JPH0828627B2 - 増幅回路 - Google Patents
増幅回路Info
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- JPH0828627B2 JPH0828627B2 JP61182349A JP18234986A JPH0828627B2 JP H0828627 B2 JPH0828627 B2 JP H0828627B2 JP 61182349 A JP61182349 A JP 61182349A JP 18234986 A JP18234986 A JP 18234986A JP H0828627 B2 JPH0828627 B2 JP H0828627B2
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- transistors
- transistor
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- gain
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は増幅回路に関する。
〔発明の概要〕 この発明は、トランジスタの対数特性を用いた線形回
路において、所定の電流源を設けることにより、電流増
幅率が小さくても利得が低下しないようにしたものであ
る。
路において、所定の電流源を設けることにより、電流増
幅率が小さくても利得が低下しないようにしたものであ
る。
利得制御回路や乗算回路などに好適な増幅回路として
「特公昭48−20932号公報」に示されているものがあ
る。これは、トランジスタの対数特性を用いた線形回路
であるが、例えば第4図のように構成される。
「特公昭48−20932号公報」に示されているものがあ
る。これは、トランジスタの対数特性を用いた線形回路
であるが、例えば第4図のように構成される。
すなわち、同図において、トランジスタQ5,Q6と接地
との間に定電流源Q11,Q12が接続されるとともに、その
エミッタ間に抵抗器R1が接続されて差動アンプ(1)が
構成され、トランジスタQ5,Q6のベースが入力端子T1,
T2に接続される。また、所定の電位点、例えば電源端子
T5とトランジスタQ5,Q6のコレクタとの間に、ダイオー
ド接続されたトランジスタQ1,Q2のベース・エミッタ間
が接続される。
との間に定電流源Q11,Q12が接続されるとともに、その
エミッタ間に抵抗器R1が接続されて差動アンプ(1)が
構成され、トランジスタQ5,Q6のベースが入力端子T1,
T2に接続される。また、所定の電位点、例えば電源端子
T5とトランジスタQ5,Q6のコレクタとの間に、ダイオー
ド接続されたトランジスタQ1,Q2のベース・エミッタ間
が接続される。
さらに、トランジスタQ3,Q4のエミッタが互いに接続
されるとともに、そのエミッタと接地との間に、定電流
源Q13が接続されて差動アンプ(2)が構成され、その
ベースがトランジスタQ2,Q1のエミッタに接続され、ト
ランジスタQ3,Q4のコレクタが出力端子T3,T4に接続さ
れる。
されるとともに、そのエミッタと接地との間に、定電流
源Q13が接続されて差動アンプ(2)が構成され、その
ベースがトランジスタQ2,Q1のエミッタに接続され、ト
ランジスタQ3,Q4のコレクタが出力端子T3,T4に接続さ
れる。
なお、定電流源Q11,Q12には定電流I1が流れ、定電流
源Q13には定電流2I2が流れるものとする。
源Q13には定電流2I2が流れるものとする。
すると、PN接合について一般に、 IF=IS・exp(VF/VT) IF:PN接合の順方向電流 IS:PN接合の逆方向飽和電流 VF:PN接合の順方向電圧 VT:KT/q であるから、トランジスタQj(j=1〜4)について VBE1=VTln((I1+i1+iB4)/IS) VBE2=VTln((I1−i1+iB3)/IS) VBE3=VTln((I2+i2)/IS) VBE4=VTln((I2−i2)/IS) ……(i) VBEj:トランジスタQjのベース・エミッタ間電圧 i1 :入力信号電流(交流分) i2 :出力信号電流(交流分) iB3,iB4:トランジスタQ3,Q4のベース電流 が成立する。また、 VBE1−VBE2=VBE3−VBE4 ……(ii) も成立する。
したがって、(i),(ii)式から が得られる。
そして、ここで、 iB3=(I2+i2)/(1+β) iB4=(I2−i2)/(1+β) ……(iv) β:トランジスタQ3,Q4の電流増幅率 であるから、(iii),(iv)式から となる。
そして、今、電流増幅率βが十分に大きいとすれば、
(v)式は、 i2=i1・I2/I1 ……(vi) となり、 i2/i1=I2/I1 ……(vii) となる。
(v)式は、 i2=i1・I2/I1 ……(vi) となり、 i2/i1=I2/I1 ……(vii) となる。
したがって、この回路は、電流利得Ai=i2/i1が(vi
i)式で示される電流アンプとして働く。
i)式で示される電流アンプとして働く。
そして、このとき、例えば電流2I2を制御すれば、電
流利得Aiを制御でき、あるいは電流2I2が別の入力電流
であれば、電流i2が電流i1と電流I2との乗算出力とな
る。
流利得Aiを制御でき、あるいは電流2I2が別の入力電流
であれば、電流i2が電流i1と電流I2との乗算出力とな
る。
また、トランジスタQ3,Q4の負荷抵抗を値R2とすれ
ば、この回路は、電圧利得が(2R2I2)/(R1I1)の電
圧アンプとして働く。
ば、この回路は、電圧利得が(2R2I2)/(R1I1)の電
圧アンプとして働く。
ところで、上述の回路をICで構成した場合には、一般
にトランジスタQ3,Q4の電流増幅率βが小さくなるの
で、(vi)式は成立せず、電流利得Aiは、(v)式か
ら、 となり、電流利得Aiが低下してしまう。しかも、電流増
幅率βは温度依存性があり、温度が低くなると下がる傾
向があるので、なおさら電流利得Aiは低下してしまう。
また、温度変化に対する電流利得Aiの変化が顕著になっ
てしまう。
にトランジスタQ3,Q4の電流増幅率βが小さくなるの
で、(vi)式は成立せず、電流利得Aiは、(v)式か
ら、 となり、電流利得Aiが低下してしまう。しかも、電流増
幅率βは温度依存性があり、温度が低くなると下がる傾
向があるので、なおさら電流利得Aiは低下してしまう。
また、温度変化に対する電流利得Aiの変化が顕著になっ
てしまう。
この発明は、このような問題点を解決しようとするも
のである。
のである。
今、(viii)式について考えると、その分母の第2項
である2I2/(1+β)は、トランジスタQ3,Q4の各ベ
ースに流れる直流電流の2倍である。
である2I2/(1+β)は、トランジスタQ3,Q4の各ベ
ースに流れる直流電流の2倍である。
したがって、このベース電流の2倍に相当する電流
を、外部から注入すれば、電流増幅率βにかかわらず
(vii)式が成立することになる。
を、外部から注入すれば、電流増幅率βにかかわらず
(vii)式が成立することになる。
すなわち、例えば第3図に示すように、トランジスタ
Q3,Q4のベースに吐き出し型の定電流源Q21,Q22を接続
し、これから定電流I3を出力したとすると、 VBE1=VTln((I1+i1−I3+(I2−i2)/(1+β))
/IS) VBE2=VTln((I1−i1−I3+(I2+i2)/(1+β))
/IS) VBE3=VTln((I2+i2)/IS) VBE4=VTln((I2−i2)/IS) ……(ix) が成立する。
Q3,Q4のベースに吐き出し型の定電流源Q21,Q22を接続
し、これから定電流I3を出力したとすると、 VBE1=VTln((I1+i1−I3+(I2−i2)/(1+β))
/IS) VBE2=VTln((I1−i1−I3+(I2+i2)/(1+β))
/IS) VBE3=VTln((I2+i2)/IS) VBE4=VTln((I2−i2)/IS) ……(ix) が成立する。
したがって、(viii),(vii)式から となるので、 I3=2I2/(1+β) ……(xi) であれば、(x)式は(vi)式に一致し、したがって、
(vii)式で示すように電流増幅率βにかかわらず所定
の電流利得Aiを得ることができる。
(vii)式で示すように電流増幅率βにかかわらず所定
の電流利得Aiを得ることができる。
そして、(xi)式で示される電流I3は、トランジスタ
Q3,Q4の各ベース電流(直流分)の2倍である。
Q3,Q4の各ベース電流(直流分)の2倍である。
この発明は、以上のような点に着目したものである。
トランジスタQ3,Q4のベース電流がキャンセルされて
(vii)式が成立する。
(vii)式が成立する。
第1図において、定電流源Q11,Q12がエミッタ接地の
トランジスタQ11,Q12により構成されるとともに、これ
らトランジスタQ11,Q12とトランジスタQ14とにより接
地を基準電位点とし、かつ、トランジスタQ14を入力側
としてカレントミラー回路(11)が構成され、抵抗器R
11により定電流I1が設定される。
トランジスタQ11,Q12により構成されるとともに、これ
らトランジスタQ11,Q12とトランジスタQ14とにより接
地を基準電位点とし、かつ、トランジスタQ14を入力側
としてカレントミラー回路(11)が構成され、抵抗器R
11により定電流I1が設定される。
また、定電流源Q13がエミッタ接地のトランジスタQ
131,Q132により構成されるとともに、これらトランジ
スタQ131,Q132とトランジスタQ15とにより接地を基準
電位点とし、かつ、トランジスタQ15を入力側としてカ
レントミラー回路(12)が構成され、抵抗器R12により
定電流2I2が設定される。
131,Q132により構成されるとともに、これらトランジ
スタQ131,Q132とトランジスタQ15とにより接地を基準
電位点とし、かつ、トランジスタQ15を入力側としてカ
レントミラー回路(12)が構成され、抵抗器R12により
定電流2I2が設定される。
さらに、定電流源Q21,Q22としてトランジスタQ21,Q
22が設けられ、それらのコレクタがトランジスタQ3,Q4
のベースに接続されるとともに、これらトランジスタQ
21,Q22とトランジスタQ23とにより端子T5の電位を基準
電位点とし、かつ、トランジスタQ23を入力側としてカ
レントミラー回路(13)が構成される。
22が設けられ、それらのコレクタがトランジスタQ3,Q4
のベースに接続されるとともに、これらトランジスタQ
21,Q22とトランジスタQ23とにより端子T5の電位を基準
電位点とし、かつ、トランジスタQ23を入力側としてカ
レントミラー回路(13)が構成される。
そして、トランジスタQ23のコレクタがトランジスタQ
24のベースに接続され、トランジスタQ24のコレクタが
端子T5に接続されるととも、そのエミッタがトランジス
タQ25,Q26のコレクタに接続される。このトランジスタ
Q25,Q26もトランジスタQ131,Q132と同様にトランジス
タQ15を入力側とし、かつ、接地を基準電位点としてカ
レントミラー回路(12)を構成しているものである。
24のベースに接続され、トランジスタQ24のコレクタが
端子T5に接続されるととも、そのエミッタがトランジス
タQ25,Q26のコレクタに接続される。このトランジスタ
Q25,Q26もトランジスタQ131,Q132と同様にトランジス
タQ15を入力側とし、かつ、接地を基準電位点としてカ
レントミラー回路(12)を構成しているものである。
なお、トランジスタQ24の電流増幅率βは、トランジ
スタQ3,Q4の電流増幅率βに等しくされる。
スタQ3,Q4の電流増幅率βに等しくされる。
このような構成によれば、トランジスタQ25,Q26のコ
レクタ電流の和は、トランジスタQ131,Q132のコレクタ
電流の和に等しくなり、2I2となる。したがって、トラ
ンジスタQ24のエミッタ電流が2I2となるので、このトラ
ンジスタQ24のベース電流IBは、 IB=2I2/(1+β) ……(xii) となる。
レクタ電流の和は、トランジスタQ131,Q132のコレクタ
電流の和に等しくなり、2I2となる。したがって、トラ
ンジスタQ24のエミッタ電流が2I2となるので、このトラ
ンジスタQ24のベース電流IBは、 IB=2I2/(1+β) ……(xii) となる。
そして、トランジスタQ24のベース電流は、カレント
ミラー回路(13)の入力側のトランジスタQ23を流れる
ので、トランジスタQ21,Q22のコレクタ電流I3は、(xi
i)式から I3=2I2/(1+β) ……(xiii) となる。
ミラー回路(13)の入力側のトランジスタQ23を流れる
ので、トランジスタQ21,Q22のコレクタ電流I3は、(xi
i)式から I3=2I2/(1+β) ……(xiii) となる。
そして、この(xiii)式は、(xii)式にほかならな
いので、トランジスタQ3,Q4,Q24の電流増幅率βにか
かわらず、(x)式は(vi)式に一致し、したがって、
電流増幅率βにかかわらず、(vii)式が成立する。
いので、トランジスタQ3,Q4,Q24の電流増幅率βにか
かわらず、(x)式は(vi)式に一致し、したがって、
電流増幅率βにかかわらず、(vii)式が成立する。
こうして、この発明によれば、トランジスタQ3,Q4の
電流増幅率βにかかわらず、 Ai=I2/I1 で示される一定の電流利得Aiを得ることができる。
電流増幅率βにかかわらず、 Ai=I2/I1 で示される一定の電流利得Aiを得ることができる。
したがって、この回路をIC化した場合でも、あるいは
さらに電流増幅率βに温度依存性があっても所定値の安
定な電流利得Aiを得ることができる。
さらに電流増幅率βに温度依存性があっても所定値の安
定な電流利得Aiを得ることができる。
第2図に示す例においては、2つの入力信号を加算し
た出力が得られるようにした場合である。
た出力が得られるようにした場合である。
すなわち、トランジスタQ7,Q8、定電流源Q31,Q32及
び抵抗器R3により差動アンプ(3)が構成され、トラン
ジスタQ7,Q8のベースが別の入力端子T7,T8に接続さ
れ、そのコレクタがトランジスタQ4,Q3のベースに接続
される。
び抵抗器R3により差動アンプ(3)が構成され、トラン
ジスタQ7,Q8のベースが別の入力端子T7,T8に接続さ
れ、そのコレクタがトランジスタQ4,Q3のベースに接続
される。
また、トランジスタQ41,Q42により、トランジスタQ
43を入力側、トランジスタQ41,Q42を出力側、トランジ
スタQ44をバッファとし、かつ、端子T5の電位を基準電
位点としてカレントミラー回路(14)が構成され、トラ
ンジスタQ41,Q42のコレクタがトランジスタQ3,Q4のベ
ースに接続される。さらに、トランジスタQ43のコレク
タが定電流源Q45及びトランジスタQ47のベースに接続さ
れるとともに、トランジスタQ47のコレクタが端子T5に
接続され、そのエミッタが定電流源Q46に接続される。
43を入力側、トランジスタQ41,Q42を出力側、トランジ
スタQ44をバッファとし、かつ、端子T5の電位を基準電
位点としてカレントミラー回路(14)が構成され、トラ
ンジスタQ41,Q42のコレクタがトランジスタQ3,Q4のベ
ースに接続される。さらに、トランジスタQ43のコレク
タが定電流源Q45及びトランジスタQ47のベースに接続さ
れるとともに、トランジスタQ47のコレクタが端子T5に
接続され、そのエミッタが定電流源Q46に接続される。
したがって、トランジスタQ1,Q2には、端子T1,T2の
入力信号による信号電流と、端子T7,T8の入力信号によ
る信号電流との和の信号電流が流れるので、端子T3,T4
にはその和の信号電流の増幅出力が取り出される。
入力信号による信号電流と、端子T7,T8の入力信号によ
る信号電流との和の信号電流が流れるので、端子T3,T4
にはその和の信号電流の増幅出力が取り出される。
そして、この場合、 とすれば、 VBE1=VTln((I1+I4−I5+i1−I6/(1+β)+(I2
−i2)/(1+β))/IS) VBE2=VTln((I1+I4−I5−i1−I6/(1+β)+(I2
+i2)/(1+β)))/IS) VBE3=VTln((I2+i2)/IS) VBE4=VTln((I2−i2)/IS) ……(xiv) である。
−i2)/(1+β))/IS) VBE2=VTln((I1+I4−I5−i1−I6/(1+β)+(I2
+i2)/(1+β)))/IS) VBE3=VTln((I2+i2)/IS) VBE4=VTln((I2−i2)/IS) ……(xiv) である。
したがって、この(xiv)式と(ii)式とから となるので、これを変形して、 となる。
したがって、この(xiv)式において I6=2I2 ……(xvii) であれば、電流利得Aiは(xvi)式から Ai=i2/i1 =I2/(I1+I4−I5) となる。
そして、(xvii)式が成立するには、定電流源Q46,Q
13を例えば第1図のカレントミラー回路のように構成す
ればよい。
13を例えば第1図のカレントミラー回路のように構成す
ればよい。
また、端子T7,T8の入力信号についても同様となる。
したがって、この場合にも、トランジスタQ3,Q4の電
流増幅率βにかかわらず所定値の安定な電流利得Aiを得
ることができるとともに、2つの入力信号の加算信号を
得ることができる。
流増幅率βにかかわらず所定値の安定な電流利得Aiを得
ることができるとともに、2つの入力信号の加算信号を
得ることができる。
この発明によれば、トランジスタQ3,Q4の電流増幅率
βにかかわらず、 Ai=I2/I1 で示される一定の電流利得Aiを得ることができる。
βにかかわらず、 Ai=I2/I1 で示される一定の電流利得Aiを得ることができる。
したがって、この回路をIC化した場合でも、あるいは
さらに電流増幅率βに温度依存性があっても所定値の安
定な電流利得Aiを得ることができる。
さらに電流増幅率βに温度依存性があっても所定値の安
定な電流利得Aiを得ることができる。
第1図、第2図はこの発明の一例の接続図、第3図、第
4図はその説明のための図である。 (1)〜(3)は差動アンプ、(11)〜(14)はカレン
トミラー回路である。
4図はその説明のための図である。 (1)〜(3)は差動アンプ、(11)〜(14)はカレン
トミラー回路である。
Claims (1)
- 【請求項1】1対のダイオードが、差動アンプを構成す
る1対のトランジスタのベースに接続され、 上記1対のダイオードに差動の入力電流が供給されて上
記差動アンプから上記入力電流の増幅出力が取り出され
るとともに、 上記1対のトランジスタのベースに1対の電流源が接続
され、 この1対の電流源の各電流が、上記1対のトランジスタ
の各ベース電流の2倍に実質的に等しくなるように選定
された増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182349A JPH0828627B2 (ja) | 1986-08-02 | 1986-08-02 | 増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182349A JPH0828627B2 (ja) | 1986-08-02 | 1986-08-02 | 増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6338313A JPS6338313A (ja) | 1988-02-18 |
| JPH0828627B2 true JPH0828627B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=16116757
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61182349A Expired - Lifetime JPH0828627B2 (ja) | 1986-08-02 | 1986-08-02 | 増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828627B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE58909170D1 (de) * | 1989-12-01 | 1995-05-11 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Transkonduktanzverstärker. |
| JPH0474927A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-10 | Tokimec Inc | ジャイロ装置 |
| CN103493366B (zh) * | 2011-04-25 | 2016-08-24 | 西铁城控股株式会社 | 模拟乘法电路、可变增益放大器、检波电路和物理量传感器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745706A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | Comparison circuit |
-
1986
- 1986-08-02 JP JP61182349A patent/JPH0828627B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6338313A (ja) | 1988-02-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |