JPH0831233A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0831233A JPH0831233A JP6169423A JP16942394A JPH0831233A JP H0831233 A JPH0831233 A JP H0831233A JP 6169423 A JP6169423 A JP 6169423A JP 16942394 A JP16942394 A JP 16942394A JP H0831233 A JPH0831233 A JP H0831233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- dielectric
- low
- temperature
- ceramic composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温焼結が可能で、高誘電率、低誘電損失及
び高絶縁抵抗の特性を有し、静電容量変化率が小さい日
本工業規格のＥＪ特性（静電容量変化率：−５５〜＋２
０％、使用温度範囲：−２５〜＋８５℃）に適用が可能
で、小型で大容量の積層コンデンサ等を低コストで製造
できる誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 Ｐｂ[(Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3)x （Ｆｅ1/2 Ｎｂ
1/2)y Ｔｉz]Ｏ3 のｘ，ｙ，ｚ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０
０）が、３成分系組成図のＡ〜Ｄで囲まれる範囲内にあ
る誘電体磁器組成物。 【効果】 信頼性の高い小型で高容量のコンデンサを得
ることができる。
び高絶縁抵抗の特性を有し、静電容量変化率が小さい日
本工業規格のＥＪ特性（静電容量変化率：−５５〜＋２
０％、使用温度範囲：−２５〜＋８５℃）に適用が可能
で、小型で大容量の積層コンデンサ等を低コストで製造
できる誘電体磁器組成物を提供する。 【構成】 Ｐｂ[(Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3)x （Ｆｅ1/2 Ｎｂ
1/2)y Ｔｉz]Ｏ3 のｘ，ｙ，ｚ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０
０）が、３成分系組成図のＡ〜Ｄで囲まれる範囲内にあ
る誘電体磁器組成物。 【効果】 信頼性の高い小型で高容量のコンデンサを得
ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は誘電体磁器組成物に係
り、特に低温焼結が可能で、高誘電率かつ低損失である
ことから、例えば小型大容量の積層コンデンサ等の誘電
体材料として好適な誘電体磁器組成物に関する。
り、特に低温焼結が可能で、高誘電率かつ低損失である
ことから、例えば小型大容量の積層コンデンサ等の誘電
体材料として好適な誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び先行技術】従来、高誘電率磁器組成物
としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を主体と
する組成物が一般に使用されている。即ち、ＢａＴｉＯ
3 を基体とし、これにキュリー点を室温付近に移動させ
るシフター剤及び容量温度特性を改善するデプレッサ
剤、更に焼結促進剤、還元防止剤などを加えた組成とす
るのが一般的である。
としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を主体と
する組成物が一般に使用されている。即ち、ＢａＴｉＯ
3 を基体とし、これにキュリー点を室温付近に移動させ
るシフター剤及び容量温度特性を改善するデプレッサ
剤、更に焼結促進剤、還元防止剤などを加えた組成とす
るのが一般的である。
【０００３】しかしながら、ＢａＴｉＯ3 を主体とする
組成物は焼結温度が１３００〜１４００℃の高温である
ため、焼成コストが高く、特にこれを積層コンデンサと
して利用する場合には内部電極として、パラジウム、白
金などの高価な貴金属を用いなければならず、積層コン
デンサのコスト低減の大きな障害になっていた。
組成物は焼結温度が１３００〜１４００℃の高温である
ため、焼成コストが高く、特にこれを積層コンデンサと
して利用する場合には内部電極として、パラジウム、白
金などの高価な貴金属を用いなければならず、積層コン
デンサのコスト低減の大きな障害になっていた。
【０００４】これに対し、近年、鉛系複合型ペロブスカ
イト化合物を主体とする誘電体磁器組成物を用いて、低
温で焼成する方法により、積層コンデンサの製造コスト
の低減が図られている。特に、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 やＰｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 を含む組成
物は、比較的低温で焼結可能であり、かつ高誘電率で絶
縁抵抗が高いという特長を有しており、この成分系を中
心とした様々な組成物が提案されている。
イト化合物を主体とする誘電体磁器組成物を用いて、低
温で焼成する方法により、積層コンデンサの製造コスト
の低減が図られている。特に、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 やＰｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 を含む組成
物は、比較的低温で焼結可能であり、かつ高誘電率で絶
縁抵抗が高いという特長を有しており、この成分系を中
心とした様々な組成物が提案されている。
【０００５】しかし、低温焼結が可能であっても、高誘
電率、低誘電損失などのすべてに優れた特性を示す誘電
体材料の開発は困難であり、例えば、低温焼結性や高誘
電率の特性に優れていても、誘電損失が大きい或いは、
絶縁抵抗が小さいなどの問題が残されることがある。
電率、低誘電損失などのすべてに優れた特性を示す誘電
体材料の開発は困難であり、例えば、低温焼結性や高誘
電率の特性に優れていても、誘電損失が大きい或いは、
絶縁抵抗が小さいなどの問題が残されることがある。
【０００６】この問題を解決するものとして、先に、本
出願人はＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｆｅ
1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 系の高誘電率磁器組
成物を提案した（特願平４−１９６５９７号。以下「先
願」という。）。
出願人はＰｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −Ｐｂ（Ｆｅ
1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 −ＰｂＴｉＯ3 系の高誘電率磁器組
成物を提案した（特願平４−１９６５９７号。以下「先
願」という。）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記先願の高誘電率磁
器組成物は、低温焼結が可能で、高誘電率、低誘電損失
及び高絶縁抵抗の特性を有しているものの、静電容量変
化率が大きく、日本工業規格のＦＪ特性（静電容量変化
率：−８０〜＋３０％、使用温度範囲：−２５〜＋８５
℃）に適用することから、その用途が狭められていた。
器組成物は、低温焼結が可能で、高誘電率、低誘電損失
及び高絶縁抵抗の特性を有しているものの、静電容量変
化率が大きく、日本工業規格のＦＪ特性（静電容量変化
率：−８０〜＋３０％、使用温度範囲：−２５〜＋８５
℃）に適用することから、その用途が狭められていた。
【０００８】このようなことから、上記先願の高誘電率
磁器組成物と比べてより小さい静電容量変化率を有する
誘電体磁器組成物の開発が望まれていた。
磁器組成物と比べてより小さい静電容量変化率を有する
誘電体磁器組成物の開発が望まれていた。
【０００９】本発明の目的は、低温焼結が可能で、高誘
電率、低誘電損失及び高絶縁抵抗の特性を有し、静電容
量変化率が小さい日本工業規格のＥＪ特性（静電容量変
化率：−５５〜＋２０％、使用温度範囲：−２５〜＋８
５℃）に適用が可能で、小型で大容量の積層コンデンサ
等を低コストで製造できる誘電体磁器組成物を提供する
ことにある。
電率、低誘電損失及び高絶縁抵抗の特性を有し、静電容
量変化率が小さい日本工業規格のＥＪ特性（静電容量変
化率：−５５〜＋２０％、使用温度範囲：−２５〜＋８
５℃）に適用が可能で、小型で大容量の積層コンデンサ
等を低コストで製造できる誘電体磁器組成物を提供する
ことにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】請求項１の誘電
体磁器組成物は、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ
（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 及びＰｂＴｉＯ3 の３成分か
ら成り、下記式（１）で表わしたときに、ｘ，ｙ，ｚ
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）の値が、該３成分系
組成図において、下記Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれた範囲内
にある組成物を主成分とすることを特徴とする。
体磁器組成物は、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ
（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 及びＰｂＴｉＯ3 の３成分か
ら成り、下記式（１）で表わしたときに、ｘ，ｙ，ｚ
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）の値が、該３成分系
組成図において、下記Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれた範囲内
にある組成物を主成分とすることを特徴とする。
【００１１】 Ｐｂ[(Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3)x （Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2)y Ｔｉz]Ｏ3 …（１）
【００１２】
【表２】
【００１３】請求項２の誘電体磁器組成物は、請求項１
の誘電体磁器組成物において、前記主成分に対してＭｇ
Ｏを０．１〜０．５重量部添加してなることを特徴とす
る。
の誘電体磁器組成物において、前記主成分に対してＭｇ
Ｏを０．１〜０．５重量部添加してなることを特徴とす
る。
【００１４】以下に本発明を、Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 及びＰｂＴ
ｉＯ3 の３成分系組成図である図１を参照して詳細に説
明する。
2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 及びＰｂＴ
ｉＯ3 の３成分系組成図である図１を参照して詳細に説
明する。
【００１５】本発明の誘電体磁器組成物は、前記式
（１）の組成式において、ｘ，ｙ，ｚが上記Ａ〜Ｄの各
点で囲まれた範囲、即ち、図１に示すＰｂ[(Ｍｇ1/3 Ｎ
ｂ2/3)x（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2)y Ｔｉz]Ｏ3 から成る組成
範囲を示す３成分系組成図においてＡ〜Ｄの各点で囲ま
れた斜線の範囲内にあるものである。ｘ，ｙ，ｚがこの
範囲を外れるものでは、低温焼結性に優れ、高誘電率、
低誘電損失及び高絶縁抵抗の特性を備え、また、容量の
温度変化率が小さい誘電体磁器組成物は得られない。
（１）の組成式において、ｘ，ｙ，ｚが上記Ａ〜Ｄの各
点で囲まれた範囲、即ち、図１に示すＰｂ[(Ｍｇ1/3 Ｎ
ｂ2/3)x（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2)y Ｔｉz]Ｏ3 から成る組成
範囲を示す３成分系組成図においてＡ〜Ｄの各点で囲ま
れた斜線の範囲内にあるものである。ｘ，ｙ，ｚがこの
範囲を外れるものでは、低温焼結性に優れ、高誘電率、
低誘電損失及び高絶縁抵抗の特性を備え、また、容量の
温度変化率が小さい誘電体磁器組成物は得られない。
【００１６】即ち、図１において、ＡＢ線よりｘが大き
いとき、焼結温度が高くなり、実用的でない。ＣＤ線よ
りｘが小さいとき、誘電損失が大きくなり、また絶縁抵
抗が低下する。ＡＣ線よりｚが大きい場合、容量の温度
変化率が大きくなり、実用性に劣る。ＢＤ線よりｚが小
さい場合、誘電率が低く、容量の温度変化率が大きい。
いとき、焼結温度が高くなり、実用的でない。ＣＤ線よ
りｘが小さいとき、誘電損失が大きくなり、また絶縁抵
抗が低下する。ＡＣ線よりｚが大きい場合、容量の温度
変化率が大きくなり、実用性に劣る。ＢＤ線よりｚが小
さい場合、誘電率が低く、容量の温度変化率が大きい。
【００１７】このようなＰｂ[(Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3)x （Ｆ
ｅ1/2 Ｎｂ1/2)y Ｔｉz]Ｏ3 組成物を主成分とし、この
主成分に対して特定量のＭｇＯを添加することにより、
誘電率を更に高めることができる。この場合ＭｇＯの好
適な添加量は、上記主成分に対して０．１〜０．５重量
部である。この割合が０．１重量部未満では誘電率の向
上に殆ど寄与せず、０．５重量部を超えると焼結温度が
上昇する不具合を生じ、実用的でない。
ｅ1/2 Ｎｂ1/2)y Ｔｉz]Ｏ3 組成物を主成分とし、この
主成分に対して特定量のＭｇＯを添加することにより、
誘電率を更に高めることができる。この場合ＭｇＯの好
適な添加量は、上記主成分に対して０．１〜０．５重量
部である。この割合が０．１重量部未満では誘電率の向
上に殆ど寄与せず、０．５重量部を超えると焼結温度が
上昇する不具合を生じ、実用的でない。
【００１８】このような本発明の誘電体磁器組成物を製
造するには、例えば、一酸化鉛、酸化マグネシウム、五
酸化ニオブ、酸化第二鉄、酸化チタニウム等の粉末を所
定の割合となるよう秤量し、湿式ボールミル等を用いて
十分に混合する。次にこの混合物を乾燥した後、必要に
応じ、７００〜９００℃の範囲で数時間程度仮焼する。
得られた仮焼物を湿式ボールミル等で粉砕する。粉砕に
より得られた仮焼粉を乾燥後、ポリビニルアルコール等
の適当な有機バインダを加えて、顆粒を作り、これを所
定の形状にプレス成形した後、焼成を行う。この焼成
は、１０００〜１２００℃の温度範囲で０．５〜数時間
程度行う。なお、これらの製造条件及び製造方法は本発
明の好適な例であって、本発明の誘電体磁器組成物は上
記以外の条件もしくは方法によって製造されても良いこ
とは言うまでもない。
造するには、例えば、一酸化鉛、酸化マグネシウム、五
酸化ニオブ、酸化第二鉄、酸化チタニウム等の粉末を所
定の割合となるよう秤量し、湿式ボールミル等を用いて
十分に混合する。次にこの混合物を乾燥した後、必要に
応じ、７００〜９００℃の範囲で数時間程度仮焼する。
得られた仮焼物を湿式ボールミル等で粉砕する。粉砕に
より得られた仮焼粉を乾燥後、ポリビニルアルコール等
の適当な有機バインダを加えて、顆粒を作り、これを所
定の形状にプレス成形した後、焼成を行う。この焼成
は、１０００〜１２００℃の温度範囲で０．５〜数時間
程度行う。なお、これらの製造条件及び製造方法は本発
明の好適な例であって、本発明の誘電体磁器組成物は上
記以外の条件もしくは方法によって製造されても良いこ
とは言うまでもない。
【００１９】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。
【００２０】実施例１ 出発原料としてＰｂＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｔｉ
Ｏ2 及びＭｇＯを使用し、これらを表３に示す配合比と
なるように秤量し、ボールミル中で純水と共に約２０時
間湿式混合した。次いで混合物を脱水、乾燥後、７５０
〜８００℃で２時間保持して仮焼し、再びボールミル中
で純水と共に約２０時間湿式粉砕した後、脱水、乾燥し
た。
Ｏ2 及びＭｇＯを使用し、これらを表３に示す配合比と
なるように秤量し、ボールミル中で純水と共に約２０時
間湿式混合した。次いで混合物を脱水、乾燥後、７５０
〜８００℃で２時間保持して仮焼し、再びボールミル中
で純水と共に約２０時間湿式粉砕した後、脱水、乾燥し
た。
【００２１】得られた粉末にポリビニルブチラールエタ
ノール溶液（バインダ）を加え、成形圧力約２ｔ／ｃｍ
3 で、直径約１５ｍｍ、厚さ約０．７ｍｍの円板に加圧
成形した。この成形物を約６００℃で１時間保持してバ
インダを除いた後、マグネシア磁器容器に入れて、表３
に示す温度で２時間焼成した。
ノール溶液（バインダ）を加え、成形圧力約２ｔ／ｃｍ
3 で、直径約１５ｍｍ、厚さ約０．７ｍｍの円板に加圧
成形した。この成形物を約６００℃で１時間保持してバ
インダを除いた後、マグネシア磁器容器に入れて、表３
に示す温度で２時間焼成した。
【００２２】得られた焼結体の両面に、銀電極を６５０
〜７５０℃で焼き付けて平行平板コンデンサとし、その
電気特性を調べた。結果を表３に示す。なお、誘電率及
び誘電損失はＹＨＰデジタルＬＣＲメータモデル４２７
４Ａを用い、測定周波数１ｋＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒ
ｍｓ、温度２５℃にて測定した。また、絶縁抵抗はＹＨ
ＰアナログＩＲメータ４３２９Ａを使用し、温度２５℃
で印加電圧１００Ｖにて１分後の値を測定した。
〜７５０℃で焼き付けて平行平板コンデンサとし、その
電気特性を調べた。結果を表３に示す。なお、誘電率及
び誘電損失はＹＨＰデジタルＬＣＲメータモデル４２７
４Ａを用い、測定周波数１ｋＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒ
ｍｓ、温度２５℃にて測定した。また、絶縁抵抗はＹＨ
ＰアナログＩＲメータ４３２９Ａを使用し、温度２５℃
で印加電圧１００Ｖにて１分後の値を測定した。
【００２３】
【表３】
【００２４】表３より明らかなように、試料Ｎｏ．１，
２，６〜９，１２，１３の本発明範囲内の誘電体磁器組
成物であれば、誘電損失及び絶縁抵抗の特性が優れ、容
量の温度変化率が小さい高誘電率磁器組成物が得られ
る。なお、試料Ｎｏ．３〜５，１０，１１及び１４は本
発明範囲外のものであり、比較のために示した。
２，６〜９，１２，１３の本発明範囲内の誘電体磁器組
成物であれば、誘電損失及び絶縁抵抗の特性が優れ、容
量の温度変化率が小さい高誘電率磁器組成物が得られ
る。なお、試料Ｎｏ．３〜５，１０，１１及び１４は本
発明範囲外のものであり、比較のために示した。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の誘電体磁器
組成物は、誘電率が高く誘電損失が低く、絶縁抵抗が大
きく、誘電損失の温度変化が小さく、かつ静電容量変化
率が小さい。このため、本発明の誘電体磁器組成物を用
いることにより、信頼性の高い小型で高容量のコンデン
サを得ることができる。
組成物は、誘電率が高く誘電損失が低く、絶縁抵抗が大
きく、誘電損失の温度変化が小さく、かつ静電容量変化
率が小さい。このため、本発明の誘電体磁器組成物を用
いることにより、信頼性の高い小型で高容量のコンデン
サを得ることができる。
【００２６】しかも、本発明の誘電体磁器組成物は、焼
結温度が低いため、焼成コストが安価で、積層コンデン
サに用いた場合、内部電極に高価なパラジウムや白金な
どの貴金属を使用することなく、比較的安価な銀系等の
金属を使用することができる。このため、積層コンデン
サの製造コストを低下させ、その価格を大幅に低減する
ことができる。
結温度が低いため、焼成コストが安価で、積層コンデン
サに用いた場合、内部電極に高価なパラジウムや白金な
どの貴金属を使用することなく、比較的安価な銀系等の
金属を使用することができる。このため、積層コンデン
サの製造コストを低下させ、その価格を大幅に低減する
ことができる。
【００２７】請求項２の誘電体磁器組成物によれば、よ
り一層誘電率の高い誘電体磁器組成物が提供される。
り一層誘電率の高い誘電体磁器組成物が提供される。
【図１】本発明の誘電体磁器組成物のＰｂ[(Ｍｇ1/3 Ｎ
ｂ2/3)x （Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2)yＴｉz]Ｏ3 から成る組成
範囲を示す３成分系組成図である。
ｂ2/3)x （Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2)yＴｉz]Ｏ3 から成る組成
範囲を示す３成分系組成図である。
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ
（Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 及びＰｂＴｉＯ3 の３成分か
ら成り、下記式（１）で表わしたときに、ｘ，ｙ，ｚ
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１．００）の値が、該３成分系
組成図において、下記Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄで囲まれた範囲内
にある組成物を主成分とすることを特徴とする誘電体磁
器組成物。 Ｐｂ[(Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3)x （Ｆｅ1/2 Ｎｂ1/2)y Ｔｉz]Ｏ3 …（１） 【表１】 - 【請求項２】 請求項１の誘電体磁器組成物において、
前記主成分に対してＭｇＯを０．１〜０．５重量部添加
してなる誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6169423A JPH0831233A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6169423A JPH0831233A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831233A true JPH0831233A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15886324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6169423A Withdrawn JPH0831233A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831233A (ja) |
-
1994
- 1994-07-21 JP JP6169423A patent/JPH0831233A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0232227B2 (ja) | ||
| JP3368602B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH01100051A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0831233A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2789110B2 (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
| JPH06349329A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3064518B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH07262826A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6121183B2 (ja) | ||
| JPS6042277A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPH0859346A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2762831B2 (ja) | 半導体磁器組成物の製造方法 | |
| JP3389947B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた厚膜コンデンサ | |
| JP3389830B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH0637322B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2926827B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06139819A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6222942B2 (ja) | ||
| JP3301814B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH05279106A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS5849661A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH08259324A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0891945A (ja) | 磁器材料の焼成方法 | |
| JPH0566332B2 (ja) | ||
| JPS58217462A (ja) | 高誘電率系磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |