JPH08330460A - 電子デバイス用気密封止方法及びその構造 - Google Patents

電子デバイス用気密封止方法及びその構造

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JPH08330460A
JPH08330460A JP8120061A JP12006196A JPH08330460A JP H08330460 A JPH08330460 A JP H08330460A JP 8120061 A JP8120061 A JP 8120061A JP 12006196 A JP12006196 A JP 12006196A JP H08330460 A JPH08330460 A JP H08330460A
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cap
thin film
solder
module
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JP8120061A
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Dale C Mcherron
デール・シー・マクヘロン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】エレクトロニック・チップを接続するために薄
膜配線層を使用しているマルチ・チップ・モジュール用
に改良されたシーリング・システム及び方法を提供する
こと。 【解決手段】マイクロエレクトロニック・デバイスを内
部に閉込めたモジュールは、基板の周辺にわたり研磨さ
れた接合面を有し、その上に４００℃を超えない温度で
製作された少なくとも１つの薄膜シールバンドを形成す
る。そのシールバンドは、約０．００１インチ（２５．
４マイクロメータ）の厚みを有し、融点が４００℃を超
えない溶融半田に濡れ、固化後に半田に接着を可能にす
る金属から成る。半田の層は、キャップと基板のシール
バンドの間に配置し、モジュールの気密封止を形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子デバイスの気
密封止のための方法、及び特にマルチチップ・モジュー
ルのセラミック基板をキャップにシールするための、薄
膜シールバンドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シングルチップ・モジュール（ＳＣ
Ｍ）、及びマルチチップ・モジュール（ＭＣＭ）の気密
封止は、従来機械的シーリング、または高温と金ベース
の半田などを一般に使用する金属厚膜シールバンド、の
いずれかによって行われた。ＭＣＭーＤモジュールは、
例えばポリイミッドのような有機誘電体物質の薄膜層、
及び銅のような薄膜金属配線層を、交互に付着すること
により製作されるチップの下の薄膜配線を、基板表面に
形成することにより製造される。ＭＣＭーＤモジュール
用には、機械的なＣーリングを用いたシールが過去に使
用されてきた。Ｃーリング・シールは、一般にモジュー
ルの基板を支持するための余分なハードウエア、並びに
シーリング用のフランジを作るための基板の追加工程に
よりコストを増加させる。
【０００３】配線層の生成にセラミック・ベースのペー
ストを採用する気密シールされたマルチチップ・モジュ
ール（ＭＣＭーＣモジュール）は、モジュールとセラミ
ック・キャップを気密封止するために厚膜（０．００１
インチ以上）金属シールバンド、及び半田を使用してき
た。 金属シールバンドを製作するために、１つ以上の
厚膜金属ペーストの層が、セラミックＭＣＭーＣ基板の
最上層にスクリーン印刷され、次に一般的に５００℃以
上の高温で焼結される。この厚膜技術の使用はＭＣＭー
Ｄモジュールの工程と両立しないことが明らかになっ
た。厚膜シールバンドはかなりの高さがあり、半導体チ
ップの下の薄膜配線層の工程に妨げとなる。更に、ＭＣ
ＭーＤ基板は薄膜工程の前に、滑らかで平坦な表面をつ
くるためにラッピング、及び研磨されなければならな
い。この工程段階は必然的に厚膜シールバンドを除去し
てしまうという問題がある。
【０００４】更にまた、従来技術の方法は、ＭＣＭーＣ
モジュール上のシールバンドに複数の再加工を可能にす
る能力を持たなかった。即ち、それらの方法では一般的
にモジュールの変更や修理の過程で、半田シールを再び
溶かし、交換することができなかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、従来技術の問題点や欠点を念頭において、エレ
クトロニック・チップの接続に薄膜配線層を使用したマ
ルチチップ・モジュールのシール用として改良された構
造と方法を提供することにある。
【０００６】本発明のもう一つの目的は、厚膜技術を使
用しないセラミック基板に、モジュール・チップをシー
ルする、改良された構造及び方法を提供することにあ
る。
【０００７】本発明の更なる目的は、薄膜相互接続構造
を製作中に、平坦で滑らかな基板表面を維持しながら、
モジュールをシールする方法を提供することである。
【０００８】本発明の更に別の目的は、モジュール・シ
ールバンド用の低温製造工程を提供することにある。
【０００９】本発明の別の目的は、複数回の再加工能力
を有する、モジュールの気密半田シール構造を提供する
ことにある。
【００１０】本発明の更なる目的は、モジュール基板の
上にシールバンドを製作し、続いて薄膜相互接続を製作
し、試験した後に、薄膜相互接続構造の性能、または信
頼性に影響を与えることなく、モジュールを封止するた
めの方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】当該技術に熟練した当業者に自明な、本発
明の上記及びその他の目的は、１つの観点において、少
なくとも一つの電子デバイスを内部に閉じ込めたモジュ
ールを提供することにより達成される。モジュールに
は、そのキャップは周辺に切れ目なく広がる接合面を有
するモジュール用のキャップが含まれる。モジュールの
セラミック基板は研磨された平坦な上面を有し、その上
に少なくとも一つの高分子誘電物質と、金属物質からな
る少なくとも一つの配線パスとからなる電子デバイス用
の薄膜配線層が形成される。基板はその周辺部に切れ目
なく広がる研磨された表面上に接合面を有する。少なく
とも一つの薄膜封止層が基板の接合面に用意され、その
薄膜封止層は主に４００℃を超えない温度で製造され
る。シーリング層は約０．００１インチ（２５．４マイ
クロメータ）を超えない厚みを有し、融点が４００℃を
超えない溶融半田に濡れ、固化後半田に接着できる金属
からなる。半田層はキャップと基板のシーリング層の間
に配置され、モジュールの気密封止を構成する。
【００１２】別の観点から述べると、内部に閉じ込めら
れた電子デバイスに、気密封止の製造方法を提供するも
ので、 （ａ）電子デバイスに用いるセラミック基板とキャップ
を獲得するステップで、前記の基板とキャップは、それ
らが接合されたときに気密封止を生成する相補的接合面
を有し、即ち、少なくとも基板の接合面は、研磨された
セラミックからなり、その上に溶融半田に濡れ、及び固
化後に半田に接着が可能な金属の薄膜封止層からなり、
それぞれの接合面は基板とキャップのそれぞれの周辺部
に切れ目なく広がっている。 （ｂ）キャップと基板のシーリング層が接近して位置す
るように、セラミック基板とキャップを組み合わせるス
テップと、 （ｃ）キャップと基板のシーリング層の間に、４００℃
を超えない融点を有する溶融半田の層を付着するステッ
プと、 （ｄ）セラミック基板と、キャップ、及び半田を、４０
０℃を超えない温度まで加熱するステップと、及び、 （ｅ）電子デバイスのキャップと基板の間の気密封止を
形成するために半田を固化するステップとを含む。 本発明に使用される基板は主にＭＣＭーＤモジュール用
である。そのような基板は研磨された平坦な上側の表面
を持ち、少なくとも一つの高分子誘電物質と、金属物質
の少なくとも一つの配線パスからなる電子デバイスの薄
膜配線層が形成される。各相補的接合面は主に平坦であ
り、それぞれの薄膜シーリング層は約０．００１インチ
（２５．４マイクロメータ）を超えない厚みを有する。
【００１３】シールバンドの薄膜層は、セラミック接合
面に中間処理層なしに直接に形成されたクロム、ニッケ
ル、及び金の連続した層から構成される。薄膜シールバ
ンド層は蒸着、スパッタリング付着、またはホトリゾグ
ラフィ付着により基板の接合面にパターン状に付着さ
せ、セラミック基板の周囲に薄膜を形成することができ
る。使用する半田は鉛−錫半田、または４００℃を超え
ない温度でリフローする鉛、錫、ビスマス、インジュー
ム、金、またはアンチモニをベースとするソフト半田な
らどれでもよい。
【００１４】モジュール・キャップの接合面は研磨した
セラミックからなり、その上に形成された少なくとも一
つの溶融半田に濡れ、かつモジュール基板と関連して述
べたように、固化後に半田に接着が可能な金属の薄膜シ
ーリング層を付着する。
【００１５】
【発明実施の形態】本発明の実施例を図１−図５を参照
して説明する。図中の番号はそれぞれ発明の各構成に対
応する。発明の各構成は図面では必ずしも寸法比で示さ
れていない。
【００１６】本発明は主に、図１に示されるようなＳＣ
Ｍ−Ｄモジュール、又はＭＣＭ−Ｄモジュールを対象に
している。ＭＣＭ−Ｄモジュール１０は基板１４上に取
り付けられるキャップ１２を具備する。キャップの目的
はチップの保護、及び密封、及び付随する冷却作用、及
びその中に取付けられた構造物の連結である。図の基板
１４は基板上面３０に最初に形成された薄膜配線、又は
相互接続構造物２２を有する。電子デバイス、又はチッ
プ２０は相互接続構造物２２の上に取り付けられ、それ
に対して電気的に接続される。薄膜相互接続構造物はど
のような既存の技術による、いかなる方法で形成されて
もよく、主にポリアミドのような重合誘電体物質の多重
交互層と、銅のような導電性金属物質の配線パスの交互
層を使用する。薄膜相互接続構造物２２は、基板１４の
下の入出力コネクタ２６と、ワイヤボンド、ＴＡＢ接
続、又はエレクトロニック・デバイス２０の下面の半田
球２４との間の電気的接続をつくる。（図２参照）
【００１７】セラミック基板１４は主にアルミナ９２１
１でつくられるが、しかし珪酸アルミニュウム、ガラス
・セラミック、又はその他の成分のアルミニュウムのよ
うな、他の通常の基板材で作られてもよい。代わりに、
本発明ははセラミック基板に限らずアルミニュウム、シ
リコン基板のような非セラミック基板に使用することが
できる。キャップ１２の材料は熱膨張係数の一致を含め
て、基板に適合していなければならない。主に薄膜相互
接続構造２２が基板１４に形成される前に、基板の全表
面３０は滑らかで平坦な表面が得られるようにラッピン
グ研磨される。通常、表面荒さは約５００オングストロ
ームＲａを越えてはならない。この表面荒さは、以下に
論じる薄膜を相互接続構造２２と、シールバンドの両方
に付着するための望ましい前提条件である。
【００１８】相互接続機構２２が基板表面３０に形成さ
れる前、又は後に、しかしマイクロエレクトリック・デ
バイス２０が接続機構に配列状に取り付けられる前のど
のような時点でも、基板１４の接合面１８の上に形成さ
れた薄膜金属シールバンドが存在する。接合面１８は基
板の周辺にわたって広がると共に、図に示す出願の実施
例では、相互接続機構の面３０と同じ研磨された面にあ
る。図２及び３に更に詳細に示すように、出願の接合面
１８上の薄膜シールバンド３２は、クロム３４、ニッケ
ル３６、金３８が多重に順に重ねられた、薄い層から成
っている。クロムは研磨された、さもなければ研磨処理
されていない、セラミック基板の接合面１８に主に直接
に付着され、ニッケルと金の層はそれぞれその前の層の
上に直接に付着される。加工しやすい上側の表面４０は
金でできている。ここで言う「薄い」とは厚みが０．０
０１０インチ（４０マイクロメータ）以下の層を指して
いる。クロム層３４の厚みの範囲は約１００−７００オ
ングストローム以上、主にニッケル層３６の厚みの範囲
は約１−３マイクロメータ以上、及び金の層３８の厚み
の範囲は約２５００オングストローム以下である。
【００１９】最初に付着されるクロム層の目的は、研磨
されたセラミック基板材と後続の金属層との間に十分な
接着力を与えることである。金の層はその後に付着され
る半田との接触面として選択されるが、中間層のニッケ
ルは主としてシールバンド層に機械的強度を与えると同
時に、金の層とクロム層の間に十分な接着力を与えるこ
とが判明した。交互に、順に積み重ねれたクロム、銅、
ニッケル及び金の層が本発明の薄膜金属化シールバンド
に使用され、好結果が得られた。
【００２０】薄膜金属化層３２は、その付着とそれに伴
う処理が４００℃を超えない温度で行われるならば、ど
の様な既知の技術で付着してもよい。これは出願のモジ
ュール基板の中心部分に先行して形成された、ＭＣＭ−
Ｄ相互接続構造の重合体を損傷から守る。出願の薄膜シ
ーリング層の付着プロセスの例としては、電解及び無電
解メッキを含み、蒸着、スパッタリング付着及びホトリ
ソグラフイ付着がある。どの場合でも、膜が確実に基板
上の要求された接合面部分にのみ付着するように、マス
ク又はパターンを用いることが望ましく、それによりシ
ールバンドが基板１４の周辺に沿って連続した帯を形作
り、かつモジュールの中心のチップ領域を完全に取り囲
むようにする。
【００２１】キャップ１２上の接合面１６は基板の接合
面１８を補完する。接合面１６はキャップと基板を封じ
るために使用される半田材と適合していなければならな
い。即ち、半田に十分に濡れ、かつ固化後に半田に接着
しなければならない。ＭＣＭ−Ｄモジュールのキャップ
は薄膜構造を持たないであろうし、それ故に基板と同じ
温度制限を持たないであろうからキャップの接合面１６
の上には従来技術で使用された厚膜シールバンドなど、
どのような一般的シールバンド材で形成しても構わない
だろう。しかし、キャップの接合面１６もまた、その上
に本発明で基板上に使用された薄膜金属化シールバンド
を使用しても良い。図４に示すように、キャップのシー
ルバンド４２は前述の基板の場合と同様な方法で形成さ
れたクロム４４、ニッケル４６及び金４８が順に重なっ
た層から成っている。そのようにして金の層でできた障
害物のない表面５０がシール用半田を受入れる用意が整
う。
【００２２】相互接続構造２２上の電子デバイスの組立
が完了すると、モジュール１０はシーリングの準備が完
了する。図５に示すように、キャップ接合面１６を基板
接合面１８の上に置き、対応するシールバンド４２、３
２を接近させて半田５２の層を付着させる。この半田は
前もって形成された帯状の固体半田により、または他の
既知の技術による方法によって付着される。本発明の出
願の気密封止モジュールを製造するために使用される半
田は、４００℃を超えない温度で溶解し流動しなければ
ならない。適合する半田には、各種鉛錫半田、及び鉛、
錫、ビスマス、インジューム、金、またはアンチモニー
をベースにし４００℃を超えない温度でリフローする、
各種ソフト半田も含まれる。
【００２３】シーリングの効果を生むためには、シール
バンドは半田が溶かされ、キャップのシールバンドの自
由な表面５０と、基板のシールバンドの自由な表面４０
の間を流れるように加熱される。次に、ＭＣＭ−Ｄモジ
ュールの相互接続構造２２の劣化、及び障害を防ぐため
に、モジュール全体１０は４００℃を超えない温度に加
熱され、半田はシールバンドの間に流し込まれる。組立
てられた製品全体は、引き続いて冷却されて、半田層５
２が固化され、キャップと基板の周辺を囲むシールバン
ドの気密封止を完成する。
【００２４】 本発明で得られる利点には、薄膜相互接
続構造の製造を通して、平坦で滑らかな表面を維持しう
ることを含んでいる。薄膜製造の過程で見出された前提
条件の一つは、一様な膜厚及び構造機構の重要な寸法を
確実にするためには、基板が平坦でなければならないこ
と、及びボイドがないということである。もう一つの利
点は低温製造であることである。薄膜相互接続構造は不
活性雰囲気中で４００℃を超える温度、及び酸素雰囲気
中では２００℃を越える温度に耐えることができない。
さらに、本発明は気密半田シールに複数回の再加工を可
能にするための薄膜冶金術がシールバンドに取り入れら
れている。ＭＣＭ−Ｄ基板、及び集積回路デバイスが高
価であるため、複数回の再加工後も機密性を維持できる
シーリング技術を有することが強く望まれている。即
ち、キャップを外すために半田を溶かすこと、及びその
後で半導体デバイスを修理、または再加工後、キャップ
をその上に再び半田付けすることが可能なことである。
本発明は再加工能力と気密性、ならびにここに述べたよ
うなモジュール中のストレス・テストを立証した。最後
に、この発明の重要な利点は、基板の上にシールバンド
を作ることができること、及び薄膜相互接続が作られて
テストされた後に引き続いて、薄膜構造の性能、または
信頼性に影響を与えることなく低価格の半田シールでモ
ジュールをシールできることである。
【００２５】まとめとして本発明の構成に関して以下の
事項を開示する。
【００２６】（１） 封止された電子デバイスの気密封
止をするための方法であって、（ａ）電子デバイス用の
基板とキャップを獲得するステップであって、前記キャ
ップと基板は、接合されたときに気密封止をつくるため
の相補的な接合面を有し、少なくとも前記基板の接合面
は研磨され、その上に溶融半田に濡れ、固化後に前記半
田に接着することが可能な、少なくとも１つの金属製薄
膜シーリング層を有し、前記キャップの接合面は溶融半
田に濡れ、固化後に前記半田に接着することができ、前
記接合面の各々は前記基板及びキャップの各々の周辺に
切れ目なく広がっているステップと、（ｂ）前記基板の
前記シーリング層と前記キャップの接合面が近接して置
かれるように、前記基板と前記キャップを組合わせるス
テップと、（ｃ）前記キャップの接合面と前記基板のシ
ーリング層との間に、４００℃を超えない融点を有する
溶融半田の層を付着させるステップと、（ｄ）前記基
板、キャップ、及び半田を４００℃を超えない温度まで
加熱するステップと、（ｅ）前記電子デバイスの前記キ
ャップと基板との間に気密封止を形成するために前記半
田を固化するステッップとを含む、方法。 （２） 前記接合面の各々が平坦である、（１）に記載
の方法。 （３） 前記ステップ（ａ）は、前記基板及びキャップ
の周辺部に薄膜を形成するために、前記基板の接合面の
上に前記金属をパターン状に付着させることを含む、
（１）に記載の方法。 （４） 前記薄膜シーリング層が０．００１インチ（２
５．４マイクロメータ）を超えない厚みを有する、
（１）に記載の方法。 （５） 前記基板の接合面上の前記薄膜シーリング層が
クロム、ニッケル及び金からなる連続した層を有する、
（１）に記載の方法。 （６） 前記金属がクロム、ニッケル、銅及び金からな
るグループから選択される、（１）に記載の方法。 （７） 前記半田が４００℃を超えない温度でリフロー
する、鉛、錫、ビスマス、インジウム、金、またはアン
チモニをベースとした半田からなるグループから選択す
る、（１）に記載の方法。 （８） 前記ステップ（ａ）が、さらに前記キャップの
接合面を研磨し、その上溶融半田に濡れて、かつ固化後
に前記半田に接着を可能とする少なくとも１つの金属製
薄膜シーリング層を形成することを含む、（１）に記載
の方法。 （９） 前記基板はＳＣＭーＤ、またはＭＣＭーＤ基板
である、（１）に記載の方法。 （１０） 前記ステップ（ａ）が前記基板及びキャップ
の周辺に薄膜を形成するために、蒸着、スパッタリング
付着、及びホトリソグラフィック付着からなるグループ
から選択された工程により前記基板接合面の上にパター
ン状に前記金属を付着させることを含む、（１）に記載
の方法。 （１１） 少なくとも１つの電子デバイスを内部に封止
するためのモジュールであって、 ａ） 周辺にわたり切れ目なく広がる接合面を有するモ
ジュール用のキャップと、 ｂ） その上に少なくとも一つの重合体誘電物質及び金
属物質の少なくとも一つの配線パスから成る前記電子デ
バイス用の薄膜配線層が形成されている研磨された平坦
な上面と、周辺にわたり切れ目なく広がる前記研磨され
た上面上の接合面とを有する、 モジュール用の基板
と、 ｃ） 約０．００１インチ（２５．４マイクロメータ）
以下の厚みを有し、融点が４００℃を超えない溶融半田
に濡れ、固化後半田に前記半田に接着が可能な金属から
なる、少なくとも１つの前記基板の接合面上の薄膜シー
リング層と、 ｄ）前記モジュールの気密封止を形成する、前記キャッ
プ及び前記基板のシーリング層の間にある、前記半田の
層とを含むモジュール。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従い、電子デバイスを内部に閉じ込め
るためのセラミック基板とキャップの分解透視図であ
る。
【図２】本発明に従い、電子デバイスを内部に閉じ込め
るための気密封止されたセラミック基板とキャップの一
部分の立断面図である。
【図３】図２の一部分の詳細図であり、セラミック基板
上のシーリング層について出願の実施例を示す立断面図
を示している。
【図４】図２の一部分の詳細図であって、キャップ上の
シーリング層の立断面図の代替の実施例の一つを示す。
【図５】図２の一部分の詳細図で、セラミック基板とキ
ャップの間の完全な気密封止の立断面の代替の実施例の
一つを示している。
【符号の説明】
１０ モジュール １２ キャップ １４ 基板 １６ キャップ上の接合面 １８ 基板上の接合面 ２０ チップ ２２ 薄膜相互接続構造物 ２４ 半田球 ２６ 入出力コネクタ ３０ 基板上面 ３２、４２ 薄膜シールバンド ３４、４４ クロム層 ３６、４６ ニッケル層 ３８、４８ 金層 ４０ 表面 ５０ シールバンドの自由な表面 ５２ 半田層

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】封止された電子デバイスの気密封止をする
    ための方法であって、 （ａ）電子デバイス用の基板とキャップを獲得するステ
    ップであって、前記キャップと基板は、接合されたとき
    に気密封止をつくるための相補的な接合面を有し、少な
    くとも前記基板の接合面は研磨され、その上に溶融半田
    に濡れ、固化後に前記半田に接着することが可能な、少
    なくとも１つの金属製薄膜シーリング層を有し、前記キ
    ャップの接合面は溶融半田に濡れ、固化後に前記半田に
    接着することができ、前記接合面の各々は前記基板及び
    キャップの各々の周辺に切れ目なく広がっているステッ
    プと、 （ｂ）前記基板の前記シーリング層と前記キャップの接
    合面が近接して置かれるように、前記基板と前記キャッ
    プを組合わせるステップと、 （ｃ）前記キャップの接合面と前記基板のシーリング層
    との間に、４００℃を超えない融点を有する溶融半田の
    層を付着させるステップと、 （ｄ）前記基板、キャップ、及び半田を４００℃を超え
    ない温度まで加熱するステップと、 （ｅ）前記電子デバイスの前記キャップと基板との間に
    気密封止を形成するために前記半田を固化するステッッ
    プとを含む、方法。
  2. 【請求項２】前記接合面の各々が平坦である、請求項１
    に記載の方法。
  3. 【請求項３】前記ステップ（ａ）は、前記基板及びキャ
    ップの周辺部に薄膜を形成するために、前記基板の接合
    面の上に前記金属をパターン状に付着させることを含
    む、請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】前記薄膜シーリング層が０．００１インチ
    （２５．４マイクロメータ）を超えない厚みを有する、
    請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】前記基板の接合面上の前記薄膜シーリング
    層がクロム、ニッケル及び金からなる連続した層を有す
    る、請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】前記金属がクロム、ニッケル、銅及び金か
    らなるグループから選択される、請求項１に記載の方
    法。
  7. 【請求項７】前記半田が４００℃を超えない温度でリフ
    ローする、鉛、錫、ビスマス、インジウム、金、または
    アンチモニをベースとした半田からなるグループから選
    択する、請求項１に記載の方法。
  8. 【請求項８】前記ステップ（ａ）が、さらに前記キャッ
    プの接合面を研磨し、その上溶融半田に濡れて、かつ固
    化後に前記半田に接着を可能とする少なくとも１つの金
    属製薄膜シーリング層を形成することを含む、請求項１
    に記載の方法。
  9. 【請求項９】前記基板はＳＣＭーＤ、またはＭＣＭーＤ
    基板である、請求項１に記載の方法。
  10. 【請求項１０】前記ステップ（ａ）が前記基板及びキャ
    ップの周辺に薄膜を形成するために、蒸着、スパッタリ
    ング付着、及びホトリソグラフィック付着からなるグル
    ープから選択された工程により前記基板接合面の上にパ
    ターン状に前記金属を付着させることを含む、請求項１
    に記載の方法。
  11. 【請求項１１】少なくとも１つの電子デバイスを内部に
    封止するためのモジュールであって、 ａ） 周辺にわたり切れ目なく広がる接合面を有するモ
    ジュール用のキャップと、 ｂ） その上に少なくとも一つの重合体誘電物質及び金
    属物質の少なくとも一つの配線パスから成る前記電子デ
    バイス用の薄膜配線層が形成されている研磨された平坦
    な上面と、周辺にわたり切れ目なく広がる前記研磨され
    た上面上の接合面とを有する、 モジュール用の基板
    と、 ｃ） 約０．００１インチ（２５．４マイクロメータ）
    以下の厚みを有し、融点が４００℃を超えない溶融半田
    に濡れ、固化後半田に前記半田に接着が可能な金属から
    なる、少なくとも１つの前記基板の接合面上の薄膜シー
    リング層と、 ｄ）前記モジュールの気密封止を形成する、前記キャッ
    プ及び前記基板のシーリング層の間にある、前記半田の
    層とを含むモジュール。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015779A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Kyocera Kinseki Corp 圧電振動子の製造方法及び圧電振動子

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5744752A (en) * 1995-06-05 1998-04-28 International Business Machines Corporation Hermetic thin film metallized sealband for SCM and MCM-D modules
US5877042A (en) * 1996-08-28 1999-03-02 Motorola, Inc. Glass/Metal package and method for producing the same
US5982038A (en) * 1997-05-01 1999-11-09 International Business Machines Corporation Cast metal seal for semiconductor substrates
US6096576A (en) 1997-09-02 2000-08-01 Silicon Light Machines Method of producing an electrical interface to an integrated circuit device having high density I/O count
US6062461A (en) * 1998-06-03 2000-05-16 Delphi Technologies, Inc. Process for bonding micromachined wafers using solder
US6136128A (en) * 1998-06-23 2000-10-24 Amerasia International Technology, Inc. Method of making an adhesive preform lid for electronic devices
US6872984B1 (en) * 1998-07-29 2005-03-29 Silicon Light Machines Corporation Method of sealing a hermetic lid to a semiconductor die at an angle
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
US7273763B1 (en) 1998-12-15 2007-09-25 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Method of producing a micro-electromechanical element
US6853067B1 (en) 1999-10-12 2005-02-08 Microassembly Technologies, Inc. Microelectromechanical systems using thermocompression bonding
US20020076910A1 (en) * 1999-12-15 2002-06-20 Pace Benedict G. High density electronic interconnection
DE10101086B4 (de) * 2000-01-12 2007-11-08 International Rectifier Corp., El Segundo Leistungs-Moduleinheit
US6956878B1 (en) 2000-02-07 2005-10-18 Silicon Light Machines Corporation Method and apparatus for reducing laser speckle using polarization averaging
US20020096421A1 (en) * 2000-11-29 2002-07-25 Cohn Michael B. MEMS device with integral packaging
US6342407B1 (en) 2000-12-07 2002-01-29 International Business Machines Corporation Low stress hermetic seal
US6740603B2 (en) * 2001-02-01 2004-05-25 Texas Instruments Incorporated Control of Vmin transient voltage drift by maintaining a temperature less than or equal to 350° C. after the protective overcoat level
US7177081B2 (en) 2001-03-08 2007-02-13 Silicon Light Machines Corporation High contrast grating light valve type device
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US6865346B1 (en) 2001-06-05 2005-03-08 Silicon Light Machines Corporation Fiber optic transceiver
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6930364B2 (en) 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US6956995B1 (en) 2001-11-09 2005-10-18 Silicon Light Machines Corporation Optical communication arrangement
KR100442830B1 (ko) * 2001-12-04 2004-08-02 삼성전자주식회사 저온의 산화방지 허메틱 실링 방법
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6767751B2 (en) 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US7054515B1 (en) 2002-05-30 2006-05-30 Silicon Light Machines Corporation Diffractive light modulator-based dynamic equalizer with integrated spectral monitor
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US6908201B2 (en) 2002-06-28 2005-06-21 Silicon Light Machines Corporation Micro-support structures
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6835593B2 (en) * 2002-08-01 2004-12-28 Rohm Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US7057795B2 (en) 2002-08-20 2006-06-06 Silicon Light Machines Corporation Micro-structures with individually addressable ribbon pairs
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
US6928207B1 (en) 2002-12-12 2005-08-09 Silicon Light Machines Corporation Apparatus for selectively blocking WDM channels
US7057819B1 (en) 2002-12-17 2006-06-06 Silicon Light Machines Corporation High contrast tilting ribbon blazed grating
US6987600B1 (en) 2002-12-17 2006-01-17 Silicon Light Machines Corporation Arbitrary phase profile for better equalization in dynamic gain equalizer
US6934070B1 (en) 2002-12-18 2005-08-23 Silicon Light Machines Corporation Chirped optical MEM device
US6927891B1 (en) 2002-12-23 2005-08-09 Silicon Light Machines Corporation Tilt-able grating plane for improved crosstalk in 1×N blaze switches
US7068372B1 (en) 2003-01-28 2006-06-27 Silicon Light Machines Corporation MEMS interferometer-based reconfigurable optical add-and-drop multiplexor
US7286764B1 (en) 2003-02-03 2007-10-23 Silicon Light Machines Corporation Reconfigurable modulator-based optical add-and-drop multiplexer
US6947613B1 (en) 2003-02-11 2005-09-20 Silicon Light Machines Corporation Wavelength selective switch and equalizer
US6922272B1 (en) 2003-02-14 2005-07-26 Silicon Light Machines Corporation Method and apparatus for leveling thermal stress variations in multi-layer MEMS devices
US7391973B1 (en) 2003-02-28 2008-06-24 Silicon Light Machines Corporation Two-stage gain equalizer
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US6922273B1 (en) 2003-02-28 2005-07-26 Silicon Light Machines Corporation PDL mitigation structure for diffractive MEMS and gratings
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
US7027202B1 (en) 2003-02-28 2006-04-11 Silicon Light Machines Corp Silicon substrate as a light modulator sacrificial layer
US7042611B1 (en) 2003-03-03 2006-05-09 Silicon Light Machines Corporation Pre-deflected bias ribbons
US7291513B2 (en) * 2003-12-15 2007-11-06 Dalsa Semiconductor Inc. Hermetic wafer-level packaging for MEMS devices with low-temperature metallurgy
EP1575084B1 (en) * 2004-03-01 2010-05-26 Imec Method for depositing a solder material on a substrate
EP1571704A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-07 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Method for depositing a solder material on a substrate in the form of a predetermined pattern
US7642642B2 (en) * 2004-03-23 2010-01-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Microcap wafer bonding apparatus
JP4699444B2 (ja) * 2005-01-29 2011-06-08 アストリウム・リミテッド パッケージ化された高周波回路モジュールを組み立てる方法
US7743963B1 (en) 2005-03-01 2010-06-29 Amerasia International Technology, Inc. Solderable lid or cover for an electronic circuit
JP4618790B2 (ja) * 2005-04-07 2011-01-26 田中貴金属工業株式会社 ハーメチックシールカバー及びその製造方法
US7692521B1 (en) 2005-05-12 2010-04-06 Microassembly Technologies, Inc. High force MEMS device
US7243833B2 (en) * 2005-06-30 2007-07-17 Intel Corporation Electrically-isolated interconnects and seal rings in packages using a solder preform
US8359739B2 (en) * 2007-06-27 2013-01-29 Rf Micro Devices, Inc. Process for manufacturing a module
US7936062B2 (en) 2006-01-23 2011-05-03 Tessera Technologies Ireland Limited Wafer level chip packaging
US7547576B2 (en) * 2006-02-01 2009-06-16 International Business Machines Corporation Solder wall structure in flip-chip technologies
US7675162B2 (en) * 2006-10-03 2010-03-09 Innovative Micro Technology Interconnect structure using through wafer vias and method of fabrication
US8604605B2 (en) * 2007-01-05 2013-12-10 Invensas Corp. Microelectronic assembly with multi-layer support structure
WO2008105258A1 (ja) * 2007-02-26 2008-09-04 Neomax Materials Co., Ltd. 気密封止用キャップ、電子部品収納用パッケージおよび電子部品収納用パッケージの製造方法
JP5093235B2 (ja) * 2007-06-04 2012-12-12 株式会社村田製作所 電子部品装置およびその製造方法
TWI409919B (zh) * 2010-06-04 2013-09-21 財團法人工業技術研究院 真空氣密之有機構裝載體與感測器元件構裝
KR101046502B1 (ko) * 2010-11-12 2011-07-04 주식회사 케이엠더블유 통신용 함체
EP2750182A1 (en) * 2012-12-28 2014-07-02 Services Pétroliers Schlumberger Electronic device sealing for a downhole tool
US9334154B2 (en) * 2014-08-11 2016-05-10 Raytheon Company Hermetically sealed package having stress reducing layer
JP6499886B2 (ja) * 2015-03-11 2019-04-10 田中貴金属工業株式会社 電子部品封止用キャップ
FR3061404B1 (fr) * 2016-12-27 2022-09-23 Packaging Sip Procede de fabrication collective de modules electroniques hermetiques
US12588499B2 (en) * 2020-06-18 2026-03-24 Intel Corporation Integrated circuit heat spreader including sealant interface material
CN115101422A (zh) * 2022-06-15 2022-09-23 湖南长城银河科技有限公司 一种半导体气密性封装方法及密封腔

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3107756A (en) * 1958-09-16 1963-10-22 Thomson Houston Comp Francaise Metalized ceramic members
US3619233A (en) * 1969-03-06 1971-11-09 Globe Union Inc Method of metallizing a ceramic member
US3770404A (en) * 1970-01-15 1973-11-06 Mallory & Co Inc P R Metal-to-glass-to-ceramic seal
US3638076A (en) * 1970-01-15 1972-01-25 Mallory & Co Inc P R Metal-to-glass-to-ceramic seal
US3946190A (en) * 1972-05-26 1976-03-23 Semi-Alloys Incorporated Method of fabricating a sealing cover for an hermetically sealed container
US3936864A (en) * 1973-05-18 1976-02-03 Raytheon Company Microwave transistor package
CA997419A (en) * 1974-02-22 1976-09-21 Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of National Defence Alkaline battery seal
US4142203A (en) * 1976-12-20 1979-02-27 Avx Corporation Method of assembling a hermetically sealed semiconductor unit
US4411680A (en) * 1977-09-26 1983-10-25 James C. Kyle Ceramic seal between spaced members such as a terminal pin and a ferrule
US4401766A (en) * 1977-09-26 1983-08-30 James C. Kyle Ceramic seal between spaced members such as a terminal pin and a ferrule
US4094514A (en) * 1977-11-28 1978-06-13 Chicago Rawhide Manufacturing Company Metal alloy composition with improved wear resistance
US4212349A (en) * 1979-01-02 1980-07-15 International Business Machines Corporation Micro bellows thermo capsule
US4261584A (en) * 1979-11-19 1981-04-14 International Business Machines Corporation Hermetic seal
US4294729A (en) * 1979-12-17 1981-10-13 International Business Machines Corporation Composition containing alcohol and use thereof for epoxy removal
US4313492A (en) * 1979-12-20 1982-02-02 International Business Machines Corporation Micro helix thermo capsule
US4291815B1 (en) * 1980-02-19 1998-09-29 Semiconductor Packaging Materi Ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip
US4356047A (en) * 1980-02-19 1982-10-26 Consolidated Refining Co., Inc. Method of making ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip
US4410647A (en) * 1980-11-28 1983-10-18 International Business Machines Corporation Epoxy composition and sealing of integrated circuit modules therewith
US4463315A (en) * 1982-04-12 1984-07-31 Outboard Marine Corporation CD power pack tester
US4471259A (en) * 1982-08-26 1984-09-11 Motorola Inc. Crystal package for a high-G environment
US5001546A (en) * 1983-07-27 1991-03-19 Olin Corporation Clad metal lead frame substrates
US4603345A (en) * 1984-03-19 1986-07-29 Trilogy Computer Development Partners, Ltd. Module construction for semiconductor chip
US4657337A (en) * 1984-06-29 1987-04-14 Kyle James C Electrical connector and method of producing electrical connector
US4601958A (en) * 1984-09-26 1986-07-22 Allied Corporation Plated parts and their production
US4610934A (en) * 1985-01-17 1986-09-09 Kennecott Corporation Silicon carbide-to-metal joint and method of making same
US4871108A (en) * 1985-01-17 1989-10-03 Stemcor Corporation Silicon carbide-to-metal joint and method of making same
US4722586A (en) * 1985-04-12 1988-02-02 Tektronix, Inc. Electro-optical transducer module
EP0263222B1 (en) * 1986-10-08 1992-03-25 International Business Machines Corporation Method of forming solder terminals for a pinless ceramic module
US4746583A (en) * 1986-11-21 1988-05-24 Indium Corporation Ceramic combined cover
US4750665A (en) * 1986-11-21 1988-06-14 Indium Corporation Of America Method of producing a combination cover
US4764846A (en) * 1987-01-05 1988-08-16 Irvine Sensors Corporation High density electronic package comprising stacked sub-modules
US4806704A (en) * 1987-06-08 1989-02-21 General Electric Company Metal matrix composite and structure using metal matrix composites for electronic applications
US5016138A (en) * 1987-10-27 1991-05-14 Woodman John K Three dimensional integrated circuit package
JPH01217948A (ja) * 1988-02-26 1989-08-31 Hitachi Ltd 気密封止型半導体装置
US4824123A (en) * 1988-03-31 1989-04-25 Smith International, Inc. Mechanical face seal for rock bits
CA2002213C (en) * 1988-11-10 1999-03-30 Iwona Turlik High performance integrated circuit chip package and method of making same
US5188280A (en) * 1989-04-28 1993-02-23 Hitachi Ltd. Method of bonding metals, and method and apparatus for producing semiconductor integrated circuit device using said method of bonding metals
JPH0311653A (ja) * 1989-06-07 1991-01-18 Nec Yamagata Ltd 半導体装置
US5032788A (en) * 1989-06-26 1991-07-16 Digital Equipment Corp. Test cell for non-contact opens/shorts testing of electrical circuits
JPH03108361A (ja) * 1989-09-22 1991-05-08 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JPH03169052A (ja) * 1989-11-29 1991-07-22 Hitachi Ltd パッケージ
JP2760107B2 (ja) * 1989-12-07 1998-05-28 住友電気工業株式会社 セラミックス基板の表面構造およびその製造方法
GB8928799D0 (en) * 1989-12-20 1990-02-28 Du Pont Canada Self voiding jaw for packaging machine
JPH0432253A (ja) * 1990-05-29 1992-02-04 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の実装構造およびそれに用いる実装基板
US5337588A (en) * 1990-10-11 1994-08-16 Intellikey Corporation Electronic lock and key system
US5183269A (en) * 1991-02-06 1993-02-02 Chicago Rawhide Manufacturing Co. Unitized grit seal with removable thrust bumper
US5139972A (en) * 1991-02-28 1992-08-18 General Electric Company Batch assembly of high density hermetic packages for power semiconductor chips
US5302219A (en) * 1991-04-03 1994-04-12 Coors Electronic Package Company Method for obtaining via patterns in ceramic sheets
US5276455A (en) * 1991-05-24 1994-01-04 The Boeing Company Packaging architecture for phased arrays
US5132185A (en) * 1991-06-21 1992-07-21 General Electric Company Ceramic articles having heat-sealable metallic coatings
US5360988A (en) * 1991-06-27 1994-11-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and methods for production thereof
JPH0513603A (ja) * 1991-07-02 1993-01-22 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP3002034B2 (ja) * 1991-10-02 2000-01-24 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
US5311059A (en) * 1992-01-24 1994-05-10 Motorola, Inc. Backplane grounding for flip-chip integrated circuit
CA2089435C (en) * 1992-02-14 1997-12-09 Kenzi Kobayashi Semiconductor device
US5229727A (en) * 1992-03-13 1993-07-20 General Electric Company Hermetically sealed microstrip to microstrip transition for printed circuit fabrication
US5616520A (en) * 1992-03-30 1997-04-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device and fabrication method thereof
US5280413A (en) * 1992-09-17 1994-01-18 Ceridian Corporation Hermetically sealed circuit modules having conductive cap anchors
US5336928A (en) * 1992-09-18 1994-08-09 General Electric Company Hermetically sealed packaged electronic system
US5371404A (en) * 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
JP2795788B2 (ja) * 1993-02-18 1998-09-10 シャープ株式会社 半導体チップの実装方法
US5413489A (en) * 1993-04-27 1995-05-09 Aptix Corporation Integrated socket and IC package assembly
US5498900A (en) * 1993-12-22 1996-03-12 Honeywell Inc. Semiconductor package with weldable ceramic lid
US5378313A (en) * 1993-12-22 1995-01-03 Pace; Benedict G. Hybrid circuits and a method of manufacture
JPH07193164A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Nec Corp 半導体集積回路装置
US5744752A (en) * 1995-06-05 1998-04-28 International Business Machines Corporation Hermetic thin film metallized sealband for SCM and MCM-D modules
US5945735A (en) * 1997-01-31 1999-08-31 International Business Machines Corporation Hermetic sealing of a substrate of high thermal conductivity using an interposer of low thermal conductivity

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015779A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Kyocera Kinseki Corp 圧電振動子の製造方法及び圧電振動子

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