JPH08250820A - マルチセグメントのリッジ導波体の製造方法 - Google Patents
マルチセグメントのリッジ導波体の製造方法Info
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- JPH08250820A JPH08250820A JP8012943A JP1294396A JPH08250820A JP H08250820 A JPH08250820 A JP H08250820A JP 8012943 A JP8012943 A JP 8012943A JP 1294396 A JP1294396 A JP 1294396A JP H08250820 A JPH08250820 A JP H08250820A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、非常に小型のマルチセグメントの
光リッジ導波体構造を基体上で成長された半導体層構造
から正確に製造することのできる製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 上部層DSを含む半導体層構造の形成後、
隣接する導波体セグメントの金属接触部の間の電気分離
を行うセグメント転移領域STの両側の狭い領域の上部層
DSを除去し、導波体構造が形成される部分の表面に金属
層KMを付着し、この金属層をエッチマスクとして使用し
て半導体層構造から導波体形成リッジ構造をエッチング
し、上部層のエッチングに使用されるエッチング剤に対
して耐える層によってセグメント転移領域STを除く半導
体層構造全体を被覆し、セグメント転移領域STの上部層
DSをエッチングし、それによってこの領域の金属層を同
時にアンダーカットによって除去することを特徴する。
光リッジ導波体構造を基体上で成長された半導体層構造
から正確に製造することのできる製造方法を提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 上部層DSを含む半導体層構造の形成後、
隣接する導波体セグメントの金属接触部の間の電気分離
を行うセグメント転移領域STの両側の狭い領域の上部層
DSを除去し、導波体構造が形成される部分の表面に金属
層KMを付着し、この金属層をエッチマスクとして使用し
て半導体層構造から導波体形成リッジ構造をエッチング
し、上部層のエッチングに使用されるエッチング剤に対
して耐える層によってセグメント転移領域STを除く半導
体層構造全体を被覆し、セグメント転移領域STの上部層
DSをエッチングし、それによってこの領域の金属層を同
時にアンダーカットによって除去することを特徴する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基体上で成長され
た半導体層構造からマルチセグメントの光リッジ導波体
構造を製造し、リッジ導波体構造には各導波体セグメン
トと関連され、相互に電気的に分離されている金属接触
部が設けられており、半導体層構造の上部にある金属接
触部を支持する上部層は湿式化学処理によりエッチング
可能である光リッジ導波体の製造方法に関する。
た半導体層構造からマルチセグメントの光リッジ導波体
構造を製造し、リッジ導波体構造には各導波体セグメン
トと関連され、相互に電気的に分離されている金属接触
部が設けられており、半導体層構造の上部にある金属接
触部を支持する上部層は湿式化学処理によりエッチング
可能である光リッジ導波体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】このような方法によって、セグメント化
された光導波体が製造され、このセグメントは分離した
金属接触部を経て電気的に制御されるかまたはこれらの
状態を検査されることができる。
された光導波体が製造され、このセグメントは分離した
金属接触部を経て電気的に制御されるかまたはこれらの
状態を検査されることができる。
【０００３】このような光導波体のセグメントはレー
ザ、光増幅器、光変調器、吸収装置、波長コンバータと
して、または光増幅を行わない受動部品として、例えば
光通信技術において動作され、使用されることができ
る。
ザ、光増幅器、光変調器、吸収装置、波長コンバータと
して、または光増幅を行わない受動部品として、例えば
光通信技術において動作され、使用されることができ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような部品の寸法
は非常に小さいので、製造中に最大限の正確性が必要と
される。μｍ範囲に許容誤差を保持することは非常に複
雑なので、製造中の整列またはマスクステップまたは処
理器具の変形等の整列変化処理ステップは、価格の高レ
ベルの上昇なしには導入されることができない。それ
故、製造中に器具形状の変形が必要なく、できるだけ多
数の処理ステップが自己整列ステップであるプロセスを
発見することが望ましい。本発明はこのような問題を解
決することを目的とする。
は非常に小さいので、製造中に最大限の正確性が必要と
される。μｍ範囲に許容誤差を保持することは非常に複
雑なので、製造中の整列またはマスクステップまたは処
理器具の変形等の整列変化処理ステップは、価格の高レ
ベルの上昇なしには導入されることができない。それ
故、製造中に器具形状の変形が必要なく、できるだけ多
数の処理ステップが自己整列ステップであるプロセスを
発見することが望ましい。本発明はこのような問題を解
決することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明の製
造方法によって達成される。本発明は、基体上で成長さ
れた半導体層構造からマルチセグメントの光リッジ導波
体構造を製造し、リッジ導波体構造には各導波体セグメ
ントと関連され、相互に電気的に分離されている金属接
触部が設けられており、半導体層構造の上部にある金属
接触部を支持する上部層は湿式化学処理によりエッチン
グ可能である製造方法において、上部層を含む半導体層
構造の形成後、隣接する導波体セグメントの金属接触部
の間の電気分離を行うセグメント転移領域の両側の狭い
領域の上部層を除去し、セグメント境界およびセグメン
ト転移領域と無関係に導波体構造が形成される金属層を
付着し、エッチマスクとしてこの金属層を使用して半導
体層構造から導波体形成リッジ構造をエッチングし、セ
グメント転移領域を除いて、パターン化された半導体層
構造全体を上部層のエッチングに使用されるエッチング
剤に対して耐える層によって被覆し、セグメント転移領
域の上部層をエッチングし、それによって前記領域の金
属層をアンダーカットして除去するステップが行われる
ことを特徴する。
造方法によって達成される。本発明は、基体上で成長さ
れた半導体層構造からマルチセグメントの光リッジ導波
体構造を製造し、リッジ導波体構造には各導波体セグメ
ントと関連され、相互に電気的に分離されている金属接
触部が設けられており、半導体層構造の上部にある金属
接触部を支持する上部層は湿式化学処理によりエッチン
グ可能である製造方法において、上部層を含む半導体層
構造の形成後、隣接する導波体セグメントの金属接触部
の間の電気分離を行うセグメント転移領域の両側の狭い
領域の上部層を除去し、セグメント境界およびセグメン
ト転移領域と無関係に導波体構造が形成される金属層を
付着し、エッチマスクとしてこの金属層を使用して半導
体層構造から導波体形成リッジ構造をエッチングし、セ
グメント転移領域を除いて、パターン化された半導体層
構造全体を上部層のエッチングに使用されるエッチング
剤に対して耐える層によって被覆し、セグメント転移領
域の上部層をエッチングし、それによって前記領域の金
属層をアンダーカットして除去するステップが行われる
ことを特徴する。
【０００６】本発明の製造方法によれば、横断方向の寸
法が非常に小さい（μｍ範囲の）構造が隣接セグメント
の間の金属被覆を分離するための特別なエッチングステ
ップの必要なしに形成されることができる。これはリッ
ジ導波体のエッチングと同様に、自己整列処理プロセス
（リフトオフ技術）で行われる。これは整列の高い正確
性を必要とし従ってコスト増加の原因であるマスクステ
ップの使用を不要にする。本発明による製造方法のさら
に発展した形態は請求項２に記載されている。
法が非常に小さい（μｍ範囲の）構造が隣接セグメント
の間の金属被覆を分離するための特別なエッチングステ
ップの必要なしに形成されることができる。これはリッ
ジ導波体のエッチングと同様に、自己整列処理プロセス
（リフトオフ技術）で行われる。これは整列の高い正確
性を必要とし従ってコスト増加の原因であるマスクステ
ップの使用を不要にする。本発明による製造方法のさら
に発展した形態は請求項２に記載されている。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明によるプロセスを添付図面
を参照して詳細に説明する。図１は能動および受動の光
導波体の製造の開始材料としての役目を行うことができ
る一般的な半導体層構造を示している。例えばＩｎＰ層
等の基体Ｓ上では、さらに別の半導体層、例えば能動層
を構成する層のグル−プＡＳを含んだ層が成長され、そ
の上にはさらにＩｎＰ層ＩｎＰと最終的な、例えば多量
にドープされたＩｎＧａＡｓの上部層ＤＳが設けられて
おり、上部層ＤＳは約０．３μｍのみの厚さであり、湿
式化学処理によりエッチング可能である。
を参照して詳細に説明する。図１は能動および受動の光
導波体の製造の開始材料としての役目を行うことができ
る一般的な半導体層構造を示している。例えばＩｎＰ層
等の基体Ｓ上では、さらに別の半導体層、例えば能動層
を構成する層のグル−プＡＳを含んだ層が成長され、そ
の上にはさらにＩｎＰ層ＩｎＰと最終的な、例えば多量
にドープされたＩｎＧａＡｓの上部層ＤＳが設けられて
おり、上部層ＤＳは約０．３μｍのみの厚さであり、湿
式化学処理によりエッチング可能である。
【０００８】個々のセグメント上に別々の金属接触部を
有するセグメント化された光リッジ導波体が図１の層構
造を含んだ半導体チップ上に形成される場合には、上部
層はセグメント転移領域の両側で除去される。これは例
えばドライエッチングにより行われることができる。
有するセグメント化された光リッジ導波体が図１の層構
造を含んだ半導体チップ上に形成される場合には、上部
層はセグメント転移領域の両側で除去される。これは例
えばドライエッチングにより行われることができる。
【０００９】図２は半導体チップを示しており、図を簡
単にするために覆っている上部層ＤＳを有する層のグル
−プＳＰとしてのみ示しており、その上部層は後にセグ
メント転移領域ＳＴを形成する領域の両側で２つのスロ
ットＳＣＨを有する。
単にするために覆っている上部層ＤＳを有する層のグル
−プＳＰとしてのみ示しており、その上部層は後にセグ
メント転移領域ＳＴを形成する領域の両側で２つのスロ
ットＳＣＨを有する。
【００１０】図３は接触金属被覆ＫＭがそこに付着され
ている同一の半導体チップを示している。ここで僅か数
μの幅の金属条帯が上部層のスロットには関係なくチッ
プ表面上に形成される。図はスロット壁の領域では金属
被覆が中断されているか、または少なくとも明白に厚さ
が減少されていることを明白に示している。
ている同一の半導体チップを示している。ここで僅か数
μの幅の金属条帯が上部層のスロットには関係なくチッ
プ表面上に形成される。図はスロット壁の領域では金属
被覆が中断されているか、または少なくとも明白に厚さ
が減少されていることを明白に示している。
【００１１】接触金属被覆は、接触金属被覆領域を被覆
するシャドウマスクを通して露光されるフォトレジスト
層を付着し、現像し、蒸気付着プロセスにより金属で被
覆し、最後にはぎ取ること等による一般的な方法で形成
され、上部層の金属はシャドウマスクにより被覆される
条帯領域では除去されない。
するシャドウマスクを通して露光されるフォトレジスト
層を付着し、現像し、蒸気付着プロセスにより金属で被
覆し、最後にはぎ取ること等による一般的な方法で形成
され、上部層の金属はシャドウマスクにより被覆される
条帯領域では除去されない。
【００１２】図４はリッジ構造ＲがＲＩＥ、ＩＢＥまた
はＲＩＢＥのようなドライ化学エッチングプロセスによ
って接触金属被覆の下に形成された後の半導体チップを
示している。このようなプロセスでは金属被覆はマスク
としての役目を行うことができ、従って特別なマスクス
テップの必要性を除去する。
はＲＩＢＥのようなドライ化学エッチングプロセスによ
って接触金属被覆の下に形成された後の半導体チップを
示している。このようなプロセスでは金属被覆はマスク
としての役目を行うことができ、従って特別なマスクス
テップの必要性を除去する。
【００１３】図５は相互に電気的に分離された金属接触
部ＫＭ１、ＫＭ２を有する半導体チップを示している。
分離された接触部はリッジ導波体Ｒを２つの個々に制御
可能なセグメントＳＧ１、ＳＧ２に分離する。セグメン
ト転移領域は金属被覆を含んでいない。これは２つのス
テップで達成される。第１に、セグメント転移領域を除
くチップ全体は、接触金属被覆領域についての図３の説
明と同様の方法でフォトレジストで被覆された。その
後、セグメント転移領域になお存在している上部層は湿
式化学処理によりエッチングされ、セグメント転移領域
の金属被覆はアンダーカットにより除去される。
部ＫＭ１、ＫＭ２を有する半導体チップを示している。
分離された接触部はリッジ導波体Ｒを２つの個々に制御
可能なセグメントＳＧ１、ＳＧ２に分離する。セグメン
ト転移領域は金属被覆を含んでいない。これは２つのス
テップで達成される。第１に、セグメント転移領域を除
くチップ全体は、接触金属被覆領域についての図３の説
明と同様の方法でフォトレジストで被覆された。その
後、セグメント転移領域になお存在している上部層は湿
式化学処理によりエッチングされ、セグメント転移領域
の金属被覆はアンダーカットにより除去される。
【図１】基体上の半導体層構造の側面図。
【図２】第１のプロセスステップによる光導波体の層構
造および形成状態の斜視図。
造および形成状態の斜視図。
【図３】第２のプロセスステップによる光導波体の層構
造および形成状態の斜視図。
造および形成状態の斜視図。
【図４】第３のプロセスステップによる光導波体の層構
造および形成状態の斜視図。
造および形成状態の斜視図。
【図５】最後のプロセスステップによる光導波体の層構
造および形成状態の斜視図。
造および形成状態の斜視図。
Claims (2)
- 【請求項１】 基体上で成長された半導体層構造からマ
ルチセグメントの光リッジ導波体構造を製造し、リッジ
導波体構造には各導波体セグメントと関連され、相互に
電気的に分離されている金属接触部が設けられており、
半導体層構造の上部にある金属接触部を支持する上部層
は湿式化学処理によりエッチング可能であるリッジ導波
体の製造方法において、 上部層を含む半導体層構造の形成後、 隣接する導波体セグメントの金属接触部の間の電気分離
を行うセグメント転移領域の両側の狭い領域の上部層を
除去し、 セグメント境界およびセグメント転移領域と無関係に導
波体構造が形成される金属層を付着し、 エッチマスクとしてこの金属層を使用して半導体層構造
から導波体形成リッジ構造をエッチングし、 セグメント転移領域を除いて、パターン化された半導体
層構造全体を上部層のエッチングに使用されるエッチン
グ剤に対して耐える層によって被覆し、 セグメント転移領域の上部層をエッチングし、それによ
って前記領域の金属層をアンダーカットして除去するス
テップが行われることを特徴するリッジ導波体の製造方
法。 - 【請求項２】 金属層を付着するために、フォトレジス
ト層を付着し、フォトレジスト層全体を露出し、温度ス
テップ後、前記フォトレジスト層をシャドウマスクを通
して露光し、 導波体パターンを投影し、 フォトレジスト層を現像し、露光領域の層を剥離し、 蒸着により半導体層構造に金属被覆を形成し、 蒸着した金属部分と共にフォトレジスト層の残りの部分
を剥離するステップを行うことを特徴とする請求項１記
載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19502684A DE19502684A1 (de) | 1995-01-28 | 1995-01-28 | Verfahren zur Herstellung von Mehrsegment-Rippenwellenleitern |
| DE19502684.5 | 1995-01-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250820A true JPH08250820A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=7752544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8012943A Pending JPH08250820A (ja) | 1995-01-28 | 1996-01-29 | マルチセグメントのリッジ導波体の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5788856A (ja) |
| EP (1) | EP0724170A3 (ja) |
| JP (1) | JPH08250820A (ja) |
| CA (1) | CA2168172A1 (ja) |
| DE (1) | DE19502684A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100219714B1 (ko) * | 1997-02-26 | 1999-09-01 | 윤종용 | 저손실 광능동소자의 제작방법 |
| KR19990035454A (ko) * | 1997-10-31 | 1999-05-15 | 윤종용 | 단일 챔버내에서 평면 광 도파로를 제작하는 방법 |
| US6596557B1 (en) * | 2000-03-02 | 2003-07-22 | Orchid Lightwave Communications, Inc. | Integrated optical devices and methods of making such devices |
| EP1191373A1 (en) * | 2000-09-20 | 2002-03-27 | Corning Incorporated | Method of simultaneously etching waveguides and intersecting trenches for a switching matrix application |
| CN100434952C (zh) * | 2006-04-13 | 2008-11-19 | 中国科学院半导体研究所 | 一种适用于台阶结构的自对准掺杂工艺 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4359260A (en) * | 1980-06-25 | 1982-11-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Optical polarizer |
| GB8406432D0 (en) * | 1984-03-12 | 1984-04-18 | British Telecomm | Semiconductor devices |
| GB8531262D0 (en) * | 1985-12-19 | 1986-01-29 | British Telecomm | Lithium niobate waveguide structures |
| US4895615A (en) * | 1988-03-09 | 1990-01-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Monolithic fabrication techniques for front face optoelectronic couplers and/or optical components including ridge structured waveguides |
| JPH02187705A (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光導波構造 |
| DE59010811D1 (de) * | 1989-09-01 | 1998-04-23 | Siemens Ag | Integriert optische Anordnung mit wenigstens einem auf einem Substrat aus Halbleitermaterial integrierten optischen Wellenleiter |
| DE3931588A1 (de) * | 1989-09-22 | 1991-04-04 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Interferometrischer halbleiterlaser |
| JP2754957B2 (ja) * | 1991-07-10 | 1998-05-20 | 日本電気株式会社 | 半導体光制御素子およびその製造方法 |
| EP0631159A1 (de) * | 1993-06-18 | 1994-12-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung zur optischen Kopplung eines planaren optischen Wellenleiters und einer optischen Faser und Verfahren zur Herstellung eines für eine solche Anordnung geeigneten planaren Wellenleiters |
-
1995
- 1995-01-28 DE DE19502684A patent/DE19502684A1/de not_active Withdrawn
-
1996
- 1996-01-25 EP EP96101031A patent/EP0724170A3/de not_active Withdrawn
- 1996-01-25 US US08/591,151 patent/US5788856A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-01-26 CA CA002168172A patent/CA2168172A1/en not_active Abandoned
- 1996-01-29 JP JP8012943A patent/JPH08250820A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2168172A1 (en) | 1996-07-29 |
| DE19502684A1 (de) | 1996-08-01 |
| EP0724170A2 (de) | 1996-07-31 |
| EP0724170A3 (de) | 1997-01-22 |
| US5788856A (en) | 1998-08-04 |
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