下することにより、シリコ
ン系液材を滴下する際にシリコン系液材を滴下する部材
とボンディングワイヤとの位置合わせが一度で済むので
製造工程の簡略化が図れるとともに、確実に全てのボン
ディンクワイヤの頂点部分にシリコン系液材を滴下でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の製造工程の一実施例を示した説明図。
【図２】図１の要部詳細図。
【図３】図１の要部断面図。
【図４】従来の半導体集積回路装置の製造工程を示した
説明図。
【符号の説明】
２ ボンディングパット ３ ボンディングワイヤ ５ 部材 ６ シリコン系被膜，シリコン系液材

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ボンディングパッドおよびこのボンディ
    ングパッドに接続されるボンディングワイヤを有する半
    導体集積回路装置において、 上記ボンディングパッドおよび上記ボンディングワイヤ
    の上記ボンディングパッドとの接続部をシリコン系被膜
    で全て被覆することを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 【請求項２】 ボンディングパッドおよびこのボンディ
    ングパッドに接続されるボンディングワイヤを有する半
    導体集積回路装置において、 上記ボンディングワイヤの頂点部分にシリコン系液材を
    滴下することにより、上記ボンディングパッドおよび上
    記ボンディングワイヤの上記ボンディングパッドとの接
    続部をシリコン系被膜で全て被覆する工程を有すること
    を特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
  3. 【請求項３】 ボンディングパッドおよびこのボンディ
    ングパッドに接続されるボンディングワイヤを有する半
    導体集積回路装置において、 上記のボンディングワイヤの頂点部分の配列に応じた形
    状の部材から、上記ボンディングワイヤの頂点部分にシ
    リコン系液材を滴下することにより、上記ボンディング
    パッドおよび上記ボンディングワイヤの上記ボンディン
    グパッドとの接続部をシリコン系被膜で全て被覆する工
    程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
    方法。
JP15734694A 1994-07-08 1994-07-08 半導体集積回路装置の製造方法 Expired - Fee Related JP3354716B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15734694A JP3354716B2 (ja) 1994-07-08 1994-07-08 半導体集積回路装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15734694A JP3354716B2 (ja) 1994-07-08 1994-07-08 半導体集積回路装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0823007A true JPH0823007A (ja) 1996-01-23
JP3354716B2 JP3354716B2 (ja) 2002-12-09

Family

ID=15647678

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15734694A Expired - Fee Related JP3354716B2 (ja) 1994-07-08 1994-07-08 半導体集積回路装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3354716B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014119045A1 (ja) * 2013-02-01 2014-08-07 株式会社村田製作所 半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014119045A1 (ja) * 2013-02-01 2014-08-07 株式会社村田製作所 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP3354716B2 (ja) 2002-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5682065A (en) Hermetic chip and method of manufacture
EP0902468B1 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the device
JP3354716B2 (ja) 半導体集積回路装置の製造方法
JPH02125454A (ja) 樹脂封止型半導体装置
US20030189243A1 (en) Microelectronic package with reduced underfill and methods for forming such packages
US5043793A (en) Semiconductor device with stress relief coating at the periphery of the device
JPH08204048A (ja) 半導体チップの封止構造
JPS58166748A (ja) 半導体装置
JPH10223700A (ja) 樹脂封止半導体装置及びその製造方法
JPH05166871A (ja) 半導体装置
JPS6119154A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH08167634A (ja) 半導体装置
JPH0738027A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH02180035A (ja) 半導体集積回路装置
JPH01135052A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPS62219541A (ja) 半導体装置
JPH05206198A (ja) 半導体装置
JPS6232636A (ja) 半導体装置
JPH02285649A (ja) 半導体装置
JPS5963752A (ja) 樹脂封止形半導体装置
JPS6367751A (ja) 半導体装置
JPH04171835A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH04260327A (ja) 半導体装置
JPS6151855A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS6034256B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20020822

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees