JPH0851227A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH0851227A JPH0851227A JP6184351A JP18435194A JPH0851227A JP H0851227 A JPH0851227 A JP H0851227A JP 6184351 A JP6184351 A JP 6184351A JP 18435194 A JP18435194 A JP 18435194A JP H0851227 A JPH0851227 A JP H0851227A
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- Japan
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- hydrogen
- photovoltaic device
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- power generation
- generation layer
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光起電力装置に関し、光劣化後の変換効率を
高められるようにした光起電力装置の提供を目的とす
る。 【構成】 未結合手を水素により終端した非晶質シリコ
ンゲルマニウムアロイ４を発電層ｉに用いた光起電力装
置において、発電層ｉの全膜厚にわたって水素組成比Ｃ
H ／ＣSiが均一であり、ゲルマニウム組成比ＣGe／ＣSi
を変化させた発電層ｉを備える。そして、水素組成比Ｃ
H ／ＣSiは好ましくは光劣化後の最適値に設定される。
高められるようにした光起電力装置の提供を目的とす
る。 【構成】 未結合手を水素により終端した非晶質シリコ
ンゲルマニウムアロイ４を発電層ｉに用いた光起電力装
置において、発電層ｉの全膜厚にわたって水素組成比Ｃ
H ／ＣSiが均一であり、ゲルマニウム組成比ＣGe／ＣSi
を変化させた発電層ｉを備える。そして、水素組成比Ｃ
H ／ＣSiは好ましくは光劣化後の最適値に設定される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光起電力装置に係り、
特に光劣化後における変換効率を高められるようにした
光起電力装置に関するものである。
特に光劣化後における変換効率を高められるようにした
光起電力装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】未結合手を水素もしくはハロゲン族元素
により終端した非晶質Ｓｉアロイ（以下、ａ−Ｓｉアロ
イという。）を発電層に用いた光起電力装置は、シリコ
ン（Ｓｉ）原子と炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素
（Ｏ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、あるいは錫（Ｓｎ）原
子とのアロイ化により光学ギャップを広い範囲で制御で
きることから、太陽光スペクトルの有効利用を目的とし
た積層型光起電力装置として有望視されている。
により終端した非晶質Ｓｉアロイ（以下、ａ−Ｓｉアロ
イという。）を発電層に用いた光起電力装置は、シリコ
ン（Ｓｉ）原子と炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、酸素
（Ｏ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、あるいは錫（Ｓｎ）原
子とのアロイ化により光学ギャップを広い範囲で制御で
きることから、太陽光スペクトルの有効利用を目的とし
た積層型光起電力装置として有望視されている。
【０００３】発電層を構成する合金型アモルファス半導
体の製膜方法としてはプラズマ分解法が多用され、装置
的には平行平板電極の容量結合型反応装置が用いられる
ことが多い。膜生成用ガスはＳｉと合金を構成する成分
に対応して選択され、例えば合金型アモルファス半導体
の中で代表的地位を占めるアモルファスシリコン（以
下、ａ−Ｓｉという。）とゲルマニウム（Ｇｅ）とをア
ロイ化したａ−ＳｉＧｅ：Ｈは、モノシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）とゲルマンガス（ＧｅＨ4 ）と水素（Ｈ2 ）とを
膜生成用ガスとして用いている。
体の製膜方法としてはプラズマ分解法が多用され、装置
的には平行平板電極の容量結合型反応装置が用いられる
ことが多い。膜生成用ガスはＳｉと合金を構成する成分
に対応して選択され、例えば合金型アモルファス半導体
の中で代表的地位を占めるアモルファスシリコン（以
下、ａ−Ｓｉという。）とゲルマニウム（Ｇｅ）とをア
ロイ化したａ−ＳｉＧｅ：Ｈは、モノシラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）とゲルマンガス（ＧｅＨ4 ）と水素（Ｈ2 ）とを
膜生成用ガスとして用いている。
【０００４】ａ−Ｓｉアロイは非晶質Ｓｉ（以下、ａ−
Ｓｉという。）に比べて電気的特性が劣ることから、発
電層内でＳｉ以外の構成原子組成比を変化させることに
より光学ギャップを変化させた、いわゆる、光学ギャッ
プグレーデッド構造を採用してそのキャリヤ収集特性を
改善し、光起電力装置の初期特性を高めることが試みら
れている。
Ｓｉという。）に比べて電気的特性が劣ることから、発
電層内でＳｉ以外の構成原子組成比を変化させることに
より光学ギャップを変化させた、いわゆる、光学ギャッ
プグレーデッド構造を採用してそのキャリヤ収集特性を
改善し、光起電力装置の初期特性を高めることが試みら
れている。
【０００５】グレーディングとしては、膜厚が大きくな
るにしたがって単純にＳｉに対するＧｅの組成比（ＣGe
／ＣSi）が増大するもの、膜厚が大きくなるにしたがっ
て単純にＣGe／ＣSiが減少するもの、及び膜厚の途中ま
で膜厚が大きくなるにしたがってＣGe／ＣSiが増大し、
その後ＣGe／ＣSiが減少するものが知られている（App
l. Phys. Lett. 5 June 1989 p2330-2332参照）。
るにしたがって単純にＳｉに対するＧｅの組成比（ＣGe
／ＣSi）が増大するもの、膜厚が大きくなるにしたがっ
て単純にＣGe／ＣSiが減少するもの、及び膜厚の途中ま
で膜厚が大きくなるにしたがってＣGe／ＣSiが増大し、
その後ＣGe／ＣSiが減少するものが知られている（App
l. Phys. Lett. 5 June 1989 p2330-2332参照）。
【０００６】従来、発電層内でＳｉ以外の構成原子組成
比を変化させるためには、単純に原料ガスの流量比（Ｓ
ｉＨ4 ／ＧｅＨ4 比）を変化させ、その組成比を変化さ
せており、したがって、例えば図７に示すように、ａ−
ＳｉＧｅ：ＨのＳｉに対するＧｅ組成比（ＣGe／ＣSi）
が増大すれば、終端元素である水素のＳｉに対する組成
比（ＣH ／ＣSi）が減少するという関係になっている。
比を変化させるためには、単純に原料ガスの流量比（Ｓ
ｉＨ4 ／ＧｅＨ4 比）を変化させ、その組成比を変化さ
せており、したがって、例えば図７に示すように、ａ−
ＳｉＧｅ：ＨのＳｉに対するＧｅ組成比（ＣGe／ＣSi）
が増大すれば、終端元素である水素のＳｉに対する組成
比（ＣH ／ＣSi）が減少するという関係になっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ａ−Ｓｉで
発電層が構成されている光起電力装置において、ＳｉＨ
2 の高次の結合がある時には膜質が悪化し、変換効率が
低下するため、水素量ＣH を適宜制御することが推奨さ
れている。
発電層が構成されている光起電力装置において、ＳｉＨ
2 の高次の結合がある時には膜質が悪化し、変換効率が
低下するため、水素量ＣH を適宜制御することが推奨さ
れている。
【０００８】そこで、ａ−Ｓｉアロイで発電層が構成さ
れている光起電力装置、例えば、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈで発
電層が構成されている光起電力装置において、水素量Ｃ
H が変換効率に与える影響を求めたところ、ａ−Ｓｉで
発電層が構成されている光起電力装置と同様に水素量Ｃ
H がある量に達するまでは変換効率が水素量ＣH に比例
して増大するが、ある量を越えると急激に変換効率が低
下することを発見したのである。また、ＳｉＨ4 ／Ｇｅ
Ｈ4 比を変化させて発電層の成長に対応してＧｅ量を変
化させるとＣH ／ＣSiも変化するが、発電層の成長速度
（デポレート）と圧力とを制御することによって発電層
の全膜厚にわたって終端元素量、即ち、ＣH ／ＣSiを全
膜厚にわたって均一にすることができ、しかも、ＣGe／
ＣSiを任意に変化させることができることを発見したの
である。
れている光起電力装置、例えば、ａ−ＳｉＧｅ：Ｈで発
電層が構成されている光起電力装置において、水素量Ｃ
H が変換効率に与える影響を求めたところ、ａ−Ｓｉで
発電層が構成されている光起電力装置と同様に水素量Ｃ
H がある量に達するまでは変換効率が水素量ＣH に比例
して増大するが、ある量を越えると急激に変換効率が低
下することを発見したのである。また、ＳｉＨ4 ／Ｇｅ
Ｈ4 比を変化させて発電層の成長に対応してＧｅ量を変
化させるとＣH ／ＣSiも変化するが、発電層の成長速度
（デポレート）と圧力とを制御することによって発電層
の全膜厚にわたって終端元素量、即ち、ＣH ／ＣSiを全
膜厚にわたって均一にすることができ、しかも、ＣGe／
ＣSiを任意に変化させることができることを発見したの
である。
【０００９】本発明は、係る知見に基づいて完成された
ものであり、変換効率を高められるようにした光起電力
装置の提供を目的とするものである。
ものであり、変換効率を高められるようにした光起電力
装置の提供を目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、未結合手を水
素もしくはハロゲン族元素により終端したａ−Ｓｉアロ
イを発電層に用いた光起電力装置において、上記の目的
を達成するため、発電層の全膜厚にわたって終端元素の
シリコン元素に対する組成比が均一であり、シリコン以
外のアロイ構成原子の組成比を変化させた発電層を備え
ることを特徴とする。
素もしくはハロゲン族元素により終端したａ−Ｓｉアロ
イを発電層に用いた光起電力装置において、上記の目的
を達成するため、発電層の全膜厚にわたって終端元素の
シリコン元素に対する組成比が均一であり、シリコン以
外のアロイ構成原子の組成比を変化させた発電層を備え
ることを特徴とする。
【００１１】ここで、ａ−Ｓｉアロイとは、Ｓｉ原子と
他の原子、例えばＣ、Ｎ、Ｏ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかの
原子で構成された非晶質半導体材料を意味している。
他の原子、例えばＣ、Ｎ、Ｏ、Ｇｅ、Ｓｎのいずれかの
原子で構成された非晶質半導体材料を意味している。
【００１２】
【作用】本発明によれば、発電層の全膜厚にわたって終
端元素のシリコン元素に対する組成比が均一であるた
め、未結合手やＳｉ−Ｈ2 の高次の結合が最小となる最
適の均一な膜質を形成することができ、光劣化による変
換効率の低下を減少させることができる。
端元素のシリコン元素に対する組成比が均一であるた
め、未結合手やＳｉ−Ｈ2 の高次の結合が最小となる最
適の均一な膜質を形成することができ、光劣化による変
換効率の低下を減少させることができる。
【００１３】本発明において、終端元素のシリコン元素
に対する組成比をどの程度に設定するかは自由である
が、最高の初期特性が得られる初期の最適値よりも多く
することはＳｉ−Ｈ2 の高次の結合が増大し、初期特性
及び光劣化後の特性を低下させるので好ましくなく、ま
た、光劣化後に最高の特性が得られる光劣化後の最適値
よりも少なくすると未結合手が増大して初期特性及び光
劣化後の特性を低下させるので好ましくない。最も好ま
しいのは初期特性の最適値よりも少ない光劣化後の最適
値にすることである。
に対する組成比をどの程度に設定するかは自由である
が、最高の初期特性が得られる初期の最適値よりも多く
することはＳｉ−Ｈ2 の高次の結合が増大し、初期特性
及び光劣化後の特性を低下させるので好ましくなく、ま
た、光劣化後に最高の特性が得られる光劣化後の最適値
よりも少なくすると未結合手が増大して初期特性及び光
劣化後の特性を低下させるので好ましくない。最も好ま
しいのは初期特性の最適値よりも少ない光劣化後の最適
値にすることである。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて具体
的に説明する。
的に説明する。
【００１５】本発明の一実施例に係る光起電力装置は図
１の断面模式図に示すように、ガラス基板に順次積層さ
れる透明電極１、ｐ型ａ−Ｓｉ層２、膜厚２００Åのａ
−Ｓｉ層３、膜厚１３００Åのａ−ＳｉＧｅ層４、膜厚
２００Åのａ−Ｓｉ層５、ｎ型ａ−Ｓｉ層６及び裏面電
極７を備え、上記ａ−Ｓｉ層３、ａ−ＳｉＧｅ層４、ａ
−Ｓｉ層５によりｉ層（発電層）が構成される。
１の断面模式図に示すように、ガラス基板に順次積層さ
れる透明電極１、ｐ型ａ−Ｓｉ層２、膜厚２００Åのａ
−Ｓｉ層３、膜厚１３００Åのａ−ＳｉＧｅ層４、膜厚
２００Åのａ−Ｓｉ層５、ｎ型ａ−Ｓｉ層６及び裏面電
極７を備え、上記ａ−Ｓｉ層３、ａ−ＳｉＧｅ層４、ａ
−Ｓｉ層５によりｉ層（発電層）が構成される。
【００１６】図２に示すように、このｉ層におけるＧｅ
のグラディエーションプロフィルは、成長量０から２０
０Åのａ−Ｓｉ層３内ではほぼ直線的に増大し、２００
〜１３００Åの間のａ−ＳｉＧｅ層４内ではほぼ一定値
（ここではＣGe／ＣSi＝２９％）とし、１３００〜１７
００Åの間のａ−Ｓｉ層５内ではほぼ直線的に減少する
等脚台形となっている。又、このｉ層における水素組成
比ＣH ／ＣSiは全膜厚にわたって一定値（ここでは０．
０９８％）にしてある。
のグラディエーションプロフィルは、成長量０から２０
０Åのａ−Ｓｉ層３内ではほぼ直線的に増大し、２００
〜１３００Åの間のａ−ＳｉＧｅ層４内ではほぼ一定値
（ここではＣGe／ＣSi＝２９％）とし、１３００〜１７
００Åの間のａ−Ｓｉ層５内ではほぼ直線的に減少する
等脚台形となっている。又、このｉ層における水素組成
比ＣH ／ＣSiは全膜厚にわたって一定値（ここでは０．
０９８％）にしてある。
【００１７】なお、このａ−ＳｉＧｅの基本的な形成条
件は表１に示す通りであり、デポレートを制御する反応
圧力とＲＦパワーとを制御することにより、膜厚全体に
わたって終端元素量、即ち、ＣH ／ＣSiが一定値（０．
０９８％）に固定されるようにしている。
件は表１に示す通りであり、デポレートを制御する反応
圧力とＲＦパワーとを制御することにより、膜厚全体に
わたって終端元素量、即ち、ＣH ／ＣSiが一定値（０．
０９８％）に固定されるようにしている。
【００１８】
【表１】
【００１９】この光起電力装置のａ−ＳｉＧｅ層４の
（αｈν）1/3 プロットにより求めたた光学ギャップを
１．３２ｅＶと一定にした場合、図３に示すように、水
素量ＣH と赤色フィルター下の初期の変換効率との関係
は、水素量ＣH が約９ａｔ％以下では水素量ＣH の増大
にほぼ比例して変換効率が増大するが、約９ａｔ％を越
えると変換効率が低下し、ＣH ＝約９ａｔ％で極大値と
なることが分かる。極大値よりも水素量ＣH が少ない領
域での変換効率の低下は、水素もしくはハロゲン族元素
により終端されていない未結合手が存在するためと思わ
れ、極大値よりも水素量ＣH が多い領域の変換効率の低
下は、ＳｉＨ2 の高次の結合が生じて膜質が低下したた
めと思われる。
（αｈν）1/3 プロットにより求めたた光学ギャップを
１．３２ｅＶと一定にした場合、図３に示すように、水
素量ＣH と赤色フィルター下の初期の変換効率との関係
は、水素量ＣH が約９ａｔ％以下では水素量ＣH の増大
にほぼ比例して変換効率が増大するが、約９ａｔ％を越
えると変換効率が低下し、ＣH ＝約９ａｔ％で極大値と
なることが分かる。極大値よりも水素量ＣH が少ない領
域での変換効率の低下は、水素もしくはハロゲン族元素
により終端されていない未結合手が存在するためと思わ
れ、極大値よりも水素量ＣH が多い領域の変換効率の低
下は、ＳｉＨ2 の高次の結合が生じて膜質が低下したた
めと思われる。
【００２０】又、表２に示す条件に従ってこの光起電力
装置の光劣化後の水素量ＣH と赤色フィルター下の初期
変換効率との関係を求めたところ、図４に示すように、
上記の初期変換効率に比べれば水素量ＣH が少ない約７
ａｔ％で最高値が得られ、図３及び図４から光劣化前後
では最適の水素量ＣH が異なり、光劣化後の最適値は低
水素側にシフトすることが分かる。
装置の光劣化後の水素量ＣH と赤色フィルター下の初期
変換効率との関係を求めたところ、図４に示すように、
上記の初期変換効率に比べれば水素量ＣH が少ない約７
ａｔ％で最高値が得られ、図３及び図４から光劣化前後
では最適の水素量ＣH が異なり、光劣化後の最適値は低
水素側にシフトすることが分かる。
【００２１】
【表２】
【００２２】次に、この光起電力装置のａ−ＳｉＧｅ層
４の光学ギャップを変化させ、１．５０ｅＶ、１．４３
ｅＶ、１．３６ｅＶ場合に付いても同様の実験を行い、
各光学ギャップにおける劣化後の最適水素量を求めたと
ころ図５に示す結果が得られた。この図５の縦軸は水素
量ＣH を示すが、これを水素組成比ＣH ／ＣSiに置き換
えると図６に示すようになり、ＣH ／ＣSi＝０．０９８
（％）に各光学ギャップの光劣化後の最適組成が存在す
ることが分かる。
４の光学ギャップを変化させ、１．５０ｅＶ、１．４３
ｅＶ、１．３６ｅＶ場合に付いても同様の実験を行い、
各光学ギャップにおける劣化後の最適水素量を求めたと
ころ図５に示す結果が得られた。この図５の縦軸は水素
量ＣH を示すが、これを水素組成比ＣH ／ＣSiに置き換
えると図６に示すようになり、ＣH ／ＣSi＝０．０９８
（％）に各光学ギャップの光劣化後の最適組成が存在す
ることが分かる。
【００２３】以上の結果を踏まえて、Ｇｅ組成比を図１
に示すように変化させ、水素組成比ＣH ／ＣSiを一定値
（０．０９８％）にしてキャリヤの輸送特性も同時に向
上させた場合の光劣化前後の赤色フィルター下の上記一
実施例の太陽電池特性を調べたところ、表３に示す結果
が得られた。また、比較のために、図７に示す従来の光
学ギャップグレーデッド構造の光起電力装置の太陽電池
特性を調べたところ、表４に示す結果が得られた。
に示すように変化させ、水素組成比ＣH ／ＣSiを一定値
（０．０９８％）にしてキャリヤの輸送特性も同時に向
上させた場合の光劣化前後の赤色フィルター下の上記一
実施例の太陽電池特性を調べたところ、表３に示す結果
が得られた。また、比較のために、図７に示す従来の光
学ギャップグレーデッド構造の光起電力装置の太陽電池
特性を調べたところ、表４に示す結果が得られた。
【００２４】
【表３】
【００２５】
【表４】
【００２６】これら表３と表４から明らかなように、上
記一実施例によれば劣化率が４％と大きく改善されるの
に加え、劣化後の赤色フィルター下での変換効率（Ｅf
f）も３．４５％と非常に高い太陽電池特性を得ること
ができた。
記一実施例によれば劣化率が４％と大きく改善されるの
に加え、劣化後の赤色フィルター下での変換効率（Ｅf
f）も３．４５％と非常に高い太陽電池特性を得ること
ができた。
【００２７】なお、この実施例によれば、水素量ＣH を
光劣化後の最適値に設定しているので、おそらく、ｉ層
に注入されたキャリアが素早く電極に収集され再結合す
る確率が低くなり、ｉ層に注入されたキャリヤが再結合
する際に欠陥を誘起してｉ層の膜質を低下させることが
少なくなっているために光劣化が小さくなったものと思
われる。
光劣化後の最適値に設定しているので、おそらく、ｉ層
に注入されたキャリアが素早く電極に収集され再結合す
る確率が低くなり、ｉ層に注入されたキャリヤが再結合
する際に欠陥を誘起してｉ層の膜質を低下させることが
少なくなっているために光劣化が小さくなったものと思
われる。
【００２８】上記の一実施例では、Ｇｅのグラディエー
ションプロフィルを等脚台形にしているが、このプロフ
ィルを不等脚台形にしたり、山形にしたりすることは自
由である。
ションプロフィルを等脚台形にしているが、このプロフ
ィルを不等脚台形にしたり、山形にしたりすることは自
由である。
【００２９】また、上記実施例の説明ではａ−ＳｉＧ
ｅ：Ｈに関してのみ述べたが、Ｓｉ原子とＣ原子とのア
ロイ、Ｓｉ原子とＮ原子とのアロイ、Ｓｉ原子とＯ原子
とのアロイ、Ｓｉ原子とＳｎ原子とのアロイについても
同様の結果が得られている。
ｅ：Ｈに関してのみ述べたが、Ｓｉ原子とＣ原子とのア
ロイ、Ｓｉ原子とＮ原子とのアロイ、Ｓｉ原子とＯ原子
とのアロイ、Ｓｉ原子とＳｎ原子とのアロイについても
同様の結果が得られている。
【００３０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、終端元素量が全膜厚にわたって一定値に固定されて
いるので、水素もしくはハロゲン族元素により終端され
ていない未結合手やＳｉ−Ｈ2 の高次の結合が最小にな
る最適の均一な膜質を形成することができ、光劣化によ
る変換効率の低下を減少させることができるのである。
ば、終端元素量が全膜厚にわたって一定値に固定されて
いるので、水素もしくはハロゲン族元素により終端され
ていない未結合手やＳｉ−Ｈ2 の高次の結合が最小にな
る最適の均一な膜質を形成することができ、光劣化によ
る変換効率の低下を減少させることができるのである。
【００３１】本発明において、特に水素量ＣH を初期の
最適値よりも小さく光劣化後の最適値以上に設定する場
合には一層光劣化後の変換効率を高めることができ、実
用上一層好ましい設計ができるのである。
最適値よりも小さく光劣化後の最適値以上に設定する場
合には一層光劣化後の変換効率を高めることができ、実
用上一層好ましい設計ができるのである。
【図１】本発明の実施例の断面模式図である。
【図２】本発明の実施例の発電層の組成分布図である。
【図３】本発明の実施例の初期の水素量と変換効率との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図４】本発明の実施例の光劣化後の水素量と変換効率
との関係を示す特性図である。
との関係を示す特性図である。
【図５】本発明の実施例の光学ギャップと劣化後最適水
素量との関係を示す特性図である。
素量との関係を示す特性図である。
【図６】本発明の実施例の光学ギャップと劣化後最適組
成比との関係を示す特性図である。
成比との関係を示す特性図である。
【図７】従来例の発電層の組成分布図である。
３ ａ−Ｓｉ層 ４ ａ−ＳｉＧｅ層 ５ ａ−Ｓｉ層 ＣH ／ＣSi 水素組成比 ＣGe／ＣSi Ｇｅの組成比
Claims (1)
- 【請求項１】 未結合手を水素もしくはハロゲン族元素
により終端した非晶質シリコンアロイを発電層に用いた
光起電力装置において、 発電層の全膜厚にわたって終端元素のシリコン元素に対
する組成比が均一であり、シリコン以外のアロイ構成原
子の組成比を変化させた発電層を備えることを特徴とす
る光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18435194A JP3229753B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18435194A JP3229753B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0851227A true JPH0851227A (ja) | 1996-02-20 |
| JP3229753B2 JP3229753B2 (ja) | 2001-11-19 |
Family
ID=16151743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18435194A Expired - Fee Related JP3229753B2 (ja) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3229753B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7667133B2 (en) | 2003-10-29 | 2010-02-23 | The University Of Toledo | Hybrid window layer for photovoltaic cells |
| US7750234B2 (en) | 2002-11-27 | 2010-07-06 | The University Of Toledo | Integrated photoelectrochemical cell and system having a liquid electrolyte |
-
1994
- 1994-08-05 JP JP18435194A patent/JP3229753B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7750234B2 (en) | 2002-11-27 | 2010-07-06 | The University Of Toledo | Integrated photoelectrochemical cell and system having a liquid electrolyte |
| US7667133B2 (en) | 2003-10-29 | 2010-02-23 | The University Of Toledo | Hybrid window layer for photovoltaic cells |
| US7879644B2 (en) | 2003-10-29 | 2011-02-01 | The University Of Toledo | Hybrid window layer for photovoltaic cells |
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