JPH0192335A - 薄膜形成装置用しゃへい板 - Google Patents
薄膜形成装置用しゃへい板Info
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- JPH0192335A JPH0192335A JP24947587A JP24947587A JPH0192335A JP H0192335 A JPH0192335 A JP H0192335A JP 24947587 A JP24947587 A JP 24947587A JP 24947587 A JP24947587 A JP 24947587A JP H0192335 A JPH0192335 A JP H0192335A
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- JP
- Japan
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- shielding plate
- thin film
- nickel alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、スパッタリング、 Ｃ，Ｖ、 Ｄ、、また
はＰ、Ｖ、Ｄ、等によシ薄膜を形成する際に、飛散する
ターゲツト材が真空容器内壁または真空内部品に付着す
るのを防止するじゃへい板に関するものである。
はＰ、Ｖ、Ｄ、等によシ薄膜を形成する際に、飛散する
ターゲツト材が真空容器内壁または真空内部品に付着す
るのを防止するじゃへい板に関するものである。
薄膜成形装置として、一般にスパッタリング装Ｇ・闇、
化学蒸着装置、物理蒸着装置等が知られている。そのう
ちで最も代表的なスパッタリング装置が第１図に示され
ている。
化学蒸着装置、物理蒸着装置等が知られている。そのう
ちで最も代表的なスパッタリング装置が第１図に示され
ている。
第１図において、１は真空容器、２はターゲット、３は
基板（被処理物）、４はしやへい板である。ターゲット
２ＫＡｒ を衝突させ、これによシはじき出された飛
散ターゲツト材は、基板３に堆積し、薄膜を形成する。
基板（被処理物）、４はしやへい板である。ターゲット
２ＫＡｒ を衝突させ、これによシはじき出された飛
散ターゲツト材は、基板３に堆積し、薄膜を形成する。
このスパッタリングに際し、飛散ターゲツト材が真空容
器１の内壁に付着するのを防止するために、しやへい板
４を設けることが一般に行なわれている。
器１の内壁に付着するのを防止するために、しやへい板
４を設けることが一般に行なわれている。
上記しゃへい板４＃：ｌ：、従来、ステンレス鋼で作製
されており、飛散して付着したターゲツト材が剥離し落
下する前に、硝酸および弗酸を主体とした腐食性の強い
混酸によシ、上記しゃへい板を洗浄し、付？オシたター
ゲツト材を混酸中に溶出させ。
されており、飛散して付着したターゲツト材が剥離し落
下する前に、硝酸および弗酸を主体とした腐食性の強い
混酸によシ、上記しゃへい板を洗浄し、付？オシたター
ゲツト材を混酸中に溶出させ。
完全に除去し、再利用していた。
しかしながら、上記ステンレス鋼板により作製したじゃ
へい板は、ターゲツト材との密着性が悪く、・剥離しや
すいため、たびたび洗浄することが必要であシ、稼動率
低下の原因となっておシ、また。しやへい板を洗浄して
再利用する際に１ステンレス鋼は、硝酸および弗酸を主
体とした混酸に対する耐食性が不十１分であシ寿命が短
いという問題点がおった。
へい板は、ターゲツト材との密着性が悪く、・剥離しや
すいため、たびたび洗浄することが必要であシ、稼動率
低下の原因となっておシ、また。しやへい板を洗浄して
再利用する際に１ステンレス鋼は、硝酸および弗酸を主
体とした混酸に対する耐食性が不十１分であシ寿命が短
いという問題点がおった。
もし、たびたび洗浄することなくしやへい板を使用し、
しやへい板に付着したターゲツト材がターゲツト材０℃
に落下すると、ターゲットの表面は汚染され、所皇の成
分組成のスパッタリング薄膜を形成することができなく
なるからである。
しやへい板に付着したターゲツト材がターゲツト材０℃
に落下すると、ターゲットの表面は汚染され、所皇の成
分組成のスパッタリング薄膜を形成することができなく
なるからである。
また、頻繁な洗浄は、洗浄期間中にスパッタリング操業
を停止しなければならないため、稼Ｓｌｈ率は低下し、
したがって生産性も低下する。このため、上記飛散ター
ゲツト材がじゃへい板に付着堆積しても、なかなか剥離
しない材料からなるしやへい板の出現が望まれていた。
を停止しなければならないため、稼Ｓｌｈ率は低下し、
したがって生産性も低下する。このため、上記飛散ター
ゲツト材がじゃへい板に付着堆積しても、なかなか剥離
しない材料からなるしやへい板の出現が望まれていた。
そこで１本発明者等は、飛散したターゲツト材との密着
性が良好で、剥離しに＜〈、洗浄せずに使用できる期間
が長くとれ、さらに硝酸および弗酸な主体とした洗浄溶
液に対する耐食性の優れたしやへい板を開発すべく研究
を行った結果、血蛍殆（以下、係は重量％を示す）で。
性が良好で、剥離しに＜〈、洗浄せずに使用できる期間
が長くとれ、さらに硝酸および弗酸な主体とした洗浄溶
液に対する耐食性の優れたしやへい板を開発すべく研究
を行った結果、血蛍殆（以下、係は重量％を示す）で。
Ｃｒ：２５〜７５％。
さらに、必要に応じて。
Ｆｅ：０．１〜２５％、および／または。
Ｔｉ、 Ｚｒ、 Ｎｂ、 Ｍ０．Ｗ、 Ｃｕのうち１株
または２棟以上＝０．１〜５％。
または２棟以上＝０．１〜５％。
を含刹し。
残部：Ｎｉまたは不可避不純物からなる高クロムニッケ
ル合金を用いて作製したじゃへい板は、飛散したターゲ
ツト材との付着性が良好で、剥離しに＜〈、洗浄せずに
使用できる期間が長くとれ。
ル合金を用いて作製したじゃへい板は、飛散したターゲ
ツト材との付着性が良好で、剥離しに＜〈、洗浄せずに
使用できる期間が長くとれ。
址だ硝酸および弗酸を主体とした洗浄浴液に対して耐食
性が優れているという知見を得たのである。
性が優れているという知見を得たのである。
この発明は、かかる知見にもとづいてなされたものであ
って、以下に成分を上記の如く限定した理由について述
べる。
って、以下に成分を上記の如く限定した理由について述
べる。
（ａ） Ｃｒ
ｃｒ成分Ｆｉ、、ターゲツト材の密着性を向上させ。
耐食性を向上させるが、その含有量が２５俤よシ少ない
とターゲツト材の密着性が十分でなく、フた硝酸および
弗酸を主体とした溶液に対する耐食性が十分に得られな
い。一方７５％を越えて含有すると加工上困難を伴うつ
そのためＣｒ ＠ Ｗ 量は２５〜７５％と定めたつ （ｂ） Ｆｅ Ｆｅ成分は、Ｂｉ織を微細化し靭性を向上させるが。
とターゲツト材の密着性が十分でなく、フた硝酸および
弗酸を主体とした溶液に対する耐食性が十分に得られな
い。一方７５％を越えて含有すると加工上困難を伴うつ
そのためＣｒ ＠ Ｗ 量は２５〜７５％と定めたつ （ｂ） Ｆｅ Ｆｅ成分は、Ｂｉ織を微細化し靭性を向上させるが。
その含有量が０．１％よシ少ないと組織の微細化に効果
がなく、一方２５チを越えて含有するとσ相が析出し脆
化するので好ましくない。したがって。
がなく、一方２５チを越えて含有するとσ相が析出し脆
化するので好ましくない。したがって。
Ｆｅの含有量は０．１〜２５チと定めた。
ｆｃ） Ｔｉ ％Ｚｒ、 Ｎｂ、 Ｍ０． ｗおよびＣ
ｕこれらの成分は、耐食性および加工性を一段と向上せ
しめるが、その含有量が０．１チよシ少ないと耐食性お
よび加工性向上の効果がなく、一方５チを越えて含有し
てもよシー層の効果は得られない。したがって、上記成
分の含有量は０．１〜５チと定めた。
ｕこれらの成分は、耐食性および加工性を一段と向上せ
しめるが、その含有量が０．１チよシ少ないと耐食性お
よび加工性向上の効果がなく、一方５チを越えて含有し
てもよシー層の効果は得られない。したがって、上記成
分の含有量は０．１〜５チと定めた。
つぎに、この発明を実施例にもとづいて具体的に説明す
る。
る。
通常の溶解法によって、第１表に示される成分組成をも
った高クロムニッケル合金インゴットを作製し、これを
通常の熱間圧延したのち冷間圧延して、厚さ：３−の高
クロムニッケル合金板を作製した。上記厚さ：３騙の高
クロムニッケル合金板を基板とし、サイアロン、アルミ
ナおよびシリコンナイトライドをターゲットとしてスパ
ッタリングにより、上記基板表面に薄膜を形成し、何バ
ッチで剥離に至るかを試験した結果を第１表に示した。
った高クロムニッケル合金インゴットを作製し、これを
通常の熱間圧延したのち冷間圧延して、厚さ：３−の高
クロムニッケル合金板を作製した。上記厚さ：３騙の高
クロムニッケル合金板を基板とし、サイアロン、アルミ
ナおよびシリコンナイトライドをターゲットとしてスパ
ッタリングにより、上記基板表面に薄膜を形成し、何バ
ッチで剥離に至るかを試験した結果を第１表に示した。
１バツチのスノぞツタリング条件は次の通シである。
放電電カニ２００Ｗ。
ガス条件：Ａｒガス、１． ＯＸ １０ Ｔｏｒｒ
。
。
スパッタリング時間＝３時間。
さらに、上記厚さ：３朋の高クロムニッケル合金板を、
温度二６０℃。
温度二６０℃。
ｆ（Ｆ：３％。
ＨＮＯ３： ｌ ７％
含有の水溶液に３６５日間浸漬し、その板厚の減少量を
測定することにより耐食試験を行った。その結果も第１
表に示した。
測定することにより耐食試験を行った。その結果も第１
表に示した。
なお、この実施例では、スパッタリング装置のしゃへい
板について述べているが、上記スパッタリング装置に限
定されるものでなく、この発明の薄膜形成装置用じゃへ
い板は、化学蒸着装置、！ｔ２！ｌｌ理蒸着装置などの
蒸着装置のしゃへい板としても使用できるものである。
板について述べているが、上記スパッタリング装置に限
定されるものでなく、この発明の薄膜形成装置用じゃへ
い板は、化学蒸着装置、！ｔ２！ｌｌ理蒸着装置などの
蒸着装置のしゃへい板としても使用できるものである。
上記第１’Ｔ％に示されているように、上記成分組成を
有する高クロムニッケル合金で構成されているしゃへい
板を薄膜形成ｉｔｔに適用することによシ、飛散ターケ
゛ット材との付着性が良好で剥離しにくいため、洗浄せ
ずに使用できるバッチ回数が多くとれ、また耐食性もす
ぐれているので洗浄による腐食が少なく、繰り返し長期
間使用できるというすぐれた効果を奏するものである。
有する高クロムニッケル合金で構成されているしゃへい
板を薄膜形成ｉｔｔに適用することによシ、飛散ターケ
゛ット材との付着性が良好で剥離しにくいため、洗浄せ
ずに使用できるバッチ回数が多くとれ、また耐食性もす
ぐれているので洗浄による腐食が少なく、繰り返し長期
間使用できるというすぐれた効果を奏するものである。
第１図は、スパッタリング装置の概略断面図である。
Claims (4)
- （１）Ｃｒ：２５〜７５重量％、 残部：Ｎｉおよび不可避不純物からなる組成の高クロム
ニッケル合金で構成されていることを特徴とする薄膜形
成装置用しやへい板。 - （２）Ｃｒ：２５〜７５重量％、 Ｆｅ：０．１〜２５重量％、 残部：Ｎｉおよび不可避不純物からなる組成の高クロム
ニッケル合金で構成されていることを特徴とする薄膜形
成装置用しやへい板。 - （３）Ｃｒ：２５〜７５重量％、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、およびＣｕの１種または
２種以上：０．１〜５重量％、 残部：Ｎｉおよび不可避不純物 からなる組成の高クロムニッケル合金で構成されている
ことを特徴とする薄膜形成装置用しやへい板。 - （４）Ｃｒ：２５〜７５重量％、 Ｆｅ：０．１〜２５重量％、 Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、およびＣｕの１種または
２種以上：０．１〜５重量％、 残部：Ｎｉおよび不可避不純物からなる組成の高クロム
ニッケル合金で構成されていることを特徴とする薄膜形
成装置用しやへい板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62249475A JPH0832940B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 薄膜形成装置用しゃへい板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62249475A JPH0832940B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 薄膜形成装置用しゃへい板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0192335A true JPH0192335A (ja) | 1989-04-11 |
| JPH0832940B2 JPH0832940B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=17193515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62249475A Expired - Lifetime JPH0832940B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 薄膜形成装置用しゃへい板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0832940B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5298287A (en) * | 1993-02-05 | 1994-03-29 | United Technologies Corporation | Method of making CVD Si3 N4 |
| US9194038B2 (en) | 2009-12-28 | 2015-11-24 | Canon Anelva Corporation | Thin film forming apparatus, thin film forming method, and shield component |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379711A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-14 | Mitsubishi Metal Corp | High chromium alloy with excellent corrosion resistance against mixture of nitric and hydrofluoric acids |
| JPS53141115A (en) * | 1977-05-17 | 1978-12-08 | Mitsubishi Metal Corp | High chromium alloy having good anticorrosion resistance and weldability against mixed acid consisting of nitric acid and fluoric acid |
| JPS62107057A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Hitachi Ltd | 真空蒸着装置 |
-
1987
- 1987-10-02 JP JP62249475A patent/JPH0832940B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5379711A (en) * | 1976-12-24 | 1978-07-14 | Mitsubishi Metal Corp | High chromium alloy with excellent corrosion resistance against mixture of nitric and hydrofluoric acids |
| JPS53141115A (en) * | 1977-05-17 | 1978-12-08 | Mitsubishi Metal Corp | High chromium alloy having good anticorrosion resistance and weldability against mixed acid consisting of nitric acid and fluoric acid |
| JPS62107057A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Hitachi Ltd | 真空蒸着装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5298287A (en) * | 1993-02-05 | 1994-03-29 | United Technologies Corporation | Method of making CVD Si3 N4 |
| US9194038B2 (en) | 2009-12-28 | 2015-11-24 | Canon Anelva Corporation | Thin film forming apparatus, thin film forming method, and shield component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0832940B2 (ja) | 1996-03-29 |
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