JPH08242105A

JPH08242105A - 静磁波装置

Info

Publication number: JPH08242105A
Application number: JP7324002A
Authority: JP
Inventors: Takekazu Okada; 田剛和岡; Satoru Niimura; 村悟新; Fumio Kanetani; 谷文夫金
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1994-11-17
Filing date: 1995-11-16
Publication date: 1996-09-17
Anticipated expiration: 2015-11-16
Also published as: JP3279159B2

Abstract

(57)【要約】【課題】小型化および低価格化を図ることができる、
静磁波装置を提供する。【解決手段】静磁波装置としてのＳ／Ｎエンハンサ１
０は、フェリ磁性基体としてたとえば矩形板状のＹＩＧ
薄膜１２を含む。このＹＩＧ薄膜１２は、たとえば矩形
板状のＧＧＧ基板１４の一方主面に形成される。ＹＩＧ
薄膜１２およびＧＧＧ基板１４の周囲には、たとえば導
線からなるトランスデューサ１６が、たとえば５回巻か
れる。したがって、このトランスデューサ１６は、ＹＩ
Ｇ薄膜１２の一方主面側にほぼ平行に配置される５つの
部分とＹＩＧ薄膜１２の他方主面側にほぼ平行に配置さ
れる５つの部分とを有する。トランスデューサ１６の一
端には、入力端子１８の一端が接続され、トランスデュ
ーサ１６の他端には、出力端子２０の一端が接続され
る。入力端子１８の他端および出力端子２０の他端は、
それぞれ接地される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は静磁波装置に関
し、特にフェリ磁性基体が用いられ、たとえばＳ／Ｎエ
ンハンサやフィルタとして使用される静磁波装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】この発明の背景となる従来のＳ／Ｎエン
ハンサの一例が、1980 IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETIC
S, VOL. MAG-16, PP. 1168-1170 のA BROADBAND MICROW
AVE SIGNAL TO NOISE ENHANCERや米国特許第４，２８
３，６９２号に開示されている。図１７はこのような従
来のＳ／Ｎエンハンサの一例を示す斜視図である。図１
７に示すＳ／Ｎエンハンサ１は、フェリ磁性基体として
矩形板状のＹＩＧ薄膜２を含む。このＹＩＧ薄膜２は、
矩形板状のＧＧＧ基板３の一方主面に形成される。ま
た、ＹＩＧ薄膜２の表面は、矩形板状の誘電体基板４の
一方主面の中央に接着される。この誘電体基板４の一方
主面には、その幅方向の中央に、トランスデューサとし
て直線状のマイクロストリップライン５が、ＹＩＧ薄膜
２を横切るように形成されている。マイクロストリップ
ライン５の一端には、入力端子（図示せず）の一端が接
続され、マイクロストリップライン５の他端には、出力
端子（図示せず）の一端が接続される。また、誘電体基
板２の他方主面には、アース電極６が形成される。な
お、入力端子の他端および出力端子の他端は、それぞれ
接地される。

【０００３】図１７に示すＳ／Ｎエンハンサ１には、フ
ェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜２に、直流磁界Ｈ₀が
トランスデューサとしてのマイクロストリップライン５
の長手方向に印加される。そして、このＳ／Ｎエンハン
サ１では、入力端子に高周波電力を入力すると、マイク
ロストリップライン５の周囲に高周波磁界が発生し、Ｙ
ＩＧ薄膜２内に表面静磁波（ＭＳＳＷ）が励振される。
入力端子に入力される高周波電力が小さい場合、高周波
電力の大部分が静磁波に変換されるため、出力端子から
得られる出力電力は非常に小さい。一方、入力端子に入
力される高周波電力が大きい場合、高周波電力から静磁
波への変換が飽和するため、高周波電力の大部分が、マ
イクロストリップライン５を通して出力端子から得られ
る。このため、このＳ／Ｎエンハンサ１では、入力電力
の小さいノイズ成分はほとんど出力されず、入力電力の
大きい信号成分は大部分が出力される。したがって、こ
のＳ／Ｎエンハンサ１では、Ｓ／Ｎが高められる。な
お、このＳ／Ｎエンハンサ１において、−６ｄＢｍおよ
び１０ｄＢｍの周波数特性を図１８に示し、３．３ＧＨ
ｚの入出力特性を図１９に示す。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図１７に示すＳ／Ｎエ
ンハンサ１では、フェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜２
とトランスデューサとしてのマイクロストリップライン
５との対向する部分の長さＬによって、ノイズの減衰量
が決定される。なお、このＳ／Ｎエンハンサ１では、そ
の長さＬは２．１ｃｍである。そして、このＳ／Ｎエン
ハンサ１において、ノイズの減衰量を大きくしたい場
合、その長さＬを増やすのが有効であるが、ＹＩＧ薄膜
２などの高価なフェリ磁性基体が大きくなるという問題
がある。言い換えると、このＳ／Ｎエンハンサ１では、
小型化および低価格化を図るためにＹＩＧ薄膜２を小さ
く形成すると、ＹＩＧ薄膜２とマイクロストリップライ
ン５との対向する部分の長さＬが短くなり、ノイズの減
衰量が小さくなってしまう。

【０００５】また、図１７に示すＳ／Ｎエンハンサ１で
は、変換された静磁波がＹＩＧ薄膜２の端部でマイクロ
ストリップライン５側に反射され、その反射された静磁
波がマイクロストリップライン５などによって高周波電
力に変換されることがある。このように反射された静磁
波が存在すると、Ｓ／Ｎエンハンサ１の伝搬帯域内にお
いて振幅や位相のリップルとなって表れる場合がある。
したがって、このＳ／Ｎエンハンサ１では、静磁波の反
射を減らすために、静磁波の伝搬方向の長さすなわちＹ
ＩＧ薄膜２の幅Ｗを増やしたり、ＹＩＧ薄膜２の端部に
静磁波吸収体を置いたりするなどの工夫が要求される場
合がある。

【０００６】それゆえに、この発明の主たる目的は、小
型化および低価格化を図ることができる、静磁波装置を
提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明にかかる静磁波
装置は、フェリ磁性基体と、フェリ磁性基体の一方主面
側に配置される部分とフェリ磁性基体の他方主面側に配
置される部分とを有するトランスデューサと、その一端
がトランスデューサの一端に接続され、その他端が接地
される入力端子と、その一端がトランスデューサの他端
に接続され、その他端が接地される出力端子とを含む、
静磁波装置である。

【０００８】この発明にかかる静磁波装置において、フ
ェリ磁性基体が円板状に形成されることが、後述の理由
によって好ましい。

【０００９】また、この発明にかかる静磁波装置におい
て、フェリ磁性基体の一方主面側に配置される部分とフ
ェリ磁性基体の他方主面側に配置される部分とを有し、
トランスデューサに並列に接続される別のトランスデュ
ーサを含むことが、後述の理由によって好ましい。

【００１０】さらに、この発明にかかる静磁波装置にお
いて、フェリ磁性基体がＧＧＧ基板の一方主面に形成さ
れ、ＧＧＧ基板の他方主面に別のフェリ磁性基体が形成
されてもよい。

【００１１】この発明にかかる他の静磁波装置は、フェ
リ磁性基体と、フェリ磁性基体の一方主面側に配置され
る部分とフェリ磁性基体の他方主面側に配置される部分
とを有するトランスデューサと、フェリ磁性基体の他方
主面側に配置される部分とフェリ磁性基体の一方主面側
に配置される部分とを有する別のトランスデューサと、
その一端がトランスデューサの一端に接続され、その他
端が別のトランスデューサの一端に接続される入力端子
と、その一端がトランスデューサの他端に接続され、そ
の他端が別のトランスデューサの他端に接続される出力
端子とを含む、静磁波装置である。

【００１２】この発明にかかる他の静磁波装置におい
て、フェリ磁性基体が円板状に形成されることが、後述
の理由によって好ましい。

【００１３】また、この発明にかかる他の静磁波装置に
おいて、フェリ磁性基体がＧＧＧ基板の一方主面に形成
され、ＧＧＧ基板の他方主面に別のフェリ磁性基体が形
成されてもよい。

【００１４】

【作用】この発明にかかる静磁波装置では、フェリ磁性
基体に直流磁界を印加し、入力端子に高周波電力を入力
すると、トランスデューサの周囲に高周波磁界が発生
し、フェリ磁性基体内に静磁波が励振される。入力端子
に入力される高周波電力が小さい場合、高周波電力が静
磁波に変換されるが、トランスデューサがフェリ磁性基
体の一方主面側に配置される部分とフェリ磁性基体の他
方主面側に配置される部分とを有するので、高周波電力
から静磁波への変換効率がよくなる。そのため、フェリ
磁性基体を小さく形成しても、従来例と同様のノイズの
減衰量が得られる。一方、入力端子に入力される高周波
電力が大きい場合、高周波電力から静磁波への変換が飽
和するため、高周波電力の大部分が、トランスデューサ
を通して出力端子から得られる。このため、この発明に
かかる静磁波装置では、入力電力の小さいノイズ成分は
ほとんど出力されず、入力電力の大きい信号成分は大部
分が出力される。すなわち、この発明にかかる静磁波装
置では、Ｓ／Ｎが高められる。

【００１５】また、この発明にかかる他の静磁波装置で
は、フェリ磁性基体に直流磁界を印加し、入力端子に高
周波電力を入力すると、トランスデューサおよび別のト
ランスデューサの周囲に高周波磁界が発生し、フェリ磁
性基体内に静磁波が励振される。入力端子に入力される
高周波電力が小さい場合、高周波電力が静磁波に変換さ
れるが、トランスデューサがフェリ磁性基体の一方主面
側に配置される部分とフェリ磁性基体の他方主面側に配
置される部分とを有し、別のトランズデューサがフェリ
磁性基体の他方主面側に配置される部分とフェリ磁性基
体の一方主面側に配置される部分とを有するので、高周
波電力から静磁波への変換効率がよくなる。そのため、
フェリ磁性基体を小さく形成しても、従来例と同様のノ
イズの減衰量が得られる。一方、入力端子に入力される
高周波電力が大きい場合、高周波電力から静磁波への変
換が飽和するため、高周波電力の大部分が、トランスデ
ューサおよび別のトランスデューサを通して出力端子か
ら得られる。このため、この発明にかかる他の静磁波装
置では、入力電力の小さいノイズ成分はほとんど出力さ
れず、入力電力の大きい信号成分は大部分が出力され
る。すなわち、この発明にかかる他の静磁波装置でも、
Ｓ／Ｎが高められる。

【００１６】

【発明の効果】この発明によれば、高周波電力から静磁
波への変換効率がよくなるので、小型化および低価格化
を図ることができる静磁波装置が得られる。

【００１７】また、この発明にかかる静磁波装置におい
て、フェリ磁性基体を円板状に形成すれば、変換された
静磁波が、フェリ磁性基体の端部でトランスデューサ側
に反射されにくくなる。そのため、フェリ磁性基体の端
部で反射された静磁波が、トランスデューサなどによっ
て高周波電力に変換されにくくなる。そのため、静磁波
装置の伝搬帯域内において振幅や位相のリップルが少な
くなり、特性がよくなる。なお、この発明にかかる他の
静磁波装置において、フェリ磁性基体を円板状に形成し
ても、同様のことがいえる。

【００１８】さらに、この発明にかかる静磁波装置にお
いて、フェリ磁性基体の一方主面側に配置される部分と
フェリ磁性基体の他方主面側に配置される部分とを有
し、トランスデューサに並列に接続される別のトランス
デューサを含めば、トランスデューサおよび別のトラン
スデューサが入力端子および出力端子間で並列に接続さ
れるので、入力端子および出力端子間のインピーダンス
が減少し、挿入損失が減少する。

【００１９】また、この発明にかかる他の静磁波装置で
は、トランスデューサがフェリ磁性基体の一方主面側に
配置される部分とフェリ磁性基体の他方主面側に配置さ
れる部分とを有し、別のトランスデューサがフェリ磁性
基体の他方主面側に配置される部分とフェリ磁性基体の
一方主面側に配置される部分とを有し、入力端子の一端
および他端がトランスデューサの一端および別のトラン
スデューサの一端にそれぞれ接続され、出力端子の一端
および他端がトランスデューサの他端および別のトラン
スデューサの他端にそれぞれ接続されるので、すなわ
ち、入力端子および出力端子がフィーダ線で接続された
ような状態となるので、ノイズの減衰量を大きくするた
めにトランスデューサおよび別のトランスデューサの長
さを長くしても、入力端子および出力端子間のインピー
ダンスがほとんど変わらず、挿入損失があまり大きくな
らない。

【００２０】この発明の上述の目的、その他の目的、特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施例を示す
斜視図である。静磁波装置としてのＳ／Ｎエンハンサ１
０は、フェリ磁性基体としてたとえば矩形板状のＹＩＧ
薄膜１２を含む。このＹＩＧ薄膜１２は、たとえば矩形
板状のＧＧＧ基板１４の一方主面に形成される。ＹＩＧ
薄膜１２およびＧＧＧ基板１４の周囲には、たとえば導
線からなるトランスデューサ１６が、たとえば５回巻か
れる。したがって、このトランスデューサ１６は、ＹＩ
Ｇ薄膜１２の一方主面側にほぼ平行に配置される５つの
部分とＹＩＧ薄膜１２の他方主面側にほぼ平行に配置さ
れる５つの部分とを有する。また、トランスデューサ１
６の一端には、入力端子１８の一端が接続され、トラン
スデューサ１６の他端には、出力端子２０の一端が接続
される。さらに、入力端子１８の他端および出力端子２
０の他端は、それぞれ接地される。

【００２２】図１に示すＳ／Ｎエンハンサ１０には、フ
ェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜１２に、直流磁界Ｈ₀
がＹＩＧ薄膜１２の主面に平行しかつトランスデューサ
１６に平行する方向に印加される。そして、このＳ／Ｎ
エンハンサ１０では、入力端子１８に高周波電力を入力
すると、トランスデューサ１６の周囲に高周波磁界が発
生し、ＹＩＧ薄膜１２内に表面静磁波が励振される。入
力端子１８に入力される高周波電力が小さい場合、高周
波電力が静磁波に変換されるが、トランスデューサ１６
がＹＩＧ薄膜１２の一方主面側に配置される部分とＹＩ
Ｇ薄膜１２の他方主面側に配置される部分とを有するの
で、高周波電力から静磁波への変換効率がよくなる。そ
のため、ＹＩＧ薄膜１２を小さく形成しても、従来例と
同様のノイズの減衰量が得られる。一方、入力端子１８
に入力される高周波電力が大きい場合、高周波電力から
静磁波への変換が飽和するため、高周波電力の大部分
が、トランスデューサ１６を通して出力端子２０から得
られる。このため、このＳ／Ｎエンハンサ１０では、入
力電力の小さいノイズ成分はほとんど出力されず、入力
電力の大きい信号成分は大部分が出力される。すなわ
ち、このＳ／Ｎエンハンサ１０では、Ｓ／Ｎが高められ
る。また、このＳ／Ｎエンハンサ１０では、高周波電力
から静磁波への変換効率がよくなるので、小型化および
低価格化を図ることができる。

【００２３】図２は図１に示す実施例の変形例を示す斜
視図である。図２に示す実施例では、図１に示す実施例
と比べて、ＹＩＧ薄膜１２がＧＧＧ基板１４の一方主面
の中央に円板状に形成され、さらに、トランスデューサ
１６がＹＩＧ薄膜１２およびＧＧＧ基板１４の周囲に４
回巻かれる。

【００２４】図３は図２に示す実施例の変形例を示す斜
視図である。図３に示す実施例では、図２に示す実施例
と比べて、トランスデューサ１６がＹＩＧ薄膜１２およ
びＧＧＧ基板１４の周囲に３回巻かれる。

【００２５】図４は図２に示す実施例の他の変形例を示
す斜視図である。図４に示す実施例では、図２に示す実
施例と比べて、トランスデューサ１６がＹＩＧ薄膜１２
およびＧＧＧ基板１４の周囲に２回巻かれる。

【００２６】図５は図２に示す実施例のさらに他の変形
例を示す斜視図である。図５に示す実施例では、図２に
示す実施例と比べて、トランスデューサ１６がＹＩＧ薄
膜１２およびＧＧＧ基板１４の周囲に１回巻かれる。

【００２７】図２〜図５に示す各実施例でも、図１に示
す実施例と同様に、トランスデューサ１６がＹＩＧ薄膜
１２の一方主面側に配置される部分とＹＩＧ薄膜１２の
他方主面側に配置される部分とを有するので、入力され
た高周波電力から静磁波への変換効率がよくなり、小型
化および低価格化を図ることができる。

【００２８】さらに、図２〜図５に示す各実施例では、
ＹＩＧ薄膜１２が円板状に形成されているので、変換さ
れた静磁波が、ＹＩＧ薄膜１２の端部でトランスデュー
サ１６側に反射されにくくなる。そのため、ＹＩＧ薄膜
１２の端部で反射された静磁波が、トランスデューサ１
６などによって高周波電力に変換されにくくなる。その
ため、Ｓ／Ｎエンハンサの伝搬帯域内において振幅や位
相のリップルが少なくなり、特性がよくなる。

【００２９】図６は比較例を示す斜視図である。図６に
示す比較例では、図２に示す実施例と比べて、直線状の
トランスデューサ１６がＹＩＧ薄膜１２の一方主面側の
みに配置されている。

【００３０】また、図２〜図５に示す各実施例および図
６に示す比較例の周波数特性を図７に示し、図２〜図５
に示す各実施例および図６に示す比較例の入出力特性を
図８に示す。なお、図２〜図５に示す各実施例および図
６に示す比較例において、ＹＩＧ薄膜１２の厚みは９５
μｍであり、ＹＩＧ薄膜１２の直径は２．２ｍｍであ
り、ＹＩＧ薄膜１２の飽和磁化４πＭｓは１７８０Ｇａ
ｕｓｓである。

【００３１】図７に示す周波数特性および図８に示す入
出力特性から明らかなように、トランスデューサ１６の
巻き数を増やせば、ノイズの減衰量が大きくなり、周波
数特性および入出力特性がよくなることがわかる。な
お、トランスデューサ１６の巻き数を増やせばインピー
ダンスが大きくなるので、ノイズの減衰量とインピーダ
ンスの大きさとを考慮して、トランスデューサ１６の巻
き数を適当に選ぶことが好ましい。

【００３２】図９はこの発明の他の実施例を示す分解斜
視図である。図９に示す実施例では、特に、ＹＩＧ薄膜
１２およびＧＧＧ基板１４が、絶縁性を有する非磁性体
からなる４角筒形のケース２２の中に収納され、導線か
らなるトランスデューサ１６が、ケース２２の周囲に４
回巻かれる。図９に示す実施例でも、トランスデューサ
１６がＹＩＧ薄膜１２の一方主面側に配置される部分と
ＹＩＧ薄膜１２の他方主面側に配置される部分とを有す
るので、入力された高周波電力から静磁波への変換効率
がよくなり、小型化および低価格化を図ることができ
る。

【００３３】図１０はこの発明のさらに他の実施例を示
す斜視図であり、図１１はその平面図であり、図１２は
その要部を示す分解斜視図である。図１０〜図１２に示
す実施例では、特に、ＹＩＧ薄膜１２の表面に直線状の
４つのライン電極２４ａが間隔を隔てて平行に形成され
る。また、ＧＧＧ基板１４の表面は、誘電体基板２６の
一方主面の中央に接着される。この誘電体基板２６の一
方主面の中央にも、直線状の４つのライン電極２４ｂ
が、間隔を隔てて平行に形成される。そして、これらの
ライン電極２４ａおよび２４ｂの所定の端部を導線２４
ｃで接続することによって、ＹＩＧ薄膜１２およびＧＧ
Ｇ基板１４を４周するコイル状のトランスデューサが構
成される。また、トランスデューサの一端すなわち１つ
のライン電極２４ａの一端部は、誘電体基板２６の一方
主面上の端子電極２８ａに導線２８ｂで接続される。こ
の端子電極２８ａは、入力端子の一端として用いられ
る。また、トランスデューサの他端すなわち１つのライ
ン電極２４ｂの他端部３０は、誘電体基板２６の端部に
延びて形成される。この他端部３０は、出力端子の一端
として用いられる。さらに、誘電体基板２６の他方主面
には、アース電極３２が形成される。このアース電極３
２は、入力端子の他端および出力端子の他端として用い
られる。

【００３４】図１０〜図１２に示す実施例でも、トラン
スデューサがＹＩＧ薄膜１２の一方主面側に配置される
部分とＹＩＧ薄膜１２の他方主面側に配置される部分と
を有するので、入力された高周波電力から静磁波への変
換効率がよくなり、小型化および低価格化を図ることが
できる。

【００３５】図１３はこの発明の別の実施例を示す斜視
図である。図１３に示す実施例では、ＹＩＧ薄膜１２お
よびＧＧＧ基板１４の半分の周囲に、導線からなるトラ
ンスデューサ１６ａが２回巻かれる。同様に、ＹＩＧ薄
膜１２およびＧＧＧ基板１４の残りの半分の周囲にも、
導線からなる別のトランスデューサ１６ｂが２回巻かれ
る。そして、トランスデューサ１６ａの一端および別の
トランスデューサ１６ｂの一端は、入力端子１８の一端
に接続される。また、トランスデューサ１６ａの他端お
よび別のトランスデューサ１６ｂの他端は、出力端子２
０の一端に接続される。また、入力端子１８の他端およ
び出力端子２０の他端は、それぞれ接地される。

【００３６】図１３に示す実施例でも、トランスデュー
サ１６ａおよび別のトランスデューサ１６ｂがそれぞれ
ＹＩＧ薄膜１２の一方主面側に配置される部分とＹＩＧ
薄膜１２の他方主面側に配置される部分とを有するの
で、入力された高周波電力から静磁波への変換効率がよ
くなり、小型化および低価格化を図ることができる。

【００３７】また、図１３に示す実施例では、トランス
デューサ１６ａおよび別のトランスデューサ１６ｂが入
力端子１８および出力端子２０間で並列に接続されるの
で、入力端子１８および出力端子２０間のインピーダン
スが減少し、挿入損失が減少する。

【００３８】図１４はこの発明のさらに別の実施例を示
す斜視図である。図１４に示す実施例では、ＹＩＧ薄膜
１２およびＧＧＧ基板１４の周囲に、導線からなるトラ
ンスデューサ１６ａが２回巻かれる。さらに、ＹＩＧ薄
膜１２およびＧＧＧ基板１４の周囲には、導線からなる
別のトランスデューサ１６ｂが、ＹＩＧ薄膜１２および
ＧＧＧ基板１４を挟んでトランスデューサ１６ａに対向
するように、２回巻かれる。そして、トランスデューサ
１６ａの一端および別のトランスデューサ１６ｂの一端
は、入力端子１８の一端および他端にそれぞれ接続され
る。また、トランスデューサ１６ａの他端および別のト
ランスデューサ１６ｂの他端は、出力端子２０の一端お
よび他端にそれぞれ接続される。

【００３９】図１４に示すＳ／Ｎエンハンサ１０には、
フェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜１２に、直流磁界Ｈ
₀がＹＩＧ薄膜１２の主面に平行しかつトランスデュー
サ１６ａおよび１６ｂに平行する方向に印加される。そ
して、このＳ／Ｎエンハンサ１０では、入力端子１８に
高周波電力を入力すると、トランスデューサ１６ａおよ
び別のトランスデューサ１６ｂの周囲に高周波磁界が発
生し、ＹＩＧ薄膜１２内に表面静磁波が励振される。入
力端子１８に入力される高周波電力が小さい場合、高周
波電力が静磁波に変換されるが、トランスデューサ１６
ａがＹＩＧ薄膜１２の一方主面側に配置される部分とＹ
ＩＧ薄膜１２の他方主面側に配置される部分とを有し、
別のトランズデューサ１６ｂがＹＩＧ薄膜１２の他方主
面側に配置される部分とＹＩＧ薄膜１２の一方主面側に
配置される部分とを有するので、高周波電力から静磁波
への変換効率がよくなる。そのため、ＹＩＧ薄膜１２を
小さく形成しても、従来例と同様のノイズの減衰量が得
られる。一方、入力端子１８に入力される高周波電力が
大きい場合、高周波電力から静磁波への変換が飽和する
ため、高周波電力の大部分が、トランスデューサ１６ａ
および別のトランスデューサ１６ｂを通して出力端子２
０から得られる。このため、図１４に示すＳ／Ｎエンハ
ンサ１０では、入力電力の小さいノイズ成分はほとんど
出力されず、入力電力の大きい信号成分は大部分が出力
される。すなわち、図１４に示すＳ／Ｎエンハンサ１０
でも、Ｓ／Ｎが高められる。

【００４０】また、図１４に示すＳ／Ｎエンハンサ１０
でも、高周波電力から静磁波への変換効率がよくなるの
で、小型化および低価格化を図ることができる。

【００４１】さらに、図１４に示すＳ／Ｎエンハンサ１
０では、トランスデューサ１６ａがＹＩＧ薄膜１２の一
方主面側に配置される部分とＹＩＧ薄膜１２の他方主面
側に配置される部分とを有し、別のトランスデューサ１
６ｂがＹＩＧ薄膜１２の他方主面側に配置される部分と
ＹＩＧ薄膜１２の一方主面側に配置される部分とを有
し、入力端子１８の一端および他端がトランスデューサ
１６ａの一端および別のトランスデューサ１６ｂの一端
にそれぞれ接続され、出力端子２０の一端および他端が
トランスデューサ１６ａの他端および別のトランスデュ
ーサ１６ｂの他端にそれぞれ接続されるので、すなわ
ち、入力端子１８および出力端子２０がフィーダ線で接
続されたような状態となるので、ノイズの減衰量を大き
くするためにトランスデューサ１６ａおよび別のトラン
スデューサ１６ｂの長さを長くしても、入力端子１８お
よび出力端子２０間のインピーダンスがほとんど変わら
ず、挿入損失がほとんど大きくならない。

【００４２】また、図１４に示すＳ／Ｎエンハンサ１０
では、平衡伝送線路におけるＳ／Ｎを改善することがで
きるが、図１４に示すＳ／Ｎエンハンサ１０において、
図１５に示すように、入力側の前段および出力側の後段
にバラン回路４０ａおよび４０ｂをそれぞれ設ければ、
不平衡伝送線路におけるＳ／Ｎを改善することができ
る。逆に、図１４に示す実施例以外の実施例では、不平
衡伝送線路におけるＳ／Ｎを改善することができるが、
それらの実施例において、入力側の前段および出力側の
後段にバラン回路をそれぞれ逆向きに設ければ、平衡伝
送線路におけるＳ／Ｎを改善することができる。

【００４３】図１６は図１に示す実施例の他の変形例を
示す斜視図である。図１６に示す実施例では、図１に示
す実施例と比べて、別のフェリ磁性基体としての別のＹ
ＩＧ薄膜１３がＧＧＧ基板１４の他方主面に形成され
る。

【００４４】図１６に示す実施例でも、トランスデュー
サ１６がＹＩＧ薄膜１２，１３の一方主面側に配置され
る部分とＹＩＧ薄膜１２，１３の他方主面側に配置され
る部分とを有するので、図１に示す実施例と同様に、入
力された高周波電力から静磁波への変換効率がよくな
り、小型化および低価格化を図ることができる。

【００４５】なお、図２〜図５に示す各実施例ではＹＩ
Ｇ薄膜が円板状に形成されているが、他の実施例におい
ても、フェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜が円板状に形
成されてもよい。この場合も、図２〜図５に示す実施例
と同様な効果を奏する。

【００４６】図９に示す実施例ではＹＩＧ薄膜を囲むケ
ースの周囲にトランスデューサが形成されているが、他
の実施例においても、フェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄
膜を囲むケースの周囲にトランスデューサが形成されて
もよい。

【００４７】図１０〜図１２に示す実施例ではトランス
デューサの一部が電極で形成されているが、他の実施例
においても、トランスデューサおよび別のトランスデュ
ーサの少なくとも一部が電極で形成されてもよい。

【００４８】図１３に示す実施例では２つのトランスデ
ューサが入力端子および出力端子間で並列に接続されて
いるが、この発明では、フェリ磁性基体の一方主面側に
配置される部分とフェリ磁性基体の他方主面側に配置さ
れる部分とを有する複数のトランスデューサが、入力端
子および出力端子間で並列に接続されてもよい。

【００４９】図１６に示す実施例では別のフェリ磁性基
体としての別のＹＩＧ薄膜がＧＧＧ基板の他方主面に形
成されているが、他の実施例においても、別のフェリ磁
性基体としての別のＹＩＧ薄膜がＧＧＧ基板の他方主面
に形成されてもよい。

【００５０】なお、上述の各実施例において、入力側の
前段および出力側の後段に、インピーダンスの整合をと
るための整合回路が、それぞれ設けられてもよい。

【００５１】また、上述の各実施例では、ＹＩＧ薄膜
に、直流磁界が、ＹＩＧ薄膜の主面に平行しかつトラン
スデューサに平行する方向に印加される。そのため、Ｙ
ＩＧ薄膜には、表面静磁波が励起される。しかしなが
ら、フェリ磁性基体としてのＹＩＧ薄膜には、直流磁界
が、たとえば、ＹＩＧ薄膜の主面に直交する方向やＹＩ
Ｇ薄膜の主面に平行しかつトランスデューサに直交する
方向などの他の方向に印加されてもよい。直流磁界がＹ
ＩＧ薄膜の主面に直交する方向に印加される場合には、
ＹＩＧ薄膜に体積前進静磁波（ＭＳＦＶＷ）が励起さ
れ、直流磁界がＹＩＧ薄膜の主面に平行しかつトランス
デューサに直交する方向に印加される場合には、ＹＩＧ
薄膜に体積後退静磁波（ＭＳＢＶＷ）が励起される。

【００５２】なお、上述の各実施例は、高周波信号のＳ
／Ｎを高める機能を有するが、バンドストップフィルタ
の機能も有するので、バンドストップフィルタとしても
使用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す斜視図である。

【図２】図１に示す実施例の変形例を示す斜視図であ
る。

【図３】図２に示す実施例の変形例を示す斜視図であ
る。

【図４】図２に示す実施例の他の変形例を示す斜視図で
ある。

【図５】図２に示す実施例のさらに他の変形例を示す斜
視図である。

【図６】比較例を示す斜視図である。

【図７】図２〜図５に示す各実施例および図６に示す比
較例の周波数特性を示すグラフである。

【図８】図２〜図５に示す各実施例および図６に示す比
較例の入出力特性を示すグラフである。

【図９】この発明の他の実施例を示す分解斜視図であ
る。

【図１０】この発明のさらに他の実施例を示す斜視図で
ある。

【図１１】図１０に示す実施例の平面図である。

【図１２】図１０に示す実施例の要部を示す分解斜視図
である。

【図１３】この発明の別の実施例を示す斜視図である。

【図１４】この発明のさらに別の実施例を示す斜視図で
ある。

【図１５】図１４に示す実施例の応用例を示すブロック
図である。

【図１６】図１に示す実施例の他の変形例を示す斜視図
である。

【図１７】この発明の背景となる従来のＳ／Ｎエンハン
サの一例を示す斜視図である。

【図１８】図１７に示すＳ／Ｎエンハンサの周波数特性
を示すグラフである。

【図１９】図１７に示すＳ／Ｎエンハンサの入出力特性
を示すグラフである。

【符号の説明】

１０Ｓ／Ｎエンハンサ１２ＹＩＧ薄膜１３別のＹＩＧ薄膜１４ＧＧＧ基板１６，１６ａトランスデューサ１６ｂ別のトランスデューサ１８入力端子２０出力端子２２ケース２４ａライン電極２４ｂライン電極２４ｃ導線２６誘電体基板２８ａ端子電極２８ｂ導線３０他端部３２アース電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フェリ磁性基体、前記フェリ磁性基体の一方主面側に配置される部分と前
記フェリ磁性基体の他方主面側に配置される部分とを有
するトランスデューサ、その一端が前記トランスデューサの一端に接続され、そ
の他端が接地される入力端子、およびその一端が前記ト
ランスデューサの他端に接続され、その他端が接地され
る出力端子を含む、静磁波装置。
【請求項２】前記フェリ磁性基体は、円板状に形成さ
れる、請求項１に記載の静磁波装置。
【請求項３】前記フェリ磁性基体の一方主面側に配置
される部分と前記フェリ磁性基体の他方主面側に配置さ
れる部分とを有し、前記トランスデューサに並列に接続
される別のトランスデューサを含む、請求項１または請
求項２に記載の静磁波装置。
【請求項４】前記フェリ磁性基体はＧＧＧ基板の一方
主面に形成され、前記ＧＧＧ基板の他方主面に別のフェ
リ磁性基体が形成される、請求項１ないし請求項３のい
ずれかに記載の静磁波装置。
【請求項５】フェリ磁性基体、前記フェリ磁性基体の一方主面側に配置される部分と前
記フェリ磁性基体の他方主面側に配置される部分とを有
するトランスデューサ、前記フェリ磁性基体の他方主面側に配置される部分と前
記フェリ磁性基体の一方主面側に配置される部分とを有
する別のトランスデューサ、その一端が前記トランスデューサの一端に接続され、そ
の他端が前記別のトランスデューサの一端に接続される
入力端子、およびその一端が前記トランスデューサの他
端に接続され、その他端が前記別のトランスデューサの
他端に接続される出力端子を含む、静磁波装置。
【請求項６】前記フェリ磁性基体は、円板状に形成さ
れる、請求項５に記載の静磁波装置。
【請求項７】前記フェリ磁性基体はＧＧＧ基板の一方
主面に形成され、前記ＧＧＧ基板の他方主面に別のフェ
リ磁性基体が形成される、請求項５または請求項６に記
載の静磁波装置。