JPH0878276A - セラミックス電子部品の製造方法 - Google Patents
セラミックス電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPH0878276A JPH0878276A JP6242342A JP24234294A JPH0878276A JP H0878276 A JPH0878276 A JP H0878276A JP 6242342 A JP6242342 A JP 6242342A JP 24234294 A JP24234294 A JP 24234294A JP H0878276 A JPH0878276 A JP H0878276A
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- Japan
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- firing
- gas
- electronic component
- furnace
- atmosphere
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- Pending
Links
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 焼成条件を均一化し、絶縁抵抗値にバラツキ
のないセラミックス電子部品の製造方法を提供する。 【構成】 セラミックス電子部品を還元や中性ガス雰囲
気の焼成炉３内で焼成するとき、ガス供給管４、４から
焼成炉３内に供給するガスが直接電子部品に当らないよ
うにし、焼成位置によるガス雰囲気の均一化を図り、均
一な焼成によって絶縁抵抗値のバラツキ発生を抑えるこ
とができる。
のないセラミックス電子部品の製造方法を提供する。 【構成】 セラミックス電子部品を還元や中性ガス雰囲
気の焼成炉３内で焼成するとき、ガス供給管４、４から
焼成炉３内に供給するガスが直接電子部品に当らないよ
うにし、焼成位置によるガス雰囲気の均一化を図り、均
一な焼成によって絶縁抵抗値のバラツキ発生を抑えるこ
とができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、セラミックス電子部
品の製造方法、更に詳しくは、内部電極にＮｉ等の卑金
属を用いた積層セラミックス電子部品の焼成方法に関す
る。
品の製造方法、更に詳しくは、内部電極にＮｉ等の卑金
属を用いた積層セラミックス電子部品の焼成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】例えば、内部電極にＮｉ等の卑金属を用
いた積層セラミックスコンデンサは、セラミックスグリ
ーンシートの一面に内部電極を塗布して所定の大きさに
切断し、これを所定枚数積層して加圧した後、内部電極
が酸化しない温度で脱バインダー工程を行ない、次にＮ
2、Ａｒ、Ｈ2等の還元や中性ガス雰囲気中で焼成を行な
って製作される。
いた積層セラミックスコンデンサは、セラミックスグリ
ーンシートの一面に内部電極を塗布して所定の大きさに
切断し、これを所定枚数積層して加圧した後、内部電極
が酸化しない温度で脱バインダー工程を行ない、次にＮ
2、Ａｒ、Ｈ2等の還元や中性ガス雰囲気中で焼成を行な
って製作される。
【０００３】従来、積層セラミックス電子部品の焼成工
程は、図４に示すように、匣１上に電子部品Ａを平詰め
にして並べ、図３の如く匣１を焼結炉３内にスペーサ２
を介して複数段積重ね、焼成炉３内の両側に設けたガス
供給管４、４のノズルから還元や中性雰囲気ガスを電子
部品Ａ側に吹き込むようにして焼成を行なっていた。
程は、図４に示すように、匣１上に電子部品Ａを平詰め
にして並べ、図３の如く匣１を焼結炉３内にスペーサ２
を介して複数段積重ね、焼成炉３内の両側に設けたガス
供給管４、４のノズルから還元や中性雰囲気ガスを電子
部品Ａ側に吹き込むようにして焼成を行なっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
焼成方法では、投入するガスの雰囲気が、炉の密閉度や
炉内充填物等の影響で部分的に異なり、ガスが直接当接
する部分と内側とではガスの雰囲気条件に差が発生し、
これが原因で焼成位置により、電子部品の絶縁抵抗値に
バラツキが生じるという問題がある。
焼成方法では、投入するガスの雰囲気が、炉の密閉度や
炉内充填物等の影響で部分的に異なり、ガスが直接当接
する部分と内側とではガスの雰囲気条件に差が発生し、
これが原因で焼成位置により、電子部品の絶縁抵抗値に
バラツキが生じるという問題がある。
【０００５】そこで、この発明の課題は、焼成炉内にお
ける還元や中性雰囲気ガスの雰囲気を均一になるように
し、焼成位置による絶縁抵抗値のバラツキ発生のないセ
ラミックス電子部品の製造方法を提供することにある。
ける還元や中性雰囲気ガスの雰囲気を均一になるように
し、焼成位置による絶縁抵抗値のバラツキ発生のないセ
ラミックス電子部品の製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記のような課題を解決
するため、この発明は、セラミックス電子部品を還元や
中性ガス雰囲気中で焼成するとき、焼成炉内に投入ガス
を電子部品に直接当たらないように供給して焼成を行な
う構成を採用したものである。
するため、この発明は、セラミックス電子部品を還元や
中性ガス雰囲気中で焼成するとき、焼成炉内に投入ガス
を電子部品に直接当たらないように供給して焼成を行な
う構成を採用したものである。
【０００７】
【作用】焼成炉内にセラミックス電子部品を投入して焼
成するとき、還元や中性雰囲気ガスを該電子部品に直接
当たらないように供給し、焼成炉内の雰囲気条件を均一
化し、焼成位置による絶縁抵抗値のバラツキ発生がない
焼成が行なえる。
成するとき、還元や中性雰囲気ガスを該電子部品に直接
当たらないように供給し、焼成炉内の雰囲気条件を均一
化し、焼成位置による絶縁抵抗値のバラツキ発生がない
焼成が行なえる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【０００９】図１は、内部電極にＮｉ等の卑金属を用い
た積層セラミックス電子部品を焼成する方法の第１の例
を示し、図４で示したように、多数のセラミック電子部
品Ａを平面的に並べて平詰めした匣１を、多数段積重ね
た状態で収納する焼成炉３の内部両側にガス供給管４、
４を設置し、この供給管４、４のノズルをガスが匣１と
反対側の炉壁に向けて吹き出すように設け、ガスが電子
部品Ａ側に直接投入されることのないようにしたもので
ある。
た積層セラミックス電子部品を焼成する方法の第１の例
を示し、図４で示したように、多数のセラミック電子部
品Ａを平面的に並べて平詰めした匣１を、多数段積重ね
た状態で収納する焼成炉３の内部両側にガス供給管４、
４を設置し、この供給管４、４のノズルをガスが匣１と
反対側の炉壁に向けて吹き出すように設け、ガスが電子
部品Ａ側に直接投入されることのないようにしたもので
ある。
【００１０】図２に示す焼成方法の第２の例は、焼成炉
３内に設置したガス供給管４、４のノズルを従来と同
様、匣１側に向けてガスを吹き付けるように設けると共
に、各匣１の周辺部にガスを遮蔽する角柱５を設置し、
ノズルから吹き出したガスが直接電子部品Ａ側に投入さ
れることのないようにしている。なお、ノズルから吹き
出すガスが直接電子部品Ａに当たらないようにする方法
は、図示の実施例に限定されるものではなく、他の手段
を採用することは当然可能である。
３内に設置したガス供給管４、４のノズルを従来と同
様、匣１側に向けてガスを吹き付けるように設けると共
に、各匣１の周辺部にガスを遮蔽する角柱５を設置し、
ノズルから吹き出したガスが直接電子部品Ａ側に投入さ
れることのないようにしている。なお、ノズルから吹き
出すガスが直接電子部品Ａに当たらないようにする方法
は、図示の実施例に限定されるものではなく、他の手段
を採用することは当然可能である。
【００１１】次に、この発明の焼成方法と従来の焼成方
法によって焼成した積層セラミックスコンデンサを作成
し、その絶縁抵抗の値を測定した結果を述べる。
法によって焼成した積層セラミックスコンデンサを作成
し、その絶縁抵抗の値を測定した結果を述べる。
【００１２】試片は、所定の大きさに切断したセラミッ
クスのグリーンチップを用い、エア雰囲気において２０
０〜３００℃で脱バインダー処理を行なった後、バッチ
式の焼成炉で焼成を行なった。
クスのグリーンチップを用い、エア雰囲気において２０
０〜３００℃で脱バインダー処理を行なった後、バッチ
式の焼成炉で焼成を行なった。
【００１３】焼成は、何れも２００℃／ｈｒで昇温し、
１３００℃で１０-8−１０-11ＭＰＡのＰＯ2雰囲気で２
Ｈｒをキープし、室温まで冷却を行なった。また、匣は
ＺｒＯ2匣を使用し、試片は平詰めとした。
１３００℃で１０-8−１０-11ＭＰＡのＰＯ2雰囲気で２
Ｈｒをキープし、室温まで冷却を行なった。また、匣は
ＺｒＯ2匣を使用し、試片は平詰めとした。
【００１４】（１）従来の焼成方法は、図３に示したよ
うな焼成炉を用い、雰囲気ガスを試片に直接当てて焼成
した。
うな焼成炉を用い、雰囲気ガスを試片に直接当てて焼成
した。
【００１５】（２）この発明の第１の焼成方法は、図１
に示した焼成炉を用い、雰囲気ガスを炉壁に向けて吹き
つけるようにした。
に示した焼成炉を用い、雰囲気ガスを炉壁に向けて吹き
つけるようにした。
【００１６】（３）この発明の第２の焼成方法は、図２
に示した焼成炉を用い、匣の周辺部にＺｒＯ 2の角柱を
置いてガスを遮蔽した。
に示した焼成炉を用い、匣の周辺部にＺｒＯ 2の角柱を
置いてガスを遮蔽した。
【００１７】上記（１）〜（３）の条件で焼成した各試
片の絶縁抵抗の値（ＬｏｇＩＲ値）を測定した結果を表
１に示す。
片の絶縁抵抗の値（ＬｏｇＩＲ値）を測定した結果を表
１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】上記測定結果から明らかなように、この発
明の（２）、（３）は何れも絶縁抵抗値のバラツキを抑
えることができた。このことは、雰囲気ガスを試片に直
接当てないことにより、匣内における雰囲気ガスの条件
が均一化し、全試片を同じ条件で焼成できるからであ
る。
明の（２）、（３）は何れも絶縁抵抗値のバラツキを抑
えることができた。このことは、雰囲気ガスを試片に直
接当てないことにより、匣内における雰囲気ガスの条件
が均一化し、全試片を同じ条件で焼成できるからであ
る。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、この発明によると、積層
セラミックス電子部品を還元や中性ガスの雰囲気の焼成
炉内で焼成するとき、焼成炉内にガスを直接電子部品に
当らないように供給して焼成するようにしたので、焼成
位置によるガス雰囲気のバラツキが抑えられ、電子部品
の絶縁抵抗値の焼成位置による差がなくなって均一化
し、製品の信頼性を向上させることができる。
セラミックス電子部品を還元や中性ガスの雰囲気の焼成
炉内で焼成するとき、焼成炉内にガスを直接電子部品に
当らないように供給して焼成するようにしたので、焼成
位置によるガス雰囲気のバラツキが抑えられ、電子部品
の絶縁抵抗値の焼成位置による差がなくなって均一化
し、製品の信頼性を向上させることができる。
【図１】この発明に係る焼成方法の第１の例を示す縦断
面図である。
面図である。
【図２】同第２の例を示す縦断面図である。
【図３】従来の焼成方法を示す縦断面図である。
【図４】電子部品の焼成に用いる匣の正面図である。
１ 匣 ２ スペーサ ３ 焼成炉 ４ ガス供給管 ５ 角柱
Claims (1)
- 【請求項１】 セラミックス電子部品を還元や中性ガス
雰囲気中で焼成するとき、焼成炉内に還元や中性ガスを
電子部品に直接当たらないように供給して焼成を行なう
ことを特徴とするセラミックス電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6242342A JPH0878276A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | セラミックス電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6242342A JPH0878276A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | セラミックス電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878276A true JPH0878276A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=17087777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6242342A Pending JPH0878276A (ja) | 1994-09-08 | 1994-09-08 | セラミックス電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878276A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021188869A (ja) * | 2020-06-03 | 2021-12-13 | 日本碍子株式会社 | バッチ式熱処理炉 |
-
1994
- 1994-09-08 JP JP6242342A patent/JPH0878276A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021188869A (ja) * | 2020-06-03 | 2021-12-13 | 日本碍子株式会社 | バッチ式熱処理炉 |
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