JPH0845819A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH0845819A JPH0845819A JP6177898A JP17789894A JPH0845819A JP H0845819 A JPH0845819 A JP H0845819A JP 6177898 A JP6177898 A JP 6177898A JP 17789894 A JP17789894 A JP 17789894A JP H0845819 A JPH0845819 A JP H0845819A
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- mask
- illumination
- optical system
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 スループットの低下を招くことなく、マスク
のパターンを良好に基板上に転写する。 【構成】 投影光学系に対してマスクと基板とを移動さ
せつつ露光を行う露光装置は、マスク(M) 上を照明する
第１照明光学系(ILa) と、第１照明光学系とは異なる領
域のマスク上を照明する第２照明光学系(ILb) と、第１
照明光学系により照明されたマスクの正立像を基板(P)
上に形成する第１投影光学系(PLa) と、第２照明光学系
により照明されたマスクの正立像を基板上に形成する第
２投影光学系(PLb) とを有する。ここで、第１及び第２
照明光学系には、照明領域を移動させる照明領域移動手
段(101a,102a,101b,102b) が設けられる。
のパターンを良好に基板上に転写する。 【構成】 投影光学系に対してマスクと基板とを移動さ
せつつ露光を行う露光装置は、マスク(M) 上を照明する
第１照明光学系(ILa) と、第１照明光学系とは異なる領
域のマスク上を照明する第２照明光学系(ILb) と、第１
照明光学系により照明されたマスクの正立像を基板(P)
上に形成する第１投影光学系(PLa) と、第２照明光学系
により照明されたマスクの正立像を基板上に形成する第
２投影光学系(PLb) とを有する。ここで、第１及び第２
照明光学系には、照明領域を移動させる照明領域移動手
段(101a,102a,101b,102b) が設けられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクと基板とを移動
させつつ、マスクの像を基板上に露光する走査型の露光
装置に関する。
させつつ、マスクの像を基板上に露光する走査型の露光
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ワープロ、パソコン、テレビ等に
用いられる表示素子として、液晶表示パネルが多用され
るようになっている。このような液晶表示パネルの製造
の際には、ガラス基板上に薄膜電極をフォトリソグラフ
ィの手法で所望の形状にパターンニングすることが行わ
れている。この種の装置としては、例えば図１０に示す
如きミラープロジェクションタイプのアライナーが知ら
れている。
用いられる表示素子として、液晶表示パネルが多用され
るようになっている。このような液晶表示パネルの製造
の際には、ガラス基板上に薄膜電極をフォトリソグラフ
ィの手法で所望の形状にパターンニングすることが行わ
れている。この種の装置としては、例えば図１０に示す
如きミラープロジェクションタイプのアライナーが知ら
れている。
【０００３】図１０において、マスクＭは、図示なき照
明光学系による円弧状の照野ＭＩにて照明される。この
照野ＭＩからの光は、台形ミラー７１の反射面７１ａに
て光路が約９０°偏向され、凹面鏡７２及び凸面鏡７３
を介して再び凹面鏡７２に達する。凹面鏡７２にて反射
された光は、台形ミラー７１の反射面７１ｂにて光路が
９０°偏向された後、感光剤（レジスト）が塗布された
ガラス基板からなるプレートＰ上に照野ＭＩの像ＰＩを
形成する。ここで、マスクＭとプレートＰとを図中矢印
の方向へ走査することによって、マスクＭの像はプレー
トＰ上に転写される。
明光学系による円弧状の照野ＭＩにて照明される。この
照野ＭＩからの光は、台形ミラー７１の反射面７１ａに
て光路が約９０°偏向され、凹面鏡７２及び凸面鏡７３
を介して再び凹面鏡７２に達する。凹面鏡７２にて反射
された光は、台形ミラー７１の反射面７１ｂにて光路が
９０°偏向された後、感光剤（レジスト）が塗布された
ガラス基板からなるプレートＰ上に照野ＭＩの像ＰＩを
形成する。ここで、マスクＭとプレートＰとを図中矢印
の方向へ走査することによって、マスクＭの像はプレー
トＰ上に転写される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の如き従来の技術
において、露光領域の拡大を図る場合には、まず露光領
域を複数の領域に分割して露光を行うことが考えられ
る。このときには、分割された複数のマスクを交換しな
がら露光を行うことによって、プレート（基板）上には
分割された複数の露光領域にマスクの像が順次形成され
る。しかしながら、この露光方法においては、複数の露
光領域を露光する間の工程において、マスクの交換動作
が必要となるため、スループットの低下を招き、複数の
露光領域の間で精度良くパターンを継ぐ必要があるた
め、各マスクにおいてパターンの精度を非常に高める必
要がある。
において、露光領域の拡大を図る場合には、まず露光領
域を複数の領域に分割して露光を行うことが考えられ
る。このときには、分割された複数のマスクを交換しな
がら露光を行うことによって、プレート（基板）上には
分割された複数の露光領域にマスクの像が順次形成され
る。しかしながら、この露光方法においては、複数の露
光領域を露光する間の工程において、マスクの交換動作
が必要となるため、スループットの低下を招き、複数の
露光領域の間で精度良くパターンを継ぐ必要があるた
め、各マスクにおいてパターンの精度を非常に高める必
要がある。
【０００５】次に、マスクを交換することなく、露光領
域の拡大を図るために、投影光学系の視野よりも大きな
マスクを用いて、マスクとプレートとを走査させつつ露
光する動作の後に、マスクとプレートとを走査直交方向
に移動させ（ステップ動作させ）、再びマスクとプレー
トとを走査露光する動作を行う手法がある。このような
手法においても、走査露光の動作とステップ動作とを交
互に繰り返す必要があるため、スループットが低下する
問題点がある。
域の拡大を図るために、投影光学系の視野よりも大きな
マスクを用いて、マスクとプレートとを走査させつつ露
光する動作の後に、マスクとプレートとを走査直交方向
に移動させ（ステップ動作させ）、再びマスクとプレー
トとを走査露光する動作を行う手法がある。このような
手法においても、走査露光の動作とステップ動作とを交
互に繰り返す必要があるため、スループットが低下する
問題点がある。
【０００６】そこで、本発明は、スループットの低下を
招くことなく、マスクのパターンを良好に基板上に転写
できる露光装置を提供することを目的とする。
招くことなく、マスクのパターンを良好に基板上に転写
できる露光装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、例えば図１に示す如く、本発明による露光装置
は、照明光学系によりマスク(M) を照明し、マスクの像
を基板(P) 上に形成する投影光学系に対してマスクと基
板とを移動させつつ露光を行う露光装置であって、照明
光学系は、マスク上に第１の照明領域(MIa) を形成する
第１照明光学系(ILa) と、マスク上に第１の照明領域と
は異なる第２の照明領域(MIb) を形成する第２照明光学
系(ILb) とを有する。そして、投影光学系は、第１の照
明領域により照明されたマスクの正立像を基板上に形成
する第１投影光学系(PLa) と、第２の照明領域により照
明されたマスクの正立像を基板上に形成する第２投影光
学系(PLb) とを有する。ここで、第１及び第２照明光学
系は、マスクに対して第１及び第２の照明領域を移動さ
せる照明領域移動手段(101a,102a,101b,102b) を有す
る。
めに、例えば図１に示す如く、本発明による露光装置
は、照明光学系によりマスク(M) を照明し、マスクの像
を基板(P) 上に形成する投影光学系に対してマスクと基
板とを移動させつつ露光を行う露光装置であって、照明
光学系は、マスク上に第１の照明領域(MIa) を形成する
第１照明光学系(ILa) と、マスク上に第１の照明領域と
は異なる第２の照明領域(MIb) を形成する第２照明光学
系(ILb) とを有する。そして、投影光学系は、第１の照
明領域により照明されたマスクの正立像を基板上に形成
する第１投影光学系(PLa) と、第２の照明領域により照
明されたマスクの正立像を基板上に形成する第２投影光
学系(PLb) とを有する。ここで、第１及び第２照明光学
系は、マスクに対して第１及び第２の照明領域を移動さ
せる照明領域移動手段(101a,102a,101b,102b) を有す
る。
【０００８】なお、本発明における「正立像」とは、走
査方向及び走査直交方向における横倍率が正となる像の
ことを指す。
査方向及び走査直交方向における横倍率が正となる像の
ことを指す。
【０００９】
【作用】上述の如き本発明による露光装置においては、
複数の投影光学系を組み合わせる構成であるため、大き
な露光領域を一回の露光で得ることができ、スループッ
トを高められる利点を有する。さらに、本発明では、照
明領域移動手段により第１及び第２の照明領域をマスク
上において移動させることができるため、例えば複数の
照明光学系の組付け誤差がある場合においても、常にプ
レート上に露光されるエネルギーを一定にすることが可
能となる。
複数の投影光学系を組み合わせる構成であるため、大き
な露光領域を一回の露光で得ることができ、スループッ
トを高められる利点を有する。さらに、本発明では、照
明領域移動手段により第１及び第２の照明領域をマスク
上において移動させることができるため、例えば複数の
照明光学系の組付け誤差がある場合においても、常にプ
レート上に露光されるエネルギーを一定にすることが可
能となる。
【００１０】また、本発明においては、第１及び第２投
影光学系の少なくとも一方が有する光軸は、他方の投影
光学系の光軸に対して移動可能とする構成が好ましい。
この構成により、常にマスクのパターンを正確に基板上
の所定の位置に転写することが可能となる。ここで、第
１及び第２投影光学系において、マスク側の光軸の関係
と基板側の光軸の関係とが等しくない場合には、照明領
域移動手段によって第１及び第２の照明領域を照明領域
の走査方向の幅が常に一定となるように調整したとして
も、基板上に形成される第１の照明領域の像（第１の露
光領域）と第２の照明領域の像（第２の露光領域）とに
おいて、第１及び第２の照明領域に対するマスク面内方
向での位置関係がくるうため、それぞれの露光領域の走
査方向の幅が一定とならない。このときには、基板上で
の露光量が一定とならず、基板上に転写されるパターン
の線幅が部分的に異なるため好ましくない。
影光学系の少なくとも一方が有する光軸は、他方の投影
光学系の光軸に対して移動可能とする構成が好ましい。
この構成により、常にマスクのパターンを正確に基板上
の所定の位置に転写することが可能となる。ここで、第
１及び第２投影光学系において、マスク側の光軸の関係
と基板側の光軸の関係とが等しくない場合には、照明領
域移動手段によって第１及び第２の照明領域を照明領域
の走査方向の幅が常に一定となるように調整したとして
も、基板上に形成される第１の照明領域の像（第１の露
光領域）と第２の照明領域の像（第２の露光領域）とに
おいて、第１及び第２の照明領域に対するマスク面内方
向での位置関係がくるうため、それぞれの露光領域の走
査方向の幅が一定とならない。このときには、基板上で
の露光量が一定とならず、基板上に転写されるパターン
の線幅が部分的に異なるため好ましくない。
【００１１】また、本発明による露光装置においては、
個々の投影光学系の露光領域を大きくすることなく大き
な露光領域を実現できるため、投影光学系の小型化を図
ることができる利点もあり、投影光学系自体を容易に高
精度とすることができる。さらに、本発明による露光装
置では、投影光学系を構成する各光学部材が小型である
ため、絶対的な収差量の発生が減少し、良好な光学性能
のもとで走査露光が実現できる利点もある。
個々の投影光学系の露光領域を大きくすることなく大き
な露光領域を実現できるため、投影光学系の小型化を図
ることができる利点もあり、投影光学系自体を容易に高
精度とすることができる。さらに、本発明による露光装
置では、投影光学系を構成する各光学部材が小型である
ため、絶対的な収差量の発生が減少し、良好な光学性能
のもとで走査露光が実現できる利点もある。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照して本発明による実施例を
説明する。図１は、本発明による露光装置の一実施例を
概略的に示す図である。なお、図１においては、マスク
Ｍ及びプレートＰの走査方向をＺ方向、マスクＭ及びプ
レートＰの面内において走査方向と直交する方向をＹ方
向、マスクＭ及びプレートＰの法線方向をＸ方向として
いる。
説明する。図１は、本発明による露光装置の一実施例を
概略的に示す図である。なお、図１においては、マスク
Ｍ及びプレートＰの走査方向をＺ方向、マスクＭ及びプ
レートＰの面内において走査方向と直交する方向をＹ方
向、マスクＭ及びプレートＰの法線方向をＸ方向として
いる。
【００１３】図１において、５つの照明光学系ＩＬａ〜
ＩＬｅは、マスクＭ上に５つの照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅ
をそれぞれ形成する。これらの照明光学系ＩＬａ〜ＩＬ
ｅは、それぞれ同様の構成を有するため、ここでは照明
光学系ＩＬａの構成のみについて説明する。光源１ａ
は、例えばｇ線(435.8nm) またはｈ線(404.7nm) の露光
光を発する超高圧水銀ランプからなり、光源１ａからの
露光光は、楕円鏡２ａにより反射、集光された後に図示
なきインプットレンズを介して平行光束となり、オプテ
ィカルインテグレータ３ａに入射する。オプティカルイ
ンテグレータ３ａは、例えばフライアイレンズから構成
され、光源１ａからの露光光に基づいてその射出面上に
複数の２次光源を形成する。オプティカルインテグレー
タ３ａからの光は、オプティカルインテグレータ３ａが
形成する２次光源面に前側焦点位置を持つコンデンサレ
ンズ４ａにより集光され、視野絞り５ａを均一に照明す
る。視野絞り５ａの開口部を介した光は、一対の平行平
面板１０１ａ，１０２ａ及びリレーレンズ系６ａ，７ａ
を順に介してマスクＭ上に達する。ここで、視野絞り５
ａとマスクＭ面とは、レンズ群６ａ及びレンズ群７ａか
らなるリレーレンズ系６ａ，７ａによって共役な配置と
なっており、マスクＭ上には、均一な光量分布の照明領
域ＭＩａが形成される。
ＩＬｅは、マスクＭ上に５つの照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅ
をそれぞれ形成する。これらの照明光学系ＩＬａ〜ＩＬ
ｅは、それぞれ同様の構成を有するため、ここでは照明
光学系ＩＬａの構成のみについて説明する。光源１ａ
は、例えばｇ線(435.8nm) またはｈ線(404.7nm) の露光
光を発する超高圧水銀ランプからなり、光源１ａからの
露光光は、楕円鏡２ａにより反射、集光された後に図示
なきインプットレンズを介して平行光束となり、オプテ
ィカルインテグレータ３ａに入射する。オプティカルイ
ンテグレータ３ａは、例えばフライアイレンズから構成
され、光源１ａからの露光光に基づいてその射出面上に
複数の２次光源を形成する。オプティカルインテグレー
タ３ａからの光は、オプティカルインテグレータ３ａが
形成する２次光源面に前側焦点位置を持つコンデンサレ
ンズ４ａにより集光され、視野絞り５ａを均一に照明す
る。視野絞り５ａの開口部を介した光は、一対の平行平
面板１０１ａ，１０２ａ及びリレーレンズ系６ａ，７ａ
を順に介してマスクＭ上に達する。ここで、視野絞り５
ａとマスクＭ面とは、レンズ群６ａ及びレンズ群７ａか
らなるリレーレンズ系６ａ，７ａによって共役な配置と
なっており、マスクＭ上には、均一な光量分布の照明領
域ＭＩａが形成される。
【００１４】従って、マスクＭ上には、視野絞り５ａ〜
５ｅによって所定の形状に規定された照明領域ＭＩａ〜
ＭＩｅが形成され、マスクＭ上の照明領域ＭＩａ〜ＭＩ
ｅ内のパターンのみが照明される。次に、照明領域ＭＩ
ａ〜ＭＩｅにより照明されたマスクＭ上のパターンから
の光は、マスクＭとプレートＰとの間の光路中に設けら
れた５つの投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅを介して、照明領
域ＭＩａ〜ＭＩｅ内にあるマスクＭのパターンの正立像
をプレートＰ上に露光領域ＰＩａ〜ＰＩｅとして形成す
る。これらの投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅは、それぞれ同
様の構成を有するため、ここでは、投影光学系ＰＬａの
みの構成について説明する。
５ｅによって所定の形状に規定された照明領域ＭＩａ〜
ＭＩｅが形成され、マスクＭ上の照明領域ＭＩａ〜ＭＩ
ｅ内のパターンのみが照明される。次に、照明領域ＭＩ
ａ〜ＭＩｅにより照明されたマスクＭ上のパターンから
の光は、マスクＭとプレートＰとの間の光路中に設けら
れた５つの投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅを介して、照明領
域ＭＩａ〜ＭＩｅ内にあるマスクＭのパターンの正立像
をプレートＰ上に露光領域ＰＩａ〜ＰＩｅとして形成す
る。これらの投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅは、それぞれ同
様の構成を有するため、ここでは、投影光学系ＰＬａの
みの構成について説明する。
【００１５】投影光学系ＰＬａは、マスクＭ面（ＹＺ平
面）に対して４５°で斜設された反射面９ａとプレート
Ｐ面（ＹＺ平面）に対して４５°で斜設された反射面１
２ａとを有する三角ミラー部材８ａと、マスクＭ面及び
プレートＰ面に平行な光軸を持つレンズ系１０ａと、互
いに直交した２つの反射面を持つ屋根型反射部材１１ａ
とを有する。ここで、屋根型反射部材１１ａの２つの反
射面の稜線は、レンズ系１０ａの前側焦点位置となるよ
うに設けられる。このような投影光学系は、例えば特公
昭49-35453号公報に開示されている。
面）に対して４５°で斜設された反射面９ａとプレート
Ｐ面（ＹＺ平面）に対して４５°で斜設された反射面１
２ａとを有する三角ミラー部材８ａと、マスクＭ面及び
プレートＰ面に平行な光軸を持つレンズ系１０ａと、互
いに直交した２つの反射面を持つ屋根型反射部材１１ａ
とを有する。ここで、屋根型反射部材１１ａの２つの反
射面の稜線は、レンズ系１０ａの前側焦点位置となるよ
うに設けられる。このような投影光学系は、例えば特公
昭49-35453号公報に開示されている。
【００１６】さて、照明領域ＭＩａにより照明されたマ
スクＭ上のパターンからの光は、三角ミラー部材８ａの
反射面９ａにより光路が９０°偏向され、レンズ系１０
ａを介した後、屋根型反射部材１１ａにて反射され、再
びレンズ系１０ａに入射する。レンズ系１０ａを介した
屋根型反射部材１１ａからの光は、三角反射部材８ａの
反射面１２ａによって、その光路が９０°偏向された
後、一対の平行平面板１０３ａ，１０４ａを順に介して
プレートＰ上に達する。ここで、投影光学系ＰＬａにお
いては、屋根型反射部材１１ａによりＹ方向の結像関係
が逆転するため、一回結像系であってもマスクＭの等倍
の正立像がプレートＰ上に形成される。
スクＭ上のパターンからの光は、三角ミラー部材８ａの
反射面９ａにより光路が９０°偏向され、レンズ系１０
ａを介した後、屋根型反射部材１１ａにて反射され、再
びレンズ系１０ａに入射する。レンズ系１０ａを介した
屋根型反射部材１１ａからの光は、三角反射部材８ａの
反射面１２ａによって、その光路が９０°偏向された
後、一対の平行平面板１０３ａ，１０４ａを順に介して
プレートＰ上に達する。ここで、投影光学系ＰＬａにお
いては、屋根型反射部材１１ａによりＹ方向の結像関係
が逆転するため、一回結像系であってもマスクＭの等倍
の正立像がプレートＰ上に形成される。
【００１７】図１では不図示ではあるが、本実施例によ
る露光装置においては、マスクＭとプレートＰとは図中
Ｚ方向に沿って移動可能なステージ上に載置されてい
る。そして、照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｅによりマスクＭ
を照明しつつ、マスクＭ及びプレートＰを一体に移動さ
せることにより、プレートＰ上には照明領域ＭＩａ〜Ｍ
Ｉｅにて照明されたマスクＭの等倍の正立像が順次形成
される。これにより、プレートＰ上にはマスクＭのパタ
ーンが転写される。
る露光装置においては、マスクＭとプレートＰとは図中
Ｚ方向に沿って移動可能なステージ上に載置されてい
る。そして、照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｅによりマスクＭ
を照明しつつ、マスクＭ及びプレートＰを一体に移動さ
せることにより、プレートＰ上には照明領域ＭＩａ〜Ｍ
Ｉｅにて照明されたマスクＭの等倍の正立像が順次形成
される。これにより、プレートＰ上にはマスクＭのパタ
ーンが転写される。
【００１８】なお、本実施例では、５組の照明光学系及
び投影光学系を設けているが、照明光学系及び投影光学
系は５組のみに限られることはない。また、本実施例で
は、照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｅは一直線状の光軸を有し
ているが、照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｅの光路中に光路偏
向のためのミラーを設けても良い。さて、本実施例で
は、複数組の照明光学系を有しているため、機械的な組
付け誤差がある場合には、マスクＭ上において視野絞り
５ａ〜５ｅの像が所定の位置から外れて結像する、すな
わち照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅが所定の位置からずれる問
題が生じる恐れがある。そこで、本実施例においては、
照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｅの光路中に照明領域移動手段
としての平行平面板１０１ａ，１０２ａ〜１０１ｅ，１
０２ｅを設けている。以下、図２及び図３を参照して説
明する。
び投影光学系を設けているが、照明光学系及び投影光学
系は５組のみに限られることはない。また、本実施例で
は、照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｅは一直線状の光軸を有し
ているが、照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｅの光路中に光路偏
向のためのミラーを設けても良い。さて、本実施例で
は、複数組の照明光学系を有しているため、機械的な組
付け誤差がある場合には、マスクＭ上において視野絞り
５ａ〜５ｅの像が所定の位置から外れて結像する、すな
わち照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅが所定の位置からずれる問
題が生じる恐れがある。そこで、本実施例においては、
照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｅの光路中に照明領域移動手段
としての平行平面板１０１ａ，１０２ａ〜１０１ｅ，１
０２ｅを設けている。以下、図２及び図３を参照して説
明する。
【００１９】図２は照明光学系ＩＬａのＸＺ断面図であ
り、図２ではコンデンサレンズ４ａからマスクＭまでの
光路のみを示している。図３は、マスクＭ上における視
野絞り５ａ〜５ｅの像である照明領域を示すＹＺ平面図
である。図２において、平行平面板１０１ａは図中Ｚ方
向を軸として回転可能に設けられており、平行平面板１
０２ａは図中Ｙ方向（紙面垂直方向）を軸として回転可
能に設けられている。また、レンズ群６ａの後側焦点位
置とレンズ群７ａの前側焦点位置とが一致するように構
成されているため、リレーレンズ群６ａ，７ａは両側テ
レセントリック光学系となる。
り、図２ではコンデンサレンズ４ａからマスクＭまでの
光路のみを示している。図３は、マスクＭ上における視
野絞り５ａ〜５ｅの像である照明領域を示すＹＺ平面図
である。図２において、平行平面板１０１ａは図中Ｚ方
向を軸として回転可能に設けられており、平行平面板１
０２ａは図中Ｙ方向（紙面垂直方向）を軸として回転可
能に設けられている。また、レンズ群６ａの後側焦点位
置とレンズ群７ａの前側焦点位置とが一致するように構
成されているため、リレーレンズ群６ａ，７ａは両側テ
レセントリック光学系となる。
【００２０】さて、図２において、平行平面板１０２ａ
が図中破線で示す基準位置にある場合、すなわち平行平
面板の法線が照明光学系ＩＬａの光軸と一致する場合に
は、照明光学系の光軸に対する視野絞り５ａと視野絞り
５ａの像との関係は変化しない。次に、図中実線にて示
す如く、平行平面板１０２ａを図中破線で示す基準位置
からＹ方向を軸として回転させた場合には、視野絞り５
ａからの光束は、図中実線にて示す如く平行平面板１０
２ａによりＺ方向において横ずれした後、リレーレンズ
系６ａ，７ａに入射する。そして、リレーレンズ系６
ａ，７ａを介した平行平面板１０２ａからの光束は、照
明光学系ＩＬａの光軸（リレーレンズ系６ａ，７ａの光
軸）に対して横ずれした状態でマスクＭ上に達する。こ
のとき、マスクＭ上に形成される視野絞り５ａの像（照
明領域ＭＩａ）は、図中Ｚ方向に移動する。また、平行
平面板１０１ａを図中Ｚ方向を軸として回転させた場合
には、マスクＭ上に形成される視野絞り５ａの像（照明
領域ＭＩａ）は、図中Ｙ方向に移動する。
が図中破線で示す基準位置にある場合、すなわち平行平
面板の法線が照明光学系ＩＬａの光軸と一致する場合に
は、照明光学系の光軸に対する視野絞り５ａと視野絞り
５ａの像との関係は変化しない。次に、図中実線にて示
す如く、平行平面板１０２ａを図中破線で示す基準位置
からＹ方向を軸として回転させた場合には、視野絞り５
ａからの光束は、図中実線にて示す如く平行平面板１０
２ａによりＺ方向において横ずれした後、リレーレンズ
系６ａ，７ａに入射する。そして、リレーレンズ系６
ａ，７ａを介した平行平面板１０２ａからの光束は、照
明光学系ＩＬａの光軸（リレーレンズ系６ａ，７ａの光
軸）に対して横ずれした状態でマスクＭ上に達する。こ
のとき、マスクＭ上に形成される視野絞り５ａの像（照
明領域ＭＩａ）は、図中Ｚ方向に移動する。また、平行
平面板１０１ａを図中Ｚ方向を軸として回転させた場合
には、マスクＭ上に形成される視野絞り５ａの像（照明
領域ＭＩａ）は、図中Ｙ方向に移動する。
【００２１】このように本実施例では、一対の平行平面
板１０１ａ，１０２ａの回転動作により、マスクＭ上の
照明領域ＭＩａをＹＺ平面内において移動させることが
できる。なお、ここでは照明光学系ＩＬｂ〜ＩＬｅにつ
いても照明光学系ＩＬａと同様の構成であるため、１組
の照明光学系ＩＬａの構成についてのみ説明した。次
に、図３を参照して、複数組の照明光学系ＩＬａ〜ＩＬ
ｅにおいて、組立時の誤差などにより、これらの照明光
学系ＩＬａ〜ＩＬｅによる照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅが所
定の関係から外れた場合における調整方法について説明
する。図３において、複数組の照明光学系ＩＬａ〜ＩＬ
ｅに組付け誤差がある場合には、視野絞り５ａ〜５ｅ
は、図中破線で示す如く、照明領域ＭＩａ1 〜ＭＩｅ2
としてマスクＭ面上に結像する。このとき、図中Ｚ方向
に沿ってマスクＭとプレートＰとを移動させて走査露光
を行うと、マスクＭ面上の照度分布がＹ方向（走査直交
方向）において均一とならないため、プレートＰ上にお
いて露光量のムラが生じ、結果としてプレートＰ上に転
写されるパターンの線幅が部分的に異なる問題がある。
板１０１ａ，１０２ａの回転動作により、マスクＭ上の
照明領域ＭＩａをＹＺ平面内において移動させることが
できる。なお、ここでは照明光学系ＩＬｂ〜ＩＬｅにつ
いても照明光学系ＩＬａと同様の構成であるため、１組
の照明光学系ＩＬａの構成についてのみ説明した。次
に、図３を参照して、複数組の照明光学系ＩＬａ〜ＩＬ
ｅにおいて、組立時の誤差などにより、これらの照明光
学系ＩＬａ〜ＩＬｅによる照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅが所
定の関係から外れた場合における調整方法について説明
する。図３において、複数組の照明光学系ＩＬａ〜ＩＬ
ｅに組付け誤差がある場合には、視野絞り５ａ〜５ｅ
は、図中破線で示す如く、照明領域ＭＩａ1 〜ＭＩｅ2
としてマスクＭ面上に結像する。このとき、図中Ｚ方向
に沿ってマスクＭとプレートＰとを移動させて走査露光
を行うと、マスクＭ面上の照度分布がＹ方向（走査直交
方向）において均一とならないため、プレートＰ上にお
いて露光量のムラが生じ、結果としてプレートＰ上に転
写されるパターンの線幅が部分的に異なる問題がある。
【００２２】そこで、本実施例では、照明光学系ＩＬａ
〜ＩＬｅ中の平行平面板１０１ａ，１０２ａ〜１０１
ｅ，１０１ｅをＹ方向又はＺ方向を軸として回転させる
ことによって、視野絞り５ａ〜５ｅの像を調整前の照明
領域ＭＩａ1 〜ＭＩｅ2 から図３に実線で示す照明領域
ＭＩａ2 〜ＭＩｅ2 へ移動させる。このとき、調整後の
照明領域ＭＩａ2 〜ＭＩｅ2 では、Ｚ方向（走査方向）
における照明領域の長さの和をＹ方向のどの位置におい
ても常に一定としている。これにより、マスクＭ上にお
いては、Ｙ方向において均一な照度分布を実現でき、ひ
いてはプレートＰ上における露光量を均一にすることが
できる。
〜ＩＬｅ中の平行平面板１０１ａ，１０２ａ〜１０１
ｅ，１０１ｅをＹ方向又はＺ方向を軸として回転させる
ことによって、視野絞り５ａ〜５ｅの像を調整前の照明
領域ＭＩａ1 〜ＭＩｅ2 から図３に実線で示す照明領域
ＭＩａ2 〜ＭＩｅ2 へ移動させる。このとき、調整後の
照明領域ＭＩａ2 〜ＭＩｅ2 では、Ｚ方向（走査方向）
における照明領域の長さの和をＹ方向のどの位置におい
ても常に一定としている。これにより、マスクＭ上にお
いては、Ｙ方向において均一な照度分布を実現でき、ひ
いてはプレートＰ上における露光量を均一にすることが
できる。
【００２３】なお、本実施例では、マスクＭ上の照明領
域をＹＺ平面内の２方向に移動可能としているが、マス
クＭ上における均一な照度分布を得るためには、少なく
ともＹ方向において照明領域を移動できる構成であれば
良い。すなわち、各照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｅにおいて
は、Ｚ方向を軸として回転可能な平行平面板１０１ａ〜
１０１ｅが設けられていれば、マスクＭ上における均一
な照度分布を達成できる。
域をＹＺ平面内の２方向に移動可能としているが、マス
クＭ上における均一な照度分布を得るためには、少なく
ともＹ方向において照明領域を移動できる構成であれば
良い。すなわち、各照明光学系ＩＬａ〜ＩＬｅにおいて
は、Ｚ方向を軸として回転可能な平行平面板１０１ａ〜
１０１ｅが設けられていれば、マスクＭ上における均一
な照度分布を達成できる。
【００２４】また、本実施例では、複数組の投影光学系
ＰＬａ〜ＰＬｅを有しているため、各投影光学系間にお
いて機械的な組付け誤差がある場合には、照明領域ＭＩ
ａ〜ＭＩｅがプレートＰ上において所定の位置から外れ
て結像する問題が生じる。このときには、照明光学系Ｉ
Ｌａ〜ＩＬｅ中の照明領域移動手段によって照明領域Ｍ
Ｉａ〜ＭＩｅを所定の位置に設定したとしても、露光領
域ＰＩａ〜ＰＩｅが所定の位置からずれる問題が発生す
る。
ＰＬａ〜ＰＬｅを有しているため、各投影光学系間にお
いて機械的な組付け誤差がある場合には、照明領域ＭＩ
ａ〜ＭＩｅがプレートＰ上において所定の位置から外れ
て結像する問題が生じる。このときには、照明光学系Ｉ
Ｌａ〜ＩＬｅ中の照明領域移動手段によって照明領域Ｍ
Ｉａ〜ＭＩｅを所定の位置に設定したとしても、露光領
域ＰＩａ〜ＰＩｅが所定の位置からずれる問題が発生す
る。
【００２５】そこで、本実施例においては、露光領域移
動手段として、各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅの光路中に
一対の平行平面板１０３ａ，１０４ａ〜１０３ｅ，１０
４ｅをそれぞれ設けている。以下、図４及び図５を参照
して説明する。図４は投影光学系ＰＬａのＸＺ断面図で
あり、図５はプレートＰ上における照明領域ＭＩａ〜Ｍ
Ｉｅの像である露光領域を示すＹＺ平面図である。
動手段として、各投影光学系ＰＬａ〜ＰＬｅの光路中に
一対の平行平面板１０３ａ，１０４ａ〜１０３ｅ，１０
４ｅをそれぞれ設けている。以下、図４及び図５を参照
して説明する。図４は投影光学系ＰＬａのＸＺ断面図で
あり、図５はプレートＰ上における照明領域ＭＩａ〜Ｍ
Ｉｅの像である露光領域を示すＹＺ平面図である。
【００２６】図４において、投影光学系ＰＬａの三角ミ
ラー部材８ａとプレートＰ上との間の光路中には、図中
Ｚ方向を軸として回転可能に設けられた平行平面板１０
３ａと、図中Ｙ方向（紙面垂直方向）を軸として回転可
能に設けられた平行平面板１０４ａとが配置されてい
る。さて、図４において、平行平面板１０４ａが図中破
線で示す基準位置にある場合には、すなわち平行平面板
ａの法線が投影光学系ＰＬａの光軸と平行である場合に
は、投影光学系ＰＬａの光軸に対する照明領域ＭＩａ
（不図示）と露光領域ＰＩａ（不図示）との関係は変化
しない。
ラー部材８ａとプレートＰ上との間の光路中には、図中
Ｚ方向を軸として回転可能に設けられた平行平面板１０
３ａと、図中Ｙ方向（紙面垂直方向）を軸として回転可
能に設けられた平行平面板１０４ａとが配置されてい
る。さて、図４において、平行平面板１０４ａが図中破
線で示す基準位置にある場合には、すなわち平行平面板
ａの法線が投影光学系ＰＬａの光軸と平行である場合に
は、投影光学系ＰＬａの光軸に対する照明領域ＭＩａ
（不図示）と露光領域ＰＩａ（不図示）との関係は変化
しない。
【００２７】次に、図中実線にて示す如く、平行平面板
１０４ａを図中破線で示す基準位置からＹ方向を軸とし
て回転させた場合には、照明領域ＭＩａからの光束は、
図中実線にて示す如く平行平面板１０４ａによりＺ方向
において横ずれを起こした後にプレートＰ上に達する。
これにより、プレートＰ上に形成される露光領域ＰＩａ
（照明領域ＭＩａの像）は、図中Ｚ方向に移動する。ま
た、平行平面板１０３ａを図中Ｚ方向を軸として回転さ
せた場合には、プレートＰ上に形成される露光領域は、
図中Ｙ方向に移動する。
１０４ａを図中破線で示す基準位置からＹ方向を軸とし
て回転させた場合には、照明領域ＭＩａからの光束は、
図中実線にて示す如く平行平面板１０４ａによりＺ方向
において横ずれを起こした後にプレートＰ上に達する。
これにより、プレートＰ上に形成される露光領域ＰＩａ
（照明領域ＭＩａの像）は、図中Ｚ方向に移動する。ま
た、平行平面板１０３ａを図中Ｚ方向を軸として回転さ
せた場合には、プレートＰ上に形成される露光領域は、
図中Ｙ方向に移動する。
【００２８】このように、本実施例では、一対の平行平
面板１０３ａ，１０４ａを回転させる動作により、プレ
ートＰ上の露光領域ＰＩａをＹＺ平面内において移動さ
せることができる。なお、他の投影光学系ＰＬｂ〜ＰＬ
ｅについても上述の投影光学系ＰＬａと同様の構成であ
るため、ここでは１組の投影光学系ＰＬａの構成のみに
ついて説明してある。
面板１０３ａ，１０４ａを回転させる動作により、プレ
ートＰ上の露光領域ＰＩａをＹＺ平面内において移動さ
せることができる。なお、他の投影光学系ＰＬｂ〜ＰＬ
ｅについても上述の投影光学系ＰＬａと同様の構成であ
るため、ここでは１組の投影光学系ＰＬａの構成のみに
ついて説明してある。
【００２９】次に、図５において、複数組の投影光学系
ＰＬａ〜ＰＬｅに組立時の誤差がある場合には、マスク
Ｍ上の照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅは、図中破線にて示す如
く、露光領域ＰＩａ1 〜ＰＩｅ1 としてプレートＰ上に
結像する。ここで、図中Ｚ方向に沿ってマスクＭとプレ
ートＰとを移動させて走査露光を行う場合には、プレー
トＰ上における照度分布がＹ方向（走査直交方向）にお
いて均一な分布とならないため、プレートＰ上において
露光量のムラが発生する。これにより、プレートＰ上に
転写されるマスクＭのパターンの線幅が部分的に異なる
問題が起こる。
ＰＬａ〜ＰＬｅに組立時の誤差がある場合には、マスク
Ｍ上の照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅは、図中破線にて示す如
く、露光領域ＰＩａ1 〜ＰＩｅ1 としてプレートＰ上に
結像する。ここで、図中Ｚ方向に沿ってマスクＭとプレ
ートＰとを移動させて走査露光を行う場合には、プレー
トＰ上における照度分布がＹ方向（走査直交方向）にお
いて均一な分布とならないため、プレートＰ上において
露光量のムラが発生する。これにより、プレートＰ上に
転写されるマスクＭのパターンの線幅が部分的に異なる
問題が起こる。
【００３０】そこで、本実施例では、上述の如く、投影
光学系ＰＬａ〜ＰＬｅ中の平行平面板１０３ａ，１０４
ａ〜１０３ｅ，１０４ｅをＹ方向又はＺ方向を軸として
回転させることにより、照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅの像を
調整前の露光領域ＰＩａ1 〜ＰＩｅ1 から図３に実線に
て示す露光領域ＰＩａ2 〜ＰＩｅ2 へ移動させる。この
とき、調整後の露光領域ＰＩａ2 〜ＰＩｅ2 では、Ｚ方
向（走査方向）における照明領域の長さの和がＹ方向に
おける任意の位置において常に一定となる。これによ
り、プレートＰ上においては、Ｙ方向において均一な照
度分布を達成でき、ひいてはプレートＰ上における露光
量を均一にすることが可能となる。
光学系ＰＬａ〜ＰＬｅ中の平行平面板１０３ａ，１０４
ａ〜１０３ｅ，１０４ｅをＹ方向又はＺ方向を軸として
回転させることにより、照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅの像を
調整前の露光領域ＰＩａ1 〜ＰＩｅ1 から図３に実線に
て示す露光領域ＰＩａ2 〜ＰＩｅ2 へ移動させる。この
とき、調整後の露光領域ＰＩａ2 〜ＰＩｅ2 では、Ｚ方
向（走査方向）における照明領域の長さの和がＹ方向に
おける任意の位置において常に一定となる。これによ
り、プレートＰ上においては、Ｙ方向において均一な照
度分布を達成でき、ひいてはプレートＰ上における露光
量を均一にすることが可能となる。
【００３１】なお、本実施例においては、プレートＰ上
の露光領域をＹＺ平面内の２方向に移動可能としている
が、プレートＰ上における均一な露光量分布を得るため
には、少なくともＹ方向において露光領域を移動するこ
とができる構成であれば良い。すなわち、各投影光学系
ＰＬａ〜ＰＬｅにおいて、Ｚ方向を軸として回転可能な
平行平面板１０３ａ〜１０３ｅのみが設けられていれ
ば、プレートＰ上における均一な露光量分布を達成でき
る。
の露光領域をＹＺ平面内の２方向に移動可能としている
が、プレートＰ上における均一な露光量分布を得るため
には、少なくともＹ方向において露光領域を移動するこ
とができる構成であれば良い。すなわち、各投影光学系
ＰＬａ〜ＰＬｅにおいて、Ｚ方向を軸として回転可能な
平行平面板１０３ａ〜１０３ｅのみが設けられていれ
ば、プレートＰ上における均一な露光量分布を達成でき
る。
【００３２】上述の如き本実施例においては、照明領域
移動手段及び露光領域移動手段として一対の平行平面板
を設けたが、その代わりに例えば図６(a) に示す如く、
照明光学系又は投影光学系の光軸を中心として回転可能
な一対の偏角プリズム１０５，１０６を設けても良い。
また、例えば図６(b) に示す如く、一対の平行平面板の
代わりに照明光学系又は投影光学系の光軸に沿った方向
に移動可能な一対の偏角プリズム１０７，１０８を設け
ても良い。
移動手段及び露光領域移動手段として一対の平行平面板
を設けたが、その代わりに例えば図６(a) に示す如く、
照明光学系又は投影光学系の光軸を中心として回転可能
な一対の偏角プリズム１０５，１０６を設けても良い。
また、例えば図６(b) に示す如く、一対の平行平面板の
代わりに照明光学系又は投影光学系の光軸に沿った方向
に移動可能な一対の偏角プリズム１０７，１０８を設け
ても良い。
【００３３】尚、本実施例においては、各照明光学系中
の視野絞り５ａ〜５ｅを位置調整可能であるように設け
ても良い。このときには、例えば視野絞り５ａ〜５ｅを
Ｙ方向及びＺ方向に移動可能に設けることによって、マ
スク上に形成される照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅをＹＺ平面
内の２方向に沿って移動させることが可能となる。ま
た、例えば視野絞り５ａ〜５ｅを照明光学系ＩＬａ〜Ｉ
Ｌｅの光軸を中心として回転可能に設ければ、マスク上
に形成される照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅをそれぞれＹＺ平
面内において回転させることが可能となる。
の視野絞り５ａ〜５ｅを位置調整可能であるように設け
ても良い。このときには、例えば視野絞り５ａ〜５ｅを
Ｙ方向及びＺ方向に移動可能に設けることによって、マ
スク上に形成される照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅをＹＺ平面
内の２方向に沿って移動させることが可能となる。ま
た、例えば視野絞り５ａ〜５ｅを照明光学系ＩＬａ〜Ｉ
Ｌｅの光軸を中心として回転可能に設ければ、マスク上
に形成される照明領域ＭＩａ〜ＭＩｅをそれぞれＹＺ平
面内において回転させることが可能となる。
【００３４】また、図１に示す実施例では、各照明光学
系ＩＬａ〜ＩＬｅのそれぞれに視野絞り５ａ〜５ｅを設
けているが、例えば図７に示す如く、各照明光学系ＩＬ
ａ〜ＩＬｅの数に応じた開口部５０ａ〜５０ｅを有する
１つの視野絞り５０を設ける構成であっても良い。さ
て、上述の実施例においては、照明光学系により生じる
照明ムラ、投影光学系により生じる露光量ムラは完全に
補正されているものと仮定している。しかしながら、照
明光学系に例えば製造誤差等が存在すると、マスクＭ上
における照明ムラが発生し、ひいてはプレートＰ上にお
ける露光量ムラが発生する恐れがある。また、マスクＭ
上において完全に均一な照度分布である場合にも、投影
光学系に例えば製造誤差等が存在すると、プレートＰ上
における露光量ムラが発生する恐れがある。
系ＩＬａ〜ＩＬｅのそれぞれに視野絞り５ａ〜５ｅを設
けているが、例えば図７に示す如く、各照明光学系ＩＬ
ａ〜ＩＬｅの数に応じた開口部５０ａ〜５０ｅを有する
１つの視野絞り５０を設ける構成であっても良い。さ
て、上述の実施例においては、照明光学系により生じる
照明ムラ、投影光学系により生じる露光量ムラは完全に
補正されているものと仮定している。しかしながら、照
明光学系に例えば製造誤差等が存在すると、マスクＭ上
における照明ムラが発生し、ひいてはプレートＰ上にお
ける露光量ムラが発生する恐れがある。また、マスクＭ
上において完全に均一な照度分布である場合にも、投影
光学系に例えば製造誤差等が存在すると、プレートＰ上
における露光量ムラが発生する恐れがある。
【００３５】次に、図８(a),(b) を参照して照明ムラ補
正・露光量ムラ補正の手法につき説明する。図８(a) は
照明光学系内の視野絞りを示す平面図であり、図８(b)
は図８(a) の要部拡大図である。図８(a) において、視
野絞りは、走査直交方向（Ｙ方向）が長手方向である矩
形状の開口部５１ａ〜５１ｅを有し、各開口部５１ａ〜
５１ｅ同士がＹ方向に関して重なる領域（オーバーラッ
プ領域）には、図８(b) に示す如く、市松格子状のパタ
ーンが設けられている。ここで、視野絞りは例えば平行
平面板上にクロムパターンが蒸着される構成を有してお
り、市松格子状パターンもクロムパターンの蒸着により
構成されている。なお、開口部５１ａ〜５１ｅは透過部
となっている。
正・露光量ムラ補正の手法につき説明する。図８(a) は
照明光学系内の視野絞りを示す平面図であり、図８(b)
は図８(a) の要部拡大図である。図８(a) において、視
野絞りは、走査直交方向（Ｙ方向）が長手方向である矩
形状の開口部５１ａ〜５１ｅを有し、各開口部５１ａ〜
５１ｅ同士がＹ方向に関して重なる領域（オーバーラッ
プ領域）には、図８(b) に示す如く、市松格子状のパタ
ーンが設けられている。ここで、視野絞りは例えば平行
平面板上にクロムパターンが蒸着される構成を有してお
り、市松格子状パターンもクロムパターンの蒸着により
構成されている。なお、開口部５１ａ〜５１ｅは透過部
となっている。
【００３６】例えば、視野絞りの開口部５１ａを有する
照明光学系ＩＬａと、視野絞りの開口部５１ｂを有する
照明光学系ＩＬｂとの間において、マスクＭ上の照度に
差異がある場合には、マスクＭ上において照度分布が連
続的となるように、開口部５１ａのオーバーラップ領域
の市松格子状パターンのピッチと開口部５１ｂのオーバ
ーラップ領域の市松格子状パターンのピッチとを変化さ
せれば良い。これにより、プレートＰ上における露光量
分布を連続的とすることができる。
照明光学系ＩＬａと、視野絞りの開口部５１ｂを有する
照明光学系ＩＬｂとの間において、マスクＭ上の照度に
差異がある場合には、マスクＭ上において照度分布が連
続的となるように、開口部５１ａのオーバーラップ領域
の市松格子状パターンのピッチと開口部５１ｂのオーバ
ーラップ領域の市松格子状パターンのピッチとを変化さ
せれば良い。これにより、プレートＰ上における露光量
分布を連続的とすることができる。
【００３７】また、投影光学系ＰＬａと投影光学系ＰＬ
ｂとの間において、透過する光量に差異がある場合に
は、プレートＰ上において露光量分布が連続的となるよ
うに、開口部５１ａのオーバーラップ領域の市松格子状
パターンのピッチと開口部５１ｂのオーバーラップ領域
の市松格子状パターンのピッチとを変化させれば良い。
なお、この市松格子状のパターンは、オーバーラップ領
域のみに設けられるものには限られず、マスクＭ上にお
ける照度分布又はプレートＰ上における露光量分布が連
続的に均一となるように、オーバーラップ領域外に設け
ても良い。
ｂとの間において、透過する光量に差異がある場合に
は、プレートＰ上において露光量分布が連続的となるよ
うに、開口部５１ａのオーバーラップ領域の市松格子状
パターンのピッチと開口部５１ｂのオーバーラップ領域
の市松格子状パターンのピッチとを変化させれば良い。
なお、この市松格子状のパターンは、オーバーラップ領
域のみに設けられるものには限られず、マスクＭ上にお
ける照度分布又はプレートＰ上における露光量分布が連
続的に均一となるように、オーバーラップ領域外に設け
ても良い。
【００３８】上記図８(a),(b) に示す如き市松格子状の
パターンの代わりに、例えば図９(a),(b) に示す如きド
ット状のパターンを設ける構成も可能である。図９(a)
は台形状の開口部５２ａ〜５２ｅを持つ視野絞りを示
し、図９(b) は開口部の要部拡大図である。図９(b) に
示す如く、台形状の開口部５２ａ〜５２ｅのオーバーラ
ップ領域にはクロムパターンからなるドットパターンが
設けられている。ここで、各ドットパターンは、マスク
Ｍ上における照度分布又はプレートＰ上における露光量
分布が均一かつ連続的となるように、そのピッチ、大き
さ、配置が決められている。
パターンの代わりに、例えば図９(a),(b) に示す如きド
ット状のパターンを設ける構成も可能である。図９(a)
は台形状の開口部５２ａ〜５２ｅを持つ視野絞りを示
し、図９(b) は開口部の要部拡大図である。図９(b) に
示す如く、台形状の開口部５２ａ〜５２ｅのオーバーラ
ップ領域にはクロムパターンからなるドットパターンが
設けられている。ここで、各ドットパターンは、マスク
Ｍ上における照度分布又はプレートＰ上における露光量
分布が均一かつ連続的となるように、そのピッチ、大き
さ、配置が決められている。
【００３９】これにより、プレートＰにおいては、走査
露光時に常に一定の露光量と成しうる。尚、照明領域移
動手段によって各照明領域を移動させる代わりに、オー
バーラップ領域に対応する視野絞りの部分において、透
過光量を減衰させる構成をとることもできる。例えば、
視野絞りを平行平面板上にクロムパターンを蒸着して構
成し、そのオーバーラップ領域の対応する領域にドット
形状のクロムパターンを設けるように構成すれば良い。
露光時に常に一定の露光量と成しうる。尚、照明領域移
動手段によって各照明領域を移動させる代わりに、オー
バーラップ領域に対応する視野絞りの部分において、透
過光量を減衰させる構成をとることもできる。例えば、
視野絞りを平行平面板上にクロムパターンを蒸着して構
成し、そのオーバーラップ領域の対応する領域にドット
形状のクロムパターンを設けるように構成すれば良い。
【００４０】上述の実施例においては、投影光学系とし
て、屋根型反射部材の稜線に前側焦点位置を持つレンズ
系を用いているが、正立像を得ることのできる光学系で
あれば、例えば２組のオフナー型光学系、２組のダイソ
ン型光学系、２組の屈折レンズ系を直列に設けたもので
あっても良い。また、照明光学系中のリレーレンズ系と
して、前側焦点位置に平面鏡を持つレンズ系と三角ミラ
ー部材とを組み合わせた光学系や、オフナー型あるいは
ダイソン型光学系と台形ミラー部材あるいは直角プリズ
ムを組み合わせた光学系を用いても良い。
て、屋根型反射部材の稜線に前側焦点位置を持つレンズ
系を用いているが、正立像を得ることのできる光学系で
あれば、例えば２組のオフナー型光学系、２組のダイソ
ン型光学系、２組の屈折レンズ系を直列に設けたもので
あっても良い。また、照明光学系中のリレーレンズ系と
して、前側焦点位置に平面鏡を持つレンズ系と三角ミラ
ー部材とを組み合わせた光学系や、オフナー型あるいは
ダイソン型光学系と台形ミラー部材あるいは直角プリズ
ムを組み合わせた光学系を用いても良い。
【００４１】さらに、本実施例では、個々の照明領域Ｍ
Ｉａ〜ＭＩｅに対応した複数の照明光学系を設けている
が、その代わりに、例えば光ファイバーやハーフミラー
を用いて１つまたは複数の光源からの光を複数の照明領
域に導く構成であっても良い。
Ｉａ〜ＭＩｅに対応した複数の照明光学系を設けている
が、その代わりに、例えば光ファイバーやハーフミラー
を用いて１つまたは複数の光源からの光を複数の照明領
域に導く構成であっても良い。
【００４２】
【発明の効果】以上にように本発明によれば、スループ
ットの低下を招くことなく、かつマスクのパターンを露
光ムラを生じることなく良好に基板上に転写できる露光
装置を提供できる。
ットの低下を招くことなく、かつマスクのパターンを露
光ムラを生じることなく良好に基板上に転写できる露光
装置を提供できる。
【図１】本発明による実施例を概略的に示す模式図であ
る。
る。
【図２】実施例における照明光学系の要部を示す断面図
である。
である。
【図３】マスク上における照明領域の配置を示す平面図
である。
である。
【図４】実施例における投影光学系の断面図である。
【図５】プレート上における露光領域の配置を示す平面
図である。
図である。
【図６】照明領域移動手段または露光領域移動手段の変
形例を示す図である。
形例を示す図である。
【図７】視野絞りの変形例を示す図である。
【図８】視野絞りの変形例を示す図である。
【図９】視野絞りの変形例を示す図である。
【図１０】従来の露光装置を示す図である。
Ｍ … マスク、 Ｐ … プレート、 ＩＬａ〜ＩＬｅ … 照明光学系、 ＭＩａ〜ＭＩｅ … 照明領域、 ＰＬａ〜ＰＬｅ … 投影光学系、 ＰＩａ〜ＰＩｅ … 露光領域、 １０１ａ，１０２ａ〜１０１ｅ，１０２ｅ … 照明領
域移動手段、 １０３ａ，１０３ａ〜１０４ｅ，１０４ｅ … 露光領
域移動手段、
域移動手段、 １０３ａ，１０３ａ〜１０４ｅ，１０４ｅ … 露光領
域移動手段、
Claims (4)
- 【請求項１】照明光学系によりマスクを照明し、前記マ
スクの像を基板上に形成する投影光学系に対して前記マ
スクと前記基板とを移動させつつ露光を行う露光装置に
おいて、 前記照明光学系は、前記マスク上に第１の照明領域を形
成する第１照明光学系と、前記マスク上に前記第１の照
明領域とは異なる第２の照明領域を形成する第２照明光
学系とを有し、 前記投影光学系は、前記第１の照明領域により照明され
た前記マスクの正立像を前記基板上に形成する第１投影
光学系と、前記第２の照明領域により照明された前記マ
スクの正立像を前記基板上に形成する第２投影光学系と
を有し、 前記第１及び第２照明光学系は、前記マスクに対して前
記第１及び第２の照明領域を移動させる照明領域移動手
段を有することを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】前記第１及び第２照明光学系は、前記マス
クと共役な位置に設けられた視野絞りをそれぞれ有し、 前記照明領域移動手段は、前記第１及び第２照明光学系
の前記視野絞りと前記マスクとの間の光路中に配置さ
れ、かつ前記マスク上に形成される前記視野絞りの像を
前記マスクの面内方向に移動させる光学部材を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】前記照明領域移動手段は、前記第１及び第
２照明光学系の光路中の前記マスクと共役な位置に設け
られ、かつ前記第１及び第２照明光学系の光軸に対して
移動可能に設けられた視野絞りを有することを特徴とす
る請求項１記載の露光装置。 - 【請求項４】前記第１及び第２投影光学系は、前記マス
ク側における光軸と前記基板側における光軸との位置関
係を変化させる露光領域移動手段を有することを特徴と
する請求項１乃至３の何れか１項に記載の露光装置。
Priority Applications (14)
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|---|---|---|---|
| JP17789894A JP3610597B2 (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 露光装置及び方法 |
| US08/453,538 US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1995-05-30 | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
| KR1019950022693A KR100374910B1 (ko) | 1994-07-29 | 1995-07-28 | 노광장치 |
| US08/587,346 US6157497A (en) | 1993-06-30 | 1996-01-16 | Exposure apparatus |
| US09/173,530 US6351305B1 (en) | 1993-06-30 | 1998-10-15 | Exposure apparatus and exposure method for transferring pattern onto a substrate |
| US09/722,515 US6509954B1 (en) | 1993-06-30 | 2000-11-28 | Aperture stop having central aperture region defined by a circular ARC and peripheral region with decreased width, and exposure apparatus and method |
| US09/722,516 US6556278B1 (en) | 1993-06-30 | 2000-11-28 | Exposure/imaging apparatus and method in which imaging characteristics of a projection optical system are adjusted |
| US09/722,278 US6480262B1 (en) | 1993-06-30 | 2000-11-28 | Illumination optical apparatus for illuminating a mask, method of manufacturing and using same, and field stop used therein |
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| US11/471,658 US7372543B2 (en) | 1993-06-30 | 2006-06-21 | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
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| US12/078,863 US7956984B2 (en) | 1993-06-30 | 2008-04-07 | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
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| JP3610597B2 JP3610597B2 (ja) | 2005-01-12 |
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|---|---|---|---|
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| JP2003149740A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-05-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光投影装置 |
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| JP2005317970A (ja) * | 2004-04-30 | 2005-11-10 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
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| JP2020524309A (ja) * | 2017-06-19 | 2020-08-13 | ズース マイクロテック フォトニック システムズ インコーポレイテッド | 光学系における倍率補正及び／又はビームステアリング |
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-
1994
- 1994-07-29 JP JP17789894A patent/JP3610597B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-07-28 KR KR1019950022693A patent/KR100374910B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100374910B1 (ko) | 2003-05-09 |
| KR960005763A (ko) | 1996-02-23 |
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