JPH0881720A - ＡｌまたはＡｌ合金の清浄化法 - Google Patents
ＡｌまたはＡｌ合金の清浄化法Info
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- JPH0881720A JPH0881720A JP21768694A JP21768694A JPH0881720A JP H0881720 A JPH0881720 A JP H0881720A JP 21768694 A JP21768694 A JP 21768694A JP 21768694 A JP21768694 A JP 21768694A JP H0881720 A JPH0881720 A JP H0881720A
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- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 不純物としてＶを含むＡｌまたはＡｌ合金溶
湯中に、ＳｉもしくはＳｉ含有化合物を添加し、不純物
Ｖと反応させることによりＶ−Ｓｉ化合物を形成させて
これを分離し、ＡｌまたはＡｌ合金を清浄化する。 【効果】 ＡｌまたはＡｌ合金中に不純物として混入
し、導電性などに悪影響を及ぼすＶを安価に且つ効率よ
く除去することができ、導電性材料として優れた性能を
有する高純度のＡｌまたはＡｌ合金を製造できる。
湯中に、ＳｉもしくはＳｉ含有化合物を添加し、不純物
Ｖと反応させることによりＶ−Ｓｉ化合物を形成させて
これを分離し、ＡｌまたはＡｌ合金を清浄化する。 【効果】 ＡｌまたはＡｌ合金中に不純物として混入
し、導電性などに悪影響を及ぼすＶを安価に且つ効率よ
く除去することができ、導電性材料として優れた性能を
有する高純度のＡｌまたはＡｌ合金を製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡｌまたはＡｌ合金の
清浄化法に関し、詳細にはＡｌまたはＡｌ合金溶湯から
不純物であるＶを効率よく除去して清浄化する方法に関
するものである。
清浄化法に関し、詳細にはＡｌまたはＡｌ合金溶湯から
不純物であるＶを効率よく除去して清浄化する方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌまたはＡｌ合金は、軽量性、加工
性、表面美麗性等の特徴を有することから、ケーシング
材や外板材等として幅広く利用されており、更には、銅
等に比べて安価な導電性材料とし送電線材料等にも実用
化されている。しかし、ＡｌまたはＡｌ合金中にＶ等の
不純物元素が混入すると、粗大な共晶化合物が生成し、
強度、靭性、加工性、表面処理性等を著しく阻害すると
いう問題が生じてくる。従って、不純物元素を極力低減
しなければならないが、なかでもＶが不純物として混入
すると、最近銅に代わる安価な送電線材料として活用し
ようとするときに導電性を低下させるという大きな問題
が起こってくる。
性、表面美麗性等の特徴を有することから、ケーシング
材や外板材等として幅広く利用されており、更には、銅
等に比べて安価な導電性材料とし送電線材料等にも実用
化されている。しかし、ＡｌまたはＡｌ合金中にＶ等の
不純物元素が混入すると、粗大な共晶化合物が生成し、
強度、靭性、加工性、表面処理性等を著しく阻害すると
いう問題が生じてくる。従って、不純物元素を極力低減
しなければならないが、なかでもＶが不純物として混入
すると、最近銅に代わる安価な送電線材料として活用し
ようとするときに導電性を低下させるという大きな問題
が起こってくる。
【０００３】こうした状況の下で例えば特開平４−５６
７４４号公報には、ＡｌまたはＡｌ合金溶湯にＢを添加
し、不純物として含まれるＶやＴｉを硼化物として除去
する方法が提案されているが、この方法は反応効率が低
くて期待されるほどのＶ除去効率が得られず、しかも添
加したＢの一部は不純物としてＡｌまたはＡｌ合金溶湯
中に残存し、これらが却って不純物障害を起こす原因に
なる。
７４４号公報には、ＡｌまたはＡｌ合金溶湯にＢを添加
し、不純物として含まれるＶやＴｉを硼化物として除去
する方法が提案されているが、この方法は反応効率が低
くて期待されるほどのＶ除去効率が得られず、しかも添
加したＢの一部は不純物としてＡｌまたはＡｌ合金溶湯
中に残存し、これらが却って不純物障害を起こす原因に
なる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の様な
従来技術の問題点に着目したなされたものであって、そ
の目的は、ＡｌまたはＡｌ合金溶湯中に不純物として含
まれるからＶを効率よく除去し、清浄度の高いＡｌまた
はＡｌ合金を得ることのできる方法を提供しようとする
ものである。
従来技術の問題点に着目したなされたものであって、そ
の目的は、ＡｌまたはＡｌ合金溶湯中に不純物として含
まれるからＶを効率よく除去し、清浄度の高いＡｌまた
はＡｌ合金を得ることのできる方法を提供しようとする
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するこ
とのできた本発明に係る清浄化法の構成は、不純物とし
てＶを含むＡｌまたはＡｌ合金溶湯中に、Ｓｉもしくは
Ｓｉ含有化合物を添加し、不純物Ｖと反応させることに
よりＶ−Ｓｉ化合物を形成させてこれを分離するところ
に要旨を有するものである。この方法を実施する際に用
いられるＳｉまたはＳｉ含有化合物の添加量は、Ａｌま
たはＡｌ合金溶湯中に含まれるＶに対し、Ｖ−Ｓｉ化合
物を形成する化学量論比の１．５〜２．５倍の範囲が好
ましい。また、Ｖ−Ｓｉ化合物が形成されたＡｌまたは
Ａｌ合金溶湯中に不活性ガスを吹込みんで溶湯中のＶ−
Ｓｉ化合物の浮上分離を促進せしめ、あるいはＡｌまた
はＡｌ合金溶湯中のＶ−Ｓｉ化合物を耐火性フィルター
によって除去する方法を採用すれば、Ｖの除去を一層効
率よく遂行することができる。
とのできた本発明に係る清浄化法の構成は、不純物とし
てＶを含むＡｌまたはＡｌ合金溶湯中に、Ｓｉもしくは
Ｓｉ含有化合物を添加し、不純物Ｖと反応させることに
よりＶ−Ｓｉ化合物を形成させてこれを分離するところ
に要旨を有するものである。この方法を実施する際に用
いられるＳｉまたはＳｉ含有化合物の添加量は、Ａｌま
たはＡｌ合金溶湯中に含まれるＶに対し、Ｖ−Ｓｉ化合
物を形成する化学量論比の１．５〜２．５倍の範囲が好
ましい。また、Ｖ−Ｓｉ化合物が形成されたＡｌまたは
Ａｌ合金溶湯中に不活性ガスを吹込みんで溶湯中のＶ−
Ｓｉ化合物の浮上分離を促進せしめ、あるいはＡｌまた
はＡｌ合金溶湯中のＶ−Ｓｉ化合物を耐火性フィルター
によって除去する方法を採用すれば、Ｖの除去を一層効
率よく遂行することができる。
【０００６】
【作用】ＡｌまたはＡｌ合金は極めて酸化し易く、かつ
その酸化傾向はＶより大きい。従って、ＡｌまたはＡｌ
合金溶湯からＶを酸化物として除去することは不可能で
あることが知られている。そこで本発明者らは、Ｖの効
率的な除去法の開発を期して鋭意検討を進めた結果、Ｖ
はＳｉと容易に化合物を形成してＡｌまたはＡｌ合金溶
湯中に晶析物もしくは半溶融物として生成し、浮上分
離、沈降分離あるいは濾過等によって容易にしかも効率
よく分離除去し得ることを見出し、本発明に到達した。
その酸化傾向はＶより大きい。従って、ＡｌまたはＡｌ
合金溶湯からＶを酸化物として除去することは不可能で
あることが知られている。そこで本発明者らは、Ｖの効
率的な除去法の開発を期して鋭意検討を進めた結果、Ｖ
はＳｉと容易に化合物を形成してＡｌまたはＡｌ合金溶
湯中に晶析物もしくは半溶融物として生成し、浮上分
離、沈降分離あるいは濾過等によって容易にしかも効率
よく分離除去し得ることを見出し、本発明に到達した。
【０００７】以下、不純物元素としてＶを含むＪＩＳ
１１００系のＡｌ合金スクラップからのＶを除去する場
合を例にとって、本発明の清浄化法を具体的に説明す
る。本発明者らは、Ｆｅ：０．８ｗｔ％とＶ：０．５ｗ
ｔ％を含有するＡｌ合金屑を被処理対象物として選択
し、これを７３０℃で溶解した後、該溶湯中の不純物元
素であるＶとの間で不溶性の化合物を生成し得る様な種
々の元素を添加し、Ｖを不溶性の化合物として溶湯から
分離除去する方法を試みた。その結果、様々の元素のう
ち特にＳｉを適量添加すると、不純物として含まれるＶ
がＳｉと反応してＡｌ合金溶湯に不溶性のＶ−Ｓｉ系化
合物を形成し、溶湯から容易に分離除去し得ることを知
った。またこうしたＳｉ添加によるＶの除去効果は、Ｓ
ｉを純品として添加した場合は勿論のこと、ＳｉＯ2 、
ＳｉＯ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、ＳｉＣｌ4 等のＳｉ含有
化合物として添加した場合にも同様に得られることが確
認された。
１１００系のＡｌ合金スクラップからのＶを除去する場
合を例にとって、本発明の清浄化法を具体的に説明す
る。本発明者らは、Ｆｅ：０．８ｗｔ％とＶ：０．５ｗ
ｔ％を含有するＡｌ合金屑を被処理対象物として選択
し、これを７３０℃で溶解した後、該溶湯中の不純物元
素であるＶとの間で不溶性の化合物を生成し得る様な種
々の元素を添加し、Ｖを不溶性の化合物として溶湯から
分離除去する方法を試みた。その結果、様々の元素のう
ち特にＳｉを適量添加すると、不純物として含まれるＶ
がＳｉと反応してＡｌ合金溶湯に不溶性のＶ−Ｓｉ系化
合物を形成し、溶湯から容易に分離除去し得ることを知
った。またこうしたＳｉ添加によるＶの除去効果は、Ｓ
ｉを純品として添加した場合は勿論のこと、ＳｉＯ2 、
ＳｉＯ、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＣ、ＳｉＣｌ4 等のＳｉ含有
化合物として添加した場合にも同様に得られることが確
認された。
【０００８】そしてＳｉまたはＳｉ化合物の添加量は、
ＡｌまたはＡｌ合金溶湯中に含まれるＶの量に応じて適
宜コントロールすべきであり、該添加量の下限値は、Ｖ
−Ｓｉ系化合物を生成し得る化学量論的当量である。当
量より少ないと、不純物Ｖの全てをＶ−Ｓｉ系化合物と
して除去できないからである。即ち、Ｖ−Ｓｉ系化合物
は通常１原子同士の化合物であるＶＳｉとして生成する
ので、Ｖに対するＳｉの理論当量は１：１であり、従っ
てＡｌまたはＡｌ合金溶湯中に含まれるＶに等しい原子
量比のＳｉが添加量の下限値となる。しかし該下限値の
Ｓｉでは、溶湯中に均一に分散されたＶとの反応が短時
間で充分に進みにくく、Ｖの除去効果が不充分になる恐
れがあるので、Ｖ含有量に対してやや過剰量、好ましく
は上記理論当量の１．５〜２．５倍量程度のＳｉを添加
することによってＶの除去効率を高めることが望まし
い。
ＡｌまたはＡｌ合金溶湯中に含まれるＶの量に応じて適
宜コントロールすべきであり、該添加量の下限値は、Ｖ
−Ｓｉ系化合物を生成し得る化学量論的当量である。当
量より少ないと、不純物Ｖの全てをＶ−Ｓｉ系化合物と
して除去できないからである。即ち、Ｖ−Ｓｉ系化合物
は通常１原子同士の化合物であるＶＳｉとして生成する
ので、Ｖに対するＳｉの理論当量は１：１であり、従っ
てＡｌまたはＡｌ合金溶湯中に含まれるＶに等しい原子
量比のＳｉが添加量の下限値となる。しかし該下限値の
Ｓｉでは、溶湯中に均一に分散されたＶとの反応が短時
間で充分に進みにくく、Ｖの除去効果が不充分になる恐
れがあるので、Ｖ含有量に対してやや過剰量、好ましく
は上記理論当量の１．５〜２．５倍量程度のＳｉを添加
することによってＶの除去効率を高めることが望まし
い。
【０００９】ちなみに図１は、Ａｌ合金溶湯中に含まれ
るＶに対する添加Ｓｉの当量比とＶ−Ｓｉ化合物生成量
の関係を調べた結果を示したグラフであり、このグラフ
からも明らかである様に、Ｖ−Ｓｉ化合物の生成量はＶ
に対しＳｉを理論当量の１．５倍量程度添加した時点で
飽和し、それ以上にＳｉ添加量を多くしてもＶ−Ｓｉ化
合物の生成量は殆んど増大しない。そして過剰分のＳｉ
はＡｌ合金溶湯中に不純物として取り込まれることにな
るので、Ｓｉの添加量は理論当量の１．５〜５．倍量程
度以下に抑えることが望ましい。
るＶに対する添加Ｓｉの当量比とＶ−Ｓｉ化合物生成量
の関係を調べた結果を示したグラフであり、このグラフ
からも明らかである様に、Ｖ−Ｓｉ化合物の生成量はＶ
に対しＳｉを理論当量の１．５倍量程度添加した時点で
飽和し、それ以上にＳｉ添加量を多くしてもＶ−Ｓｉ化
合物の生成量は殆んど増大しない。そして過剰分のＳｉ
はＡｌ合金溶湯中に不純物として取り込まれることにな
るので、Ｓｉの添加量は理論当量の１．５〜５．倍量程
度以下に抑えることが望ましい。
【００１０】尚Ｓｉは、Ａｌ地金中に脈石成分由来の不
純物元素として相当量混入してくることが知られてお
り、該ＳｉはＶに比べて不順元素としての有害作用が小
さく、特に導電性にはそれほどの悪影響を及ぼすことは
ないので、少量のＳｉの混入は本発明の目的を達成する
上で実用上それほどの障害になることはない。具体的な
Ｓｉの添加量は、溶湯中のＶ：１に対する重量比でＳ
ｉ：０．８３〜１．３８となる。
純物元素として相当量混入してくることが知られてお
り、該ＳｉはＶに比べて不順元素としての有害作用が小
さく、特に導電性にはそれほどの悪影響を及ぼすことは
ないので、少量のＳｉの混入は本発明の目的を達成する
上で実用上それほどの障害になることはない。具体的な
Ｓｉの添加量は、溶湯中のＶ：１に対する重量比でＳ
ｉ：０．８３〜１．３８となる。
【００１１】本発明を実施するに当たっては、Ａｌまた
はＡｌ合金を好ましくは７００〜１３００℃程度に加熱
溶解し、これに適正量のＳｉまたはＳｉ化合物を添加し
て混合し、不純物として含まれるＶをＳｉと反応させて
Ｖ−Ｓｉ化合物を生成させる。この時の溶解温度が１３
００℃を超える高温になると、溶湯酸化が激しくなって
ＡｌまたはＡｌ合金のロスが増大する。
はＡｌ合金を好ましくは７００〜１３００℃程度に加熱
溶解し、これに適正量のＳｉまたはＳｉ化合物を添加し
て混合し、不純物として含まれるＶをＳｉと反応させて
Ｖ−Ｓｉ化合物を生成させる。この時の溶解温度が１３
００℃を超える高温になると、溶湯酸化が激しくなって
ＡｌまたはＡｌ合金のロスが増大する。
【００１２】かくしてＶ−Ｓｉ系化合物が形成したＡｌ
またはＡｌ合金溶湯中から、該Ｖ−Ｓｉ系化合物を分離
除去することによって不純物Ｖの除去が達成され、清浄
度の高いＡｌまたはＡｌ合金を得ることができる。Ｖ−
Ｓｉ系化合物の除去法は特に限定されないが、この化合
物は概してＡｌまたはＡｌ合金よりも比重が高いので、
一般的なのは、この溶湯を静置して鎮静化しＶ−Ｓｉ系
化合物を溶湯下部に沈降させて除去する方法である。ま
た該化合物の一部は溶湯内に浮遊していることもあるの
で、好ましくは、耐火性の多孔体フィルターで溶湯濾過
する等の方法も好ましい方法として推奨される。この
時、溶湯内に窒素、アルゴン、Ｈｅ、ネオン等の不活性
ガスを微細な気泡状で吹込み、気泡の浮上と共に浮遊Ｖ
−Ｓｉ系化合物を浮上させて除滓する等の分離方法も好
ましく採用できる。この場合は脱水素も同時に達成する
ことができる。かくして不純物を除去した後は、必要に
より公知の方法で精錬を行うことによって、高純度のＡ
ｌまたはＡｌ合金を得ることができる。
またはＡｌ合金溶湯中から、該Ｖ−Ｓｉ系化合物を分離
除去することによって不純物Ｖの除去が達成され、清浄
度の高いＡｌまたはＡｌ合金を得ることができる。Ｖ−
Ｓｉ系化合物の除去法は特に限定されないが、この化合
物は概してＡｌまたはＡｌ合金よりも比重が高いので、
一般的なのは、この溶湯を静置して鎮静化しＶ−Ｓｉ系
化合物を溶湯下部に沈降させて除去する方法である。ま
た該化合物の一部は溶湯内に浮遊していることもあるの
で、好ましくは、耐火性の多孔体フィルターで溶湯濾過
する等の方法も好ましい方法として推奨される。この
時、溶湯内に窒素、アルゴン、Ｈｅ、ネオン等の不活性
ガスを微細な気泡状で吹込み、気泡の浮上と共に浮遊Ｖ
−Ｓｉ系化合物を浮上させて除滓する等の分離方法も好
ましく採用できる。この場合は脱水素も同時に達成する
ことができる。かくして不純物を除去した後は、必要に
より公知の方法で精錬を行うことによって、高純度のＡ
ｌまたはＡｌ合金を得ることができる。
【００１３】
【実施例】以下実施例によって本発明をさらに詳述する
が、下記実施例は本発明を制限するものではなく、前・
後記の趣旨を逸脱しない範囲で変更実施することは全て
本発明の技術範囲に包含される。
が、下記実施例は本発明を制限するものではなく、前・
後記の趣旨を逸脱しない範囲で変更実施することは全て
本発明の技術範囲に包含される。
【００１４】実施例１ 原料として、Ｖ：０．５ｗｔ％を含有するＪＩＳ−１１
００の純Ａｌ系スクラップを使用し、１０トンの反射型
溶解炉（重油焚き）を用いて大気溶解した。溶解後、表
１に示す量のＳｉまたはＳｉ化合物を添加し、次いで溶
湯量に対して０．１ｗｔ％のＫＣｌ系フラックスを窒素
ガスを用いて吹き込んだ後、網目５μｍの耐火性フィル
ターに通して不溶物を除去した後、半連続鋳造法によっ
て直径３００ｍｍのビレットを製造した（４本取り）。
このとき、フィルター通過後の溶湯をサンプリングしＩ
ＣＰ法により元素分析して残留Ｖの濃度を定量し、Ｖ残
留濃度が２００ｐｐｍ以下のものを合格（○）、２００
〜５００ｐｐｍのものを準合格（△）、５００ｐｐｍ超
のものを不合格（×）とした。
００の純Ａｌ系スクラップを使用し、１０トンの反射型
溶解炉（重油焚き）を用いて大気溶解した。溶解後、表
１に示す量のＳｉまたはＳｉ化合物を添加し、次いで溶
湯量に対して０．１ｗｔ％のＫＣｌ系フラックスを窒素
ガスを用いて吹き込んだ後、網目５μｍの耐火性フィル
ターに通して不溶物を除去した後、半連続鋳造法によっ
て直径３００ｍｍのビレットを製造した（４本取り）。
このとき、フィルター通過後の溶湯をサンプリングしＩ
ＣＰ法により元素分析して残留Ｖの濃度を定量し、Ｖ残
留濃度が２００ｐｐｍ以下のものを合格（○）、２００
〜５００ｐｐｍのものを準合格（△）、５００ｐｐｍ超
のものを不合格（×）とした。
【００１５】結果は表１に示す通りであり、溶湯中のＶ
量に対して理論当量の１．５倍のＳｉもしくはＳｉ化合
物を添加することによって、ＡｌまたはＡｌ合金中のＶ
を効率よく除去し清浄化し得ることが分かる。尚Ｓｉ添
加量が理論当量の２．５倍を超えると、過剰量のＳｉが
溶湯中に取り込まれてＳｉ濃度が高まってくるので、そ
れ以上の添加は溶湯清浄化の目的に添わなくなる。
量に対して理論当量の１．５倍のＳｉもしくはＳｉ化合
物を添加することによって、ＡｌまたはＡｌ合金中のＶ
を効率よく除去し清浄化し得ることが分かる。尚Ｓｉ添
加量が理論当量の２．５倍を超えると、過剰量のＳｉが
溶湯中に取り込まれてＳｉ濃度が高まってくるので、そ
れ以上の添加は溶湯清浄化の目的に添わなくなる。
【００１６】
【表１】
【００１７】実施例２ 原料として、Ｖ：０．２ｗｔ％を含有するＪＩＳ−６０
００のＡｌ合金スクラップを使用し、１２トンの反射型
溶解炉（重油焚き）を用いて大気溶解した。溶解後、表
２に示す量のＳｉまたはＳｉ化合物を添加し、次いで溶
湯量に対して０．１ｗｔ％のＫＣｌ系フラックスを窒素
ガスを用いて吹き込んだ後、網目１０μｍの耐火性フィ
ルターに通して不溶物を除去した後、半連続鋳造法によ
って直径３００ｍｍのビレットを製造した（４本取
り）。このとき、フィルター通過後の溶湯をサンプリン
グしＩＣＰ法により元素分析して残留Ｖの濃度を定量
し、Ｖ残留濃度が２００ｐｐｍ以下のものを合格
（○）、２００〜５００ｐｐｍのものを準合格（△）、
５００ｐｐｍ超のものを不合格（×）とした。
００のＡｌ合金スクラップを使用し、１２トンの反射型
溶解炉（重油焚き）を用いて大気溶解した。溶解後、表
２に示す量のＳｉまたはＳｉ化合物を添加し、次いで溶
湯量に対して０．１ｗｔ％のＫＣｌ系フラックスを窒素
ガスを用いて吹き込んだ後、網目１０μｍの耐火性フィ
ルターに通して不溶物を除去した後、半連続鋳造法によ
って直径３００ｍｍのビレットを製造した（４本取
り）。このとき、フィルター通過後の溶湯をサンプリン
グしＩＣＰ法により元素分析して残留Ｖの濃度を定量
し、Ｖ残留濃度が２００ｐｐｍ以下のものを合格
（○）、２００〜５００ｐｐｍのものを準合格（△）、
５００ｐｐｍ超のものを不合格（×）とした。
【００１８】結果は表２に示す通りであり、前記実施例
１の場合と同様に、溶湯中のＶ量に対して理論当量の
１．５倍のＳｉもしくはＳｉ化合物を添加することによ
って、Ａｌ合金中のＶを効率よく除去し清浄化し得るこ
とが分かる。尚Ｓｉ添加量が理論当量の２．５倍を超え
ると、やはり過剰量のＳｉが溶湯中に取り込まれてＳｉ
濃度が高まってくるので、それ以上の添加は溶湯清浄化
の目的に添わなくなる。
１の場合と同様に、溶湯中のＶ量に対して理論当量の
１．５倍のＳｉもしくはＳｉ化合物を添加することによ
って、Ａｌ合金中のＶを効率よく除去し清浄化し得るこ
とが分かる。尚Ｓｉ添加量が理論当量の２．５倍を超え
ると、やはり過剰量のＳｉが溶湯中に取り込まれてＳｉ
濃度が高まってくるので、それ以上の添加は溶湯清浄化
の目的に添わなくなる。
【００１９】
【表２】
【００２０】
【発明の効果】本発明は以上の様に構成されており、Ａ
ｌまたはＡｌ合金中に不純物として混入し、導電性など
に悪影響を及ぼすＶを安価に且つ効率よく除去すること
ができ、導電性材料として優れた性能を有する高純度の
ＡｌまたはＡｌ合金を製造し得ることになった。
ｌまたはＡｌ合金中に不純物として混入し、導電性など
に悪影響を及ぼすＶを安価に且つ効率よく除去すること
ができ、導電性材料として優れた性能を有する高純度の
ＡｌまたはＡｌ合金を製造し得ることになった。
【図１】Ａｌ合金溶湯中に含まれるＶに対する添加Ｓｉ
の化学量論当量比とＶ−Ｓｉ系化合物の生成量との関係
を示すグラフである。
の化学量論当量比とＶ−Ｓｉ系化合物の生成量との関係
を示すグラフである。
フロントページの続き (72)発明者 増田 隆平 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 大賀 清正 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内 (72)発明者 新井 基浩 兵庫県神戸市西区高塚台１丁目５番５号 株式会社神戸製鋼所神戸総合技術研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】 不純物としてＶを含むＡｌまたはＡｌ合
金溶湯中に、ＳｉもしくはＳｉ含有化合物を添加し、不
純物Ｖと反応させることによりＶ−Ｓｉ系化合物を形成
させてこれを分離する工程を含むことを特徴とするＡｌ
またはＡｌ合金の清浄化法。 - 【請求項２】 ＡｌまたはＡｌ合金溶湯中に含まれるＶ
に対し、Ｖ−Ｓｉ化合物を形成する化学量論比の１．５
〜２．５倍のＳｉまたはＳｉ化合物を添加する請求項１
に記載の清浄化法。 - 【請求項３】 Ｖ−Ｓｉ化合物が形成されたＡｌまたは
Ａｌ合金溶湯中に不活性ガスを吹込み、溶湯中のＶ−Ｓ
ｉ化合物の浮上分離を促進する請求項１または２に記載
の清浄化法。 - 【請求項４】 ＡｌまたはＡｌ合金溶湯中のＶ−Ｓｉ化
合物を、耐火性フィルターによって除去する請求項１〜
３のいずれかに記載の清浄化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21768694A JPH0881720A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | ＡｌまたはＡｌ合金の清浄化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21768694A JPH0881720A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | ＡｌまたはＡｌ合金の清浄化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0881720A true JPH0881720A (ja) | 1996-03-26 |
Family
ID=16708136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21768694A Withdrawn JPH0881720A (ja) | 1994-09-12 | 1994-09-12 | ＡｌまたはＡｌ合金の清浄化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0881720A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6171362B1 (en) | 1998-12-25 | 2001-01-09 | Kobe Steel, Ltd | Method for refining molten aluminum alloy and flux for refining molten aluminum alloy |
| JP2025026847A (ja) * | 2017-08-16 | 2025-02-26 | アルコア ユーエスエイ コーポレイション | アルミニウム合金のリサイクリング方法及びその精製 |
-
1994
- 1994-09-12 JP JP21768694A patent/JPH0881720A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6171362B1 (en) | 1998-12-25 | 2001-01-09 | Kobe Steel, Ltd | Method for refining molten aluminum alloy and flux for refining molten aluminum alloy |
| JP2025026847A (ja) * | 2017-08-16 | 2025-02-26 | アルコア ユーエスエイ コーポレイション | アルミニウム合金のリサイクリング方法及びその精製 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20011120 |