JPH08304108A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
- Publication number
- JPH08304108A JPH08304108A JP7138915A JP13891595A JPH08304108A JP H08304108 A JPH08304108 A JP H08304108A JP 7138915 A JP7138915 A JP 7138915A JP 13891595 A JP13891595 A JP 13891595A JP H08304108 A JPH08304108 A JP H08304108A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- magnetic sensor
- thermal conductivity
- magnetic
- layer
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
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Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、熱伝導率の高い基板を用
い、磁気抵抗効果素子の自己発熱による温度変化による
電気抵抗変化をおさえる磁気センサを得るにある。 【構成】 基板として熱伝導率の大きいセラミックス基
板を用い、このセラミックス基板上に磁気抵抗効果素子
を形成した磁気センサ。上記セラミックス基板上にガラ
ス層を成膜し、このガラス層上に磁気抵抗効果素子を形
成した磁気センサ。
い、磁気抵抗効果素子の自己発熱による温度変化による
電気抵抗変化をおさえる磁気センサを得るにある。 【構成】 基板として熱伝導率の大きいセラミックス基
板を用い、このセラミックス基板上に磁気抵抗効果素子
を形成した磁気センサ。上記セラミックス基板上にガラ
ス層を成膜し、このガラス層上に磁気抵抗効果素子を形
成した磁気センサ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気センサ、特に、その
表面に設けた磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）
の抵抗変化を電気信号に変換し、回転体の速度、位置を
検出する磁気エンコーダ用磁気センサに関するものであ
る。
表面に設けた磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子という）
の抵抗変化を電気信号に変換し、回転体の速度、位置を
検出する磁気エンコーダ用磁気センサに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図３は磁気エンコーダを示し、１は磁気
ドラム、２はこの磁気ドラム１上に記録した一定記録波
長の信号である磁気情報、３は回転軸、４は上記磁気ド
ラム１と一定の間隙を介して対向配置されている磁気セ
ンサである。
ドラム、２はこの磁気ドラム１上に記録した一定記録波
長の信号である磁気情報、３は回転軸、４は上記磁気ド
ラム１と一定の間隙を介して対向配置されている磁気セ
ンサである。
【０００３】図４及び図５は従来の磁気エンコーダ用磁
気センサ４を示し、５は非磁性体の絶縁基板、例えばガ
ラス基板、６はこのガラス基板５上に形成した厚さ２０
０〜５００ÅのＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ等の強磁性薄膜の異
方性ＭＲ素子、６´は上記ＭＲ素子６に連なる幅の広い
電流通路、７は上記ＭＲ素子６を保護するための保護
膜、８は端子部であって、上記従来の磁気センサ４にお
いては、上記ＭＲ素子６からフルブリッジ２相出力を得
るようにしている。
気センサ４を示し、５は非磁性体の絶縁基板、例えばガ
ラス基板、６はこのガラス基板５上に形成した厚さ２０
０〜５００ÅのＮｉＦｅ，ＮｉＣｏ等の強磁性薄膜の異
方性ＭＲ素子、６´は上記ＭＲ素子６に連なる幅の広い
電流通路、７は上記ＭＲ素子６を保護するための保護
膜、８は端子部であって、上記従来の磁気センサ４にお
いては、上記ＭＲ素子６からフルブリッジ２相出力を得
るようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】然しながら、上記ＭＲ
素子センサの感磁部のパターンピッチが非常に狭い場合
には隣接するＭＲ素子間で各々自己発熱するが、基板で
あるガラスは熱伝導率が小さいため、ガラス基板を介し
ての熱放散が少なく、温度上昇により電気抵抗が変化
し、中点電圧変動を引き起こすという欠点があった。
素子センサの感磁部のパターンピッチが非常に狭い場合
には隣接するＭＲ素子間で各々自己発熱するが、基板で
あるガラスは熱伝導率が小さいため、ガラス基板を介し
ての熱放散が少なく、温度上昇により電気抵抗が変化
し、中点電圧変動を引き起こすという欠点があった。
【０００５】かかる温度変化を防止すべくセンサパター
ン上にダミーの発熱抵抗体を設け、温度変化をキャンセ
ルする方法もあるがこの方法でも充分ではなかった。
ン上にダミーの発熱抵抗体を設け、温度変化をキャンセ
ルする方法もあるがこの方法でも充分ではなかった。
【０００６】本発明は上記の欠点を除くようにしたもの
である。
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気センサは、
熱伝導率の大きいセラミックス基板と、このセラミック
ス基板上に形成された磁気抵抗効果素子とより成る。
熱伝導率の大きいセラミックス基板と、このセラミック
ス基板上に形成された磁気抵抗効果素子とより成る。
【０００８】また、本発明の磁気センサは、熱伝導率の
大きいセラミックス基板と、このセラミックス基板上に
形成されたガラス層と、このガラス層上に形成された磁
気抵抗効果素子とより成る。
大きいセラミックス基板と、このセラミックス基板上に
形成されたガラス層と、このガラス層上に形成された磁
気抵抗効果素子とより成る。
【０００９】
【実施例】以下図面によって本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１０】本発明の磁気センサにおいては、図１及び
図２に示すように、熱伝導率の小さいガラス基板５の代
わりに熱伝導率の大きいセラミックス基板９を用いる。
図２に示すように、熱伝導率の小さいガラス基板５の代
わりに熱伝導率の大きいセラミックス基板９を用いる。
【００１１】また、ＭＲ素子６のための磁性膜の成膜を
容易にするために、一般に凹凸のあるセラミックス基板
９の表面を平滑にする目的で上記セラミックス基板９上
に薄いガラス層１０を形成し、その上にＭＲ素子６のセ
ンサパターンを形成する。
容易にするために、一般に凹凸のあるセラミックス基板
９の表面を平滑にする目的で上記セラミックス基板９上
に薄いガラス層１０を形成し、その上にＭＲ素子６のセ
ンサパターンを形成する。
【００１２】本発明の磁気センサは上記のような構成で
あるから、各ＭＲ素子同士の自己発熱が生じても熱は薄
いガラス層１０を伝わり、セラミックス基板９を介して
良好に放熱されるため、中点電圧変動の少ない設計値通
りの磁気センサとなし得る。
あるから、各ＭＲ素子同士の自己発熱が生じても熱は薄
いガラス層１０を伝わり、セラミックス基板９を介して
良好に放熱されるため、中点電圧変動の少ない設計値通
りの磁気センサとなし得る。
【００１３】なお、上記実施例では２相出力を得るパタ
ーン配置について述べたが、ピッチ、パターン配置、出
力相数を問わず同様の作用効果が得られる。
ーン配置について述べたが、ピッチ、パターン配置、出
力相数を問わず同様の作用効果が得られる。
【００１４】
【発明の効果】上記のように本発明の磁気センサによれ
ば、熱的悪影響を防止でき、良好な中点電圧が得られる
という大きな利益がある。
ば、熱的悪影響を防止でき、良好な中点電圧が得られる
という大きな利益がある。
【図１】本発明の磁気センサの正面図である。
【図２】図１に示す磁気センサのＢ−Ｂ線拡大断面図で
ある。
ある。
【図３】磁気エンコーダの説明用斜視図である。
【図４】従来の磁気センサの正面図である。
【図５】図４に示す磁気センサのＡ−Ａ線拡大断面図で
ある。
ある。
１ 磁気ドラム ２ 磁気情報 ３ 回転軸 ４ 磁気センサ ５ ガラス基板 ６ 異方性ＭＲ素子 ６´ 電流通路 ７ 保護膜 ８ 端子部 ９ セラミックス基板 １０ ガラス層
Claims (2)
- 【請求項１】 熱伝導率の大きいセラミックス基板と、
このセラミックス基板上に形成された磁気抵抗効果素子
とより成ることを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項２】 熱伝導率の大きいセラミックス基板と、
このセラミックス基板上に形成されたガラス層と、この
ガラス層上に形成された磁気抵抗効果素子とより成るこ
とを特徴とする磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7138915A JPH08304108A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7138915A JPH08304108A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304108A true JPH08304108A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=15233123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7138915A Pending JPH08304108A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08304108A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9234738B2 (en) | 2010-11-18 | 2016-01-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Rotation-angle detection device |
-
1995
- 1995-05-15 JP JP7138915A patent/JPH08304108A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9234738B2 (en) | 2010-11-18 | 2016-01-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Rotation-angle detection device |
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