JPH08264052A - 部分導電釉碍子 - Google Patents
部分導電釉碍子Info
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- JPH08264052A JPH08264052A JP6455095A JP6455095A JPH08264052A JP H08264052 A JPH08264052 A JP H08264052A JP 6455095 A JP6455095 A JP 6455095A JP 6455095 A JP6455095 A JP 6455095A JP H08264052 A JPH08264052 A JP H08264052A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 厳しい使用条件下においても、コロナ放電や
ＲＩＶの発生を十分に防止しうる部分導電釉碍子を提供
する。 【構成】 絶縁部としての施釉磁器製の碍子本体１１
に、ポルトランドセメント１８を介してピン金具２１と
キャップ金具２２とが接合されている。碍子本体１１の
絶縁釉層１５と、ポルトランドセメント１８との境界領
域には、導電釉層１９、２０が形成されている。この導
電釉層１９、２０は、笠部１２側に行くほどなだらかに
その厚みが薄くなっている。そして、各導電釉層の表面
抵抗はピン側１９が１００〜８００ＭΩの範囲、キャッ
プ側２０が２０〜１０００ＭΩの範囲となるように形成
されている。
ＲＩＶの発生を十分に防止しうる部分導電釉碍子を提供
する。 【構成】 絶縁部としての施釉磁器製の碍子本体１１
に、ポルトランドセメント１８を介してピン金具２１と
キャップ金具２２とが接合されている。碍子本体１１の
絶縁釉層１５と、ポルトランドセメント１８との境界領
域には、導電釉層１９、２０が形成されている。この導
電釉層１９、２０は、笠部１２側に行くほどなだらかに
その厚みが薄くなっている。そして、各導電釉層の表面
抵抗はピン側１９が１００〜８００ＭΩの範囲、キャッ
プ側２０が２０〜１０００ＭΩの範囲となるように形成
されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は、碍子本体の絶縁表面
とセメント材との間の境界領域に導電釉層（導電性を有
する釉薬層）を設けた部分導電釉碍子に関するものであ
る。
とセメント材との間の境界領域に導電釉層（導電性を有
する釉薬層）を設けた部分導電釉碍子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】 例えば、懸垂型碍子は施釉磁器製の絶
縁部の内外両面にセメント材を介して課電側のピン金具
と接地側のキャップ金具とが接合され、それら両金具の
間が互いに絶縁されている。これらの各部材は、例えば
表面抵抗等の電気的特性が異なるため、課電時において
これらの各部材間の境界領域に電界集中が起こる。ここ
で、空気の絶縁耐力を越えた電界集中が発生した場合に
は、空気の部分的絶縁破壊によるコロナ放電を生じて、
ラジオ障害電圧（ＲＩＶ）が発生する。
縁部の内外両面にセメント材を介して課電側のピン金具
と接地側のキャップ金具とが接合され、それら両金具の
間が互いに絶縁されている。これらの各部材は、例えば
表面抵抗等の電気的特性が異なるため、課電時において
これらの各部材間の境界領域に電界集中が起こる。ここ
で、空気の絶縁耐力を越えた電界集中が発生した場合に
は、空気の部分的絶縁破壊によるコロナ放電を生じて、
ラジオ障害電圧（ＲＩＶ）が発生する。
【０００３】このコロナ放電やＲＩＶの発生を防止する
ために、例えば酸化鉄等の金属酸化物を一般の釉薬に混
合した導電釉を、電界集中の起こりやすい境界領域に施
した部分導電釉碍子が知られている。一般にその導電釉
層の表面抵抗値は１００ＭΩ以下となっている。例え
ば、ＵＳＰ３，２４３，５０５号公報の懸垂碍子では、
電界集中の起こりやすい碍子本体の絶縁表面とセメント
材との境界領域に、ブルーチタニアよりなる導電釉層が
形成されている。この導電釉層の表面抵抗値は０．２〜
２０ＭΩの範囲となっている。そして、この導電釉層に
よって、電界集中が緩和されて、コロナ放電やＲＩＶを
防止する構成となっている。
ために、例えば酸化鉄等の金属酸化物を一般の釉薬に混
合した導電釉を、電界集中の起こりやすい境界領域に施
した部分導電釉碍子が知られている。一般にその導電釉
層の表面抵抗値は１００ＭΩ以下となっている。例え
ば、ＵＳＰ３，２４３，５０５号公報の懸垂碍子では、
電界集中の起こりやすい碍子本体の絶縁表面とセメント
材との境界領域に、ブルーチタニアよりなる導電釉層が
形成されている。この導電釉層の表面抵抗値は０．２〜
２０ＭΩの範囲となっている。そして、この導電釉層に
よって、電界集中が緩和されて、コロナ放電やＲＩＶを
防止する構成となっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】 例えば、送電圧が高
圧である場合には、碍子の分担電圧が高くなり、碍子の
各構成材の境界領域における電界集中が大きくなる。ま
た、高標高地区等の放電の起こりやすい環境下において
は、わずかな電界集中でもコロナ放電やＲＩＶが発生す
ることがある。ところが、このような厳しい使用条件下
においては、従来の部分導電釉碍子では電界集中の緩和
効果が不十分なため、電界集中を緩和しきれずにコロナ
放電やＲＩＶが発生するという問題点があった。
圧である場合には、碍子の分担電圧が高くなり、碍子の
各構成材の境界領域における電界集中が大きくなる。ま
た、高標高地区等の放電の起こりやすい環境下において
は、わずかな電界集中でもコロナ放電やＲＩＶが発生す
ることがある。ところが、このような厳しい使用条件下
においては、従来の部分導電釉碍子では電界集中の緩和
効果が不十分なため、電界集中を緩和しきれずにコロナ
放電やＲＩＶが発生するという問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、厳しい使用条件下におい
ても、コロナ放電やＲＩＶの発生を十分に防止しうる部
分導電釉碍子を提供することにある。
ても、コロナ放電やＲＩＶの発生を十分に防止しうる部
分導電釉碍子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】 上記目的を達成するた
めに、請求項１の発明では、課電側の導電釉層の表面抵
抗を１００〜８００ＭΩに、かつ接地側の導電釉層の表
面抵抗を２０〜１０００ＭΩに設定したものである。
めに、請求項１の発明では、課電側の導電釉層の表面抵
抗を１００〜８００ＭΩに、かつ接地側の導電釉層の表
面抵抗を２０〜１０００ＭΩに設定したものである。
【０００７】請求項２の発明では、前記各導電釉層の表
面抵抗が、碍子本体の絶縁表面とセメント材との間で高
低差が生じるように、その表面抵抗をなだらかに変化さ
せたものである。
面抵抗が、碍子本体の絶縁表面とセメント材との間で高
低差が生じるように、その表面抵抗をなだらかに変化さ
せたものである。
【０００８】請求項３の発明では、前記表面抵抗分布
を、絶縁表面側ほど高く、セメント材側ほど低くなるよ
うに形成したものである。
を、絶縁表面側ほど高く、セメント材側ほど低くなるよ
うに形成したものである。
【０００９】
【作用】 請求項１の発明によれば、部分導電釉碍子の
コロナ消滅電圧レベルを高い範囲とすることができる。
このため、高い電圧レベルまでコロナ放電が発生するこ
とがなく、より大きな電界集中にも耐えられるものとす
ることができる。
コロナ消滅電圧レベルを高い範囲とすることができる。
このため、高い電圧レベルまでコロナ放電が発生するこ
とがなく、より大きな電界集中にも耐えられるものとす
ることができる。
【００１０】請求項２の発明によれば、電界集中の起こ
りやすい碍子本体の絶縁表面とセメント材の境界領域の
表面抵抗の落差を、導電釉層を介してなだらかにするこ
とができる。
りやすい碍子本体の絶縁表面とセメント材の境界領域の
表面抵抗の落差を、導電釉層を介してなだらかにするこ
とができる。
【００１１】請求項３の発明によれば、表面抵抗が相対
的に低いセメント材側から表面抵抗が高い碍子本体の絶
縁表面にわたって、その表面抵抗の高低の傾向に沿った
表面抵抗分布が形成される。このため、碍子本体の絶縁
表面とセメント材との表面抵抗の落差がいっそうなだら
かなものとなり、電界集中が緩和される。
的に低いセメント材側から表面抵抗が高い碍子本体の絶
縁表面にわたって、その表面抵抗の高低の傾向に沿った
表面抵抗分布が形成される。このため、碍子本体の絶縁
表面とセメント材との表面抵抗の落差がいっそうなだら
かなものとなり、電界集中が緩和される。
【００１２】
【実施例】 以下に、本発明を懸垂型碍子（以下、部分
導電釉碍子とする）に具体化した実施例について図面に
基づいて説明する。図１に示すように、碍子本体１１の
笠部１２の内側面に円環状かつ同心円状に複数のひだ部
１３が一体に形成されている。前記笠部１２の中央上部
には有蓋円筒状の頭部１４が一体形成されている。ま
た、この碍子本体１１の全面は、絶縁性を有する酸化ケ
イ素、酸化アルミニウムを主成分とする一般の釉薬（以
下、絶縁釉）が施されて、絶縁表面としての絶縁釉層１
５となっている。前記頭部１４の外周面及び内周面に
は、磁器片が固着されてサンド層１６が構成されてい
る。碍子本体１１の頭部１４の外面及び内面にはポルト
ランドセメント１８を介して接地側のキャップ金具２２
及び課電側のピン金具２１とが接合固定されている。従
って、碍子本体１１の両端にキャップ金具２２及びピン
金具２１が位置することになる。
導電釉碍子とする）に具体化した実施例について図面に
基づいて説明する。図１に示すように、碍子本体１１の
笠部１２の内側面に円環状かつ同心円状に複数のひだ部
１３が一体に形成されている。前記笠部１２の中央上部
には有蓋円筒状の頭部１４が一体形成されている。ま
た、この碍子本体１１の全面は、絶縁性を有する酸化ケ
イ素、酸化アルミニウムを主成分とする一般の釉薬（以
下、絶縁釉）が施されて、絶縁表面としての絶縁釉層１
５となっている。前記頭部１４の外周面及び内周面に
は、磁器片が固着されてサンド層１６が構成されてい
る。碍子本体１１の頭部１４の外面及び内面にはポルト
ランドセメント１８を介して接地側のキャップ金具２２
及び課電側のピン金具２１とが接合固定されている。従
って、碍子本体１１の両端にキャップ金具２２及びピン
金具２１が位置することになる。
【００１３】キャップ金具２２の上部には、直上の他の
部分導電釉碍子のピン金具２１を係合するための嵌合凹
部２２ａが形成されている。また、ピン金具２１の下端
は直下の他の部分導電釉碍子の嵌合凹部２２ａに係合さ
れる。このように、部分導電釉碍子は、直列に複数個連
結されて使用される。
部分導電釉碍子のピン金具２１を係合するための嵌合凹
部２２ａが形成されている。また、ピン金具２１の下端
は直下の他の部分導電釉碍子の嵌合凹部２２ａに係合さ
れる。このように、部分導電釉碍子は、直列に複数個連
結されて使用される。
【００１４】図２に示すように、碍子本体１１の内面及
び外面において、碍子本体１１の絶縁釉層１５と、ポル
トランドセメント１８との境界領域には幅３０ｍｍにわ
たって導電釉層１９、２０が形成されている。この導電
釉層１９、２０は、ポルトランドセメント１８側から笠
部１２側にかけて順次厚みが薄くなるように形成されて
いる。この導電釉層１９、２０は、碍子本体１１の前記
絶縁釉層１５上に、鉄系の半導電性釉薬を所定の幅、厚
みとなるようにハケでの塗布により形成される。なお、
前記鉄系の半導電性釉薬は、一般の釉薬組成に、酸化鉄
を１５ｗｔ％、酸化クロムを８ｗｔ％を添加したものと
なっている。
び外面において、碍子本体１１の絶縁釉層１５と、ポル
トランドセメント１８との境界領域には幅３０ｍｍにわ
たって導電釉層１９、２０が形成されている。この導電
釉層１９、２０は、ポルトランドセメント１８側から笠
部１２側にかけて順次厚みが薄くなるように形成されて
いる。この導電釉層１９、２０は、碍子本体１１の前記
絶縁釉層１５上に、鉄系の半導電性釉薬を所定の幅、厚
みとなるようにハケでの塗布により形成される。なお、
前記鉄系の半導電性釉薬は、一般の釉薬組成に、酸化鉄
を１５ｗｔ％、酸化クロムを８ｗｔ％を添加したものと
なっている。
【００１５】なお、図１及び図２において、理解を容易
にするために、絶縁釉層１５及び導電釉層１９、２０は
実際よりも厚く描いてある。次に、導電釉層１９、２０
の表面抵抗値とコロナ消滅電圧レベルとの関係について
説明する。
にするために、絶縁釉層１５及び導電釉層１９、２０は
実際よりも厚く描いてある。次に、導電釉層１９、２０
の表面抵抗値とコロナ消滅電圧レベルとの関係について
説明する。
【００１６】図３は、図１においてピン側導電釉層１９
及びキャップ側導電釉層２０の表面抵抗値を種々変化さ
せた条件下での、コロナ放電が消滅する電圧レベルを示
したものである。図３に示すように、キャップ側導電釉
層２０の抵抗値が１０ＭΩ以下あるいは１０００〜５０
００ＭΩの範囲では、ピン側導電釉層１９の表面抵抗値
１〜１０００ＭΩの全域にわたって、コロナ消滅電圧レ
ベルはほとんど変化がみられない。これに対して、キャ
ップ側導電釉層２０の表面抵抗値が２０〜１０００ＭΩ
の範囲では、ピン側導電釉層１９の表面抵抗値が１００
〜８００ＭΩの範囲において、従来の両導電釉層１９、
２０の表面抵抗を１００ＭΩ以下とした場合に比べて、
高いコロナ消滅電圧レベルが認められた。すなわち、ピ
ン側導電釉層１９及びキャップ側導電釉層２０の表面抵
抗値をこの範囲に設定することにより、従来の部分導電
釉碍子に比べてより高い電圧レベルまでコロナ放電を防
止可能となる。つまり、導電釉層１９、２０の表面抵抗
値の最適範囲は、キャップ側が２０〜１０００ＭΩの範
囲で、かつピン側が１００〜８００ＭΩの範囲となる。
ここで、導電釉層１９、２０の表面抵抗値がこの最適範
囲以下の場合では、導電釉層１９、２０と絶縁釉層１５
との境界部においてコロナ放電を生じることがある。一
方、導電釉層１９、２０の表面抵抗値がこの最適範囲以
上の場合では、導電釉層１９、２０とポルランドセメン
ト１８との境界部においてコロナ放電を生じることがあ
る。
及びキャップ側導電釉層２０の表面抵抗値を種々変化さ
せた条件下での、コロナ放電が消滅する電圧レベルを示
したものである。図３に示すように、キャップ側導電釉
層２０の抵抗値が１０ＭΩ以下あるいは１０００〜５０
００ＭΩの範囲では、ピン側導電釉層１９の表面抵抗値
１〜１０００ＭΩの全域にわたって、コロナ消滅電圧レ
ベルはほとんど変化がみられない。これに対して、キャ
ップ側導電釉層２０の表面抵抗値が２０〜１０００ＭΩ
の範囲では、ピン側導電釉層１９の表面抵抗値が１００
〜８００ＭΩの範囲において、従来の両導電釉層１９、
２０の表面抵抗を１００ＭΩ以下とした場合に比べて、
高いコロナ消滅電圧レベルが認められた。すなわち、ピ
ン側導電釉層１９及びキャップ側導電釉層２０の表面抵
抗値をこの範囲に設定することにより、従来の部分導電
釉碍子に比べてより高い電圧レベルまでコロナ放電を防
止可能となる。つまり、導電釉層１９、２０の表面抵抗
値の最適範囲は、キャップ側が２０〜１０００ＭΩの範
囲で、かつピン側が１００〜８００ＭΩの範囲となる。
ここで、導電釉層１９、２０の表面抵抗値がこの最適範
囲以下の場合では、導電釉層１９、２０と絶縁釉層１５
との境界部においてコロナ放電を生じることがある。一
方、導電釉層１９、２０の表面抵抗値がこの最適範囲以
上の場合では、導電釉層１９、２０とポルランドセメン
ト１８との境界部においてコロナ放電を生じることがあ
る。
【００１７】また、図４に示すように、導電釉層をハケ
での塗布によって形成したためにその表面抵抗値に若干
のばらつきがみられる。しかし、導電釉層の厚みと表面
抵抗値との間には、その平均値において一定の関連性が
みられる。すなわち、導電釉層の厚みが厚いほど表面抵
抗値が低く、厚みが薄いほど表面抵抗値が高くなってい
る。従って、導電釉層１９、２０の表面抵抗値は、その
厚みで規定することができる。ここで、本実施例では、
ピン側導電釉層１９及びキャップ側導電釉層２０の表面
抵抗が前記最適範囲となるように、それぞれの厚みがほ
ぼ０．１４〜０．２３ｍｍ、及び０．１４〜０．３３ｍ
ｍの範囲内で変化するように構成されている。
での塗布によって形成したためにその表面抵抗値に若干
のばらつきがみられる。しかし、導電釉層の厚みと表面
抵抗値との間には、その平均値において一定の関連性が
みられる。すなわち、導電釉層の厚みが厚いほど表面抵
抗値が低く、厚みが薄いほど表面抵抗値が高くなってい
る。従って、導電釉層１９、２０の表面抵抗値は、その
厚みで規定することができる。ここで、本実施例では、
ピン側導電釉層１９及びキャップ側導電釉層２０の表面
抵抗が前記最適範囲となるように、それぞれの厚みがほ
ぼ０．１４〜０．２３ｍｍ、及び０．１４〜０．３３ｍ
ｍの範囲内で変化するように構成されている。
【００１８】以上のように構成された本実施例によれ
ば、電界集中の起こりやすい碍子本体１１の絶縁釉層１
５と、ポルトランドセメント１８との境界領域に、導電
釉層１９、２０が形成されている。そして、ピン側導電
釉層１９の表面抵抗値が１００〜８００ＭΩの範囲、キ
ャップ側導電釉層２０の表面抵抗値が２０〜１０００Ｍ
Ωの範囲となるように形成されている。しかも、この導
電釉層１９、２０は、ポルトランドセメント１８側から
笠部１２側にかけてなだらかに厚みが薄くなるように形
成されている。従って、図４に示すように、導電釉層１
９、２０の厚みが薄いほど表面抵抗値が高くなるという
関係から、各導電釉層１９、２０内の表面抵抗分布が、
ポルトランドセメント１８側から笠部１２側にかけてな
だらかに高くなっている。
ば、電界集中の起こりやすい碍子本体１１の絶縁釉層１
５と、ポルトランドセメント１８との境界領域に、導電
釉層１９、２０が形成されている。そして、ピン側導電
釉層１９の表面抵抗値が１００〜８００ＭΩの範囲、キ
ャップ側導電釉層２０の表面抵抗値が２０〜１０００Ｍ
Ωの範囲となるように形成されている。しかも、この導
電釉層１９、２０は、ポルトランドセメント１８側から
笠部１２側にかけてなだらかに厚みが薄くなるように形
成されている。従って、図４に示すように、導電釉層１
９、２０の厚みが薄いほど表面抵抗値が高くなるという
関係から、各導電釉層１９、２０内の表面抵抗分布が、
ポルトランドセメント１８側から笠部１２側にかけてな
だらかに高くなっている。
【００１９】図５に示すように、一般に、ポルトランド
セメント１８層の表面抵抗値は１ＭΩ程度であり、一
方、絶縁釉層１５の表面抵抗値は１００００ＭΩ程度で
ある。ここで、本実施例の部分導電釉碍子では、上述の
構成の導電釉層１９、２０を介して、前記二層１５、１
８が接合されているため、その二層１５、１８間の表面
抵抗の落差が緩和されて、電界集中が緩和される構造と
なる。しかも、前記二層１５、１８の表面抵抗の高低の
傾向に合わせて、導電釉層１９、２０内の表面抵抗の勾
配は、図５においてピン側が近似線αに、キャップ側が
近似線βにそれぞれ沿ってなだらかに変化しており、い
っそう電界集中が緩和される構成となっている。このた
め、部分導電釉碍子のコロナ放電の発生する電圧レベル
を向上することができて、高電圧課電状態や高標高地区
等の厳しい使用条件下においても、コロナ放電やＲＩＶ
の発生を十分に防止できるものとなっている。
セメント１８層の表面抵抗値は１ＭΩ程度であり、一
方、絶縁釉層１５の表面抵抗値は１００００ＭΩ程度で
ある。ここで、本実施例の部分導電釉碍子では、上述の
構成の導電釉層１９、２０を介して、前記二層１５、１
８が接合されているため、その二層１５、１８間の表面
抵抗の落差が緩和されて、電界集中が緩和される構造と
なる。しかも、前記二層１５、１８の表面抵抗の高低の
傾向に合わせて、導電釉層１９、２０内の表面抵抗の勾
配は、図５においてピン側が近似線αに、キャップ側が
近似線βにそれぞれ沿ってなだらかに変化しており、い
っそう電界集中が緩和される構成となっている。このた
め、部分導電釉碍子のコロナ放電の発生する電圧レベル
を向上することができて、高電圧課電状態や高標高地区
等の厳しい使用条件下においても、コロナ放電やＲＩＶ
の発生を十分に防止できるものとなっている。
【００２０】また、導電釉層１９、２０の形成は、碍子
本体１１の外周面全面に施釉された絶縁釉層１５の上面
に、鉄系の半導電性釉薬を所定幅、厚みとなるように塗
布するのみでよく、加工が簡単で製作上有利である。
本体１１の外周面全面に施釉された絶縁釉層１５の上面
に、鉄系の半導電性釉薬を所定幅、厚みとなるように塗
布するのみでよく、加工が簡単で製作上有利である。
【００２１】なお、本発明は以下のように変更して具体
化することもできる。 （１）図２において、導電釉層１９、２０の厚みをさら
になだらかに変化させること。
化することもできる。 （１）図２において、導電釉層１９、２０の厚みをさら
になだらかに変化させること。
【００２２】このように構成すれば、いっそう電界集中
を緩和することができる。 （２）図５において、導電釉層１９、２０の表面抵抗変
化の近似線の勾配を、それぞれの許容範囲内において異
なったものとすること。
を緩和することができる。 （２）図５において、導電釉層１９、２０の表面抵抗変
化の近似線の勾配を、それぞれの許容範囲内において異
なったものとすること。
【００２３】このように構成しても、電界集中を緩和す
ることができる。 （３）図５において、キャップ側導電釉層２０の表面抵
抗変化の近似線βの勾配を、ピン側導電釉層１９表面抵
抗変化の近似線αと一致させること。
ることができる。 （３）図５において、キャップ側導電釉層２０の表面抵
抗変化の近似線βの勾配を、ピン側導電釉層１９表面抵
抗変化の近似線αと一致させること。
【００２４】このように構成すれば、両導電釉層１９、
２０の厚みを一致させることができて、製作上有利であ
る。 （４）図５において、導電釉層１９、２０の表面抵抗変
化の近似線の勾配を、それぞれの許容範囲内において逆
にすること。すなわち、図２においてセメント材１８端
側ほど高く、絶縁表面１５側ほど低くなるように形成す
ること。
２０の厚みを一致させることができて、製作上有利であ
る。 （４）図５において、導電釉層１９、２０の表面抵抗変
化の近似線の勾配を、それぞれの許容範囲内において逆
にすること。すなわち、図２においてセメント材１８端
側ほど高く、絶縁表面１５側ほど低くなるように形成す
ること。
【００２５】（５）導電釉層１９、２０に塗布する導電
性釉薬の金属酸化物を、例えば酸化スズ、酸化チタン等
に変更すること。 （６）導電釉層１９、２０として、金属酸化物の種類の
異なる複数の導電釉（例えば鉄系、チタン系、スズ系等
の導電釉）層を、同心円状に列設して、表面抵抗の変化
を設けること。
性釉薬の金属酸化物を、例えば酸化スズ、酸化チタン等
に変更すること。 （６）導電釉層１９、２０として、金属酸化物の種類の
異なる複数の導電釉（例えば鉄系、チタン系、スズ系等
の導電釉）層を、同心円状に列設して、表面抵抗の変化
を設けること。
【００２６】（７）導電釉層１９、２０を碍子本体１１
の磁器表面に直接施すこと。以上のように構成しても、
電界集中を緩和することができる。 （８）この発明をステーションポスト碍子、ラインポス
ト碍子の絶縁部とセメント材との境界領域に適用するこ
と。
の磁器表面に直接施すこと。以上のように構成しても、
電界集中を緩和することができる。 （８）この発明をステーションポスト碍子、ラインポス
ト碍子の絶縁部とセメント材との境界領域に適用するこ
と。
【００２７】つぎに、上記実施例によって把握される技
術的思想を述べる。 （１）請求項１〜３において、碍子本体１１の絶縁表面
として磁器表面に絶縁釉を施し、その絶縁表面上に導電
釉を施して導電釉層１９、２０を設けた部分導電釉碍
子。
術的思想を述べる。 （１）請求項１〜３において、碍子本体１１の絶縁表面
として磁器表面に絶縁釉を施し、その絶縁表面上に導電
釉を施して導電釉層１９、２０を設けた部分導電釉碍
子。
【００２８】このように構成した場合、導電釉層１９、
２０の形成は、碍子本体１１の表面に、導電性釉薬を所
定の位置に所定幅、厚みとなるように塗布するのみでよ
く、加工が簡単で製作上有利である。
２０の形成は、碍子本体１１の表面に、導電性釉薬を所
定の位置に所定幅、厚みとなるように塗布するのみでよ
く、加工が簡単で製作上有利である。
【００２９】
【発明の効果】 以上詳述したように、本発明によれば
以下の優れた効果を奏する。請求項１の発明によれば、
部分導電釉碍子の耐電界集中性を向上することができ、
高い電圧レベルまでコロナ放電が発生することがない。
従って、厳しい使用条件下においても、コロナ放電やＲ
ＩＶの発生を防止することができる。
以下の優れた効果を奏する。請求項１の発明によれば、
部分導電釉碍子の耐電界集中性を向上することができ、
高い電圧レベルまでコロナ放電が発生することがない。
従って、厳しい使用条件下においても、コロナ放電やＲ
ＩＶの発生を防止することができる。
【００３０】請求項２及び請求項３の発明によれば、碍
子本体の絶縁表面とセメント材との境界領域の電界集中
が緩和されて、コロナ放電やＲＩＶの発生しにくい構成
にできる。
子本体の絶縁表面とセメント材との境界領域の電界集中
が緩和されて、コロナ放電やＲＩＶの発生しにくい構成
にできる。
【図１】 本発明の部分導電釉碍子の一実施例を示す一
部切欠正面図。
部切欠正面図。
【図２】 図１の要部を示す拡大部分断面図。
【図３】 導電釉層の表面抵抗とコロナ消滅電圧レベル
の関係のグラフ。
の関係のグラフ。
【図４】 導電釉層の厚さと表面抵抗の関係のグラフ。
【図５】 導電釉層付近の表面抵抗を示す概念図。
１１…碍子本体、１５…絶縁表面としての絶縁釉層、１
８…セメント材としてのポルトランドセメント、１９…
課電側の導電釉層としてのピン側導電釉層、２０…接地
側の導電釉層としてのキャップ側導電釉層、２１…課電
側の金具としてのピン金具、２２…接地側の金具として
のキャップ金具。
８…セメント材としてのポルトランドセメント、１９…
課電側の導電釉層としてのピン側導電釉層、２０…接地
側の導電釉層としてのキャップ側導電釉層、２１…課電
側の金具としてのピン金具、２２…接地側の金具として
のキャップ金具。
Claims (3)
- 【請求項１】 碍子本体の両端にセメント材を介して課
電側及び接地側の金具を接合し、碍子本体の絶縁表面と
セメント材との間の境界領域に導電釉層を設けた部分導
電釉碍子において、 課電側の導電釉層の表面抵抗を１００〜８００ＭΩに、
かつ接地側の導電釉層の表面抵抗を２０〜１０００ＭΩ
に設定した部分導電釉碍子。 - 【請求項２】 前記各導電釉層の表面抵抗が、碍子本体
の絶縁表面とセメント材との間で高低差が生じるよう
に、その表面抵抗をなだらかに変化させた請求項１に記
載の部分導電釉碍子。 - 【請求項３】 前記表面抵抗を、絶縁表面側ほど高く、
セメント材側ほど低くなるように形成した請求項２に記
載の部分導電釉碍子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6455095A JPH08264052A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 部分導電釉碍子 |
| CN96101363A CN1073741C (zh) | 1995-03-23 | 1996-02-07 | 带局部导电釉绝缘子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6455095A JPH08264052A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 部分導電釉碍子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264052A true JPH08264052A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13261451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6455095A Pending JPH08264052A (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 部分導電釉碍子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08264052A (ja) |
| CN (1) | CN1073741C (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102208233A (zh) * | 2010-11-30 | 2011-10-05 | 苏州电瓷厂有限公司 | 一种直流架空输电线路用悬式瓷绝缘子 |
| CN113178295A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-07-27 | 江西百新电瓷电气有限公司 | 半导体防雷冰组合式瓷绝缘子 |
| CN120622960A (zh) * | 2025-06-05 | 2025-09-12 | 湖南太阳电瓷有限公司 | 一种具有复合过渡层的电瓷釉面结构及其制备方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103700452B (zh) * | 2014-01-07 | 2016-09-28 | 湖北德赛绝缘设备技术发展有限公司 | 能减少电晕损失及电磁波干扰和提高金具防腐力的绝缘子 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0799653B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1995-10-25 | 日本碍子株式会社 | 懸垂碍子 |
| JPS63198214A (ja) * | 1987-02-11 | 1988-08-16 | 日本碍子株式会社 | 耐電食性碍子 |
| CN2169900Y (zh) * | 1993-07-24 | 1994-06-22 | 大连电瓷厂 | 防晕悬式瓷绝缘子 |
-
1995
- 1995-03-23 JP JP6455095A patent/JPH08264052A/ja active Pending
-
1996
- 1996-02-07 CN CN96101363A patent/CN1073741C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102208233A (zh) * | 2010-11-30 | 2011-10-05 | 苏州电瓷厂有限公司 | 一种直流架空输电线路用悬式瓷绝缘子 |
| CN113178295A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-07-27 | 江西百新电瓷电气有限公司 | 半导体防雷冰组合式瓷绝缘子 |
| CN120622960A (zh) * | 2025-06-05 | 2025-09-12 | 湖南太阳电瓷有限公司 | 一种具有复合过渡层的电瓷釉面结构及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1073741C (zh) | 2001-10-24 |
| CN1135647A (zh) | 1996-11-13 |
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