JPH085580Y2 - 樹脂多層プリント配線板 - Google Patents
樹脂多層プリント配線板Info
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- JPH085580Y2 JPH085580Y2 JP1990011552U JP1155290U JPH085580Y2 JP H085580 Y2 JPH085580 Y2 JP H085580Y2 JP 1990011552 U JP1990011552 U JP 1990011552U JP 1155290 U JP1155290 U JP 1155290U JP H085580 Y2 JPH085580 Y2 JP H085580Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- printed wiring
- multilayer printed
- pad electrode
- resin
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本考案は、樹脂多層プリント配線板に係り、特に信号
伝達の遅延時間を短くし、しかも集積度を上げるための
ポリイミド樹脂多層プリント配線板の構造に関するもの
である。
伝達の遅延時間を短くし、しかも集積度を上げるための
ポリイミド樹脂多層プリント配線板の構造に関するもの
である。
（従来の技術） 従来、このような分野の技術としては、例えば、以下
に示すようなものがあった。
に示すようなものがあった。
第２図はかかる従来のポリイミド樹脂多層プリント配
線板上への半導体素子の実装状態を示す断面図である。
線板上への半導体素子の実装状態を示す断面図である。
この図に示すように、セラミック基板又はアルミニウ
ムや銅等の金属板21上に感光性ポリイミド樹脂22を塗布
した後、全面露光して全面硬化させる。次に、導体配線
23を印刷法やメッキ法により形成する。次に、再度、感
光性ポリイミド樹脂22を塗布した後、導体配線層間を結
線する箇所の感光性ポリイミド樹脂が取り除かれるよう
に露光現像する（残った感光性ポリイミド樹脂は露光に
より硬化している）。次に、導体配線層間を結線するバ
イヤ（via）ホール24に導体配線を印刷法やメッキ法に
より形成する。更に、感光性ポリイミド樹脂22を塗布し
た後、バイヤホール24の感光性ポリイミド樹脂が取り除
かれるように露光現像する。以後、必要導体層数だけ上
記工程を繰り返す。
ムや銅等の金属板21上に感光性ポリイミド樹脂22を塗布
した後、全面露光して全面硬化させる。次に、導体配線
23を印刷法やメッキ法により形成する。次に、再度、感
光性ポリイミド樹脂22を塗布した後、導体配線層間を結
線する箇所の感光性ポリイミド樹脂が取り除かれるよう
に露光現像する（残った感光性ポリイミド樹脂は露光に
より硬化している）。次に、導体配線層間を結線するバ
イヤ（via）ホール24に導体配線を印刷法やメッキ法に
より形成する。更に、感光性ポリイミド樹脂22を塗布し
た後、バイヤホール24の感光性ポリイミド樹脂が取り除
かれるように露光現像する。以後、必要導体層数だけ上
記工程を繰り返す。
このようにして形成されたポリイミド樹脂多層プリン
ト配線板の所定の位置に、半導体素子25を接着剤26を用
いて搭載し、その後、半導体素子25のパッド電極27と表
層導体配線31に形成されるパッド電極28間を、ワイヤボ
ンディングツールを用い、ワイヤ29によりワイヤボンデ
ィングを行って接続し、その後、封止用樹脂30により樹
脂封止を行うようにしていた。
ト配線板の所定の位置に、半導体素子25を接着剤26を用
いて搭載し、その後、半導体素子25のパッド電極27と表
層導体配線31に形成されるパッド電極28間を、ワイヤボ
ンディングツールを用い、ワイヤ29によりワイヤボンデ
ィングを行って接続し、その後、封止用樹脂30により樹
脂封止を行うようにしていた。
（考案が解決しようとする課題） しかしながら、上記した従来のポリイミド樹脂多層プ
リント配線板では、半導体素子とポリイミド樹脂多層配
線板とのパッド電極間を接続するためのワイヤボンディ
ングにおいて、ポリイミド樹脂多層配線板のパッド電極
側は、その電極の直下はポリイミド樹脂であり、それが
柔らかいため、パッド電極にワイヤボンディングツール
を当接してワイヤボンディングを行う際に、パッド電極
にへこみが生じる。このへこみが生じることにより、ワ
イヤボンディングツールの超音波振動力や加圧力が逃げ
てしまい、ワイヤボンディング不良が生じ易いという問
題点があった。
リント配線板では、半導体素子とポリイミド樹脂多層配
線板とのパッド電極間を接続するためのワイヤボンディ
ングにおいて、ポリイミド樹脂多層配線板のパッド電極
側は、その電極の直下はポリイミド樹脂であり、それが
柔らかいため、パッド電極にワイヤボンディングツール
を当接してワイヤボンディングを行う際に、パッド電極
にへこみが生じる。このへこみが生じることにより、ワ
イヤボンディングツールの超音波振動力や加圧力が逃げ
てしまい、ワイヤボンディング不良が生じ易いという問
題点があった。
本考案は、上記問題点を除去し、ポリイミド樹脂多層
プリント配線板のワイヤボンディング接続電極の直下に
高硬度の柱部を設け、ポリイミド樹脂の柔らかさの影響
が、ワイヤボンディング時に生じないようにし、ワイヤ
ボンディング不良が発生しない、良好なワイヤボンディ
ング接続を行い得る樹脂多層プリント配線板を提供する
ことを目的とする。
プリント配線板のワイヤボンディング接続電極の直下に
高硬度の柱部を設け、ポリイミド樹脂の柔らかさの影響
が、ワイヤボンディング時に生じないようにし、ワイヤ
ボンディング不良が発生しない、良好なワイヤボンディ
ング接続を行い得る樹脂多層プリント配線板を提供する
ことを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本考案は、上記目的を達成するために、半導体素子の
パッド電極と多層プリント配線板のパッド電極間をワイ
ヤボンディングにより接続する樹脂多層プリント配線板
において、前記樹脂多層プリント配線板のパッド電極の
少なくともボンディング用ワイヤ接続位置の直下に接続
時の外圧によってこのパッド電極が埋没しないように高
硬度の柱部を前記パッド電極に当接させて形成するよう
にしたものである。
パッド電極と多層プリント配線板のパッド電極間をワイ
ヤボンディングにより接続する樹脂多層プリント配線板
において、前記樹脂多層プリント配線板のパッド電極の
少なくともボンディング用ワイヤ接続位置の直下に接続
時の外圧によってこのパッド電極が埋没しないように高
硬度の柱部を前記パッド電極に当接させて形成するよう
にしたものである。
ここで、高硬度の柱部は、金属、レーザによる樹脂の固
化、絶縁性樹脂（アクリル樹脂）、或いは無機物によっ
て構成することができる。
化、絶縁性樹脂（アクリル樹脂）、或いは無機物によっ
て構成することができる。
（作用） 本考案によれば、上記したように、樹脂多層プリント
配線板のパッド電極の少なくともボンディング用ワイヤ
接続位置の直下に、接続時の外圧によってこのパッド電
極が埋没しないように高硬度の柱部〔例えば、金属、レ
ーザによる樹脂の固化、絶縁性樹脂（アクリル樹脂）、
或いは無機物によって形成した柱部〕を前記パッド電極
に当接させるようにして設けたので、半導体素子のパッ
ド電極と樹脂多層プリント配線板のパッド電極間接続の
ためのワイヤボンディング時に、パッド電極にへこみが
生じることがなく、ワイヤボンディングツールの超音波
振動力、加圧力が低減することがないため、ボンディン
グ不良がなくなり、良好なワイヤボンディング接続を行
うことができる。
配線板のパッド電極の少なくともボンディング用ワイヤ
接続位置の直下に、接続時の外圧によってこのパッド電
極が埋没しないように高硬度の柱部〔例えば、金属、レ
ーザによる樹脂の固化、絶縁性樹脂（アクリル樹脂）、
或いは無機物によって形成した柱部〕を前記パッド電極
に当接させるようにして設けたので、半導体素子のパッ
ド電極と樹脂多層プリント配線板のパッド電極間接続の
ためのワイヤボンディング時に、パッド電極にへこみが
生じることがなく、ワイヤボンディングツールの超音波
振動力、加圧力が低減することがないため、ボンディン
グ不良がなくなり、良好なワイヤボンディング接続を行
うことができる。
（実施例） 以下、本考案の実施例について図面を参照しながら詳
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本考案の第１の実施例を示すポリイミド樹脂
多層プリント配線板への半導体素子の実装状態を示す断
面図である。
多層プリント配線板への半導体素子の実装状態を示す断
面図である。
図中、１はセラミック基板、２は絶縁層を構成する感
光性ポリイミド樹脂、３は導体配線、４はバイヤホー
ル、５は半導体素子、６は接着剤、７は半導体素子５の
パッド電極、８は表層導体配線のパッド電極、９はボン
ディング用ワイヤ、10は封止用樹脂、11は表層導体配
線、12は金属柱部、つまり、高硬度の柱部である。
光性ポリイミド樹脂、３は導体配線、４はバイヤホー
ル、５は半導体素子、６は接着剤、７は半導体素子５の
パッド電極、８は表層導体配線のパッド電極、９はボン
ディング用ワイヤ、10は封止用樹脂、11は表層導体配
線、12は金属柱部、つまり、高硬度の柱部である。
この図に示すように、表層下のバイヤホール形成以前
は、従来法と同じ方法によって、導体配線（導体層）
３、バイヤホール４及び絶縁層を繰り返し形成する。そ
の後、表層下のバイヤホールを形成するためのポリイミ
ド樹脂露光、現像の時、バイヤホール形成箇所と、表層
のワイヤボンディング接続用パッド電極８形成箇所下の
ポリイミド樹脂が除去されるように、露光、現像を行
う。その後、ポリイミド樹脂が除去された部分に導体配
線材からなるバイヤホール４及び金属柱部12を形成し、
次いで、表層導体配線11及びパッド電極８を形成する。
は、従来法と同じ方法によって、導体配線（導体層）
３、バイヤホール４及び絶縁層を繰り返し形成する。そ
の後、表層下のバイヤホールを形成するためのポリイミ
ド樹脂露光、現像の時、バイヤホール形成箇所と、表層
のワイヤボンディング接続用パッド電極８形成箇所下の
ポリイミド樹脂が除去されるように、露光、現像を行
う。その後、ポリイミド樹脂が除去された部分に導体配
線材からなるバイヤホール４及び金属柱部12を形成し、
次いで、表層導体配線11及びパッド電極８を形成する。
このようにしてポリイミド樹脂多層プリント配線板の
ワイヤボンディング接続用の表層導体配線のパッド電極
８のボンディング用ワイヤ接続位置の直下には、ポリイ
ミド層ではなく、金属柱部12、つまり、高硬度の柱部が
パッド電極８に当接して形成される。
ワイヤボンディング接続用の表層導体配線のパッド電極
８のボンディング用ワイヤ接続位置の直下には、ポリイ
ミド層ではなく、金属柱部12、つまり、高硬度の柱部が
パッド電極８に当接して形成される。
このように作製したポリイミド樹脂多層プリント配線
板の所定位置に、半導体素子５を接着剤６を用いて実装
し、ワイヤボンディングにより半導体素子のパッド電極
７と表層導体配線のパッド電極８間の接続を行う。この
際、パッド電極８へのボンディング用ワイヤ９の接続に
おいては、パッド電極８のボンディング用ワイヤ接続位
置の直下には、必ず金属柱部12が存在するように、ワイ
ヤボンディングツールの位置決めをして、ワイヤボンデ
ィングを行う。その後、封止用樹脂10により樹脂封止を
行う。
板の所定位置に、半導体素子５を接着剤６を用いて実装
し、ワイヤボンディングにより半導体素子のパッド電極
７と表層導体配線のパッド電極８間の接続を行う。この
際、パッド電極８へのボンディング用ワイヤ９の接続に
おいては、パッド電極８のボンディング用ワイヤ接続位
置の直下には、必ず金属柱部12が存在するように、ワイ
ヤボンディングツールの位置決めをして、ワイヤボンデ
ィングを行う。その後、封止用樹脂10により樹脂封止を
行う。
また、本実施例では、導体配線層間の絶縁層に感光性
ポリイミド樹脂を使用し、露光・現像法により、樹脂硬
化を行っているが、絶縁層形成方法としては、その他に
印刷法を用いることができる。また、感光性ポリイミド
樹脂以外の樹脂を使った多層配線板であっても差し支え
ない。
ポリイミド樹脂を使用し、露光・現像法により、樹脂硬
化を行っているが、絶縁層形成方法としては、その他に
印刷法を用いることができる。また、感光性ポリイミド
樹脂以外の樹脂を使った多層配線板であっても差し支え
ない。
第３図は本考案の第２の実施例を示す樹脂多層プリン
ト配線板への半導体素子の実装状態を示す断面図であ
る。
ト配線板への半導体素子の実装状態を示す断面図であ
る。
この実施例においては、表層下のバイヤホール４を形
成するための樹脂露光、現像の時、バイヤホール形成箇
所の樹脂が除去されるように、露光、現像を行う。その
後、そこに導体配線材からなるバイヤホール４を形成
し、次いで、表層のワイヤボンディング接続用パッド電
極８形成箇所にあたる表層の樹脂をレーザによって固化
し、高硬度の柱部40を形成する。この場合、樹脂として
は、例えば、シロキ酸を用いると、レーザによってポリ
シロキ酸に変換し、固化することができる。次いで、表
層に導体配線11及びパッド電極８を形成する。
成するための樹脂露光、現像の時、バイヤホール形成箇
所の樹脂が除去されるように、露光、現像を行う。その
後、そこに導体配線材からなるバイヤホール４を形成
し、次いで、表層のワイヤボンディング接続用パッド電
極８形成箇所にあたる表層の樹脂をレーザによって固化
し、高硬度の柱部40を形成する。この場合、樹脂として
は、例えば、シロキ酸を用いると、レーザによってポリ
シロキ酸に変換し、固化することができる。次いで、表
層に導体配線11及びパッド電極８を形成する。
その他の点は、第１の実施例に示したものと同様に構成
することができる 第４図は本考案の第３の実施例を示す樹脂多層プリント
配線板への半導体素子の実装状態を示す断面図である。
することができる 第４図は本考案の第３の実施例を示す樹脂多層プリント
配線板への半導体素子の実装状態を示す断面図である。
この実施例においては、表層下のバイヤホール４を形成
するためのポリイミド樹脂露光、現像の時、バイヤホー
ル形成箇所と、表層のワイヤボンディング接続電極形成
箇所下のポリイミド樹脂が除去されるように、露光、現
像を行う。その後、ポリイミド樹脂が除去されたバイヤ
ホール形成箇所に導体配線材からなるバイヤホール４を
形成し、次いで、表層のワイヤボンディング用パッド接
続電極８形成箇所の下方のポリイミド樹脂が除去された
穴に高硬度の柱部50、例えば、アクリル系樹脂からなる
柱部を形成する。次いで、表層に、表層導体配線11及び
パッド電極８を形成する。
するためのポリイミド樹脂露光、現像の時、バイヤホー
ル形成箇所と、表層のワイヤボンディング接続電極形成
箇所下のポリイミド樹脂が除去されるように、露光、現
像を行う。その後、ポリイミド樹脂が除去されたバイヤ
ホール形成箇所に導体配線材からなるバイヤホール４を
形成し、次いで、表層のワイヤボンディング用パッド接
続電極８形成箇所の下方のポリイミド樹脂が除去された
穴に高硬度の柱部50、例えば、アクリル系樹脂からなる
柱部を形成する。次いで、表層に、表層導体配線11及び
パッド電極８を形成する。
その他の点は、第１の実施例に示したものと同様に構
成することができる。
成することができる。
第３実施例の場合は、高硬度の柱部50は絶縁体である
ため、下部の配線パターンの有無にかかわらず、高硬度
の柱部50を形成することができる。
ため、下部の配線パターンの有無にかかわらず、高硬度
の柱部50を形成することができる。
なお、本考案は上記実施例に限定されるものではな
く、本考案の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本考案の範囲から排除するものではない。
く、本考案の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本考案の範囲から排除するものではない。
例えば、前記各実施例では、絶縁層を構成する樹脂と
して、感光性ポリイミド樹脂を用いた例を示している
が、これに限らず絶縁性の樹脂（例えば、エポキシ樹脂
等）であれば、この絶縁層に用い得る。
して、感光性ポリイミド樹脂を用いた例を示している
が、これに限らず絶縁性の樹脂（例えば、エポキシ樹脂
等）であれば、この絶縁層に用い得る。
（考案の効果） 以上、詳細に説明したように、本考案によれば、樹脂
多層プリント配線板のパッド電極の少なくともボンディ
ング用ワイヤの接続位置の直下に高硬度の柱部をパッド
電極に当接させて形成しているため、半導体素子のパッ
ド電極と樹脂多層プリント配線板のパッド電極間接続の
ためのワイヤボンディング時に、バッド電極にへこみが
生じることがなく、ワイヤボンディングツールの超音波
振動力、加圧力が低減しないため、ボンディング不良が
なくなり、良好なワイヤボンディング接続を行うことが
できる。
多層プリント配線板のパッド電極の少なくともボンディ
ング用ワイヤの接続位置の直下に高硬度の柱部をパッド
電極に当接させて形成しているため、半導体素子のパッ
ド電極と樹脂多層プリント配線板のパッド電極間接続の
ためのワイヤボンディング時に、バッド電極にへこみが
生じることがなく、ワイヤボンディングツールの超音波
振動力、加圧力が低減しないため、ボンディング不良が
なくなり、良好なワイヤボンディング接続を行うことが
できる。
更に、樹脂多層プリント配線板のパッド電極の直下に
低硬度の樹脂がないため、接続時の外圧により、パッド
電極にへこみが生じることがなくなり、TAB接続による
半導体素子実装のアウターボンディング電極にも適用可
能である。
低硬度の樹脂がないため、接続時の外圧により、パッド
電極にへこみが生じることがなくなり、TAB接続による
半導体素子実装のアウターボンディング電極にも適用可
能である。
第１図は本考案の第１の実施例を示すポリイミド樹脂多
層プリント配線板への半導体素子の実装状態を示す断面
図、第２図は従来のポリイミド樹脂多層プリント配線板
上への半導体素子の実装状態を示す断面図、第３図は本
考案の第２の実施例を示す樹脂多層プリント配線板への
半導体素子の実装状態を示す断面図、第４図は本考案の
第３の実施例を示す樹脂多層プリント配線板への半導体
素子の実装状態を示す断面図である。 １……セラミック基板、２……感光性ポリイミド樹脂、
３……導体配線、４……バイヤホール、５……半導体素
子、６……接着剤、７……半導体素子のパッド電極、８
……表層導体配線のパッド電極、９……ボンディング用
ワイヤ、10……封止用樹脂、11……表層導体配線、12,4
0,50……高硬度の柱部。
層プリント配線板への半導体素子の実装状態を示す断面
図、第２図は従来のポリイミド樹脂多層プリント配線板
上への半導体素子の実装状態を示す断面図、第３図は本
考案の第２の実施例を示す樹脂多層プリント配線板への
半導体素子の実装状態を示す断面図、第４図は本考案の
第３の実施例を示す樹脂多層プリント配線板への半導体
素子の実装状態を示す断面図である。 １……セラミック基板、２……感光性ポリイミド樹脂、
３……導体配線、４……バイヤホール、５……半導体素
子、６……接着剤、７……半導体素子のパッド電極、８
……表層導体配線のパッド電極、９……ボンディング用
ワイヤ、10……封止用樹脂、11……表層導体配線、12,4
0,50……高硬度の柱部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 山下 俊光 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−219798（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−140897（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−6834（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−175385（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子のパッド電極と多層プリント配
線板のパッド電極間をワイヤボンディングにより接続す
る樹脂多層プリント配線板において、 前記樹脂多層プリント配線板のパッド電極の少なくとも
ボンディング用ワイヤ接続位置の直下に接続時の外圧に
よって該パッド電極が埋没しないように高硬度の柱部を
前記パッド電極に当接させて形成したことを特徴とする
樹脂多層プリント配線板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990011552U JPH085580Y2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 樹脂多層プリント配線板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990011552U JPH085580Y2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 樹脂多層プリント配線板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03102768U JPH03102768U (ja) | 1991-10-25 |
| JPH085580Y2 true JPH085580Y2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=31515075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990011552U Expired - Lifetime JPH085580Y2 (ja) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | 樹脂多層プリント配線板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085580Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006120999A (ja) * | 2004-10-25 | 2006-05-11 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57175385U (ja) * | 1981-04-28 | 1982-11-05 | ||
| JPS58219798A (ja) * | 1982-06-14 | 1983-12-21 | 日本電気株式会社 | 多層配線基板 |
| JPS60140897A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | 日本電気株式会社 | 樹脂絶縁多層基板 |
| JPS616834A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-02-09 JP JP1990011552U patent/JPH085580Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03102768U (ja) | 1991-10-25 |
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