JPH0831368A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH0831368A JPH0831368A JP6169608A JP16960894A JPH0831368A JP H0831368 A JPH0831368 A JP H0831368A JP 6169608 A JP6169608 A JP 6169608A JP 16960894 A JP16960894 A JP 16960894A JP H0831368 A JPH0831368 A JP H0831368A
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- Japan
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- ion implantation
- load lock
- lock chamber
- wafer
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- Withdrawn
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ロードロック室内に試料の加熱手段を設け、
試料へのイオン注入を容易かつ確実に行なえるイオン注
入装置を提供する。 【構成】 ロードロック室２内に、ハロゲンランプ２
１、反射板２２および拡散板２３からなる加熱手段を設
け、ロードロック室２内を真空状態にするのと並行して
上記加熱手段でウェハ２５を熱処理する。
試料へのイオン注入を容易かつ確実に行なえるイオン注
入装置を提供する。 【構成】 ロードロック室２内に、ハロゲンランプ２
１、反射板２２および拡散板２３からなる加熱手段を設
け、ロードロック室２内を真空状態にするのと並行して
上記加熱手段でウェハ２５を熱処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はイオン注入装置に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入装置を用いてシリコンウェハ
等にイオン注入を行なう場合、一般的にフォトレジスト
をマスクとして用いることが多い。この場合、上記フォ
トレジスト等の感光性の有機物は、予め熱処理を施して
いないと、イオンビームを照射した際にアウトガスを発
生し、イオン注入室内の真空度が低下してしまう。
等にイオン注入を行なう場合、一般的にフォトレジスト
をマスクとして用いることが多い。この場合、上記フォ
トレジスト等の感光性の有機物は、予め熱処理を施して
いないと、イオンビームを照射した際にアウトガスを発
生し、イオン注入室内の真空度が低下してしまう。
【０００３】その結果、所望のイオン以外の不純物が注
入され、半導体装置の特性等に悪影響をもたらすことが
ある。
入され、半導体装置の特性等に悪影響をもたらすことが
ある。
【０００４】そこで従来は、上記シリコンウェハをイオ
ン注入装置とは別の加熱炉等で予め熱処理してから、イ
オン注入装置に移してイオン注入を行なっていた。
ン注入装置とは別の加熱炉等で予め熱処理してから、イ
オン注入装置に移してイオン注入を行なっていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のように、ウ
ェハをイオン注入前に予め熱処理するのに、イオン注入
装置とは別の加熱炉等の装置を用いるのでは、ウェハの
装置間の移動等の手間と時間を要していた。
ェハをイオン注入前に予め熱処理するのに、イオン注入
装置とは別の加熱炉等の装置を用いるのでは、ウェハの
装置間の移動等の手間と時間を要していた。
【０００６】本発明は、イオン注入前に、試料の熱処理
を容易に行なうことのできるイオン注入装置を提供する
ことを目的としている。
を容易に行なうことのできるイオン注入装置を提供する
ことを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、イオン注入室
に対する試料の出入れを行なうためのロードロック室内
に、上記試料を加熱する加熱手段を設けることにより、
上記課題を解決するものである。
に対する試料の出入れを行なうためのロードロック室内
に、上記試料を加熱する加熱手段を設けることにより、
上記課題を解決するものである。
【０００８】特に、上記加熱手段はハロゲンランプであ
ることが好ましい。
ることが好ましい。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。
明する。
【００１０】図１にイオン注入装置の要部構成を示す。
同図において、１はイオン注入室、２はイオン注入室１
に試料であるシリコンウェハを入れるためのロードロッ
ク室である。イオン注入室１内は排気手段（図示せ
ず。）により真空状態に保持されている。ロードロック
室２内には、ハロゲンランプ２１〜２１、反射板２２、
拡散板２３、ウェハステージ２４が設けてある。２５は
ウェハである。ハロゲンランプ２１、反射板２２および
拡散板２３によりウェハ２５を加熱する加熱手段を構成
している。
同図において、１はイオン注入室、２はイオン注入室１
に試料であるシリコンウェハを入れるためのロードロッ
ク室である。イオン注入室１内は排気手段（図示せ
ず。）により真空状態に保持されている。ロードロック
室２内には、ハロゲンランプ２１〜２１、反射板２２、
拡散板２３、ウェハステージ２４が設けてある。２５は
ウェハである。ハロゲンランプ２１、反射板２２および
拡散板２３によりウェハ２５を加熱する加熱手段を構成
している。
【００１１】図２は図１に示した一点鎖線Ａにおけるロ
ードロック室２の内部断面を示したものである。同図に
おいて図１と同じ符号のものは同じものを示している。
ハロゲンランプ２１の上側に反射板２２を設け、下側に
拡散板２３を設けてある。
ードロック室２の内部断面を示したものである。同図に
おいて図１と同じ符号のものは同じものを示している。
ハロゲンランプ２１の上側に反射板２２を設け、下側に
拡散板２３を設けてある。
【００１２】つぎに、ウェハ２５をイオン注入室１内に
入れる際の動作を説明する。
入れる際の動作を説明する。
【００１３】まず、マスクとしてフォトレジストを塗布
したウェハ２５をロードロック室２に入れ、ロードロッ
ク室２を密閉する。
したウェハ２５をロードロック室２に入れ、ロードロッ
ク室２を密閉する。
【００１４】つぎに、排気手段（図示せず。）を駆動す
るとともにハロゲンランプ２１を点灯する。これにより
ロードロック室２内を真空状態にするのと並行して、ハ
ロゲンランプ２１の点灯により発生する熱でウェハ２５
を加熱する。
るとともにハロゲンランプ２１を点灯する。これにより
ロードロック室２内を真空状態にするのと並行して、ハ
ロゲンランプ２１の点灯により発生する熱でウェハ２５
を加熱する。
【００１５】ハロゲンランプ２１からの光線は反射板２
２で反射し、拡散板２３により拡散してウェハ２５の表
面に均一に照射される。
２で反射し、拡散板２３により拡散してウェハ２５の表
面に均一に照射される。
【００１６】ロードロック室２内が真空状態になるとと
もに、ウェハ２５の熱処理が終了したら、ロードロック
室２とイオン注入室１との遮蔽を解除し、ロードロック
室２からイオン注入室１内へウェハ２５を移載する。
もに、ウェハ２５の熱処理が終了したら、ロードロック
室２とイオン注入室１との遮蔽を解除し、ロードロック
室２からイオン注入室１内へウェハ２５を移載する。
【００１７】以上のように、ロードロック室２内を真空
状態にするのと並行してウェハ２５を熱処理してからイ
オン注入室１内に入れる。
状態にするのと並行してウェハ２５を熱処理してからイ
オン注入室１内に入れる。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、ロードロック室内に加
熱手段を設け、ロードロック室内を真空状態にするのと
並行して試料を熱処理することが可能となるので、イオ
ン注入装置と別に設けた加熱手段で試料を予め熱処理す
る手間をかけることなく、試料へのイオン注入を容易か
つ確実に行なうことができる。
熱手段を設け、ロードロック室内を真空状態にするのと
並行して試料を熱処理することが可能となるので、イオ
ン注入装置と別に設けた加熱手段で試料を予め熱処理す
る手間をかけることなく、試料へのイオン注入を容易か
つ確実に行なうことができる。
【図１】本発明によるイオン注入装置の要部構成を示し
た説明図
た説明図
【図２】本発明によるイオン注入装置の要部構成を示し
た説明図
た説明図
１ イオン注入室 ２ ロードロック室 ２１ ハロゲンランプ ２２ 反射板 ２３ 拡散板 ２５ ウェハ
Claims (2)
- 【請求項１】 イオン注入室に対する試料の出入れを行
なうためのロードロック室内に、上記試料を加熱する加
熱手段を設けたことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のイオン注入装置におい
て、上記加熱手段はハロゲンランプであることを特徴と
するイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6169608A JPH0831368A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6169608A JPH0831368A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0831368A true JPH0831368A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15889658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6169608A Withdrawn JPH0831368A (ja) | 1994-07-21 | 1994-07-21 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831368A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021974A (ja) * | 2006-05-26 | 2008-01-31 | Cree Inc | 高温イオン注入装置、および高温イオン注入を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
| JP2009266391A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Sumco Corp | 酸素イオン注入装置 |
-
1994
- 1994-07-21 JP JP6169608A patent/JPH0831368A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021974A (ja) * | 2006-05-26 | 2008-01-31 | Cree Inc | 高温イオン注入装置、および高温イオン注入を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
| JP2009266391A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Sumco Corp | 酸素イオン注入装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011002 |