JPH0870173A - 回路基板 - Google Patents
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- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回路基板上の電極とTABのリードを半田ゴ
テを用いて半田付けする場合、半田による短絡や回路基
板上に半田の付着の発生しない、接合不良のないように
する。 【構成】 回路基板13上に液晶駆動用TABのリード8
と接合する銅電極2を形成した回路基板に半田供給電極
4を有し、半田ゴテのコテ先端部に充分な半田溜まりを
形成し、接合開始電極1から良好な半田接合を得る。ま
た半田除去電極5を有し、コテ先端部の半田溜まりを除
去し、回路基板上に半田の付着のない半田接合を得るこ
とができる。
テを用いて半田付けする場合、半田による短絡や回路基
板上に半田の付着の発生しない、接合不良のないように
する。 【構成】 回路基板13上に液晶駆動用TABのリード8
と接合する銅電極2を形成した回路基板に半田供給電極
4を有し、半田ゴテのコテ先端部に充分な半田溜まりを
形成し、接合開始電極1から良好な半田接合を得る。ま
た半田除去電極5を有し、コテ先端部の半田溜まりを除
去し、回路基板上に半田の付着のない半田接合を得るこ
とができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品を実装する回
路基板に関する。
路基板に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、映像表示装置として注目を浴びて
いる液晶パネルを駆動させる半導体装置の実装は、TA
B(TAPE AUTOMATED BONDIG)方式が主流になっている。
このTABと液晶駆動用信号を供給する回路基板との実
装部分をFOB(FILM ON BOARD)実装と呼ぶ。以下、図
面を参照にしながら、上述したFOB実装の一例につい
て説明する。
いる液晶パネルを駆動させる半導体装置の実装は、TA
B(TAPE AUTOMATED BONDIG)方式が主流になっている。
このTABと液晶駆動用信号を供給する回路基板との実
装部分をFOB(FILM ON BOARD)実装と呼ぶ。以下、図
面を参照にしながら、上述したFOB実装の一例につい
て説明する。
【0003】図6は従来のFOB実装部分の一例を示す
断面図である。液晶駆動用半導体装置を実装したTAB
は、半導体装置(IC)11と、封止樹脂10と、ポリイミド
フィルム12と、TABのリード8から構成され、FOB
実装は、回路基板13上の銅電極2と液晶駆動用TABの
一部であるリード8とを半田20で接合する方法である。
なお、23はガラスパネルである。
断面図である。液晶駆動用半導体装置を実装したTAB
は、半導体装置(IC)11と、封止樹脂10と、ポリイミド
フィルム12と、TABのリード8から構成され、FOB
実装は、回路基板13上の銅電極2と液晶駆動用TABの
一部であるリード8とを半田20で接合する方法である。
なお、23はガラスパネルである。
【0004】次に動作を説明すると、液晶駆動用の電気
信号は、回路基板13上の銅電極2より接合された半田20
よりリード8を経て半導体装置11の入力側電極に入力さ
れる。半導体装置11の中で変換された電気信号は、出力
側電極からリード8を経て液晶パネルへ出力する。この
ように構成されたFOB実装部分を実際に実装する方法
を図7に示す。
信号は、回路基板13上の銅電極2より接合された半田20
よりリード8を経て半導体装置11の入力側電極に入力さ
れる。半導体装置11の中で変換された電気信号は、出力
側電極からリード8を経て液晶パネルへ出力する。この
ように構成されたFOB実装部分を実際に実装する方法
を図7に示す。
【0005】図7は半田ゴテ16を用いた半田接合部の一
例を示す断面図である。図7に示すように、銅電極2上
に接合用の半田20を形成した回路基板13と、TABのリ
ード8とを位置合わせ後、重ね合わせる。次に、同調し
た移動を行うフラックスパイプ14と無酸素銅でなる半田
ゴテ16とを、回路基板13に接触しながらコテ先移動方向
6へ移動することにより、TABのリード8と銅電極2
を半田20で接合する。
例を示す断面図である。図7に示すように、銅電極2上
に接合用の半田20を形成した回路基板13と、TABのリ
ード8とを位置合わせ後、重ね合わせる。次に、同調し
た移動を行うフラックスパイプ14と無酸素銅でなる半田
ゴテ16とを、回路基板13に接触しながらコテ先移動方向
6へ移動することにより、TABのリード8と銅電極2
を半田20で接合する。
【0006】移動しながら行う接合の工程を詳細に説明
する。フラックスパイプ14がリード8に接触しながら半
田の酸化膜除去用のフラックス15を供給する。フラック
ス15が供給された直後に、加熱された半田ゴテ16のコテ
先端部22が接触し、銅電極2上の半田20が溶融する。溶
融した半田は半田ゴテ16のコテ先端部22の鉄メッキ18に
濡れ、半田溜まり21を形成する。この半田溜まり21の部
分では、溶融した半田溜まり21により隣接リード間は電
気的に短絡しているが、コテ先端部22にある半田と濡れ
ない材質である黒クロムメッキ19により溶融半田を分離
し、半田の表面張力によりTABのリード8上に濡れ、
短絡不良のない半田付け状態を得ることができる。
する。フラックスパイプ14がリード8に接触しながら半
田の酸化膜除去用のフラックス15を供給する。フラック
ス15が供給された直後に、加熱された半田ゴテ16のコテ
先端部22が接触し、銅電極2上の半田20が溶融する。溶
融した半田は半田ゴテ16のコテ先端部22の鉄メッキ18に
濡れ、半田溜まり21を形成する。この半田溜まり21の部
分では、溶融した半田溜まり21により隣接リード間は電
気的に短絡しているが、コテ先端部22にある半田と濡れ
ない材質である黒クロムメッキ19により溶融半田を分離
し、半田の表面張力によりTABのリード8上に濡れ、
短絡不良のない半田付け状態を得ることができる。
【0007】安定した半田付け品質を確保する条件は、
半田ゴテ16のコテ先端部22に十分な半田溜まり21が形成
されることと、コテ先端部22に黒クロムメッキ19が形成
されていることである。
半田ゴテ16のコテ先端部22に十分な半田溜まり21が形成
されることと、コテ先端部22に黒クロムメッキ19が形成
されていることである。
【0008】図7のような半田付け方法を用いた従来の
回路基板と液晶駆動用TABを図8に示す。図8におい
て、1は銅電極2の接合開始電極、3は銅電極2の接合
終了電極、7はTABのリード8の接合開始リード、9
はTABのリード8の接合終了リードである。図8(2)
に示すように、従来の回路基板13上の銅電極2は、図8
(1)に示すTABのリード8と同じ数であり、回路基板1
3上の全ての銅電極2がTABのリード8との接合に使
用されていた。
回路基板と液晶駆動用TABを図8に示す。図8におい
て、1は銅電極2の接合開始電極、3は銅電極2の接合
終了電極、7はTABのリード8の接合開始リード、9
はTABのリード8の接合終了リードである。図8(2)
に示すように、従来の回路基板13上の銅電極2は、図8
(1)に示すTABのリード8と同じ数であり、回路基板1
3上の全ての銅電極2がTABのリード8との接合に使
用されていた。
【0009】また、銅電極2上に形成されていた半田20
の量は、リード8と銅電極2が同じ接合形状を持つため
に、一定量であった。
の量は、リード8と銅電極2が同じ接合形状を持つため
に、一定量であった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、接合開始時の課題として、図7に示す
半田ゴテ16のコテ先端部22の半田溜まり21が充分に形成
されていないために、図8に示す接合開始リード7の接
合不良が発生していた。
ような構成では、接合開始時の課題として、図7に示す
半田ゴテ16のコテ先端部22の半田溜まり21が充分に形成
されていないために、図8に示す接合開始リード7の接
合不良が発生していた。
【0011】接合中の課題として、半田ゴテ16のコテ先
端部22が連続して半田接合を実施していると、半田ゴテ
16のコテ先端部22に形成される半田溜まり21の量が増加
し、接合後半では隣接リード間で、半田による短絡が発
生するという課題が発生していた。
端部22が連続して半田接合を実施していると、半田ゴテ
16のコテ先端部22に形成される半田溜まり21の量が増加
し、接合後半では隣接リード間で、半田による短絡が発
生するという課題が発生していた。
【0012】接合後の課題として、図8に示す接合終了
リード9を通過した直後も回路基板13に接触しながら移
動するために、半田ゴテ16のコテ先端部22に溜まった半
田溜まり21が回路基板13上にこぼれ落ち、回路基板13に
不必要な半田が付着する不良が発生していた。
リード9を通過した直後も回路基板13に接触しながら移
動するために、半田ゴテ16のコテ先端部22に溜まった半
田溜まり21が回路基板13上にこぼれ落ち、回路基板13に
不必要な半田が付着する不良が発生していた。
【0013】本発明は、このような点に鑑み、回路基板
上の電極とTABのリードを半田ゴテを用いた半田付け
をする場合、半田による短絡や回路基板上に半田の付着
の発生しない接合不良のない回路基板を提供することを
目的とする。
上の電極とTABのリードを半田ゴテを用いた半田付け
をする場合、半田による短絡や回路基板上に半田の付着
の発生しない接合不良のない回路基板を提供することを
目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決し目的を達成するために、半田ゴテのコテ先端部に半
田を供給する手段と、コテ先端部の半田溜まりを除去す
る電極を有する手段と、電極上の半田形成量を可変する
手段により構成される。
決し目的を達成するために、半田ゴテのコテ先端部に半
田を供給する手段と、コテ先端部の半田溜まりを除去す
る電極を有する手段と、電極上の半田形成量を可変する
手段により構成される。
【0015】
【作用】本発明の回路基板は、上記構成により、接合開
始リードおよび接合中の接合不良がなく、また接合後に
回路基板上に半田を付着させることのない良好な接合を
実現する。
始リードおよび接合中の接合不良がなく、また接合後に
回路基板上に半田を付着させることのない良好な接合を
実現する。
【0016】
【実施例】図1は本発明の第1および第3の実施例にお
ける回路基板およびTABの構成を示す図で、これは液
晶駆動用TAB17と、接合する回路基板13上の銅電極2
を示す図(1),(2)である。液晶駆動用TAB17は、接合
開始リード7,接合終了リード9,封止樹脂10,半導体
装置11,ポリイミドフィルム12からなる。また本実施例
の回路基板13上の銅電極2は、半田付けを行う半田ゴテ
16のコテ先端部22の移動方向6を基準として、回路基板
13上の銅電極2の中で、特に接合開始電極1と接合終了
電極3を新たに設定した。また、これに対応するTAB
上のリード8の中で、特に接合開始リード7と接合終了
リード9を設定した。
ける回路基板およびTABの構成を示す図で、これは液
晶駆動用TAB17と、接合する回路基板13上の銅電極2
を示す図(1),(2)である。液晶駆動用TAB17は、接合
開始リード7,接合終了リード9,封止樹脂10,半導体
装置11,ポリイミドフィルム12からなる。また本実施例
の回路基板13上の銅電極2は、半田付けを行う半田ゴテ
16のコテ先端部22の移動方向6を基準として、回路基板
13上の銅電極2の中で、特に接合開始電極1と接合終了
電極3を新たに設定した。また、これに対応するTAB
上のリード8の中で、特に接合開始リード7と接合終了
リード9を設定した。
【0017】以上のように構成させた回路基板につい
て、その構成および接合方法を、図4のFOBの拡大断
面図、および図5の半田接合時の断面図を用いて説明す
る。まず、図4に示すように回路基板13上の銅電極2上
に接合半田20を形成する。この工程は、クリーム半田
を、メタルマスクを用い銅電極2上に印刷し、全体加熱
によりクリーム半田を溶融し、銅電極2に充分濡れた
後、全体を冷却して半田20を凝固することにより形成す
る。従来では、前記図7で説明したように、接合開始リ
ード7から接合終了リード9までの銅電極2上に半田20
を形成したために、接合開始リード7を接合する時点で
半田ゴテ16のコテ先端部22の半田溜まり21が形成され
ず、接合開始リード7の濡れ不良が発生した。本実施例
においては、図1に示すようにコテ先端部22が接合開始
リード7を接合する直前に通過する位置に、半田を印刷
した半田供給電極4を新たに設置した。この半田供給電
極4は、実際に半田接合を行う接合開始電極1の直前
に、半田供給電極4の上に形成された半田より半田ゴテ
16のコテ先端部22に半田を供給し、安定した半田溜まり
21を形成する効果がある。安定した半田溜まり21が形成
している場合は、接合開始電極1と接合開始リード7は
良好な接合を得ることができる。本実施例では、半田供
給電極4の面積は接合に用いる銅電極2の面積の2倍と
した。
て、その構成および接合方法を、図4のFOBの拡大断
面図、および図5の半田接合時の断面図を用いて説明す
る。まず、図4に示すように回路基板13上の銅電極2上
に接合半田20を形成する。この工程は、クリーム半田
を、メタルマスクを用い銅電極2上に印刷し、全体加熱
によりクリーム半田を溶融し、銅電極2に充分濡れた
後、全体を冷却して半田20を凝固することにより形成す
る。従来では、前記図7で説明したように、接合開始リ
ード7から接合終了リード9までの銅電極2上に半田20
を形成したために、接合開始リード7を接合する時点で
半田ゴテ16のコテ先端部22の半田溜まり21が形成され
ず、接合開始リード7の濡れ不良が発生した。本実施例
においては、図1に示すようにコテ先端部22が接合開始
リード7を接合する直前に通過する位置に、半田を印刷
した半田供給電極4を新たに設置した。この半田供給電
極4は、実際に半田接合を行う接合開始電極1の直前
に、半田供給電極4の上に形成された半田より半田ゴテ
16のコテ先端部22に半田を供給し、安定した半田溜まり
21を形成する効果がある。安定した半田溜まり21が形成
している場合は、接合開始電極1と接合開始リード7は
良好な接合を得ることができる。本実施例では、半田供
給電極4の面積は接合に用いる銅電極2の面積の2倍と
した。
【0018】面積を2倍とした根拠を図4と図5を用い
て説明する。半田ゴテ16のコテ先端部22は、銅電極2間
の回路基板13表面にコテ先端部22が落ち込み、リード8
をコテ先移動方向6に曲げることのないように、図5に
示す銅電極2の3本分の半田を一度に溶融する半田ゴテ
16のコテ先端部22の構成とした。図4は接合開始電極1
と接合開始リード7とを位置合わせ後に重ね合わせた、
接合直前の被半田接合物のうち、接合開始電極1から銅
電極2の3本目までを表している。接合開始電極1から
銅電極2の3本目までの約2mmの長さと、コテ先端部22
の幅1mmの間に、銅電極2と接合開始リード7と半田3
本分の体積は、図4に示すように0.18mm3であった。
て説明する。半田ゴテ16のコテ先端部22は、銅電極2間
の回路基板13表面にコテ先端部22が落ち込み、リード8
をコテ先移動方向6に曲げることのないように、図5に
示す銅電極2の3本分の半田を一度に溶融する半田ゴテ
16のコテ先端部22の構成とした。図4は接合開始電極1
と接合開始リード7とを位置合わせ後に重ね合わせた、
接合直前の被半田接合物のうち、接合開始電極1から銅
電極2の3本目までを表している。接合開始電極1から
銅電極2の3本目までの約2mmの長さと、コテ先端部22
の幅1mmの間に、銅電極2と接合開始リード7と半田3
本分の体積は、図4に示すように0.18mm3であった。
【0019】一方、コテ先端部22の半田溜まり21の体積
は、図5に示すようにコテ先端部22の接触角度を5度と
設定した条件では、斜線部の体積は0.18mm3であった。
このように、コテ先端部22は電極3本分の面積に形成さ
れた半田量で、最適なコテ先端部22の半田溜まり21を形
成する。この事実により、本実施例の半田供給電極4
は、通常、接合に用いる銅電極2の2本分の面積とし、
接合開始電極1が3本目の銅電極2に相当するように設
定した。このように設定した回路基板では、接合開始リ
ード7の接合不良は発生しない。また、このようにコテ
先端部22の半田溜まり21の体積と、被半田接合物の体積
を一致させる条件下であれば、図2の第2の実施例に示
すように、半田供給電極4は1本分の面積でも良好な半
田接合を得ることができる。
は、図5に示すようにコテ先端部22の接触角度を5度と
設定した条件では、斜線部の体積は0.18mm3であった。
このように、コテ先端部22は電極3本分の面積に形成さ
れた半田量で、最適なコテ先端部22の半田溜まり21を形
成する。この事実により、本実施例の半田供給電極4
は、通常、接合に用いる銅電極2の2本分の面積とし、
接合開始電極1が3本目の銅電極2に相当するように設
定した。このように設定した回路基板では、接合開始リ
ード7の接合不良は発生しない。また、このようにコテ
先端部22の半田溜まり21の体積と、被半田接合物の体積
を一致させる条件下であれば、図2の第2の実施例に示
すように、半田供給電極4は1本分の面積でも良好な半
田接合を得ることができる。
【0020】次に、本発明の第3の実施例について述べ
る。前記図8に示す従来の接合終了電極3を接合した
後、図7に示す半田溜まり21を形成した半田ゴテ16のコ
テ先端部22は、回路基板表面上を接触しながら移動す
る。この状態では、コテ先端部22の半田溜まり21より半
田がこぼれ落ち、回路基板13上に付着する。この問題を
解決するために、第3の実施例では、図1に示すように
コテ先端部22が接合終了電極3を接合した直後に通過す
る位置に、半田を印刷しない半田除去電極5を新たに設
置した。この半田除去電極5は、接合終了電極3を接合
終了後、コテ先端部22の半田溜まり21より半田がこぼれ
落ちるのを防止できる。この半田除去電極5は、半田を
印刷しない銅電極で構成し、面積は通常、接合に用いる
銅電極の2倍とした。
る。前記図8に示す従来の接合終了電極3を接合した
後、図7に示す半田溜まり21を形成した半田ゴテ16のコ
テ先端部22は、回路基板表面上を接触しながら移動す
る。この状態では、コテ先端部22の半田溜まり21より半
田がこぼれ落ち、回路基板13上に付着する。この問題を
解決するために、第3の実施例では、図1に示すように
コテ先端部22が接合終了電極3を接合した直後に通過す
る位置に、半田を印刷しない半田除去電極5を新たに設
置した。この半田除去電極5は、接合終了電極3を接合
終了後、コテ先端部22の半田溜まり21より半田がこぼれ
落ちるのを防止できる。この半田除去電極5は、半田を
印刷しない銅電極で構成し、面積は通常、接合に用いる
銅電極の2倍とした。
【0021】面積を2倍とした根拠は、第1の実施例と
同じであり、半田ゴテ16のコテ先端部22および被半田接
合物の条件下では、コテ先端部22の最大半田溜まり量
は、3本分の銅電極に形成した半田量であり、接合終了
電極3を接合後のコテ先端部22の半田溜まり量は、接合
終了電極3と接合終了リード9を接合するために1本分
の半田を使用しているために、最大でも2本分の電極に
形成した半田量である。本実施例では、半田供給電極4
が接合に用いる電極の2倍の面積であれば、半田除去電
極5の面積も2倍にした。半田供給電極4の面積が接合
に用いる電極と同じであれば、半田除去電極5も同じに
した。
同じであり、半田ゴテ16のコテ先端部22および被半田接
合物の条件下では、コテ先端部22の最大半田溜まり量
は、3本分の銅電極に形成した半田量であり、接合終了
電極3を接合後のコテ先端部22の半田溜まり量は、接合
終了電極3と接合終了リード9を接合するために1本分
の半田を使用しているために、最大でも2本分の電極に
形成した半田量である。本実施例では、半田供給電極4
が接合に用いる電極の2倍の面積であれば、半田除去電
極5の面積も2倍にした。半田供給電極4の面積が接合
に用いる電極と同じであれば、半田除去電極5も同じに
した。
【0022】また、半田除去電極5を設置する範囲がな
い場合は、接合に用いる銅電極2に半田形成しないこと
により同様な効果を実施例の中で得た。接合に使用する
銅電極に半田を形成しない実施例として、第3の実施例
の中で2倍の面積の半田除去電極5を設置した条件下に
おいては、接合終了電極3とその直前に接合を行う銅電
極の計2本の電極に半田を印刷しないことにより、コテ
先端部22の半田溜まり21の半田を除去しながら良好な接
合を得る。また接合に用いる銅電極と同じ面積の半田除
去電極5を設置する条件下においては、接合終了電極3
のみ半田を形成しないことにより、銅電極とリードの半
田接合とコテ先端部22の半田除去の効果を同時に得た。
い場合は、接合に用いる銅電極2に半田形成しないこと
により同様な効果を実施例の中で得た。接合に使用する
銅電極に半田を形成しない実施例として、第3の実施例
の中で2倍の面積の半田除去電極5を設置した条件下に
おいては、接合終了電極3とその直前に接合を行う銅電
極の計2本の電極に半田を印刷しないことにより、コテ
先端部22の半田溜まり21の半田を除去しながら良好な接
合を得る。また接合に用いる銅電極と同じ面積の半田除
去電極5を設置する条件下においては、接合終了電極3
のみ半田を形成しないことにより、銅電極とリードの半
田接合とコテ先端部22の半田除去の効果を同時に得た。
【0023】次に本発明の第4の実施例について説明す
る。従来の課題として、コテ先端部22が連続して半田接
合を実施していると、半田ゴテ16のコテ先端部22に形成
される半田溜まり21の量が増加し、接合後半では隣接リ
ード間で、半田により短絡が発生する問題が発生するこ
とがあった。このような課題に対し、本発明は、第1お
よび第3の実施例、および従来の回路基板において、銅
電極上に形成された半田を徐々に少なくすることによ
り、半田による短絡の発生を解決した。本実施例につい
て図3を用いて説明する。
る。従来の課題として、コテ先端部22が連続して半田接
合を実施していると、半田ゴテ16のコテ先端部22に形成
される半田溜まり21の量が増加し、接合後半では隣接リ
ード間で、半田により短絡が発生する問題が発生するこ
とがあった。このような課題に対し、本発明は、第1お
よび第3の実施例、および従来の回路基板において、銅
電極上に形成された半田を徐々に少なくすることによ
り、半田による短絡の発生を解決した。本実施例につい
て図3を用いて説明する。
【0024】図3に示すグラフは、回路基板上の電極
(横軸)にクリーム半田を印刷するメタルマスクの開口率
(縦軸)の推移を表すグラフであり、グラフの上方に概念
図を示す。このように、電極(リード本数)の増加に比例
してメタルマスクの開口率を徐々に減少させることによ
り、回路基板上に徐々に半田量が減少する半田印刷量を
印刷し、加熱・冷却工程後に徐々に減少する半田量を構
成する回路基板を実現できる。この回路基板を用い、図
5に示すコテ先端部22を用いた接合を行う場合、接合後
半においても半田により短絡のない接合を得ることがで
きる。半田の減少率は、接合間隔により異なるが、50%
から80%の範囲が望ましい。本実施例では、図3に示す
ように減少率70%で行った。
(横軸)にクリーム半田を印刷するメタルマスクの開口率
(縦軸)の推移を表すグラフであり、グラフの上方に概念
図を示す。このように、電極(リード本数)の増加に比例
してメタルマスクの開口率を徐々に減少させることによ
り、回路基板上に徐々に半田量が減少する半田印刷量を
印刷し、加熱・冷却工程後に徐々に減少する半田量を構
成する回路基板を実現できる。この回路基板を用い、図
5に示すコテ先端部22を用いた接合を行う場合、接合後
半においても半田により短絡のない接合を得ることがで
きる。半田の減少率は、接合間隔により異なるが、50%
から80%の範囲が望ましい。本実施例では、図3に示す
ように減少率70%で行った。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の回路基板
は、半田供給電極および半田除去電極を有する回路基
板、および半田量を徐々に減少した電極群を構成した回
路基板により、半田ゴテを用いた接合において、半田に
よる短絡や回路基板上への半田付着等の半田接合不良の
ない実装を実現できる。
は、半田供給電極および半田除去電極を有する回路基
板、および半田量を徐々に減少した電極群を構成した回
路基板により、半田ゴテを用いた接合において、半田に
よる短絡や回路基板上への半田付着等の半田接合不良の
ない実装を実現できる。
【図1】本発明の第1および第3の実施例における回路
基板およびTABの構成を示す図である。
基板およびTABの構成を示す図である。
【図2】本発明の第2の実施例における回路基板および
TABの構成を示す図である。
TABの構成を示す図である。
【図3】本発明の第4の実施例を示す半田印刷メタルマ
スク開口率の減少率を示すグラフである。
スク開口率の減少率を示すグラフである。
【図4】図1のFOBの拡大断面図である。
【図5】図1の半田接合時の断面図である。
【図6】従来のFOB実装部分の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図7】半田ゴテを用いた半田接合部の一例を示す断面
図である。
図である。
【図8】従来の回路基板と液晶駆動用TABの構成を示
す図である。
す図である。
1…接合開始電極、 2…銅電極、 3…接合終了電
極、 4…半田供給電極、5…半田除去電極、 6…コ
テ先移動方向、 7…接合開始リード、 8…TABの
リード、 9…接合終了リード、 10…封止樹脂、 11
…半導体装置(IC)、 12…ポリイミドフィルム、 13
…回路基板、 14…フラックスパイプ、 15…フラック
ス、 16…半田ゴテ、 17…液晶駆動用TAB、 18…
鉄メッキ、19…黒クロムメッキ、 20…半田、 21…半
田溜まり、 22…コテ先端部、 23…ガラスパネル。
極、 4…半田供給電極、5…半田除去電極、 6…コ
テ先移動方向、 7…接合開始リード、 8…TABの
リード、 9…接合終了リード、 10…封止樹脂、 11
…半導体装置(IC)、 12…ポリイミドフィルム、 13
…回路基板、 14…フラックスパイプ、 15…フラック
ス、 16…半田ゴテ、 17…液晶駆動用TAB、 18…
鉄メッキ、19…黒クロムメッキ、 20…半田、 21…半
田溜まり、 22…コテ先端部、 23…ガラスパネル。
Claims (4)
- 【請求項1】 電子部品との接合に使用するために直線
上に連続して並んだ同一形状の電極群と、前記電極群に
対し同一直線上の両側に設けた前記電子部品との接合に
使用しない電極とで構成されたことを特徴とする回路基
板。 - 【請求項2】 電子部品との接合に使用するための半田
を形成している電極を直線上に連続して並べた電極群に
対し、同一直線上の両側に設けた前記電子部品との接合
に使用しない2つの電極を有し、その一方は半田を形成
した電極、他方は半田を形成しない電極であることを特
徴とする請求項1記載の回路基板。 - 【請求項3】 電子部品との接合に使用する直線上に連
続して並んだ同一形状の電極群を有し、前記電子部品と
の接合に使用するために電極上に形成している半田量
を、前記電極群の一方より一定の減少率で形成すること
を特徴とする請求項1記載の回路基板。 - 【請求項4】 電子部品との接合に使用する直線上に連
続して並んだ同一形状の電極群を有し、前記電子部品と
の接合に使用するために電極上に形成している半田量
を、前記電極群の一方より連続した一定数の電極だけ形
成しないことを特徴とする請求項1記載の回路基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6205428A JPH0870173A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 回路基板 |
| US08/521,047 US5917156A (en) | 1994-08-30 | 1995-08-29 | Circuit board having electrodes and pre-deposit solder receiver |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6205428A JPH0870173A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0870173A true JPH0870173A (ja) | 1996-03-12 |
Family
ID=16506698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6205428A Pending JPH0870173A (ja) | 1994-08-30 | 1994-08-30 | 回路基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5917156A (ja) |
| JP (1) | JPH0870173A (ja) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7140102B2 (en) * | 2001-09-02 | 2006-11-28 | Borealis Technical Limited | Electrode sandwich separation |
| US20040189141A1 (en) * | 1997-09-08 | 2004-09-30 | Avto Tavkhelidze | Thermionic vacuum diode device with adjustable electrodes |
| US7658772B2 (en) * | 1997-09-08 | 2010-02-09 | Borealis Technical Limited | Process for making electrode pairs |
| US7651875B2 (en) * | 1998-06-08 | 2010-01-26 | Borealis Technical Limited | Catalysts |
| US6680214B1 (en) * | 1998-06-08 | 2004-01-20 | Borealis Technical Limited | Artificial band gap |
| US7074498B2 (en) * | 2002-03-22 | 2006-07-11 | Borealis Technical Limited | Influence of surface geometry on metal properties |
| US6386433B1 (en) | 1999-08-24 | 2002-05-14 | Kulicke & Soffa Investments, Inc. | Solder ball delivery and reflow apparatus and method |
| US6227437B1 (en) * | 1999-08-24 | 2001-05-08 | Kulicke & Soffa Industries Inc. | Solder ball delivery and reflow apparatus and method of using the same |
| US6774003B2 (en) * | 2001-02-23 | 2004-08-10 | Borealis Technical Limited | Method for making a diode device |
| US7208021B1 (en) | 2001-09-02 | 2007-04-24 | Borealis Technical Limited | Fabrication of close-spaced MEMS devices by method of precise adhesion regulation |
| US20080061114A1 (en) * | 2001-09-02 | 2008-03-13 | Zara Taliashvili | Method for the fabrication of low temperature vacuum sealed bonds using diffusion welding |
| US6869855B1 (en) | 2001-09-02 | 2005-03-22 | Borealis Technical Limited | Method for making electrode pairs |
| EP1509940A4 (en) * | 2002-03-06 | 2005-12-07 | Borealis Tech Ltd | THERMIONIC VACUUM DIODE DEVICE WITH ADJUSTABLE ELECTRODES |
| US20050189871A1 (en) * | 2002-03-06 | 2005-09-01 | Avto Tavkhelidze | Thermionic vacuum diode device with adjustable electrodes |
| US8574663B2 (en) * | 2002-03-22 | 2013-11-05 | Borealis Technical Limited | Surface pairs |
| US6971165B1 (en) | 2002-04-17 | 2005-12-06 | Borealis Technical Limited | Method for fabrication of separators for electrode pairs in diodes |
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| EP1867163B1 (en) | 2005-02-23 | 2017-07-12 | Cisco Technology, Inc. | Fast channel change with conditional return to multicasting |
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| US7589348B2 (en) * | 2005-03-14 | 2009-09-15 | Borealis Technical Limited | Thermal tunneling gap diode with integrated spacers and vacuum seal |
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| US8227885B2 (en) | 2006-07-05 | 2012-07-24 | Borealis Technical Limited | Selective light absorbing semiconductor surface |
| GB0617879D0 (en) * | 2006-09-12 | 2006-10-18 | Borealis Tech Ltd | Transistor |
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| US7495927B2 (en) * | 2007-01-24 | 2009-02-24 | Epson Imaging Devices Corporation | Mount structure, electro-optical device, and electronic apparatus |
| US8816192B1 (en) | 2007-02-09 | 2014-08-26 | Borealis Technical Limited | Thin film solar cell |
| US7699208B2 (en) | 2007-11-30 | 2010-04-20 | Nordson Corporation | Soldering tip, soldering iron, and soldering system |
| SE532345C2 (sv) * | 2007-12-21 | 2009-12-22 | Alfa Laval Corp Ab | Värmeväxlarplatta, värmeväxlarkassett och värmeväxlare med packningsspår |
| USD675171S1 (en) | 2010-12-16 | 2013-01-29 | Tecella Llc | Multi-electrode holder |
| US20150001706A1 (en) * | 2013-06-27 | 2015-01-01 | Kabirkumar Mirpuri | Systems and methods for avoiding protrusions in injection molded solder |
| US10692692B2 (en) * | 2015-05-27 | 2020-06-23 | Kla-Tencor Corporation | System and method for providing a clean environment in an electron-optical system |
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-
1994
- 1994-08-30 JP JP6205428A patent/JPH0870173A/ja active Pending
-
1995
- 1995-08-29 US US08/521,047 patent/US5917156A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
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|---|---|
| US5917156A (en) | 1999-06-29 |
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