JPH08274092A - 多層アルミニウム配線の形成方法 - Google Patents
多層アルミニウム配線の形成方法Info
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- JPH08274092A JPH08274092A JP7108995A JP7108995A JPH08274092A JP H08274092 A JPH08274092 A JP H08274092A JP 7108995 A JP7108995 A JP 7108995A JP 7108995 A JP7108995 A JP 7108995A JP H08274092 A JPH08274092 A JP H08274092A
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- Japan
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- film
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- aluminum
- oxide film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多層アルミニウム配線の信頼性の向上を図
る。 【構成】 絶縁膜１上にアルミニウム配線２、酸化膜
３、塗布ガラス膜４、酸化膜５を形成し、アルミニウム
配線２に達するスルーホール７を形成し、スルーホール
７の内面を含む表面全面にアルミニウムより耐腐食性の
良い金属膜９を形成し、異方性エッチングによりスルー
ホール７の内側面上にのみ金属膜９を残し、スルーホー
ル７の内面を含む表面全面にアルミニウム層８を形成す
る。 【効果】 金属膜９により、塗布ガラス膜４中の、残留
ガスまたは水分によるスルーホール７内のアルミニウム
層８の腐食を防止できる。
る。 【構成】 絶縁膜１上にアルミニウム配線２、酸化膜
３、塗布ガラス膜４、酸化膜５を形成し、アルミニウム
配線２に達するスルーホール７を形成し、スルーホール
７の内面を含む表面全面にアルミニウムより耐腐食性の
良い金属膜９を形成し、異方性エッチングによりスルー
ホール７の内側面上にのみ金属膜９を残し、スルーホー
ル７の内面を含む表面全面にアルミニウム層８を形成す
る。 【効果】 金属膜９により、塗布ガラス膜４中の、残留
ガスまたは水分によるスルーホール７内のアルミニウム
層８の腐食を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上の絶縁膜
上に多層アルミニウム配線を形成する技術に関するもの
である。
上に多層アルミニウム配線を形成する技術に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図２に基づいて従来の２層アルミニウム
配線を形成する方法の一例を説明する。図２は２層アル
ミニウム配線の製造工程を示す断面図である。まず、
（ａ）に示すように、半導体基板等（図示省略）の表面
に形成した絶縁膜１上に１層目のアルミニウム配線２を
形成し、さらに絶縁膜１上にＣＶＤ法により酸化膜３を
形成する。
配線を形成する方法の一例を説明する。図２は２層アル
ミニウム配線の製造工程を示す断面図である。まず、
（ａ）に示すように、半導体基板等（図示省略）の表面
に形成した絶縁膜１上に１層目のアルミニウム配線２を
形成し、さらに絶縁膜１上にＣＶＤ法により酸化膜３を
形成する。
【０００３】次に、（ｂ）に示すように、酸化膜３上
に、表面の平坦化のために塗布ガラス膜４を形成し、
（ｃ）に示すように、塗布ガラス膜４上に酸化膜５をＣ
ＶＤ法で形成した後、（ｄ）に示すように、酸化膜５上
にレジスト６を塗布し、露光・現像工程により、１層目
のアルミニウム配線２と、２層目のアルミニウム配線と
の導通部を形成する箇所のレジスト６を除去する。
に、表面の平坦化のために塗布ガラス膜４を形成し、
（ｃ）に示すように、塗布ガラス膜４上に酸化膜５をＣ
ＶＤ法で形成した後、（ｄ）に示すように、酸化膜５上
にレジスト６を塗布し、露光・現像工程により、１層目
のアルミニウム配線２と、２層目のアルミニウム配線と
の導通部を形成する箇所のレジスト６を除去する。
【０００４】さらに、（ｅ）に示すように、レジスト６
をマスクとして、酸化膜５、塗布ガラス膜４、酸化膜３
の順にエッチングを行い、１層目のアルミニウム配線２
に達するスルーホール７を形成しレジスト６を除去す
る。最後に、（ｆ）に示すように、２層目のアルミニウ
ム配線となるアルミニウム層８を、酸化膜５の表面及び
スルーホール７の内部にスパッタ法により形成する。
をマスクとして、酸化膜５、塗布ガラス膜４、酸化膜３
の順にエッチングを行い、１層目のアルミニウム配線２
に達するスルーホール７を形成しレジスト６を除去す
る。最後に、（ｆ）に示すように、２層目のアルミニウ
ム配線となるアルミニウム層８を、酸化膜５の表面及び
スルーホール７の内部にスパッタ法により形成する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】アルミニウム配線を構
成する、アルミニウム（その合金材料であるアルミニウ
ム−シリコン（Al-Si ）、アルミニウム−シリコン−カ
ッパー（Al-Si-Cu）等を含む）は、腐食されやすい金属
であり、以上に説明した形成方法を用いた場合、スルー
ホール７内のアルミニウム層８が塗布ガラス膜４と直接
接するので、塗布ガラス膜４に残存する水分または残留
ガスにより、スルーホール７内のアルミニウム層８が容
易に腐食して配線が断線するという問題点があった。
成する、アルミニウム（その合金材料であるアルミニウ
ム−シリコン（Al-Si ）、アルミニウム−シリコン−カ
ッパー（Al-Si-Cu）等を含む）は、腐食されやすい金属
であり、以上に説明した形成方法を用いた場合、スルー
ホール７内のアルミニウム層８が塗布ガラス膜４と直接
接するので、塗布ガラス膜４に残存する水分または残留
ガスにより、スルーホール７内のアルミニウム層８が容
易に腐食して配線が断線するという問題点があった。
【０００６】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、アルミニウム配線の信頼
性の向上が図れる多層アルミニウム配線の形成方法を提
供することにある。
で、その目的とするところは、アルミニウム配線の信頼
性の向上が図れる多層アルミニウム配線の形成方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の多層アルミニウム配線の形成方法
は、絶縁膜上にアルミニウム配線を形成する工程と、前
記アルミニウム配線を形成した後に、表面に第１酸化膜
を形成する工程と、前記第１酸化膜上に塗布ガラス膜を
形成する工程と、その塗布ガラス膜上に第２酸化膜を形
成する工程と、その第２酸化膜及び前記塗布ガラス膜及
び前記第１酸化膜を貫通し、前記アルミニウム配線に達
する開孔部を形成する工程と、前記第２酸化膜の表面及
び前記開孔部の内面上に、アルミニウムより耐腐食性に
おいて優れる金属膜を形成する工程と、異方性エッチン
グにより前記開孔部の内側面上の前記金属膜以外の前記
金属膜を除去する工程と、前記第２酸化膜の表面及び前
記開孔部の内部にアルミニウム層をスパッタ法により形
成する工程とを備えたことを特徴とするものである。
め、請求項１記載の多層アルミニウム配線の形成方法
は、絶縁膜上にアルミニウム配線を形成する工程と、前
記アルミニウム配線を形成した後に、表面に第１酸化膜
を形成する工程と、前記第１酸化膜上に塗布ガラス膜を
形成する工程と、その塗布ガラス膜上に第２酸化膜を形
成する工程と、その第２酸化膜及び前記塗布ガラス膜及
び前記第１酸化膜を貫通し、前記アルミニウム配線に達
する開孔部を形成する工程と、前記第２酸化膜の表面及
び前記開孔部の内面上に、アルミニウムより耐腐食性に
おいて優れる金属膜を形成する工程と、異方性エッチン
グにより前記開孔部の内側面上の前記金属膜以外の前記
金属膜を除去する工程と、前記第２酸化膜の表面及び前
記開孔部の内部にアルミニウム層をスパッタ法により形
成する工程とを備えたことを特徴とするものである。
【０００８】請求項２記載の多層アルミニウム配線の形
成方法は、請求項１記載の多層アルミニウム配線の形成
方法で、前記金属膜が、タングステンまたはその合金で
構成されていることを特徴とするものである。
成方法は、請求項１記載の多層アルミニウム配線の形成
方法で、前記金属膜が、タングステンまたはその合金で
構成されていることを特徴とするものである。
【０００９】請求項３記載の多層アルミニウム配線の形
成方法は、請求項１記載の多層アルミニウム配線の形成
方法で、前記金属膜が、チタンまたはその合金で構成さ
れていることを特徴とするものである。
成方法は、請求項１記載の多層アルミニウム配線の形成
方法で、前記金属膜が、チタンまたはその合金で構成さ
れていることを特徴とするものである。
【００１０】請求項４記載の多層アルミニウム配線の形
成方法は、請求項１記載の多層アルミニウム配線の形成
方法で、前記金属膜が、モリブデンまたはその合金で構
成されていることを特徴とするものである。
成方法は、請求項１記載の多層アルミニウム配線の形成
方法で、前記金属膜が、モリブデンまたはその合金で構
成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】請求項１乃至請求項４記載の多層アルミニウム
配線の形成方法は、１層目のアルミニウム配線と２層目
のアルミニウム配線間に形成されるスルーホール（開孔
部）の内側面を、アルミニウムより耐腐食性に優れた金
属材料で覆った後、スルーホール内にアルミニウム層
（アルミニウム合金層を含む）を形成することを特徴と
するものである。このように構成することにより、塗布
ガラス膜から残留ガスまたは水分が発生しても、スルー
ホール内のアルミニウム層（アルミニウム合金層を含
む）は、耐腐食性に優れた金属膜で側面を覆われている
ので腐食されることがない。
配線の形成方法は、１層目のアルミニウム配線と２層目
のアルミニウム配線間に形成されるスルーホール（開孔
部）の内側面を、アルミニウムより耐腐食性に優れた金
属材料で覆った後、スルーホール内にアルミニウム層
（アルミニウム合金層を含む）を形成することを特徴と
するものである。このように構成することにより、塗布
ガラス膜から残留ガスまたは水分が発生しても、スルー
ホール内のアルミニウム層（アルミニウム合金層を含
む）は、耐腐食性に優れた金属膜で側面を覆われている
ので腐食されることがない。
【００１２】
【実施例】図１に基づいて本発明の多層アルミニウム配
線の形成方法の一実施例について説明する。図１は２層
アルミニウム配線の製造工程を示す断面図である。但
し、図２に示した構成と同等構成については同符号を付
すこととする。まず、（ａ）に示すように、半導体基板
等（図示省略）の表面に形成した絶縁膜１上に１層目の
アルミニウム配線２を形成し、さらに絶縁膜１上にＣＶ
Ｄ法により、第１酸化膜である酸化膜３を形成する。
線の形成方法の一実施例について説明する。図１は２層
アルミニウム配線の製造工程を示す断面図である。但
し、図２に示した構成と同等構成については同符号を付
すこととする。まず、（ａ）に示すように、半導体基板
等（図示省略）の表面に形成した絶縁膜１上に１層目の
アルミニウム配線２を形成し、さらに絶縁膜１上にＣＶ
Ｄ法により、第１酸化膜である酸化膜３を形成する。
【００１３】次に、（ｂ）に示すように、酸化膜３上
に、表面の平坦化のために塗布ガラス膜４を形成し、
（ｃ）に示すように、塗布ガラス膜４上に、第２酸化膜
である酸化膜５をＣＶＤ法で形成し、（ｄ）に示すよう
に、酸化膜５上にレジスト６を塗布した後、露光・現像
工程により、１層目のアルミニウム配線２と、２層目の
アルミニウム配線との導通部を形成する箇所のレジスト
６を除去する。
に、表面の平坦化のために塗布ガラス膜４を形成し、
（ｃ）に示すように、塗布ガラス膜４上に、第２酸化膜
である酸化膜５をＣＶＤ法で形成し、（ｄ）に示すよう
に、酸化膜５上にレジスト６を塗布した後、露光・現像
工程により、１層目のアルミニウム配線２と、２層目の
アルミニウム配線との導通部を形成する箇所のレジスト
６を除去する。
【００１４】続いて、レジスト６をマスクとして、酸化
膜５、塗布ガラス膜４、酸化膜３の順にエッチングを行
い、（ｅ）に示すように、酸化膜５及び塗布ガラス膜４
及び酸化膜３を貫通し１層目のアルミニウム配線２に達
するスルーホール７（開孔部）を形成しレジスト６を除
去する。
膜５、塗布ガラス膜４、酸化膜３の順にエッチングを行
い、（ｅ）に示すように、酸化膜５及び塗布ガラス膜４
及び酸化膜３を貫通し１層目のアルミニウム配線２に達
するスルーホール７（開孔部）を形成しレジスト６を除
去する。
【００１５】次に、（ｆ）に示すように、配線材料であ
るアルミニウム（アルミニウム合金を含む）と比較して
耐腐食性に優れる金属膜９（タングステンまたはその合
金、チタンまたはその合金、モリブデンまたはその合金
等で構成される金属膜）を、酸化膜５の表面及びスルー
ホール７の内面上に形成した後、（ｇ）に示すように、
スルーホール７の内側面上の金属膜９以外の金属膜９
を、異方性の強いドライエッチングにより除去し、スル
ーホール７の内側面上に金属膜９のサイドウォールを残
す。最後に、（ｈ）に示すように、表面に２層目のアル
ミニウム配線となるアルミニウム層８を、酸化膜５の表
面及びスルーホール７の内部にスパッタ法により形成す
る。
るアルミニウム（アルミニウム合金を含む）と比較して
耐腐食性に優れる金属膜９（タングステンまたはその合
金、チタンまたはその合金、モリブデンまたはその合金
等で構成される金属膜）を、酸化膜５の表面及びスルー
ホール７の内面上に形成した後、（ｇ）に示すように、
スルーホール７の内側面上の金属膜９以外の金属膜９
を、異方性の強いドライエッチングにより除去し、スル
ーホール７の内側面上に金属膜９のサイドウォールを残
す。最後に、（ｈ）に示すように、表面に２層目のアル
ミニウム配線となるアルミニウム層８を、酸化膜５の表
面及びスルーホール７の内部にスパッタ法により形成す
る。
【００１６】なお、アルミニウム（アルミニウム合金を
含む）と比較して耐腐食性に優れる金属膜は実施例に限
定されるものではない。また、実施例では、アルミニウ
ム配線は２層に形成させているとして説明したが実施例
に限定されない。
含む）と比較して耐腐食性に優れる金属膜は実施例に限
定されるものではない。また、実施例では、アルミニウ
ム配線は２層に形成させているとして説明したが実施例
に限定されない。
【００１７】
【発明の効果】請求項１乃至請求項４記載の多層アルミ
ニウム配線の形成方法によれば、塗布ガラス膜を用いて
層間絶縁膜の平坦化を図る多層配線の製造プロセスにお
いて、隣接するアルミニウム配線間に形成されたスルー
ホール内のアルミニウム層が耐腐食性に優れた金属膜で
保護されるので、塗布ガラス膜中の、残留ガスまたは水
分による、スルーホール内のアルミニウム層の腐食また
はその腐食による断線を防止することができる。
ニウム配線の形成方法によれば、塗布ガラス膜を用いて
層間絶縁膜の平坦化を図る多層配線の製造プロセスにお
いて、隣接するアルミニウム配線間に形成されたスルー
ホール内のアルミニウム層が耐腐食性に優れた金属膜で
保護されるので、塗布ガラス膜中の、残留ガスまたは水
分による、スルーホール内のアルミニウム層の腐食また
はその腐食による断線を防止することができる。
【図１】本発明の多層アルミニウム配線の形成方法の一
実施例を示す断面図である。
実施例を示す断面図である。
【図２】従来の多層アルミニウム配線の形成方法の一例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１ 絶縁膜 ２ アルミニウム配線 ３ 酸化膜（第１酸化膜） ４ 塗布ガラス膜 ５ 酸化膜（第２酸化膜） ７ スルーホール（開孔部） ８ アルミニウム層 ９ 金属膜
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁膜上にアルミニウム配線を形成する
工程と、前記アルミニウム配線を形成した後に、表面に
第１酸化膜を形成する工程と、前記第１酸化膜上に塗布
ガラス膜を形成する工程と、その塗布ガラス膜上に第２
酸化膜を形成する工程と、その第２酸化膜及び前記塗布
ガラス膜及び前記第１酸化膜を貫通し、前記アルミニウ
ム配線に達する開孔部を形成する工程と、前記第２酸化
膜の表面及び前記開孔部の内面上に、アルミニウムより
耐腐食性において優れる金属膜を形成する工程と、異方
性エッチングにより前記開孔部の内側面上の前記金属膜
以外の前記金属膜を除去する工程と、前記第２酸化膜の
表面及び前記開孔部の内部にアルミニウム層をスパッタ
法により形成する工程とを備えたことを特徴とする多層
アルミニウム配線の形成方法。 - 【請求項２】 前記金属膜が、タングステンまたはその
合金で構成されていることを特徴とする請求項１記載の
多層アルミニウム配線の形成方法。 - 【請求項３】 前記金属膜が、チタンまたはその合金で
構成されていることを特徴とする請求項１記載の多層ア
ルミニウム配線の形成方法。 - 【請求項４】 前記金属膜が、モリブデンまたはその合
金で構成されていることを特徴とする請求項１記載の多
層アルミニウム配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7108995A JPH08274092A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 多層アルミニウム配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7108995A JPH08274092A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 多層アルミニウム配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274092A true JPH08274092A (ja) | 1996-10-18 |
Family
ID=13450468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7108995A Withdrawn JPH08274092A (ja) | 1995-03-29 | 1995-03-29 | 多層アルミニウム配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08274092A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100241529B1 (ko) * | 1996-12-12 | 2000-02-01 | 김영환 | 플라즈마를 이용한 반도체 소자의 금속배선 부식방지방법 |
-
1995
- 1995-03-29 JP JP7108995A patent/JPH08274092A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100241529B1 (ko) * | 1996-12-12 | 2000-02-01 | 김영환 | 플라즈마를 이용한 반도체 소자의 금속배선 부식방지방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020604 |