JPH087365A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH087365A JPH087365A JP14160294A JP14160294A JPH087365A JP H087365 A JPH087365 A JP H087365A JP 14160294 A JP14160294 A JP 14160294A JP 14160294 A JP14160294 A JP 14160294A JP H087365 A JPH087365 A JP H087365A
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- layer
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- optical recording
- dielectric layer
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板上に第１誘電体層（Ａｎｍ）、希土
類金属と遷移金属からなる光磁気記録層（Ｂｎｍ）、第
２誘電体層（Ｃｎｍ）及び反射膜層（Ｄｎｍ）を有し、
膜厚Ａ〜ＤがＡ：２５〜３３ｎｍ、Ｂ：１３ｎｍ〜１７
ｎｍ、Ｃ：２０〜３５ｎｍ、Ｄ：６０〜１００ｎｍ、第
１及び第２誘電体層がＳｉとＮからなり、反射膜層が
１．０〜２．５重量％のＣｒを含むＡｌからなる光磁気
記録媒体。 【効果】 媒体の薄膜化と繰り返し消去・記録に
よる溝特性、サ−ボ特性の劣化を抑制することが可能で
ある。
類金属と遷移金属からなる光磁気記録層（Ｂｎｍ）、第
２誘電体層（Ｃｎｍ）及び反射膜層（Ｄｎｍ）を有し、
膜厚Ａ〜ＤがＡ：２５〜３３ｎｍ、Ｂ：１３ｎｍ〜１７
ｎｍ、Ｃ：２０〜３５ｎｍ、Ｄ：６０〜１００ｎｍ、第
１及び第２誘電体層がＳｉとＮからなり、反射膜層が
１．０〜２．５重量％のＣｒを含むＡｌからなる光磁気
記録媒体。 【効果】 媒体の薄膜化と繰り返し消去・記録に
よる溝特性、サ−ボ特性の劣化を抑制することが可能で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体に関す
る。さらに、詳しくは生産性に優れ、繰り返し記録性に
優れる光磁気記録媒体に関するものである。
る。さらに、詳しくは生産性に優れ、繰り返し記録性に
優れる光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光記録媒体の中でも書き込み消去のでき
る書き換え可能型として従来知られるものとして相変化
型、フォトクロミック型、光磁気型等がある。これらの
書き換え可能型の中でも、光磁気型は書き込み速度や繰
返し耐性に優れているという特徴を有する。光磁気記録
媒体の記録は、収束させたレ−ザ光を媒体に照射して光
磁気記録膜の温度をキュウ−リ点近傍まで上昇させ磁界
を印加して反転磁区を形成させるものである。
る書き換え可能型として従来知られるものとして相変化
型、フォトクロミック型、光磁気型等がある。これらの
書き換え可能型の中でも、光磁気型は書き込み速度や繰
返し耐性に優れているという特徴を有する。光磁気記録
媒体の記録は、収束させたレ−ザ光を媒体に照射して光
磁気記録膜の温度をキュウ−リ点近傍まで上昇させ磁界
を印加して反転磁区を形成させるものである。
【０００３】このような光磁気記録媒体は、一般的に次
のような構成が例示される。基板／第１誘電体層（８０
〜１２０ｎｍ）／光磁気記録層（２０〜３０ｎｍ）／第
２誘電体層（３０〜５０ｎｍ）／反射膜（４０〜６０ｎ
ｍ）の膜厚構成である。第１誘電体及び第２誘電体はＳ
ｉＮやＳｉＣ，光磁気記録層はＴｂＦｅＣｏ，反射膜は
Ａｌで構成されることが多い。
のような構成が例示される。基板／第１誘電体層（８０
〜１２０ｎｍ）／光磁気記録層（２０〜３０ｎｍ）／第
２誘電体層（３０〜５０ｎｍ）／反射膜（４０〜６０ｎ
ｍ）の膜厚構成である。第１誘電体及び第２誘電体はＳ
ｉＮやＳｉＣ，光磁気記録層はＴｂＦｅＣｏ，反射膜は
Ａｌで構成されることが多い。
【０００４】このような従来構造の光磁気記録媒体は、
通常、複数のチャンバ−から構成されるインライン型の
スパッタリング装置で第１誘電体から反射膜まで成膜さ
れるが、第１誘電体層が厚いため生産性が低いという問
題がある。
通常、複数のチャンバ−から構成されるインライン型の
スパッタリング装置で第１誘電体から反射膜まで成膜さ
れるが、第１誘電体層が厚いため生産性が低いという問
題がある。
【０００５】しかしながら、生産性を向上させようとし
て、第１誘電体層を薄くすると、連続した消去／記録動
作により媒体の溝特性やサ−ボ特性が劣化するという問
題が生ずる。これは、レ−ザ−照射により光磁気記録層
に蓄積された熱が樹脂基板表面に伝達し、数１０ｎｍの
溝形状が変化するためだと考えられる。
て、第１誘電体層を薄くすると、連続した消去／記録動
作により媒体の溝特性やサ−ボ特性が劣化するという問
題が生ずる。これは、レ−ザ−照射により光磁気記録層
に蓄積された熱が樹脂基板表面に伝達し、数１０ｎｍの
溝形状が変化するためだと考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のような現状に鑑
み、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、従来の光磁気
記録媒体の構造に比べて特に第１誘電体層が薄い構造の
媒体であっても、繰り返しの消去・再生により媒体の溝
特性やサ−ボ特性の劣化の少ない媒体を見出し、本発明
を完成するに至った。
み、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、従来の光磁気
記録媒体の構造に比べて特に第１誘電体層が薄い構造の
媒体であっても、繰り返しの消去・再生により媒体の溝
特性やサ−ボ特性の劣化の少ない媒体を見出し、本発明
を完成するに至った。
【０００７】即ち、本発明は、基板上に少なくとも第１
誘電体層（膜厚：Ａｎｍ）、希土類金属と遷移金属から
なる光磁気記録層（膜厚：Ｂｎｍ）、第２誘電体層（膜
厚：Ｃｎｍ）および反射膜層（膜厚：Ｄｎｍ）を有する
光磁気記録媒体において、膜厚Ａ〜Ｄがそれぞれ２５ｎ
ｍ≦Ａ≦３３ｎｍ、１３ｎｍ≦Ｂ≦１７ｎｍ、２０ｎｍ
≦Ｃ≦３５ｎｍ、６０ｎｍ≦Ｄ≦１００ｎｍであり、第
１誘電体層と第２誘電体層とがケイ素と窒素とから構成
され、さらに反射膜層が１．０〜２．５重量％のクロム
を含むアルミニウムから構成されることを特徴とする光
磁気記録媒体に関する。
誘電体層（膜厚：Ａｎｍ）、希土類金属と遷移金属から
なる光磁気記録層（膜厚：Ｂｎｍ）、第２誘電体層（膜
厚：Ｃｎｍ）および反射膜層（膜厚：Ｄｎｍ）を有する
光磁気記録媒体において、膜厚Ａ〜Ｄがそれぞれ２５ｎ
ｍ≦Ａ≦３３ｎｍ、１３ｎｍ≦Ｂ≦１７ｎｍ、２０ｎｍ
≦Ｃ≦３５ｎｍ、６０ｎｍ≦Ｄ≦１００ｎｍであり、第
１誘電体層と第２誘電体層とがケイ素と窒素とから構成
され、さらに反射膜層が１．０〜２．５重量％のクロム
を含むアルミニウムから構成されることを特徴とする光
磁気記録媒体に関する。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。
【０００９】本発明に用いる基板としては、ガラス、ポ
リカ−ボネイト樹脂、アクリル樹脂、オレフィン樹脂な
どの透明材料を用いることが可能である。
リカ−ボネイト樹脂、アクリル樹脂、オレフィン樹脂な
どの透明材料を用いることが可能である。
【００１０】本発明に用いる第１誘電体層および第２誘
電体層としては、ケイ素と窒素とから構成され、その膜
厚をそれぞれＡｎｍおよびＣｎｍとすると、２５ｎｍ≦
Ａ≦３３ｎｍおよび２０ｎｍ≦Ｃ≦３５ｎｍの膜厚を有
するものである。第１誘電体層の膜厚としては、基板側
に熱が伝達するのを実質的に防止し、かつ媒体を薄くす
るという点で２５ｎｍ≦Ａ≦３０ｎｍが好ましい。この
ような誘電体層は、窒素雰囲気下で、ケイ素タ−ゲット
をスパッタリングしたり、窒化ケイ素タ−ゲットをスパ
ッタリングすることにより得ることができる。
電体層としては、ケイ素と窒素とから構成され、その膜
厚をそれぞれＡｎｍおよびＣｎｍとすると、２５ｎｍ≦
Ａ≦３３ｎｍおよび２０ｎｍ≦Ｃ≦３５ｎｍの膜厚を有
するものである。第１誘電体層の膜厚としては、基板側
に熱が伝達するのを実質的に防止し、かつ媒体を薄くす
るという点で２５ｎｍ≦Ａ≦３０ｎｍが好ましい。この
ような誘電体層は、窒素雰囲気下で、ケイ素タ−ゲット
をスパッタリングしたり、窒化ケイ素タ−ゲットをスパ
ッタリングすることにより得ることができる。
【００１１】本発明に用いる光磁気記録層は希土類金属
と遷移金属とからなる。希土類金属としてはＴｂ、Ｄ
ｙ、Ｇｄなどを、遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
などを例示することができ、それぞれの金属の一種以上
を組合わせればよい。具体的には、ＴｂＦｅ，ＴｂＣ
ｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＦ
ｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＮｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏな
どを挙げることができる。さらに、光磁気記録層には耐
蝕性などを高めるために、Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｍ
ｏ，Ｂｉ，Ｃｕなどの金属を一種以上含有してもよい。
と遷移金属とからなる。希土類金属としてはＴｂ、Ｄ
ｙ、Ｇｄなどを、遷移金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ
などを例示することができ、それぞれの金属の一種以上
を組合わせればよい。具体的には、ＴｂＦｅ，ＴｂＣ
ｏ，ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＦ
ｅ，ＧｄＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＮｉ，ＧｄＴｂＦｅＣｏな
どを挙げることができる。さらに、光磁気記録層には耐
蝕性などを高めるために、Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｔａ，Ｍ
ｏ，Ｂｉ，Ｃｕなどの金属を一種以上含有してもよい。
【００１２】このような光磁気記録層は、例えば希土類
金属タ−ゲットと遷移金属タ−ゲットとからスパッタリ
ングにより得ることができる。光磁気記録層の膜厚（Ｂ
ｎｍ）は、１３ｎｍ≦Ｂ≦１７ｎｍが好ましい。
金属タ−ゲットと遷移金属タ−ゲットとからスパッタリ
ングにより得ることができる。光磁気記録層の膜厚（Ｂ
ｎｍ）は、１３ｎｍ≦Ｂ≦１７ｎｍが好ましい。
【００１３】本発明に用いる反射膜層は、１．０〜２．
５重量％のクロムを含むアルミニウムから構成され、膜
厚Ｄｎｍは６０ｎｍ≦Ｄ≦１００ｎｍである。反射膜層
の材質と厚さは、第１誘電体層の厚さと関連があり、繰
り返し消去・記録に溝特性やサ−ボ特性の劣化が起こら
ず従来と同等の記録再生特性が得られるように決定され
るものである。繰り返し消去・記録に対する耐性が大き
くなるという点で、８０〜１００ｎｍが好ましい。反射
膜層の膜厚が６０ｎｍ未満では、溝特性やサ−ボ特性の
劣化をひきおこす場合があり、一方、膜厚が１００ｎｍ
をこえると、効果が飽和し、記録パワ−の上昇のみ引き
起こすため光磁気記録媒体の特性としては好ましくない
場合がある。また、クロム含量としては、１．０〜２．
０重量％が好ましく、耐蝕性などを高める目的で、Ａ
ｇ，Ｔｉ，Ｍｏ、Ｔａなどの金属をを微量含有させても
よい。
５重量％のクロムを含むアルミニウムから構成され、膜
厚Ｄｎｍは６０ｎｍ≦Ｄ≦１００ｎｍである。反射膜層
の材質と厚さは、第１誘電体層の厚さと関連があり、繰
り返し消去・記録に溝特性やサ−ボ特性の劣化が起こら
ず従来と同等の記録再生特性が得られるように決定され
るものである。繰り返し消去・記録に対する耐性が大き
くなるという点で、８０〜１００ｎｍが好ましい。反射
膜層の膜厚が６０ｎｍ未満では、溝特性やサ−ボ特性の
劣化をひきおこす場合があり、一方、膜厚が１００ｎｍ
をこえると、効果が飽和し、記録パワ−の上昇のみ引き
起こすため光磁気記録媒体の特性としては好ましくない
場合がある。また、クロム含量としては、１．０〜２．
０重量％が好ましく、耐蝕性などを高める目的で、Ａ
ｇ，Ｔｉ，Ｍｏ、Ｔａなどの金属をを微量含有させても
よい。
【００１４】本発明の光磁気記録媒体には、必要に応じ
て反射膜層の上部に保護コ−ト層や基板の反誘電体層側
にハードコート層を設けてもよく、また、単板のままで
も貼り合せて使用してもよい。
て反射膜層の上部に保護コ−ト層や基板の反誘電体層側
にハードコート層を設けてもよく、また、単板のままで
も貼り合せて使用してもよい。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、第１誘電体を従来構造
に比べて薄くしても、従来構造と同等の光学特性、記録
再生特性を得ることができ、さらに反射膜の膜厚を特定
することにより第１誘電体膜が薄い媒体の欠点である繰
り返し消去・記録による溝特性、サ−ボ特性の劣化を抑
制することが可能である。また、反射膜層が厚くなって
も、反射膜層の成膜速度は誘電体層の成膜速度に比べて
大きいため、生産性の低下は生じない。さらに、反射膜
層を厚くすることによる記録パワ−の上昇は、反射膜の
組成を特定することにより制御が可能であり、また、耐
蝕性に優れる。
に比べて薄くしても、従来構造と同等の光学特性、記録
再生特性を得ることができ、さらに反射膜の膜厚を特定
することにより第１誘電体膜が薄い媒体の欠点である繰
り返し消去・記録による溝特性、サ−ボ特性の劣化を抑
制することが可能である。また、反射膜層が厚くなって
も、反射膜層の成膜速度は誘電体層の成膜速度に比べて
大きいため、生産性の低下は生じない。さらに、反射膜
層を厚くすることによる記録パワ−の上昇は、反射膜の
組成を特定することにより制御が可能であり、また、耐
蝕性に優れる。
【００１６】
実施例１〜１２ １．６μｍピッチの案内溝をもつ直径８６ｍｍのポリカ
−ボネイト基板上にスパッタリング装置で第１誘電体層
ＳｉＮ，引き続きＴｂとＦｅＣｏタ−ゲットを用いた二
元スパッタリングで光磁気記録層、第２誘電体層Ｓｉ
Ｎ，Ａｌ98.5Ｃｒ1.5（ｗｔ％）の反射膜層を表１に示
す構成で成膜した。光磁気記録層の組成はＴｂタ−ゲッ
トとＦｅＣｏタ−ゲットへの投入電力を調整し、Ｔｂ19
（Ｆｅ92Co8）81ａｔ％とした。
−ボネイト基板上にスパッタリング装置で第１誘電体層
ＳｉＮ，引き続きＴｂとＦｅＣｏタ−ゲットを用いた二
元スパッタリングで光磁気記録層、第２誘電体層Ｓｉ
Ｎ，Ａｌ98.5Ｃｒ1.5（ｗｔ％）の反射膜層を表１に示
す構成で成膜した。光磁気記録層の組成はＴｂタ−ゲッ
トとＦｅＣｏタ−ゲットへの投入電力を調整し、Ｔｂ19
（Ｆｅ92Co8）81ａｔ％とした。
【００１７】これらの試料の記録媒体としての記録再生
特性を検討した。測定装置は波長７８０ｎｍでＮＡが
０．５３の光磁気ディスク測定装置を用い、測定条件は
測定半径３０ｍｍ、ディスク回転数１８００ｒｐｍ，記
録再生周波数３．７ＭＨｚで記録時の印加磁界を２００
Ｏｅとして記録レ−ザ−パワ−を変えてＣＮＲを求め
た。消去は記録に先立ち印加磁界−３００Ｏｅ，消去光
パワ−９．０ｍＷで行った。
特性を検討した。測定装置は波長７８０ｎｍでＮＡが
０．５３の光磁気ディスク測定装置を用い、測定条件は
測定半径３０ｍｍ、ディスク回転数１８００ｒｐｍ，記
録再生周波数３．７ＭＨｚで記録時の印加磁界を２００
Ｏｅとして記録レ−ザ−パワ−を変えてＣＮＲを求め
た。消去は記録に先立ち印加磁界−３００Ｏｅ，消去光
パワ−９．０ｍＷで行った。
【００１８】また、これらの試料の記録媒体としての繰
り返し消去・記録特性を検討した。測定装置は波長７８
０ｎｍでＮＡが０．５３の光磁気ディスク測定装置を用
い、測定条件は測定半径３０ｍｍ、ディスク回転数１８
００ｒｐｍ，記録再生周波数５．０ＭＨｚで、消去パワ
−１２ｍＷ，記録パワ−１２ｍＷで１００万回の繰り返
し消去・記録を行った。繰り返し試験を行ったトラック
の溝信号とサ−ボ信号を観察したところ従来構造の媒体
においては試験前に比べ変化は認められなかった。
り返し消去・記録特性を検討した。測定装置は波長７８
０ｎｍでＮＡが０．５３の光磁気ディスク測定装置を用
い、測定条件は測定半径３０ｍｍ、ディスク回転数１８
００ｒｐｍ，記録再生周波数５．０ＭＨｚで、消去パワ
−１２ｍＷ，記録パワ−１２ｍＷで１００万回の繰り返
し消去・記録を行った。繰り返し試験を行ったトラック
の溝信号とサ−ボ信号を観察したところ従来構造の媒体
においては試験前に比べ変化は認められなかった。
【００１９】表１にトラッキングサ−ボの変化量、最適
記録パワ−、最適記録パワ−でのＣＮＲを示す。なお、
トラッキングサ−ボの変化量は、繰り返し試験後のトラ
ッキングエラ−信号の振幅を試験前の振幅で除した値で
示し、最適記録パワ−は、キャリアレベルと第２高調波
の差が最大となるパワ−とした。
記録パワ−、最適記録パワ−でのＣＮＲを示す。なお、
トラッキングサ−ボの変化量は、繰り返し試験後のトラ
ッキングエラ−信号の振幅を試験前の振幅で除した値で
示し、最適記録パワ−は、キャリアレベルと第２高調波
の差が最大となるパワ−とした。
【００２０】
【表１】
【００２１】比較例１〜７ 膜厚を変化させた以外は実施例１と同様にして、表２に
示す構造の光磁気記録媒体を作成した。これらの光磁気
記録媒体のトラッキングサ−ボの変化量を実施例１と同
様にして測定し、その結果を併せて表２に示す。第１誘
電体層の薄い構造（２０ｎｍ）の媒体においては溝特
性、サ−ボ特性に変化が認められた。
示す構造の光磁気記録媒体を作成した。これらの光磁気
記録媒体のトラッキングサ−ボの変化量を実施例１と同
様にして測定し、その結果を併せて表２に示す。第１誘
電体層の薄い構造（２０ｎｍ）の媒体においては溝特
性、サ−ボ特性に変化が認められた。
【００２２】
【表２】
【００２３】比較例８〜９ 膜厚を変化させた以外は実施例１と同様にして、表３に
示す構造の光磁気記録媒体を作成した。これらの光磁気
記録媒体のトラッキングサ−ボの変化量、最適記録パワ
−、最適記録パワ−でのＣＮＲを実施例１と同様にして
測定し、その結果を併せて表３に示す。
示す構造の光磁気記録媒体を作成した。これらの光磁気
記録媒体のトラッキングサ−ボの変化量、最適記録パワ
−、最適記録パワ−でのＣＮＲを実施例１と同様にして
測定し、その結果を併せて表３に示す。
【００２４】
【表３】
【００２５】これらのことより、第１誘電体層の薄い構
造では消去・記録時に光磁気記録層に蓄積された熱が基
板に伝わり繰り返し消去・記録により基板の微小構造で
ある溝の形状が変化するものと考えられるが、反射膜の
膜厚を大きくすることにより基板方向への熱の伝導が減
少し、繰り返し消去・記録による劣化を抑制することが
できると考えられる。
造では消去・記録時に光磁気記録層に蓄積された熱が基
板に伝わり繰り返し消去・記録により基板の微小構造で
ある溝の形状が変化するものと考えられるが、反射膜の
膜厚を大きくすることにより基板方向への熱の伝導が減
少し、繰り返し消去・記録による劣化を抑制することが
できると考えられる。
【００２６】また、トラッキングサ−ボの変化が１．２
を越えた試料はエラ−レイトの変化が５０％を越えた。
１．２から１．１５の試料では変化は約２０％であり、
１．１５から１．１の試料では変化は約１０％であり、
１．１以下では変化は５％程度であり１．０５以下では
変化は認められなかった。
を越えた試料はエラ−レイトの変化が５０％を越えた。
１．２から１．１５の試料では変化は約２０％であり、
１．１５から１．１の試料では変化は約１０％であり、
１．１以下では変化は５％程度であり１．０５以下では
変化は認められなかった。
【００２７】第２誘電体層厚が３５ｎｍでは反射膜を厚
くして、トラッキングサ−ボの変化を小さくする効果が
あるが、４０ｎｍでは反射膜厚を大きくしてもそのよう
な効果は得られない。これは、光磁気記録層から反射膜
への熱の伝導が十分ではなくなるためと考えられる。
くして、トラッキングサ−ボの変化を小さくする効果が
あるが、４０ｎｍでは反射膜厚を大きくしてもそのよう
な効果は得られない。これは、光磁気記録層から反射膜
への熱の伝導が十分ではなくなるためと考えられる。
【００２８】反射膜厚が１２０ｎｍでは、１００ｎｍに
比較して変化の抑制が飽和しており１００ｎｍを越えて
設定しても繰り返し消去・記録に対する改善の効果が出
ていない。１００ｎｍを越えると記録パワ−が大きくな
るだけである。
比較して変化の抑制が飽和しており１００ｎｍを越えて
設定しても繰り返し消去・記録に対する改善の効果が出
ていない。１００ｎｍを越えると記録パワ−が大きくな
るだけである。
【００２９】実施例１３ Ｃｒを含まないＡｌの反射膜の厚さを変えた試料を実施
例１に準じて製造した。試料の構成はポリカ−ボネイト
基板／第１誘電体層（２５ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ層（１
５ｎｍ）／第２誘電体層（３５ｎｍ）／Ａｌ反射膜とし
た。Ａｌ反射膜の膜厚は５０，６０、８０、１００ｎｍ
とした。これらの試料の記録再生特性を実施例１と同様
に記録パワ−、ＣＮＲを測定した。ＣＮＲは各試料とも
に４５ｄＢ以上が得られた。記録パワ−を図１に示す。
記録パワ−はＡｌ膜厚５０ｎｍにおいても６．０ｍＷと
大きな値であり、また膜厚増加による記録パワ−の増加
は膜厚２０ｎｍで約１．０ｍＷである。このように反射
膜としてＣｒを含まないＡｌを用いる場合にはＣｒを含
むＡｌを用いる場合と比較して記録パワ−が大きいこと
と膜厚増加による記録パワ−増加が大きいことよりＡｌ
膜厚を増して繰り返し消去・記録試験への耐性を向上さ
せるには不利である。
例１に準じて製造した。試料の構成はポリカ−ボネイト
基板／第１誘電体層（２５ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ層（１
５ｎｍ）／第２誘電体層（３５ｎｍ）／Ａｌ反射膜とし
た。Ａｌ反射膜の膜厚は５０，６０、８０、１００ｎｍ
とした。これらの試料の記録再生特性を実施例１と同様
に記録パワ−、ＣＮＲを測定した。ＣＮＲは各試料とも
に４５ｄＢ以上が得られた。記録パワ−を図１に示す。
記録パワ−はＡｌ膜厚５０ｎｍにおいても６．０ｍＷと
大きな値であり、また膜厚増加による記録パワ−の増加
は膜厚２０ｎｍで約１．０ｍＷである。このように反射
膜としてＣｒを含まないＡｌを用いる場合にはＣｒを含
むＡｌを用いる場合と比較して記録パワ−が大きいこと
と膜厚増加による記録パワ−増加が大きいことよりＡｌ
膜厚を増して繰り返し消去・記録試験への耐性を向上さ
せるには不利である。
【００３０】実施例１４ Ｃｒの含有量と膜厚を変えた試料を実施例１に準じて製
造した。試料の構成はポリカ−ボネイト基板／第１誘電
体層（２５ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ層（１５ｎｍ）／第２
誘電体層（３５ｎｍ）／反射膜とした。
造した。試料の構成はポリカ−ボネイト基板／第１誘電
体層（２５ｎｍ）／ＴｂＦｅＣｏ層（１５ｎｍ）／第２
誘電体層（３５ｎｍ）／反射膜とした。
【００３１】反射膜はＡｌ99Ｃｒ1，Ａｌ98Ｃｒ2，Ａｌ
97.5Ｃｒ2.5、Ａｌ97Ｃｒ3（ｗｔ％）の４種であり、膜
厚はそれぞれ５０，６０，８０，１００，１２０ｎｍと
した。
97.5Ｃｒ2.5、Ａｌ97Ｃｒ3（ｗｔ％）の４種であり、膜
厚はそれぞれ５０，６０，８０，１００，１２０ｎｍと
した。
【００３２】これらの試料について実施例１と同様の条
件で繰り返し消去・記録試験を行った。図２に繰り返し
消去・記録試験後のトラッキングエラ−変化を示す。
件で繰り返し消去・記録試験を行った。図２に繰り返し
消去・記録試験後のトラッキングエラ−変化を示す。
【００３３】Ｃｒ量が２．５（ｗｔ％）の試料では８０
ｎｍ以上で１．１５以下であり、１ｗｔ％と２ｗｔ％の
試料では６０ｎｍ厚以上でトラッキングエラ−の変化は
１．１５以下、８０ｎｍ以上では１．１以下である。こ
れに対して、Ｃｒ量が３ｗｔ％の試料では膜厚を増大し
ても、トラッキングエラ−変化を十分小さくすることは
できない。
ｎｍ以上で１．１５以下であり、１ｗｔ％と２ｗｔ％の
試料では６０ｎｍ厚以上でトラッキングエラ−の変化は
１．１５以下、８０ｎｍ以上では１．１以下である。こ
れに対して、Ｃｒ量が３ｗｔ％の試料では膜厚を増大し
ても、トラッキングエラ−変化を十分小さくすることは
できない。
【図１】 Ａｌ反射膜を用いた試料の最適記録パワ−の
反射膜厚依存性を示す図である。
反射膜厚依存性を示す図である。
【図２】 ＡｌＣｒ反射膜の材質と膜厚とを変化させた
ときのトラッキングエラ−変化を示す図である。
ときのトラッキングエラ−変化を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも第１誘電体層（膜
厚：Ａｎｍ）、希土類金属と遷移金属からなる光磁気記
録層（膜厚：Ｂｎｍ）、第２誘電体層（膜厚：Ｃｎｍ）
および反射膜層（膜厚：Ｄｎｍ）を有する光磁気記録媒
体において、 膜厚Ａ〜Ｄがそれぞれ２５ｎｍ≦Ａ≦３３ｎｍ、１３ｎ
ｍ≦Ｂ≦１７ｎｍ、２０ｎｍ≦Ｃ≦３５ｎｍ、６０ｎｍ
≦Ｄ≦１００ｎｍであり、 第１誘電体層と第２誘電体層とがケイ素と窒素とから構
成され、さらに反射膜層が１．０〜２．５重量％のクロ
ムを含むアルミニウムから構成されることを特徴とする
光磁気記録媒体。
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|---|---|---|---|
| JP14160294A JP3438004B2 (ja) | 1994-06-23 | 1994-06-23 | 光磁気記録媒体 |
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|---|---|---|---|---|
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