JPH08253767A - 液晶組成物及びそれを含む液晶表示素子 - Google Patents

液晶組成物及びそれを含む液晶表示素子

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JPH08253767A
JPH08253767A JP7350297A JP35029795A JPH08253767A JP H08253767 A JPH08253767 A JP H08253767A JP 7350297 A JP7350297 A JP 7350297A JP 35029795 A JP35029795 A JP 35029795A JP H08253767 A JPH08253767 A JP H08253767A
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JP
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trans
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chemical
silacyclohexyl
liquid crystal
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Application number
JP7350297A
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English (en)
Inventor
Takaaki Shimizu
孝明 清水
Tatsushi Kaneko
達志 金子
Tsutomu Ogiwara
勤 荻原
Takeshi Kano
剛 金生
Kazuyuki Asakura
和之 朝倉
Mutsuo Nakajima
睦雄 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【課題】 低電圧駆動のための低閾値電圧、苛酷環境下
での高電圧保持率及び低温ネマチック安定性を持つ液晶
組成物を提供する。 【解決手段】 下記一般式(I)ないし(V) (但し、Rはアルキル基、アルコキシアルキル基、炭素
数2〜7のモノ又はジフルオロアルキル基又は炭素数2
〜7のアルケニル基を表す。nは0又は1を表す。 は、それぞれ相互に独立してトランス−1−シラ−1,
4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−シラ−1,
4−シクロヘキシレン基である。XはH、F、Cl、O
CHF、OCF、CF、コキシ基又アルキル基等
を表す。Y、Y、Y及びYは、それぞれ相互に
独立してH又はFを表す。)で表される化合物群から選
択される1種又は2種以上の化合物を含有することを特
徴とする液晶組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シラシクロヘキサン環
を含む化合物だけから構成されたアクティブマトリクス
用液晶組成物及びそれを含有する液晶表示素子に関す
る。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子は、液晶物質が持つ光学異
方性及び誘電異電性を利用したものであり、その表示様
式によって、TN型(ねじれネマチック型)、STN型
(超ねじれネマチック型)、SBE型(超複屈折型)、
DS型(動的散乱型)、ゲスト・ホスト型、DAP型
(整列相の変形型)及びOMI型(光学的モード干渉
型)等、各種の方式がある。最も一般的なディスプレー
デバイスはシャット−ヘルフリッヒ効果に基づき、ねじ
れネマチック構造を有するものである。
【0003】これらの液晶表示に用いられる液晶物質に
要求される性質は、その表示方式によって若干異なる
が、液晶温度範囲が広いこと、水分、空気、光、熱、電
界等に対して安定であること等は、いずれの表示方式に
おいても共通して要求される。さらに、液晶材料は、低
粘度であり、かつセル中において短いアドレス時間、低
い閾値電圧及び高いコントラストを与えることが望まれ
る。
【0004】現在、単一の化合物でこれらの要求をすべ
て満たす物質はなく、実際には数種〜10数種の液晶化
合物・潜在液晶化合物を混合して得られる液晶性混合物
が使用されている。それ故、構成成分が互いに容易に混
和できることが重要ともなる。
【0005】表示方式に関しては、各種方式のうち、そ
の画像表示品位(高精細性、高コントラスト、高速応答
性)の高さから、TFT(Thin Film Tra
nsistor)素子アレイ又はMIM(Metal
Insulator Metal)素子アレイによるア
クティブマトリクス(AM)駆動のTN(Twiste
d−Nematic)モードが盛んに採用されつつあ
る。その背景には、シリコン半導体産業におけるDRA
M製造技術が液晶パネル製造技術にも応用展開され、コ
ストダウンと技術の進歩の速度を速めたことがある。
【0006】このアクティブマトリクス液晶(AM−L
CD)に用いられるネマチック液晶物質に関しては、そ
の駆動方式特有の理由から、上記要求性質以外に、さら
に信号電圧保持特性なるものが求められる。この信号電
圧保持特性とは、所定のフレーム周期内において液晶を
含むTFT画素に印加される信号電圧の低下の度合いを
示す。従って、信号電圧の低下がない場合、すなわち電
圧保持率が100%の場合は、液晶分子の配列が解け
ず、コントラストの低下は発生しない。この電圧保持特
性は、液晶パネルが使用される環境にも影響され、プロ
ジェクション用液晶パネルのように高強度の光に曝され
る環境、あるいは車載用液晶パネルのように高温に曝さ
れる環境では、特性寿命が短くなり易い。
【0007】また、低駆動電圧化、すなわち液晶組成物
の低閾値電圧化を図るには、液晶組成物の誘電率異方性
(Δε)を増大すれば可能となる。このような観点か
ら、誘電率異方性(Δε)が正の値を持ち、シクロヘキ
サン環及びベンゼン環から構成されたコア構造を持つ液
晶化合物の組成物として、種々のAM−LCD用組成物
が開示されている(特開平4−226589、特表平4
−505477、特表平4−504880、特開平5−
331464、特表平5−500680、特表平5−5
00681、特表平5−500682、特表平6−50
1520)。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶ディスプレ
イーの高機能化、コストダウンが進むにつれて、その用
途分野が益々拡大しつつある。また、マルチメディアの
登場、携帯機器の普及により、液晶ディスプレーの省電
力化、低駆動電圧化が一層求められている。
【0009】前述のように、低駆動電圧化を図るには液
晶組成物の誘電率異方性(Δε)を増大すればよいこと
から、従来の液晶材料においてもΔεの増大に関してこ
れまで種々の工夫がなされてきたが、満足し得る程度に
低い閾値電圧を持つ液晶組成物は未だ得られていない。
【0010】そこで本発明は、広温度範囲にわたるネマ
チック液晶相、低粘性、高速応答性、液晶化合物同士の
相互溶解性、水分、空気、熱、電界に対する安定性を備
えていると同時に、低電圧駆動のための低閾値電圧、苛
酷環境下での高電圧保持率及び低温ネマチック安定性を
持つ液晶組成物を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明の請求項
1に記載の液晶組成物は、下記一般式(I)ないし
(V)
【化20】
【化21】
【化22】
【化23】
【化24】 (但し、Rは炭素数1〜7のアルキル基、炭素数2〜7
のアルコキシアルキル基、炭素数2〜7のモノ又はジフ
ルオロアルキル基又は炭素数2〜7のアルケニル基を表
す。nは0又は1を表す。
【化25】 (但しn=0の場合に限る。)及び
【化26】 はトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキシレン基又
はトランス−4−シラ−1,4−シクロへキシレン基を
表す。
【化27】 及び
【化28】 (但しn=1の場合に限る。)は、それぞれ相互に独立
してトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキシレン
基、トランス−4−シラ−1,4−シクロへキシレン基
又はトランス−1,4−シクロヘキシレン基を表す。た
だし、
【化29】
【化30】 及び
【化31】 のうち必ず1つはトランス−1−シラ−1,4−シクロ
ヘキシレン基又はトランス−4−シラ−1,4−シクロ
へキシレン基である。XはH、F、Cl、OCHF
OCF、CF、OCk2k+1(kは1〜5の整数を
表す。)、Ck2k+1、(O)spqr(pは2、3
又は4を表し、q及びrはq+rが2p+1である整数
を表す。sは0又は1を表す。)、(O)sCY=CX1
2(X1及びYはH、F又はClを表し、X2はF又は
Clを表す。)、炭素数5以下のアルコキシ基又は炭素
数5以下のアルキル基を表す。Y、Y、Y及びY
は、それぞれ相互に独立してH又はFを表す。)で表
される化合物群から選択される1種又は2種以上の化合
物を含有することを特徴とする液晶組成物である。
【0012】また本発明の請求項2に記載の液晶組成物
は、下記一般式(VI)、(VII)、(VIII)及
び(IX)
【化32】
【化33】
【化34】
【化35】 (但し、R、n及びXの定義は請求項1と同じである。
また、
【化36】
【化37】 及び
【化38】 は、それぞれ相互に独立してトランス−1−シラ−1,
4−シクロヘキシレン基、トランス−4−シラ−1,4
−シクロヘキシレン基又はトランス−1,4−シクロヘ
キシレン基を表し、少なくとも1つのシクロ環はトラン
ス−1−シラ−1,4−シクロヘキシレン基又はトラン
ス−4−シラ−1,4−シクロヘキシレン基である。
R’はRの定義と同じである。Y、Y、Y、Y
及びYは、それぞれ相互に独立してH又はFを表
す。)からなる群から選択される1種又は2種以上の化
合物を含有することを特徴とする請求項1記載の液晶組
成物である。
【0013】また本発明の請求項3に記載の液晶組成物
は、前記一般式(I)ないし(IV)で表される化合物
群から選択される1種又は2種以上の化合物の含有割合
が全混合物の70〜98mol%であることを特徴とす
る請求項2に記載の液晶組成物である。
【0014】さらに本発明の請求項4に記載の液晶表示
素子は、請求項1又は請求項2に記載の液晶組成物を含
有することを特徴とする液晶表示素子である。
【0015】次に、本発明をさらに詳細に説明する。
【0016】一般式(I)で表される化合物の具体的化
学構造としては、以下のものが挙げられる。
【化39】
【化40】
【化41】
【化42】
【0017】なお、Rは以下のいずれかの基を表す。 (a)炭素数1〜7のアルキル基、即ち、メチル基、エ
チル基、n−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル
基、n−ヘキシル基又はn−ヘプチル基。 (b)炭素数2〜7のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、2−メトキシエチル基、3−メトキシ
プロピル基、4−メトキシブチル基、5−メトキシペン
チル基、6−メトキシヘキシル基、エトキシメチル基、
2−エトキシエチル基、3−エトキシプロピル基、4−
エトキシブチル基、5−エトキシペンチル基、(n−プ
ロポキシ)メチル基、2−(n−プロポキシ)エチル
基、3−(n−プロポキシ)プロピル基、4−(n−プ
ロポキシ)ブチル基、(n−ブトキシ)メチル基、2−
(n−ブトキシ)エチル基、3−(n−ブトキシ)プロ
ピル基、(n−ペントキシ)メチル基、2−(n−ペン
トキシ)エチル基又は(n−ヘキシロキシ)メチル基。 (c)炭素数2〜7のモノ又はジフルオロアルキル基、
即ち、1−フルオロエチル基、1−フルオロプロピル
基、1−フルオロブチル基、1−フルオロペンチル基、
1−フルオロヘキシル基、1−フルオロヘプチル基、2
−フルオロエチル基、2−フルオロプロピル基、2−フ
ルオロブチル基、2−フルオロペンチル基、2−フルオ
ロヘキシル基、2−フルオロヘプチル基、3−フルオロ
プロピル基、3−フルオロブチル基、3−フルオロペン
チル基、3−フルオロヘキシル基、3−フルオロヘプチ
ル基、4−フルオロブチル基、4−フルオロペンチル
基、4−フルオロヘキシル基、4−フルオロヘプチル
基、5−フルオロペンチル基、5−フルオロヘキシル
基、5−フルオロヘプチル基、6−フルオロヘキシル
基、6−フルオロヘプチル基、7−フルオロヘプチル
基、1,1−ジフルオロエチル基、1,1−ジフロプロ
ピル基、1,1−ジフルオロブチル基、1,1−ジフル
オロペンチル基、2,2−ジフルオロエチル基、2,2
−ジフルオロプロピル基、2,2−ジフルオロブチル
基、2,2−ジフルオロペンチル基、3,3−ジフルオ
ロプロピル基、3,3−ジフルオロブチル基、3,3−
ジフルオロペンチル基、4,4−ジフルオロブチル基、
4,4−ジフルオロペンチル基又は5,5−ジフルオロ
ペンチル基。 (d)炭素数2〜7のアルケニル基、即ち、ビニル基、
1E−プロペニル基、1E−ブテニル基、1E−ペンテ
ニル基、1E−ヘキセニル基、1E−ヘプテニル基、3
−ブテニル基、3E−ペンテニル基、3E−ヘキセニル
基、3E−ヘプテニル基、4−ペンテニル基、4E−ヘ
キセニル基、4Z−ヘキセニル基、4E−ヘプテニル
基、4Z−ヘプテニル基、5−ヘキセニル基、5E−ヘ
プテニル基、5Z−ヘプテニル基又は6−ヘプテニル
基。
【0018】Xは、H、F、Cl、OCHF2、OC
3、CF3、Ck2k+1(1≦k≦5)、OCk2k+1
(O)spqrすなわちCH2CH2F、CH2CH
2、CH2CF3、CH2CH2CF3、CF2CHFC
3、OCH2CH2F、OCH2CH 2、OCH2
3、OCH2CH2CHF2、OCH2CH2CF3、OC
2CF2CHF2、OCH2CF2CF3、OCF2CHF
CF3又はOCF2CF3、(O)nCY=CX12すなわ
ち−CH=CF2、OCH=CF2、CF=CFH、OC
F=CFH、CF=CF2、OCF=CF2、CF=CH
Cl、CF=CCl2、CCl=CHCl又はCH=C
Cl2を表す。
【0019】シラシクロヘキサン環、シクロヘキサン環
の立体配置はいずれもトランス体である。
【0020】次に、一般式(II)で表される化合物の具
体的化学構造としては、以下のものが挙げられる。
【化43】
【化44】
【化45】
【化46】
【化47】
【化48】
【化49】
【0021】シラシクロヘキサン環、シクロヘキサン環
の立体配置はいずれもトランス体である。
【0022】次に、部分骨格構造
【化50】 は、具体的には以下の化学構造を表す。
【化51】
【化52】
【0023】次に、一般式(III)で表される化合物の
具体的化学構造としては、以下のものが挙げられる。
【化53】
【化54】
【化55】
【化56】
【化57】
【化58】
【化59】
【0024】なお、R、立体配置及び部分骨格構造
【化60】 については、一般式(I)及び(II)で表される化合物
における定義と同じものを表す。
【0025】次に、一般式(IV)で表される化合物の具
体的化学構造としては、以下のものが挙げられる。
【化61】
【化62】
【化63】
【化64】
【化65】
【0026】なお、R、立体配置及び部分骨格構造
【化66】 については、一般式(I)及び(II)で表される化合物
における定義と同じものを表す。
【0027】次に、一般式(V)で表される化合物の具
体的化学構造としては、以下のものが挙げられる。
【化67】
【化68】
【0028】なお、R及び立体配置については、一般式
(I)及び(II)で表される化合物における定義と同じ
ものを表す。
【0029】部分骨格構造
【化69】 は、具体的には以下の化学構造を表す。
【化70】
【化71】
【化72】
【化73】
【化74】
【化75】
【化76】
【化77】
【化78】
【化79】
【化80】
【0030】次に、一般式(VI)で表される化合物の
具体的化学構造としては、以下のものが挙げられる。
【化81】
【化82】
【化83】
【化84】
【化85】
【化86】
【0031】なお、R及び立体配置については、一般式
(I)及び(II)で表される化合物における定義と同じ
ものを表す。R’はRと同じものを表す。
【0032】部分骨格構造
【化87】 は、具体的には以下の化学構造を表す。
【化88】
【0033】次に、一般式(VII)で表される化合物の
具体的化学構造としては、以下のものが挙げられる。
【化89】
【化90】
【化91】
【化92】
【化93】
【化94】
【化95】
【化96】
【化97】
【化98】
【0034】なお、R及び立体配置については、一般式
(I)及び(II)で表される化合物における定義と同じ
ものを表す。
【0035】部分骨格構造
【化99】 は、一般式(V)で表される化合物における定義と同じ
ものを表す。
【0036】次に、一般式(VIII)で表される化合物の
具体的化学構造としては、以下のものが挙げられる。
【化100】
【化101】
【化102】
【化103】
【化104】
【化105】
【化106】
【化107】
【化108】
【化109】
【化110】
【化111】
【化112】
【化113】
【化114】
【化115】
【化116】
【化117】
【化118】
【化119】
【0037】なお、R及び立体配置については一般式
(I)及び(II)で表される化合物における定義と同じ
ものを表す。また、部分骨格構造
【化120】 については、一般式(II)で表される化合物における定
義と同じものを表す。
【0038】次に、一般式(IX)で表される化合物の具
体的化学構造としては、以下のものが挙げられる。
【化121】
【化122】
【化123】
【化124】
【化125】
【化126】
【化127】
【化128】
【化129】
【化130】
【化131】
【化132】
【化133】
【化134】
【化135】
【化136】
【化137】
【化138】
【化139】
【化140】
【0039】なお、R及び立体配置については、一般式
(I)及び(II)で表される化合物における定義と同
じものを表す。R’はRの定義と同じものを表す。次
に、部分骨格構造
【化141】 は以下のものを表す。
【化142】
【0040】上記のうち、液晶組成物に、広温度範囲に
わたるネマチック液晶相、高速応答速度、低閾値電圧、
高電圧保持率及び低温ネマチック安定性を与える上で、
特に以下のものが好ましい。
【0041】Rについては、以下のいずれかの基が好ま
しい。 (e)炭素数2〜7のアルキル基、即ち、エチル基、n
−プロピル基、n−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘ
キシル基又はn−ヘプチル基。 (f)炭素数2〜7のアルコキシアルキル基のうち、メ
トキシメチル基、2−メトキシエチル基、3−メトキシ
プロピル基、5−メトキシペンチル基、エトキシメチル
基、2−エトキシエチル基、(n−プロポキシ)メチル
基又は(n−ペントキシ)メチル基。 (g)炭素数2〜7のモノ又はジフルオロアルキル基の
うち、2−フルオロエチル基、2−フルオロプロピル
基、4−フルオロブチル基、4−フルオロペンチル基、
5−フルオロペンチル基、6−フルオロヘキシル基、7
−フルオロヘプチル基、1,1−ジフルオロエチル基、
2,2−ジフルオロエチル基、2,2−ジフルオロプロ
ピル基、2,2−ジフルオロブチル基、4,4−ジフル
オロブチル基又は4,4−ジフルオロペンチル基。 (h)炭素数2〜7のアルケニル基のうち、ビニル基、
1E−プロペニル基、1E−ブテニル基、1E−ペンテ
ニル基、1E−ヘキセニル基、1E−ヘプテニル基、3
−ブテニル基、3E−ペンテニル基、3E−ヘキセニル
基、3E−ヘプテニル基、4−ペンテニル基、4E−ヘ
キセニル基、4Z−ヘキセニル基、4E−ヘプテニル
基、4Z−ヘプテニル基、5−ヘキセニル基又は6−ヘ
プテニル基。
【0042】一般式(I)のXについては、OCk
2k+1、Ck2k+1、OCH2CHF2、OCF2CHFCF
3、CH2CHF2、OCF3、CH=CF2又はCF2=C
FHが好ましい。
【0043】次に、部分骨格構造
【化143】 としては、以下のものが好ましい。
【化144】
【化145】
【0044】部分骨格構造
【化146】 としては、以下のものが好ましい。
【化147】
【化148】
【化149】
【化150】
【化151】
【化152】
【化153】
【化154】
【化155】
【0045】部分骨格構造
【化156】 としては、以下のものが好ましい。
【化157】
【0046】部分骨格構造
【化158】 としては以下のものが好ましい。
【化159】
【0047】環構造については、以下のものが好まし
い。
【化160】
【化161】
【化162】
【化163】
【化164】
【化165】
【化166】
【化167】
【化168】
【化169】
【化170】
【化171】
【化172】
【化173】
【化174】
【化175】
【化176】
【化177】
【化178】
【化179】
【化180】
【化181】
【化182】
【化183】
【化184】
【化185】
【化186】
【化187】
【化188】
【化189】
【化190】
【化191】
【化192】
【化193】
【化194】
【化195】
【化196】
【0048】次に、これらの各成分の液晶組成物中の混
合割合については、一般式(Ia)〜(Id)、(IIa)及
び(IIb)、(IIIa)及び(IIIb)で表される化合物か
ら選択される1種又は2種以上の化合物からなる群Aが
0〜30mol%及び一般式(IIc)〜(IIg)、(III
c)〜(IIIg)、(IVa)〜(IVe)、(Va)及び(Vb)
で表される化合物から選択される1種又は2種以上の化
合物からなる群Bが50〜100mol%であるのが好
ましい。さらに好ましくは、群Aが2〜20mol%で
群Bが70〜96mol%である。特に本発明において
は、群A及び群Bで表される化合物群から選択される1
種又は2種以上の化合物の含有割合が全混合物の70〜
98mol%が好ましい。
【0049】なお、上記にさらに、一般式(VIa)〜(V
If)、(VIIa)〜(VIIk)、(VIIIa)〜(VIIIt)、(IX
a)〜(IXt)で表される化合物から選択される1種又は
2種以上の化合物からなる群Cが添加される場合には、
その含有割合は0〜20mol%が好ましい。更に好ま
しくは2〜10mol%である。
【0050】群Aが過剰の場合は、高速応答速度化、低
閾値電圧化の点では有利になるものの、ネマチック相の
上限温度が低下し、液晶範囲が狭まる。逆に群Aが過少
の場合は応答速度が低下する。
【0051】群Bが過剰の場合は、低閾値電圧化には有
利になるものの、応答速度が低下する。逆に群Bが過少
の場合は、低閾値電圧化にとって不利となる。
【0052】群A及びBのみで液晶組成物を構成するこ
とは可能であるが、高温側にさらにネマチック相を拡大
したい場合には、群Cが添加される。但し、過剰の群C
は、高速応答速度化、低閾値電圧化、低温におけるネマ
チック相の安定化にとっては不利となる。
【0053】視角特性等のパネルデザインにかかる物性
である屈折率異方性(Δn)については、一般式(V
a)及び(Vb)で表される化合物の添加量、または、
副次効果ではあるが、一般式(VIa)〜(VIf)及び
(VIIa)〜(VIIj)で表される化合物の添加量で調整
される。グーチ(Gooch)タリー(Tarry)の
第1透過極少(First transmission
minimum)パネル用には上記の成分を過少に添
加調整し、第2透過極少(Second transm
ission minimum)パネル用には過剰に添
加調整される。
【0054】近年、液晶パネルの用途は益々拡大してお
り、OA機器用、車載用、携帯機器用と、必要物性に対
する要求も各用途毎に多様化してきているが、これら個
別要求物性を満たすために、一般式(I)〜(IX)で表
される化合物の中から種類及び量を選択し、最適値に混
合調整することにより対応することが可能である。
【0055】これら成分を混合するには、少量成分を主
成分に混合し、溶解させるか、更には30〜100℃で
加熱溶解するか、またはアセトン、メタノール、クロロ
ホルム等の有機溶剤を組成物に対し1〜10当量溶解し
た各成分の溶液を混合した後、有機溶剤を揮散させても
よい。
【0056】このようにして得られた本発明の液晶組成
物は、ネマチック相下限温度が−20℃以下で、上限温
度が70〜100℃の広温度範囲にわたるネマチック液
晶相を有し、−20℃での長期保存状態でもスメクチッ
ク相や結晶相を発生しない。また、得られた閾値電圧
は、1.6V以下、特には1.1〜1.5Vの範囲にあ
る。電圧保持率に関しては、100℃における測定にお
いても98%以上の値を示す。
【0057】また、液晶表示素子中に用いられる本発明
の液晶組成物には、着色ゲスト−ホスト系を形成するた
めの多色性色素あるいは捩れ方向、強度を与えるための
カイラルドーピング剤等、他の添加剤を含有することが
できる。この添加物含有液晶組成物は、TFT又はMI
M等のアクティブ素子が形成された透明基板間に封入し
て液晶表示素子として使用される。この素子は、必要に
おいて各種アンダーコート、配向制御用オーバーコー
ト、偏光板、フィルター、反射層等を有しても良い。ま
た、多層セルとしたり、他の表示素子と組み合わせた
り、半導体基板を用いたり、或いは光源を用いたりする
種々のものが使用できる。
【0058】
【実施例】以下に具体的な実施例を挙げて本発明をさら
に詳しく説明する。なお、実施例にある混合物の特性
は、以下の条件で行った。記号の定義も併せ示す。 TNI=ネマチック−アイソトロピック転移温度(℃) Vth=閾値電圧 セル電極面積:1cm2、セルギャップ:5μm(TN
セル) 配向膜=日立化成社製ポリイミド:LX−1400 測定周波数:32H矩形波、測定モード:ノーマリー
ホワイト 測定温度:25℃ 以上の条件で測定した時に透過率が初期値(100%)
から10%減少し、90%となった時の印加電圧値を示
す。 Δn=屈折率異方性 測定温度:25℃、使用波長:589.3nm Abbeの屈折率計を用い、ホメオトロピック配向した
プリズム上にサンプルを載せて測った異常光屈折率n//
と常光屈折率n⊥の差を示す。 VHR:電圧保持率 セル電極面積:1cm2、セルギャップ:5μm(TN
セル) 配向膜=日本合成ゴム社製ポリイミド:AL−1051 測定周波数:30Hz矩形波、測定温度:100℃ パルス幅:60μsec(±5V TTL) 以上の条件で測定した時の電極間電圧波形の保持率を示
す。混合物組成における%はモル%を示す。
【0059】[実施例1] 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2−ジフルオロベンゼン:23.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2−ジフルオロベンゼン:27.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:9.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:5.3% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:
8.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
2.4% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
4.0% から成る液晶混合物は、以下の性質を示す。 TNI=74℃、Vth=1.24V、Δn=0.07
6、VHR=99.0%
【0060】[実施例2] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:3.0% 4−(trans−4−n−ヘプチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:1.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2−ジフルオロベンゼン:20.2% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2−ジフルオロベンゼン:23.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:8.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:4.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:
7.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
1.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
2.4% trans、trans−4−(4−(4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−3’
4’−ジフルオロビフェニル:2.2% trans、trans−4−(4−(4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−
3’、4’−ジフルオロビフェニル:4.8% から成る液晶混合物は、以下の性質を示す。 TNI=78℃、Vth=1.33V、Δn=0.08
3 VHR98.5%
【0061】[実施例3] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−メトキシベンゼン:5.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン:7.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ト
リフルオロメトキシベンゼン:7.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン:7.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:10.1% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:5.5% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
3.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
9.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:2
2.3% から成る液晶混合物は以下の性質を示す。 TNI=73℃、Vth=1.45V、Δn=0.07
7 VHR=99.0%
【0062】[実施例4] 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2−ジフルオロベンゼン:23.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2−ジフルオロベンゼン:27.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:
8.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
2.4% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
4.0% trans−4−(trans−4−(2−(3、4、
5−トリフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)
−1−n−プロピル−1−シラシクロヘキサン:10.
7% trans−4−(trans−4−(2−(3、4、
5−トリフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)
−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン:4.3
% から成る液晶混合物は、以下の性質を示した。 TNI=74℃、Vth=1.34V、Δn=0.07
6、VHR=99.0%
【0063】[実施例5] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−メトキシベンゼン:4.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:8.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:4.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
1.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
7.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
9.3% trans−4−(trans−4−(2−(3、4、
−ジフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)−1
−n−プロピル−1−シラシクロヘキサン :7.8% trans−4−(trans−4−(2−(3、4−
ジフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)−1−
n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン:7.5% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)−4−シクロヘキシル)
−1−トリフルオロメトキシベンゼン:18.5% から成る液晶混合物は、以下の性質を示した。 TNI=75℃、Vth=1.50V、Δn=0.07
8、VHR=99.0%
【0064】[実施例6] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:3.2% 4−(trans−4−n−ヘプチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:1.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:8.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:4.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
0.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
5.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
7.6% trans−4−(trans−4−(2−(3、4−
ジフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)−1−
n−プロピル−1−シラシクロヘキサン:22.1% trans−4−(trans−4−(2−(3、4−
ジフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)−1−
n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン:8.7% trans、trans−4−(4−(4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−
3’、4’−ジフルオロビフェニル:2.2% trans、trans−4−(4−(4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−
3’、4’−ジフルオロビフェニル:4.8% から成る液晶混合物は、以下の性質を示す。 TNI=77℃、Vth=1.49V、Δn=0.08
3、VHR=98.8%
【0065】[実施例7] 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:10.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:5.4% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:
8.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
2.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
4.3% 4’−(trans−4−n−プロピル−4−シラシク
ロヘキシル)−3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシ
ビフェニル:21.8% 4’−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシク
ロヘキシル)−3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシ
ビフェニル:27.0% から成る液晶混合物は、以下の性質を示す。 TNI=78℃、Vth=1.20V、Δn=0.10
6、VHR=98.7%
【0066】[実施例8] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:3.2% 4−(trans−4−n−ヘプチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:1.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1,
2,6−トリフルオロベンゼン:19.5% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:10.5% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:
9.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
4.2% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
6.0% 4’−(trans−4−n−プロピル−4−シラシク
ロヘキシル)−3、4、2’、6’−テトラフルオロビ
フェニル:10.0% 4’−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシク
ロヘキシル)−3、4、2’、6’−テトラフルオロビ
フェニル:10.0% trans、trans−4’−(4−(4−n−プロ
ピル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−
3、4、2’、6’−テトラフルオロビフェニル:2.
5% trans、trans−4’−(4−(4−n−ペン
チル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−
3、4、2’、6’−テトラフルオロビフェニル:2.
5%
【0067】[実施例9] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−メトキシベンゼン:10.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン:29.2% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:2.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:1.4% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:
1.5% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:2.
1% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:
2.4% 4’−(trans−4−n−プロピル−4−シラシク
ロヘキシル)−2’−フルオロ−4−トリフルオロメト
キシビフェニル:15.0% 4’−(trans−4−n−プロピル−4−シラシク
ロヘキシル)−3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシ
ビフェニル:12.4% 4’−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシク
ロヘキシル)−3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシ
ビフェニル:22.6% から成る液晶混合物は、以下の性質を示す。 TNI=77℃、Vth=1.51V、Δn=0.10
8、VHR=98.5%
【0068】[実施例10] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−メトキシベンゼン:4.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン:6.3% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ト
リフルオロメトキシベンゼン:6.3% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン:6.3% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
1.5% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
6.4% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
8.5% trans−4−(2−(trans−4−(3、4−
ジフルオロフェニル)シクロヘキシル)エチル)−1−
n−プロピル−1−シラシクロヘキサン:7.8% trans−4−(2−(trans−4−(3、4−
ジフルオロフェニル)シクロヘキシル)エチル)−1−
n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン:7.5% trans−4−(trans−4−(2−(3、4、
5−トリフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)
−1−n−プロピル−1−シラシクロヘキサン:10.
5% trans−4−(trans−4−(2−(3、4、
5−トリフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)
−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン:4.2
% から成る液晶混合物は、以下の性質を示す。 TNI=72℃、Vth=1.48V、Δn=0.07
9、VHR=99.0%
【0069】[実施例11] trans−4−(2−(p−エトキシフェニル)エチ
ル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン:
5.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:9.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:5.3% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:
8.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
2.4% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
4.0% trans−4−(trans−4−(2−(3、4−
ジフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)−1−
n−プロピル−1−シラシクロヘキサン:7.7% trans−4−(trans−4−(2−(3、4−
ジフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)−1−
n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン:7.3% 4’−(trans−4−n−プロピル−4−シラシク
ロヘキシル)−3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシ
ビフェニル:13.4% 4’−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシク
ロヘキシル)−3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシ
ビフェニル:16.6% から成る液晶混合物は、以下の性質を示す。 TNI=72℃、Vth=1.32V、Δn=0.09
1、VHR=98.7%
【0070】[実施例12] trans−4−(2−(p−フルオロフェニル)エチ
ル)−1−n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン:2
% trans−4−(2−(p−フルオロフェニル)エチ
ル)−1−n−ヘプチル−1−シラシクロヘキサン:2
% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:9.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:5.3% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:
8.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
2.4% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
4.0% trans−4−(trans−4−(2−(3、4−
ジフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)−1−
n−プロピル−1−シラシクロヘキサン:5.1% trans−4−(trans−4−(2−(3、4−
ジフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)−1−
n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン:4.9% 4’−(trans−4−n−プロピル−4−シラシク
ロヘキシル)−2’−フルオロ−4−トリフルオロメト
キシビフェニル:13.4% 4’−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシク
ロヘキシル)−2’−フルオロ−4−トリフルオロメト
キシビフェニル:16.6% trans、trans−4−(4−(4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−
3’、4’−ジフルオロビフェニル:1.9% trans、trans−4−(4−(4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−
3’、4’−ジフルオロビフェニル:4.1% から成る液晶混合物は、以下の性質を示す。 TNI=80℃、Vth=1.38V、Δn=0.09
6、VHR=98.6%
【0071】[実施例13] 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2−ジフルオロベンゼン:20.2% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2−ジフルオロベンゼン:23.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:8.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:4.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:
7.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
1.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
2.4% 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:3.0% 4−(trans−4−n−ヘプチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:1.7% trans、trans−4−(4−(4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−2、
6−ジフルオロ−4’−トリフルオロメトキシビフェニ
ル:3.5% trans、trans−4−(4−(4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−2、
6−ジフルオロ−4’−トリフルオロメトキシビフェニ
ル:3.5%
【0072】[実施例14] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:2.5% 4−(trans−4−n−ヘプチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−フルオロベンゼン:1.5% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:18.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:10.1% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:
9.2% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
3.1% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
5.0% trans−4−(trans−4−(2−(3、4−
ジフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)−1−
n−プロピル−1−シラシクロヘキサン:12.2% trans−4−(trans−4−(2−(3、4−
ジフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)−1−
n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン:11.8% trans、trans−4−(2−(4−(4−n−
プロピル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)
エチル)−3’、4’−ジフルオロビフェニル:3.0
% trans、trans−4−(2−(4−(4−n−
ペンチル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)
エチル)−3’、4’−ジフルオロビフェニル:3.0
% から成る液晶混合物は、以下の性質を示す。 TNI=73℃、Vth=1.43V、Δn=0.08
0、VHR=98.8%
【0073】[実施例15] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−メトキシベンゼン:5.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン:13.5% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:8.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:4.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
1.6% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
6.7% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
8.8% trans−4−(trans−4−(2−(3、4−
ジフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)−1−
n−プロピル−1−シラシクロヘキサン:7.7% trans−4−(trans−4−(2−(3、4−
ジフルオロフェニル)エチル)シクロヘキシル)−1−
n−ペンチル−1−シラシクロヘキサン::7.4% trans、trans−2’−フルオロ−4−(4−
n−プロピル−4−シラシクロヘキシル)−4’−(4
−n−プロピルシクロヘキシル)ビフェニル2.0% trans、trans−2’−フルオロ−4−(4−
n−ペンチル−4−シラシクロヘキシル)−4’−(4
−n−プロピルシクロヘキシル)ビフェニル:2.0% trans、trans−2’−フルオロ−4−(4−
n−ペンチル−4−シラシクロヘキシル)−4’−(4
−n−ペンチルシクロヘキシル)ビフェニル:2.0% から成る液晶混合物は、以下の性質を示す。 TNI=83℃、Vth=1.54V、Δn=0.08
1、VHR=98.7%
【0074】[実施例16] 4−(trans−4−n−ペンチル−4−シラシクロ
ヘキシル)−1−メトキシベンゼン:6.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−
トリフルオロメトキシベンゼン:18.2% 4−(trans−4−(trans−4−(1−プロ
ペニル)−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)
−1、2、6−トリフルオロベンゼン:9.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−ペンチ
ル−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1、
2、6−トリフルオロベンゼン:6.0% 4−(trans−4−(trans−4−n−プロピ
ルシクロヘキシル)−4−シラシクロヘキシル)−1−
ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:
8.8% 4−(trans−4−(trans−4−n−ブチル
−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキシル)−1−ジ
フルオロメトキシ−2、6−ジフルオロベンゼン:1
2.2% 4−(trans−4−(trans−4−(3−メト
キシプロピル)−4−シラシクロヘキシル)シクロヘキ
シル)−1−ジフルオロメトキシ−2、6−ジフルオロ
ベンゼン:14.0% 4’−(trans−4−n−プロピル−4−シラシク
ロヘキシル)−3−フルオロ−4−ジフルオロメトキシ
ビフェニル:10.0% 4’−(trans−4−(4−フルオロペンチル)−
4−シラシクロヘキシル)−3−フルオロ−4−ジフル
オロメトキシビフェニル:15.0%
【0075】
【発明の効果】以上説明したように本発明の液晶組成物
は、広温度範囲にわたるネマチック液晶相、低粘性、高
速応答性、液晶化合物同士の相互溶解性、水分、空気、
光、熱、電界に対する安定性を備えていると同時に、分
子構造中のシラシクロヘキサン環の効果として、特に以
下の特徴を有する。 低電圧駆動のための低閾値電圧 本発明の液晶組成物は、同数値のΔεを持つ従来の液晶
組成物と比較すると、Δεが同一にもかかわらず、ケイ
素の導入効果により閾値電圧を低下させることが可能と
なった。 苛酷環境下での高電圧保持率 本発明の液晶組成物は、100℃という高温条件下でも
98%以上の高い電圧保持率を有する。特に、低閾値電
圧と高電圧保持率を同時に満たすことは、これまでの液
晶材料では困難でいずれか一方をある程度犠牲にせざる
を得なかったが、本発明においては両立させることがで
きた。 低温ネマチック安定性、すなわち低温におけるスメク
チック相又は結晶相の発生防止 本発明の液晶組成物は、広温度範囲にわたるネマチク液
晶相を持つ。ケイ素を導入した効果により、それが特に
低温度域にまで広く拡大されるので、低温度下でのスメ
クチック相、液晶相の発生が防止される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荻原 勤 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 金生 剛 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 朝倉 和之 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 中島 睦雄 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の 1 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(I)ないし(V) 【化1】 【化2】 【化3】 【化4】 【化5】 (但し、Rは炭素数1〜7のアルキル基、炭素数2〜7
    のアルコキシアルキル基、炭素数2〜7のモノ又はジフ
    ルオロアルキル基又は炭素数2〜7のアルケニル基を表
    す。nは0又は1を表す。 【化6】 (但しn=0の場合に限る。)及び 【化7】 は、それぞれ相互に独立してトランス−1−シラ−1,
    4−シクロヘキシレン基又はトランス−4−シラ−1,
    4−シクロヘキシレン基を表す。 【化8】 及び 【化9】 (但しn=1の場合に限る。)は、それぞれ相互に独立
    してトランス−1−シラ−1,4−シクロヘキシレン
    基、トランス−4−シラ−1,4−シクロへキシレン基
    又はトランス−1,4−シクロヘキシレン基を表す。た
    だし、 【化10】 【化11】 及び 【化12】 のうち必ず1つはトランス−1−シラ−1,4−シクロ
    ヘキシレン基又はトランス−4−シラ−1,4−シクロ
    へキシレン基である。XはH、F、Cl、OCHF2
    OCF3、CF3、OCk2k+1(kは1〜5の整数を表
    す。)、Ck2k+1、(O)spqr(pは2、3又
    は4を表し、q及びrはq+rが2p+1である整数を
    表す。sは0又は1を表す。)、(O)sCY=CX1
    2(X1及びYはH、F又はClを表し、X2はF又はC
    lを表す。)、炭素数5以下のアルコキシ基又は炭素数
    5以下のアルキル基を表す。Y1、Y2、Y3及びY4は、
    それぞれ相互に独立してH又はFを表す。)で表される
    化合物群から選択される1種又は2種以上の化合物を含
    有することを特徴とする液晶組成物。
  2. 【請求項2】 下記一般式(VI)、(VII)、(VIII)
    及び(IX) 【化13】 【化14】 【化15】 【化16】 (但し、R、n及びXの定義は請求項1と同じである。
    また、 【化17】 【化18】 及び 【化19】 は、それぞれ相互に独立してトランス−1−シラ−1,
    4−シクロヘキシレン基、トランス−4−シラ−1,4
    −シクロヘキシレン基又はトランス−1,4−シクロヘ
    キシレン基を表し、少なくとも1つのシクロ環はトラン
    ス−1−シラ−1,4−シクロヘキシレン基又はトラン
    ス−4−シラ−1,4−シクロヘキシレン基である。
    R’はRの定義と同じである。Y1、Y2、Y3、Y4及び
    5は、それぞれ相互に独立してH又はFを表す。)か
    らなる群から選択される1種又は2種以上の化合物を含
    有することを特徴とする請求項1記載の液晶組成物。
  3. 【請求項3】 前記一般式(I)ないし(V)で表され
    る化合物群から選択される1種又は2種以上の化合物の
    含有割合が全混合物の70〜98mol%であることを
    特徴とする請求項2に記載の液晶組成物。
  4. 【請求項4】 請求項1又は請求項2に記載の液晶組成
    物を含有することを特徴とする液晶表示素子。
JP7350297A 1994-12-22 1995-12-22 液晶組成物及びそれを含む液晶表示素子 Pending JPH08253767A (ja)

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JP6-336184 1994-12-22
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5755995A (en) * 1996-05-09 1998-05-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Guest host liquid crystal composition

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US5755995A (en) * 1996-05-09 1998-05-26 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Guest host liquid crystal composition

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