JPH0831203B2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPH0831203B2 JPH0831203B2 JP62131469A JP13146987A JPH0831203B2 JP H0831203 B2 JPH0831203 B2 JP H0831203B2 JP 62131469 A JP62131469 A JP 62131469A JP 13146987 A JP13146987 A JP 13146987A JP H0831203 B2 JPH0831203 B2 JP H0831203B2
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- glass
- magnetic
- film
- glass material
- sio
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ヘツドに係り、特に磁性膜としてのアモ
ルフアス磁性材と共に用いて好適なガラス材を具備した
磁気ヘツドに関する。
ルフアス磁性材と共に用いて好適なガラス材を具備した
磁気ヘツドに関する。
磁気記録の高密度化に伴ない、高飽和磁束密度のアモ
ルフアス磁性材を磁性膜に用いた磁気ヘツドが開発され
ている。
ルフアス磁性材を磁性膜に用いた磁気ヘツドが開発され
ている。
従来のこの種の磁気ヘツドについては、特開昭56−16
9214号公報あるいは実開昭61−45716号公報などに述べ
られているが、磁気テープとの摺動面に形成されるガラ
ス材の特性については、ふれられておらず、又、耐摩耗
性等についてはセラミツクス等のバルク材を低融点ガラ
スで接着にてはめ込んでいる。
9214号公報あるいは実開昭61−45716号公報などに述べ
られているが、磁気テープとの摺動面に形成されるガラ
ス材の特性については、ふれられておらず、又、耐摩耗
性等についてはセラミツクス等のバルク材を低融点ガラ
スで接着にてはめ込んでいる。
上記従来技術において、低融点ガラスを用いて、耐摩
耗性のよいセラミツクスなどを埋め込み接着するもので
は、その低融点ガラスについては詳しく述べられておら
ず、セラミツクスと接着に用いているガラス層との境に
ついても詳しく述べられていない。又、接着の際、磁性
体としてのアモルフアス磁性材が接着剤としてのガラス
材によりどのように特性が劣化するか、また、該ガラス
材とギヤツプ材との間のガラス化反応や該ガラス材がト
ラック幅を形成しているアモルファス磁性材と反応し、
該アモルファス磁性材の特性劣化を引き起こし、実質的
なトラック幅を減少させるという問題について検討され
ていない。特に、トラック幅の減少については、磁気ヘ
ッドにおいて重大な問題であり、ヘッド製造プロセスに
おいて歩留まりに大きな影響を与えている。
耗性のよいセラミツクスなどを埋め込み接着するもので
は、その低融点ガラスについては詳しく述べられておら
ず、セラミツクスと接着に用いているガラス層との境に
ついても詳しく述べられていない。又、接着の際、磁性
体としてのアモルフアス磁性材が接着剤としてのガラス
材によりどのように特性が劣化するか、また、該ガラス
材とギヤツプ材との間のガラス化反応や該ガラス材がト
ラック幅を形成しているアモルファス磁性材と反応し、
該アモルファス磁性材の特性劣化を引き起こし、実質的
なトラック幅を減少させるという問題について検討され
ていない。特に、トラック幅の減少については、磁気ヘ
ッドにおいて重大な問題であり、ヘッド製造プロセスに
おいて歩留まりに大きな影響を与えている。
本発明は、アモルファス磁性材を用いた磁気ヘッドの
切り欠け部にガラスを充填した構造において、該ガラス
材が該アモルファス磁性材と反応し、実質的にトラック
幅を変化させることなく、また、加工時に生じるかけ、
チツピングを少なくし、テープが接触摺動走行している
時偏摩耗のない、安定した出力が常に得られるように耐
摩耗性・信頼性を向上させた磁気ヘツドを提供すること
を目的とする。
切り欠け部にガラスを充填した構造において、該ガラス
材が該アモルファス磁性材と反応し、実質的にトラック
幅を変化させることなく、また、加工時に生じるかけ、
チツピングを少なくし、テープが接触摺動走行している
時偏摩耗のない、安定した出力が常に得られるように耐
摩耗性・信頼性を向上させた磁気ヘツドを提供すること
を目的とする。
上記目的を達成するために、充填するガラス材の組成
を変化させ、そのそれぞれが、アモルフアスとの反応が
大きいか小さいかを調べ、又、それぞれが、その機械的
性質において機械加工にとつて好ましいものであるか否
かを調べた。
を変化させ、そのそれぞれが、アモルフアスとの反応が
大きいか小さいかを調べ、又、それぞれが、その機械的
性質において機械加工にとつて好ましいものであるか否
かを調べた。
また、ガラス材の充填・接着時、磁性膜としてアモル
フアス磁性材を用いるため、該アモルフアス膜の結晶化
温度以上では該アモルフアス磁性材が結晶化してしま
い、その磁気特性が劣化してしまう。即ち、充填・接着
時の処理温度には上限があり、かつ量産を考慮した時に
は電気炉の温度分布等のマージンを考えて、アモルフア
ス磁性材の結晶化温度より極力低い温度にて処理を行な
う必要がある。
フアス磁性材を用いるため、該アモルフアス膜の結晶化
温度以上では該アモルフアス磁性材が結晶化してしま
い、その磁気特性が劣化してしまう。即ち、充填・接着
時の処理温度には上限があり、かつ量産を考慮した時に
は電気炉の温度分布等のマージンを考えて、アモルフア
ス磁性材の結晶化温度より極力低い温度にて処理を行な
う必要がある。
第５図は本発明を説明するためのガラス材の組成を示
す説明図である。
す説明図である。
ガラスの組成は基本的にはPbO−B2O3−SiO2−ZnO−Al
2O3−Bi2O3の６元素から成り、それぞれの成分をいろい
ろ変えてサンプル名Ａ〜Ｆとして示したものである。
2O3−Bi2O3の６元素から成り、それぞれの成分をいろい
ろ変えてサンプル名Ａ〜Ｆとして示したものである。
第６図は第５図に示したサンプル名Ａ〜Ｆの各ガラス
材の特性を示す説明図である。
材の特性を示す説明図である。
また、第７図は第５図に示したサンプル名Ａ〜Ｆの各
ガラスのビツカース硬度とガラス素材の折れ強度を示す
グラフ図である。
ガラスのビツカース硬度とガラス素材の折れ強度を示す
グラフ図である。
第５図，第６図，第７図において、ガラスの軟化点が
360〜370℃とほとんど変わらないにもかかわらず、その
組成により硬度，強度、またアモルフアス磁性材との反
応の程度などが著しく異なつている。特にサンプル名Ａ
のガラスに対し、他のサンプル名Ｂ〜Ｆについては、ま
ず、耐水性が著しく向上している。ここで、耐水性と
は、60℃の水に浸漬した場合、どのくらいガラスがとけ
てしまうかを示したものであり、サンプル名Ａのガラス
を１として時の相対値を表示する方法で表わしている。
この数値は小さい法がよい（すなわち、とけにくい）。
360〜370℃とほとんど変わらないにもかかわらず、その
組成により硬度，強度、またアモルフアス磁性材との反
応の程度などが著しく異なつている。特にサンプル名Ａ
のガラスに対し、他のサンプル名Ｂ〜Ｆについては、ま
ず、耐水性が著しく向上している。ここで、耐水性と
は、60℃の水に浸漬した場合、どのくらいガラスがとけ
てしまうかを示したものであり、サンプル名Ａのガラス
を１として時の相対値を表示する方法で表わしている。
この数値は小さい法がよい（すなわち、とけにくい）。
また、サンプ名D,E,Fはビツカース強度、折れ強度が
サンプル名A,B,Cに比べて大きく効果があることがわか
る。
サンプル名A,B,Cに比べて大きく効果があることがわか
る。
機械加工ではビツカース硬度が、270〜280以上になる
と、そのカケ，チツピングが著しく少なくなり、歩留り
が向上する。
と、そのカケ，チツピングが著しく少なくなり、歩留り
が向上する。
また、サンプル名D,E,Fは第２図ので示したアモル
ファス磁性材との反応量が極力小さくなり、特にサンプ
ル名Ａのガラスに比較してみるとサンプル名D,E及びＦ
などは、その反応が約1/3以下となり、実効トラック幅
の変化量が問題とならない値となり、その効果が著しい
ことがわかる。
ファス磁性材との反応量が極力小さくなり、特にサンプ
ル名Ａのガラスに比較してみるとサンプル名D,E及びＦ
などは、その反応が約1/3以下となり、実効トラック幅
の変化量が問題とならない値となり、その効果が著しい
ことがわかる。
サンプル名A,B及びＣをサンプル名D,E及びＦと比較す
ると、その大きな違いは、SiO2の組成比が１〜２％から
３％に増加していることと、Al2O3もしくはBi2O3が微少
量添加されていることであり、これにより、アモルファ
ス磁性材との反応が少なくなる。
ると、その大きな違いは、SiO2の組成比が１〜２％から
３％に増加していることと、Al2O3もしくはBi2O3が微少
量添加されていることであり、これにより、アモルファ
ス磁性材との反応が少なくなる。
また、耐水性については、ZnOの添加が効果あるよう
に示されている。
に示されている。
以上のことを総合的に見てみると、ガラスの軟化点を
ほとんど変えることなく耐水性、アモルフアス磁性膜と
の反応、加工性、ガラス強度などを、好ましい方向にも
つてゆくことができることがわかる。軟化点を上げるこ
となく処理できるということは、アモルフアス磁性材膜
を用いてヘツドを作成する上で著しく効果のあることで
ある。逆に言えば、軟化点を上げてよいならば他に好ま
しいガラスは多々ある。本発明では軟化点に対して100
℃前後高い温度、つまり、440〜490℃のボンデイング処
理温度、あるいは熱処理温度を考えており、アモルフア
ス磁性材膜の結晶化温度Txを520〜550℃ぐらいに想定し
ている。例えばCo−Nb−Zrアモルフアス磁性材膜では、
Txを520〜550℃ぐらいを想定すると飽和磁束密度Bsは90
00〜10000Gぐらいの膜が得られ、Hcが1400〜1500Oeのメ
タル粉テープに充分書き込むことができる。
ほとんど変えることなく耐水性、アモルフアス磁性膜と
の反応、加工性、ガラス強度などを、好ましい方向にも
つてゆくことができることがわかる。軟化点を上げるこ
となく処理できるということは、アモルフアス磁性材膜
を用いてヘツドを作成する上で著しく効果のあることで
ある。逆に言えば、軟化点を上げてよいならば他に好ま
しいガラスは多々ある。本発明では軟化点に対して100
℃前後高い温度、つまり、440〜490℃のボンデイング処
理温度、あるいは熱処理温度を考えており、アモルフア
ス磁性材膜の結晶化温度Txを520〜550℃ぐらいに想定し
ている。例えばCo−Nb−Zrアモルフアス磁性材膜では、
Txを520〜550℃ぐらいを想定すると飽和磁束密度Bsは90
00〜10000Gぐらいの膜が得られ、Hcが1400〜1500Oeのメ
タル粉テープに充分書き込むことができる。
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明による磁気ヘツドの一実施例を示すヘ
ツドチツプの磁気テープ摺動面の正面図であつて、１は
アモルフアス磁性材の膜（以下、アモルフアス磁性膜と
称する）、２はSiO2から成る絶縁膜、３はCrから成る保
護膜、４は充填・接着材としてのガラス材の層（以下、
ガラス層と称する）、５はSiO2から成るギヤツプ材、６
はフエライトから成る基体、７は山形形成面、７′は山
形形成面の山形頂部、8はコア半体である。
ツドチツプの磁気テープ摺動面の正面図であつて、１は
アモルフアス磁性材の膜（以下、アモルフアス磁性膜と
称する）、２はSiO2から成る絶縁膜、３はCrから成る保
護膜、４は充填・接着材としてのガラス材の層（以下、
ガラス層と称する）、５はSiO2から成るギヤツプ材、６
はフエライトから成る基体、７は山形形成面、７′は山
形形成面の山形頂部、8はコア半体である。
同図において、磁気ヘツドは、フエライトから成る基
体６に形成された山形の山形形成面７上に被着したアモ
ルフアス磁性膜１と、この上に被着した絶縁膜２及び保
護膜３を有する一対のコア半体8を、山形形成面７の山
形頂部７′上のアモルフアス磁性膜を研削・ラツピング
加工して成るトラツク幅規制のための加工面同志が対向
するように、ギヤツプ材５を介して突き合わせ、一対の
コア半体8の各山形形成面７間で保護膜３上にガラス材
を充填・加熱してガラス層４となし、両コア半体を接着
して成るものである。
体６に形成された山形の山形形成面７上に被着したアモ
ルフアス磁性膜１と、この上に被着した絶縁膜２及び保
護膜３を有する一対のコア半体8を、山形形成面７の山
形頂部７′上のアモルフアス磁性膜を研削・ラツピング
加工して成るトラツク幅規制のための加工面同志が対向
するように、ギヤツプ材５を介して突き合わせ、一対の
コア半体8の各山形形成面７間で保護膜３上にガラス材
を充填・加熱してガラス層４となし、両コア半体を接着
して成るものである。
なお、このとき、ギヤツプ材５としてのSiO2はガラス
層４とガラス化反応してガラス化され、両コア半体間で
ガラス層４と一体化される。
層４とガラス化反応してガラス化され、両コア半体間で
ガラス層４と一体化される。
第２図は第１図に示した磁気テープ摺動面の要部拡大
図であつて、第１図と同一符号は同一部分を示す。
図であつて、第１図と同一符号は同一部分を示す。
同図において、両コア半体8を突き合わせてガラス層
４を充填すると、前記したように、トラツク幅規制用の
加工面（ギヤツプ部分）にあるギヤツプ材は、ガラス材
とガラス化反応してガラス層４として均一化される。
４を充填すると、前記したように、トラツク幅規制用の
加工面（ギヤツプ部分）にあるギヤツプ材は、ガラス材
とガラス化反応してガラス層４として均一化される。
しかし、このガラス材の充填により一対のコア半体を
接着するときに、上記したギヤツプ材５のコア半体接着
部分での該ガラス材とのガラス化反応は、接着性の観点
からみて好ましいものであるが、上記ガラス化反応はコ
ア半体接着部分に留らず、ギヤツプ部分にも及ぶ傾向が
ある。その結果、トラツク幅規制長さ（第１図にTDで示
す）が短くなつてしまうということがあり、例えば第５
図のサンプル名Ａのガラスを用いるとこれが著しい。
接着するときに、上記したギヤツプ材５のコア半体接着
部分での該ガラス材とのガラス化反応は、接着性の観点
からみて好ましいものであるが、上記ガラス化反応はコ
ア半体接着部分に留らず、ギヤツプ部分にも及ぶ傾向が
ある。その結果、トラツク幅規制長さ（第１図にTDで示
す）が短くなつてしまうということがあり、例えば第５
図のサンプル名Ａのガラスを用いるとこれが著しい。
また、充填ガラス材はアモルフアス磁性材とも反応
し、ガラス材がアモルフアス磁性材に入り込み、そのHc
を大きくする様な磁性特性の劣化をまねき、有効トラツ
ク幅の短縮をもたらすのみでなく、磁気ヘツドとしての
動作に重大な悪影響を及ぼす。
し、ガラス材がアモルフアス磁性材に入り込み、そのHc
を大きくする様な磁性特性の劣化をまねき、有効トラツ
ク幅の短縮をもたらすのみでなく、磁気ヘツドとしての
動作に重大な悪影響を及ぼす。
しかし、この様な事態の発生は、本発明によるガラス
材、すなわち、75＜PbO＜85,8＜B2O3＜15,2＜SiO2＜5,2
＜ZnO＜9,0≦Al2O3＜5,0≦Bi2O3＜３を各重量パーセン
ト含む組成のガラス材を用いることによつて低減するこ
とができる。
材、すなわち、75＜PbO＜85,8＜B2O3＜15,2＜SiO2＜5,2
＜ZnO＜9,0≦Al2O3＜5,0≦Bi2O3＜３を各重量パーセン
ト含む組成のガラス材を用いることによつて低減するこ
とができる。
例えば、ガラス材として第５図のサンプル名Ｄのもの
を用いると、第１図に示した構造の磁気ヘツドにおい
て、第２図に示した反応部分の大きさを前記サンプル
名Ａのガラス材を用いた場合の３分の１以下とすること
ができ、トラツク幅方向の長さの短縮を0.2μｍ以下と
することができる。この短縮長さは実用上ほとんど無視
できる量であり、この結果、ヘツドの製造歩留りを20％
以上向上させることができた。
を用いると、第１図に示した構造の磁気ヘツドにおい
て、第２図に示した反応部分の大きさを前記サンプル
名Ａのガラス材を用いた場合の３分の１以下とすること
ができ、トラツク幅方向の長さの短縮を0.2μｍ以下と
することができる。この短縮長さは実用上ほとんど無視
できる量であり、この結果、ヘツドの製造歩留りを20％
以上向上させることができた。
しかも、上記第５図に示したサンプル名Ｄのガラス材
はサンプル名Ａと同じ温度プロフアイルで充填・接着の
各作業処理ができ、特別の条件を設定する必要はない。
はサンプル名Ａと同じ温度プロフアイルで充填・接着の
各作業処理ができ、特別の条件を設定する必要はない。
また、第５図のサンプル名Ｅのガラス材を用い、サン
プル名Ｄのガラス材と同一プロセス、同一プロフアイル
で磁気ヘツドの作成を行つたが、サンプル名Ｄのガラス
材を用いた場合と同様に、アモルフアス磁性材との反応
が少なく、ギヤツプ材とのガラス化反応によるトラツク
幅方向長さの短縮が少なく、精度，信頼性が高く、歩留
りのよい磁気ヘツドが得られた。
プル名Ｄのガラス材と同一プロセス、同一プロフアイル
で磁気ヘツドの作成を行つたが、サンプル名Ｄのガラス
材を用いた場合と同様に、アモルフアス磁性材との反応
が少なく、ギヤツプ材とのガラス化反応によるトラツク
幅方向長さの短縮が少なく、精度，信頼性が高く、歩留
りのよい磁気ヘツドが得られた。
また、サンプル名D,Eのガラス材を用いた磁気ヘツド
を長時間走行させ、その偏摩耗の発生程度、出力の経時
変化等を試験した結果、いづれも特別に問題がなく、か
つ、高温・高湿雰囲気中での試験においても良好な結果
が得られた。
を長時間走行させ、その偏摩耗の発生程度、出力の経時
変化等を試験した結果、いづれも特別に問題がなく、か
つ、高温・高湿雰囲気中での試験においても良好な結果
が得られた。
このことから、アモルフアス磁性材を磁性膜として用
いた磁気ヘツドのコア半体の接着用ガラス材としては、
第５図のサンプル名Ｃ〜Ｆのガラス材が適当であり、特
にサンプル名D,E,Fのガラス材を用いるのが好適であ
る。
いた磁気ヘツドのコア半体の接着用ガラス材としては、
第５図のサンプル名Ｃ〜Ｆのガラス材が適当であり、特
にサンプル名D,E,Fのガラス材を用いるのが好適であ
る。
なお、第５図の組成においては、すべて整数で示して
あるが、これはあくまで概数であつて、実施例に記載し
た重量パーセントの範囲内であれば、その数値は整数と
は限らないことに注意すべきである。
あるが、これはあくまで概数であつて、実施例に記載し
た重量パーセントの範囲内であれば、その数値は整数と
は限らないことに注意すべきである。
次に、本発明の磁気ヘツドの製造方法を説明する。
第３図はコア半体を製作するためのコア半体ブロツク
の一つを示す正面図であつて、１はアモルフアス磁性
膜、２はSiO2膜、３はCr膜、４はガラス層、５はSiO2膜
（ギヤツプ材）、６はフエライト（基体）、７は山形形
成面、9はコア半体ブロツクである。
の一つを示す正面図であつて、１はアモルフアス磁性
膜、２はSiO2膜、３はCr膜、４はガラス層、５はSiO2膜
（ギヤツプ材）、６はフエライト（基体）、７は山形形
成面、9はコア半体ブロツクである。
同図において、先ず、基体６となるフエライトにダイ
シングソーなどにより山形溝を複数個形成して山形形成
面７をつくる。この山形形成面７上にスパツタリング装
置を用いて、アモルフアス磁性材（例えば、Co−Nb−Z
n）を20〜30μｍ厚に被着して磁性膜１を形成する。次
に、保護膜2,3を形成するが、ここでは、保護膜２とし
てSiO2膜を0.3μｍ厚に、保護膜３としてCr膜を0.5μｍ
厚にスパツタリング装置により形成する。
シングソーなどにより山形溝を複数個形成して山形形成
面７をつくる。この山形形成面７上にスパツタリング装
置を用いて、アモルフアス磁性材（例えば、Co−Nb−Z
n）を20〜30μｍ厚に被着して磁性膜１を形成する。次
に、保護膜2,3を形成するが、ここでは、保護膜２とし
てSiO2膜を0.3μｍ厚に、保護膜３としてCr膜を0.5μｍ
厚にスパツタリング装置により形成する。
保護膜2,3は磁性膜１と後述のガラス材との間の反応
を抑制する機能を有する。
を抑制する機能を有する。
保護膜の上に充填するガラス材としては、第５図のサ
ンプル名Ｄの組成のものを用いる。
ンプル名Ｄの組成のものを用いる。
このガラス材は板状のものを山形形成面上にのせ、N2
雰囲気電気炉で470℃、20分間保持することにより、前
記山形の溝部分に充填される。
雰囲気電気炉で470℃、20分間保持することにより、前
記山形の溝部分に充填される。
ガラス材を充填してガラス層４を形成した後、この充
填面を研削、ラツピングして、山形頂部の磁性膜１をト
ラツク幅を規制する分だけ露出させる（トラツク幅出し
加工）。
填面を研削、ラツピングして、山形頂部の磁性膜１をト
ラツク幅を規制する分だけ露出させる（トラツク幅出し
加工）。
トラツク幅出し加工した磁性膜の面は、通常0.05Sの
表面粗さ（すなわち、表面上の凹凸のピーク・ピークが
0.05μｍ）の鏡面とされる。
表面粗さ（すなわち、表面上の凹凸のピーク・ピークが
0.05μｍ）の鏡面とされる。
次に、ヘツドギヤツプとなるギヤツプ材（SiO2）５を
スパツタリングにより被着形成し、一方のコア半体ブロ
ツク9を得る。
スパツタリングにより被着形成し、一方のコア半体ブロ
ツク9を得る。
第４図は第３図のコア半体ブロツク9を二個（すなわ
ち一対）として、両者のトラツク幅規制面を互いに突き
合わせた状態を示す正面図であつて、第３図と同一符号
は同一部分に相当し、8はヘツドチツプのコア半体とな
る部分、10は切りシロである。
ち一対）として、両者のトラツク幅規制面を互いに突き
合わせた状態を示す正面図であつて、第３図と同一符号
は同一部分に相当し、8はヘツドチツプのコア半体とな
る部分、10は切りシロである。
同図に示す様に、一対のコア半体ブロツク9，9を、そ
れらのトラツク幅規制面を突き合わせて、前記と同様の
N2雰囲気電気炉で473℃、20分間保持することにより、
互いに接着して一体化したヘツドブロツクを得る。
れらのトラツク幅規制面を突き合わせて、前記と同様の
N2雰囲気電気炉で473℃、20分間保持することにより、
互いに接着して一体化したヘツドブロツクを得る。
このヘツドブロツクをダイシングソーあるいはワイヤ
ソーなどにより、切りシロ10部分で切断し、複数個のヘ
ツドチツプとする。
ソーなどにより、切りシロ10部分で切断し、複数個のヘ
ツドチツプとする。
こうして得たヘツドチツプの一つが前記第１図に示し
たものとなる。
たものとなる。
以上のようにして、本発明の磁気ヘツドを製造するこ
とができる。
とができる。
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明によれば、ガラス層の充
填・接着のための処理温度を上げることなく、すなわち
ガラス材の軟化点温度プラス100℃前後とすることでア
モルフアス磁性体の結晶化温度以下で処理できる最適組
成のガラス材を選定することにより、アモルフアス磁性
膜に最も適した充填ガラスを用いることができ、加工性
の向上、アモルフアス磁性膜との反応が少なく、かつ耐
水性、耐摩耗性が大で高い信頼性を有する磁気ヘツドを
提供することができる。
填・接着のための処理温度を上げることなく、すなわち
ガラス材の軟化点温度プラス100℃前後とすることでア
モルフアス磁性体の結晶化温度以下で処理できる最適組
成のガラス材を選定することにより、アモルフアス磁性
膜に最も適した充填ガラスを用いることができ、加工性
の向上、アモルフアス磁性膜との反応が少なく、かつ耐
水性、耐摩耗性が大で高い信頼性を有する磁気ヘツドを
提供することができる。
第１図は本発明による磁気ヘツドの一実施例を示すヘツ
ドチツプの磁気テープ摺動面の正面図、第２図は第１図
に示した磁気テープ摺動面の要部拡大図、第３図はコア
半体を製作するためのコア半体ブロツクの正面図、第４
図は二つのコア半体ブロツクを突き合わせた状態を示す
正面図、第５図はガラス材の組成を示す説明図、第６図
は第５図に示したガラス材の特性を示す説明図、第７図
は第５図に示したガラス材の硬度とガラス素材の折れ強
度を示すグラフ図である。 １……アモルフアス磁性膜、２……SiO2膜、３……Cr
膜、４……ガラス層、５……SiO2膜、６……基体、７…
…山形形成面、７′……山形頂部、8……コア半体、9…
…コア半体ブロツク、10……切りシロ。
ドチツプの磁気テープ摺動面の正面図、第２図は第１図
に示した磁気テープ摺動面の要部拡大図、第３図はコア
半体を製作するためのコア半体ブロツクの正面図、第４
図は二つのコア半体ブロツクを突き合わせた状態を示す
正面図、第５図はガラス材の組成を示す説明図、第６図
は第５図に示したガラス材の特性を示す説明図、第７図
は第５図に示したガラス材の硬度とガラス素材の折れ強
度を示すグラフ図である。 １……アモルフアス磁性膜、２……SiO2膜、３……Cr
膜、４……ガラス層、５……SiO2膜、６……基体、７…
…山形形成面、７′……山形頂部、8……コア半体、9…
…コア半体ブロツク、10……切りシロ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 真鍋 能夫 茨城県勝田市大字稲田1410番地 株式会社 日立製作所東海工場内 (56)参考文献 特開 昭57−20910（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−46409（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−250810（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−142520（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板の山形形状をなす表面上にアモルファ
ス材からなる磁性膜が形成され、かつ、頂部に平坦なギ
ャップ面が形成されてコア半体をなし、該コア半体が１
対該ギャップ面でSiO2からなるギャップを介して接合さ
れており、さらに、該ギャップ部分以外のこれら１対の
コア半体間をガラス材で充填されてなる磁気ヘツドにお
いて、 該アモルファス材は、その組成の少なくとも一部にCoを
含有して、かつ、結晶化温度が520〜550℃であり、 該ガラス材がPbO,B2O3，SiO2及びZnOにAl2O3またはBi2O
3が含有されてなり、これら組成物が重量パーセント
で、 75＜PbO＜85 ８＜B2O3＜15 ２＜SiO2＜５ ２＜ZnO＜９ ０≦Al2O3＜５ ０≦Bi2O3＜３ であることを特徴とする磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62131469A JPH0831203B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62131469A JPH0831203B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63298807A JPS63298807A (ja) | 1988-12-06 |
| JPH0831203B2 true JPH0831203B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=15058691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62131469A Expired - Lifetime JPH0831203B2 (ja) | 1987-05-29 | 1987-05-29 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831203B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720910A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetic head |
| JPS61250810A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| JPS6246409A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-28 | Tdk Corp | 磁気ヘツド |
| JPS61142520A (ja) * | 1985-12-13 | 1986-06-30 | Hitachi Metals Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
-
1987
- 1987-05-29 JP JP62131469A patent/JPH0831203B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63298807A (ja) | 1988-12-06 |
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