JPH0832940B2 - 薄膜形成装置用しゃへい板 - Google Patents
薄膜形成装置用しゃへい板Info
- Publication number
- JPH0832940B2 JPH0832940B2 JP62249475A JP24947587A JPH0832940B2 JP H0832940 B2 JPH0832940 B2 JP H0832940B2 JP 62249475 A JP62249475 A JP 62249475A JP 24947587 A JP24947587 A JP 24947587A JP H0832940 B2 JPH0832940 B2 JP H0832940B2
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- JP
- Japan
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- thin film
- film forming
- plate
- weight
- shield plate
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、スパツタリング、C.V.D.、またはP.V.D.
等により薄膜を形成する際に、飛散するターゲツト材が
真空容器内壁または真空内部品に付着するのを防止する
しやへい板に関するものである。
等により薄膜を形成する際に、飛散するターゲツト材が
真空容器内壁または真空内部品に付着するのを防止する
しやへい板に関するものである。
〔従来の技術〕 薄膜成形装置として、一般にスパツタリング装置、化
学蒸着装置、物理蒸着装置等が知られている。そのうち
で最も代表的なスパツタリング装置が第１図に示されて
いる。
学蒸着装置、物理蒸着装置等が知られている。そのうち
で最も代表的なスパツタリング装置が第１図に示されて
いる。
第１図において、１は真空容器、２はターゲツト、３
は基板（被処理物）、４はしやへい板である。ターゲツ
ト２にAr+を衝突させ、これによりはじき出された飛散
ターゲツト材は、基板３に堆積し、薄膜を形成する。
は基板（被処理物）、４はしやへい板である。ターゲツ
ト２にAr+を衝突させ、これによりはじき出された飛散
ターゲツト材は、基板３に堆積し、薄膜を形成する。
このスパツタリングに際し、飛散ターゲツト材が真空
容器１の内壁に付着するのを防止するために、しやへい
板４を設けることが一般に行なわれている。
容器１の内壁に付着するのを防止するために、しやへい
板４を設けることが一般に行なわれている。
上記しやへい板４は、従来、ステンレス鋼で作製され
ており、飛散して付着したターゲツト材が剥離し落下す
る前に、硝酸および弗酸を主体とした腐食性の強い混酸
により、上記しやへい板を洗浄し、付着したターゲツト
材を混酸中に溶出させ、完全に除去し、再利用してい
た。
ており、飛散して付着したターゲツト材が剥離し落下す
る前に、硝酸および弗酸を主体とした腐食性の強い混酸
により、上記しやへい板を洗浄し、付着したターゲツト
材を混酸中に溶出させ、完全に除去し、再利用してい
た。
しかしながら、上記ステンレス鋼板により作製したし
やへい板は、ターゲツト材との密着性が悪く、剥離しや
すいため、たびたび洗浄することが必要であり、稼動率
低下の原因となつており、また、しやへい板を洗浄して
再利用する際に、ステンレス鋼は、硝酸および弗酸を主
体とした混酸に対する耐食性が不十分であり寿命が短い
という問題点があつた。
やへい板は、ターゲツト材との密着性が悪く、剥離しや
すいため、たびたび洗浄することが必要であり、稼動率
低下の原因となつており、また、しやへい板を洗浄して
再利用する際に、ステンレス鋼は、硝酸および弗酸を主
体とした混酸に対する耐食性が不十分であり寿命が短い
という問題点があつた。
もし、たびたび洗浄することなくしやへい板を使用
し、しやへい板に付着したターゲツト材がターゲツトの
表面に落下すると、ターゲツトの表面は汚染され、所望
の成分組成のスパツタリング薄膜を形成することができ
なくなるからである。
し、しやへい板に付着したターゲツト材がターゲツトの
表面に落下すると、ターゲツトの表面は汚染され、所望
の成分組成のスパツタリング薄膜を形成することができ
なくなるからである。
また、頻繁な洗浄は、洗浄期間中にスパツタリング操
業を停止しなければならないため、稼動率は低下し、し
たがつて生産性も低下する。このため、上記飛散ターゲ
ツト材がしやへい板に付着堆積しても、なかなか剥離し
ない材料からなるしやへい板の出現が望まれていた。
業を停止しなければならないため、稼動率は低下し、し
たがつて生産性も低下する。このため、上記飛散ターゲ
ツト材がしやへい板に付着堆積しても、なかなか剥離し
ない材料からなるしやへい板の出現が望まれていた。
そこで、本発明者等は、飛散したターゲツト材との密
着性が良好で、剥離しにくく、洗浄せずに使用できる期
間が長くとれ、さらに硝酸および弗酸を主体とした洗浄
溶液に対する耐食性の優れたしやへい板を開発すべく研
究を行つた結果、重量％（以下、％は重量％を示す）
で、 Cr:25〜75％、 さらに、必要に応じて、 Fe:0.1〜25％、および／または、 Ti、Zr、Nb、Mo、Ｗ、Cuのうち１種または２種以上:0.1
〜５％、 を含有し、 残部:Niまたは不可避不純物からなる高クロムニツケル
合金を用いて作製したしやへい板は、飛散したターゲツ
ト材との付着性が良好で、剥離しにくく、洗浄せずに使
用できる期間が長くとれ、また硝酸および弗酸を主体と
した洗浄溶液に対して耐食性が優れているという知見を
得たのである。
着性が良好で、剥離しにくく、洗浄せずに使用できる期
間が長くとれ、さらに硝酸および弗酸を主体とした洗浄
溶液に対する耐食性の優れたしやへい板を開発すべく研
究を行つた結果、重量％（以下、％は重量％を示す）
で、 Cr:25〜75％、 さらに、必要に応じて、 Fe:0.1〜25％、および／または、 Ti、Zr、Nb、Mo、Ｗ、Cuのうち１種または２種以上:0.1
〜５％、 を含有し、 残部:Niまたは不可避不純物からなる高クロムニツケル
合金を用いて作製したしやへい板は、飛散したターゲツ
ト材との付着性が良好で、剥離しにくく、洗浄せずに使
用できる期間が長くとれ、また硝酸および弗酸を主体と
した洗浄溶液に対して耐食性が優れているという知見を
得たのである。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたもので
あつて、以下に成分を上記の如く限定した理由について
述べる。
あつて、以下に成分を上記の如く限定した理由について
述べる。
（ａ） Cr Cr成分は、ターゲツト材の密着性を向上させ、耐食性
を向上させるが、その含有量が25％より少ないとターゲ
ツト材の密着性が十分でなく、また硝酸および弗酸を主
体とした溶液に対する耐食性が十分に得られない。一方
75％を越えて含有すると加工上困難を伴う。そのためCr
含有量は25〜75％と定めた。
を向上させるが、その含有量が25％より少ないとターゲ
ツト材の密着性が十分でなく、また硝酸および弗酸を主
体とした溶液に対する耐食性が十分に得られない。一方
75％を越えて含有すると加工上困難を伴う。そのためCr
含有量は25〜75％と定めた。
（ｂ） Fe Fe成分は、組織を微細化し靭性を向上させるが、その
含有量が0.1％より少ないと組織の微細化に効果がな
く、一方25％を越えて含有するとσ相が析出し脆化する
ので好ましくない。したがつて、Fe含有量は0.1〜25％
と定めた。
含有量が0.1％より少ないと組織の微細化に効果がな
く、一方25％を越えて含有するとσ相が析出し脆化する
ので好ましくない。したがつて、Fe含有量は0.1〜25％
と定めた。
（ｃ） Ti、Zr、Nb、Nb、Mo、ＷおよびCu これらの成分は、耐食性および加工性を一段と向上せ
しめるが、その含有量が0.1％より少ないと耐食性およ
び加工性向上の効果がなく、一方５％を越えて含有して
もより一層の効果は得られない。したがつて、上記成分
の含有量は0.1〜５％と定めた。
しめるが、その含有量が0.1％より少ないと耐食性およ
び加工性向上の効果がなく、一方５％を越えて含有して
もより一層の効果は得られない。したがつて、上記成分
の含有量は0.1〜５％と定めた。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明
する。
する。
通常の溶解法によつて、第１表に示される成分組成を
もつた高クロムニツケル合金インゴットを作製し、これ
を通常の熱間圧延したのち冷間圧延して、厚さ:3mmの高
クロムニツケル合金板を作製した。上記厚さ:3mmの高ク
ロムニツケル合金板を基板とし、サイアロン、アルミナ
およびシリコンナイトライドをターゲツトとしてスパツ
タリングにより、上記基板表面に薄膜を形成し、何バツ
チで剥離に至るかを試験した結果を第１表に示した。
もつた高クロムニツケル合金インゴットを作製し、これ
を通常の熱間圧延したのち冷間圧延して、厚さ:3mmの高
クロムニツケル合金板を作製した。上記厚さ:3mmの高ク
ロムニツケル合金板を基板とし、サイアロン、アルミナ
およびシリコンナイトライドをターゲツトとしてスパツ
タリングにより、上記基板表面に薄膜を形成し、何バツ
チで剥離に至るかを試験した結果を第１表に示した。
１バツチのスパツタリング条件は次の通りである。
放電電力:200W、 ガス条件:Arガス、1.0×10-3Torr、 スパツタリング時間:3時間、 さらに、上記厚さ:3mmの高クロムニツケル合金板を、湿
度:60℃ HF:3％、 HNO3:17％ 含有の水溶液に365日間浸漬し、その板厚の減少量を測
定することにより耐食試験を行つた。その結果も第１表
に示した。
度:60℃ HF:3％、 HNO3:17％ 含有の水溶液に365日間浸漬し、その板厚の減少量を測
定することにより耐食試験を行つた。その結果も第１表
に示した。
なお、この実施例では、スパツタリング装置のしやへ
い板について述べているが、上記スパツタリング装置に
限定されるものでなく、この発明の薄膜形成装置用しや
へい板は、化学蒸着装置、物理蒸着装置などの蒸着装置
のしやへい板としても使用できるものである。
い板について述べているが、上記スパツタリング装置に
限定されるものでなく、この発明の薄膜形成装置用しや
へい板は、化学蒸着装置、物理蒸着装置などの蒸着装置
のしやへい板としても使用できるものである。
上記第１表に示されているように、上記成分組成を有
する高クロムニツケル合金で構成されているしやへい板
を薄膜形成装置に適用することにより、飛散ターゲツト
材との付着性が良好で剥離しにくいため、洗浄せずに使
用できるバツチ回数が多くとれ、また耐食性もすぐれて
いるので洗浄による腐食が少なく、繰り返し長時間使用
できるというすぐれた効果を奏するものである。
する高クロムニツケル合金で構成されているしやへい板
を薄膜形成装置に適用することにより、飛散ターゲツト
材との付着性が良好で剥離しにくいため、洗浄せずに使
用できるバツチ回数が多くとれ、また耐食性もすぐれて
いるので洗浄による腐食が少なく、繰り返し長時間使用
できるというすぐれた効果を奏するものである。
第１図は、スパツタリング装置の概略断面図である。
Claims (4)
- 【請求項１】Cr:25〜75重量％、 残部:Niおよび不可避不純物 からなる組成の高クロムニツケル合金で構成されている
ことを特徴とする薄膜形成装置用しやへい板。 - 【請求項２】Cr:25〜75重量％、 Fe:0.1〜25重量％、 残部:Niおよび不可避不純物 からなる組成の項クロムニツケル合金で構成されている
ことを特徴とする薄膜形成装置用しやへい板。 - 【請求項３】Cr:25〜75重量％、 Ti、Zr、Nb、Mo、Ｗ、およびCuの１種または２種以上:
0.1〜５重量％、 残部:Niおよび不可避不純物 からなる組成の高クロムニツケル合金で構成されている
ことを特徴とする薄膜形成装置用しやへい板。 - 【請求項４】Cr:25〜75重量％、 Fe:0.1〜25重量％、 Ti、Zr、Nb、Mo、Ｗ、およびCuの１種または２種以上:
0.1〜５重量％、 残部:Niおよび不可避不純物 からなる組成の高クロムニツケル合金で構成されている
ことを特徴とする薄膜形成装置用しやへい板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62249475A JPH0832940B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 薄膜形成装置用しゃへい板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62249475A JPH0832940B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 薄膜形成装置用しゃへい板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0192335A JPH0192335A (ja) | 1989-04-11 |
| JPH0832940B2 true JPH0832940B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17193515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62249475A Expired - Lifetime JPH0832940B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 薄膜形成装置用しゃへい板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0832940B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5298287A (en) * | 1993-02-05 | 1994-03-29 | United Technologies Corporation | Method of making CVD Si3 N4 |
| JP5603219B2 (ja) | 2009-12-28 | 2014-10-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜形成装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582259B2 (ja) * | 1976-12-24 | 1983-01-14 | 三菱マテリアル株式会社 | 硝酸および弗酸よりなる混酸に対してすぐれた耐食性を示す高クロム合金 |
| JPS5817247B2 (ja) * | 1977-05-17 | 1983-04-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 硝酸および弗酸よりなる混酸に対する耐食性並びに溶接性の良好な高クロム合金 |
| JPS62107057A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Hitachi Ltd | 真空蒸着装置 |
-
1987
- 1987-10-02 JP JP62249475A patent/JPH0832940B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0192335A (ja) | 1989-04-11 |
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