JPH088277A - Ｔｃｐ半導体装置 - Google Patents
Ｔｃｐ半導体装置Info
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- JPH088277A JPH088277A JP6141584A JP14158494A JPH088277A JP H088277 A JPH088277 A JP H088277A JP 6141584 A JP6141584 A JP 6141584A JP 14158494 A JP14158494 A JP 14158494A JP H088277 A JPH088277 A JP H088277A
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- inner lead
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- H10W74/01—Manufacture or treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W70/453—Leadframes comprising flexible metallic tapes
-
- H—ELECTRICITY
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 半導体素子２にボンディングされた、対向す
るインナーリード列のうち、インナーリード３の間隔が
広い方のインナーリード３の樹脂流出領域上に凸部４を
設けた。 【効果】 従来より、塗布面側及び塗布裏面側ともに封
止樹脂の厚さの不均一化を抑制することができるため、
設計した樹脂領域を安定して生産することができる。
るインナーリード列のうち、インナーリード３の間隔が
広い方のインナーリード３の樹脂流出領域上に凸部４を
設けた。 【効果】 従来より、塗布面側及び塗布裏面側ともに封
止樹脂の厚さの不均一化を抑制することができるため、
設計した樹脂領域を安定して生産することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子のパッケー
ジ形態の一つであるテープキャリアパッケージを用いた
半導体装置（以下、「ＴＣＰ半導体装置」という。）に
関するものである。
ジ形態の一つであるテープキャリアパッケージを用いた
半導体装置（以下、「ＴＣＰ半導体装置」という。）に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９（ａ）は第１の従来のキャリアテー
プのパターンの平面図、同（ｂ）は同キャリアテープを
無溶剤タイプの樹脂で封止したＴＣＰ半導体装置の硬化
後の断面図である。図９において、１１はデバイスホー
ル、１２は半導体素子、１３はインナーリード、１５は
キャリアテープ、１６は封止樹脂を示す。
プのパターンの平面図、同（ｂ）は同キャリアテープを
無溶剤タイプの樹脂で封止したＴＣＰ半導体装置の硬化
後の断面図である。図９において、１１はデバイスホー
ル、１２は半導体素子、１３はインナーリード、１５は
キャリアテープ、１６は封止樹脂を示す。
【０００３】図９（ａ）に示すように、従来のＴＣＰ半
導体装置において、半導体素子１２のパッド（図示せ
ず。）とインナーリード１３とを接続させた後、封止樹
脂１６を塗布し、デバイスホール１１のエッジと半導体
素子１２のエッジとの隙間から塗布裏面側へ封止樹脂１
６が自重のみで流れ出るようする。
導体装置において、半導体素子１２のパッド（図示せ
ず。）とインナーリード１３とを接続させた後、封止樹
脂１６を塗布し、デバイスホール１１のエッジと半導体
素子１２のエッジとの隙間から塗布裏面側へ封止樹脂１
６が自重のみで流れ出るようする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９
（ａ）に示すように、半導体素子１２の各辺に設けられ
たパッド（図示せず。）の数が同数であることは希であ
り、各辺において接続されるインナーリード１３の本数
は不均一である。また、インナーリード１３のエッチン
グ後の出来上がり幅寸法でも流出可能なスペースは各辺
において差が生じる。
（ａ）に示すように、半導体素子１２の各辺に設けられ
たパッド（図示せず。）の数が同数であることは希であ
り、各辺において接続されるインナーリード１３の本数
は不均一である。また、インナーリード１３のエッチン
グ後の出来上がり幅寸法でも流出可能なスペースは各辺
において差が生じる。
【０００５】そして、図９（ｂ）に示すように、この樹
脂流出可能なスペースの差はそのまま樹脂流出量に差と
なり、塗布裏面側の硬化後の形状は不均一になる。つま
り、封止樹脂１６は疎なインナーリード１３間の隙間か
ら大量に裏面に流出し、密なインナーリード１３間の隙
間からは少量しか流出しない。また、封止樹脂１６の流
れ出す量は、封止樹脂１６の流れやすさを示す樹脂レベ
リング性が同じで、且つ半導体素子１２の各辺における
デバイスホール１１の面積が同じである場合の各半導体
素子１２のパッド（図示せず。）と接続されたインナー
リード１３間の隙間面積によって変化する。
脂流出可能なスペースの差はそのまま樹脂流出量に差と
なり、塗布裏面側の硬化後の形状は不均一になる。つま
り、封止樹脂１６は疎なインナーリード１３間の隙間か
ら大量に裏面に流出し、密なインナーリード１３間の隙
間からは少量しか流出しない。また、封止樹脂１６の流
れ出す量は、封止樹脂１６の流れやすさを示す樹脂レベ
リング性が同じで、且つ半導体素子１２の各辺における
デバイスホール１１の面積が同じである場合の各半導体
素子１２のパッド（図示せず。）と接続されたインナー
リード１３間の隙間面積によって変化する。
【０００６】以上のことより、図９（ａ）に示すキャリ
アテープ１５のパターンにおいて、封止樹脂１６が塗布
裏面側に均一に流れ出ることは希である。そして、多量
に流出した辺の塗布裏面側において樹脂領域オーバーと
なり、ＴＣＰ半導体装置の小型化、薄型化を抑制する。
更に、外形サイズだけでなく、塗布面側の樹脂が少ない
部分では、デバイスの強度や耐湿性等についても低下す
る。
アテープ１５のパターンにおいて、封止樹脂１６が塗布
裏面側に均一に流れ出ることは希である。そして、多量
に流出した辺の塗布裏面側において樹脂領域オーバーと
なり、ＴＣＰ半導体装置の小型化、薄型化を抑制する。
更に、外形サイズだけでなく、塗布面側の樹脂が少ない
部分では、デバイスの強度や耐湿性等についても低下す
る。
【０００７】そして、上記問題点を解決する方法とし
て、従来封止用樹脂の樹脂流出側へスリットを設ける
か、チキソトロピー性のある樹脂を塗布し、流出防止用
ダムを作成したり、樹脂止め枠を張り付け樹脂流出を制
御するか、また、樹脂粘度をフィラーの添加量や大きさ
によって調整し、樹脂流出を制御する方法が用いられて
いた。
て、従来封止用樹脂の樹脂流出側へスリットを設ける
か、チキソトロピー性のある樹脂を塗布し、流出防止用
ダムを作成したり、樹脂止め枠を張り付け樹脂流出を制
御するか、また、樹脂粘度をフィラーの添加量や大きさ
によって調整し、樹脂流出を制御する方法が用いられて
いた。
【０００８】しかし、どの方法をとっても、工程数を増
やすことによって歩留まりが低下し、最終製品のコスト
アップにつながる。
やすことによって歩留まりが低下し、最終製品のコスト
アップにつながる。
【０００９】また、上記従来技術の他に、図１０に示す
ようにインナーリード１３間の疎であるところのデバイ
スホール１１のサイズを基準として密な所の樹脂流出可
能隙間サイズが同じになるようデバイスホール１１のサ
イズを決定する技術がある。しかし、この技術を用いる
場合、樹脂領域の制御性は良くなるため、面積の大型化
といった問題は解消されるが、機能毎にデバイスホール
１１の抜き型を検討しなければならず、その都度金型費
用が発生するという問題が生じる。
ようにインナーリード１３間の疎であるところのデバイ
スホール１１のサイズを基準として密な所の樹脂流出可
能隙間サイズが同じになるようデバイスホール１１のサ
イズを決定する技術がある。しかし、この技術を用いる
場合、樹脂領域の制御性は良くなるため、面積の大型化
といった問題は解消されるが、機能毎にデバイスホール
１１の抜き型を検討しなければならず、その都度金型費
用が発生するという問題が生じる。
【００１０】本発明は、コストアップすることなく、且
つ、樹脂粘度の調整せずに、樹脂流出量を制御すること
のできるＴＣＰ半導体装置を提供することを目的とす
る。
つ、樹脂粘度の調整せずに、樹脂流出量を制御すること
のできるＴＣＰ半導体装置を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明の
ＴＣＰ半導体装置は、キャリアテープのデバイスホール
内側に装着された半導体基板の第１辺側に接続される複
数の第１辺側インナーリードの間隔が、上記半導体基板
の上記第１辺に対向する第２辺側に接続される複数の第
２辺側インナーリードの間隔より大きく形成され、上記
半導体基板の第１辺から該第１辺に対向する上記デバイ
スホールエッジまでの距離と上記半導体基板の第２辺か
ら該第２辺に対向する上記デバイスホールエッジまでの
距離とが等しいＴＣＰ半導体装置において、上記半導体
基板の第１辺から該第１辺に対向する上記デバイスホー
ルエッジまでの領域上の上記第１辺側インナーリードの
片側又は両側に凸部を設けたことを特徴とするものであ
る。
ＴＣＰ半導体装置は、キャリアテープのデバイスホール
内側に装着された半導体基板の第１辺側に接続される複
数の第１辺側インナーリードの間隔が、上記半導体基板
の上記第１辺に対向する第２辺側に接続される複数の第
２辺側インナーリードの間隔より大きく形成され、上記
半導体基板の第１辺から該第１辺に対向する上記デバイ
スホールエッジまでの距離と上記半導体基板の第２辺か
ら該第２辺に対向する上記デバイスホールエッジまでの
距離とが等しいＴＣＰ半導体装置において、上記半導体
基板の第１辺から該第１辺に対向する上記デバイスホー
ルエッジまでの領域上の上記第１辺側インナーリードの
片側又は両側に凸部を設けたことを特徴とするものであ
る。
【００１２】また、請求項２記載の本発明のＴＣＰ半導
体装置は、上記凸部先端の形状が、隣接するインナーリ
ードと平行な直線であることを特徴とする請求項１記載
のＴＣＰ半導体装置である。
体装置は、上記凸部先端の形状が、隣接するインナーリ
ードと平行な直線であることを特徴とする請求項１記載
のＴＣＰ半導体装置である。
【００１３】更に、請求項３記載の本発明のＴＣＰ半導
体装置は、上記凸部の面積が、上記第１辺側インナーリ
ード間の各隙間面積の合計と上記第２辺側インナーリー
ド間の各隙間面積の合計が等しくなるような大きさであ
ることを特徴とする請求項１記載のＴＣＰ半導体装置で
ある。
体装置は、上記凸部の面積が、上記第１辺側インナーリ
ード間の各隙間面積の合計と上記第２辺側インナーリー
ド間の各隙間面積の合計が等しくなるような大きさであ
ることを特徴とする請求項１記載のＴＣＰ半導体装置で
ある。
【００１４】
【作用】上記構成によれば、インナーリード間の隙間幅
が大きいほうのインナーリードに設けられた凸部によっ
て、上記インナーリード間の隙間面積、即ち樹脂流出可
能スペースを小さくなり、樹脂流出量が抑制される。
が大きいほうのインナーリードに設けられた凸部によっ
て、上記インナーリード間の隙間面積、即ち樹脂流出可
能スペースを小さくなり、樹脂流出量が抑制される。
【００１５】
【実施例】以下、一実施例に基づいて本発明について詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１６】図１（ａ）は本発明の一実施例のキャリア
テープのパターン平面図、同（ｂ）は図１（ａ）のＡ−
Ａ′部分の同キャリアテープの樹脂塗布後の断面図であ
り、図２はテープキャリアパッケージ製造工程図であ
る。図３乃至図６は本発明の他の実施例のキャリアテー
プのパターン平面図である。また、図１乃至図６におい
て、１はデバイスホール、２は半導体素子、３はインナ
ーリード、４はインナーリード３に設けられた凸部、５
はキャリアテープ、６は封止樹脂を示す。
テープのパターン平面図、同（ｂ）は図１（ａ）のＡ−
Ａ′部分の同キャリアテープの樹脂塗布後の断面図であ
り、図２はテープキャリアパッケージ製造工程図であ
る。図３乃至図６は本発明の他の実施例のキャリアテー
プのパターン平面図である。また、図１乃至図６におい
て、１はデバイスホール、２は半導体素子、３はインナ
ーリード、４はインナーリード３に設けられた凸部、５
はキャリアテープ、６は封止樹脂を示す。
【００１７】本発明はインナーリード３に凸部４を設け
ることにより、封止樹脂６の流出量の制御を行うことを
特徴とする。
ることにより、封止樹脂６の流出量の制御を行うことを
特徴とする。
【００１８】インナリード３に設けられた凸部４の形状
は、図１及び図３乃至図５に示すような形状の他に、あ
らゆる形状を使用しても問題はないが、隣接するインナ
ーリード４に対して電界集中を抑制するような形状が望
ましい。具体的には、図１（ａ）に示すような形状又は
図４に示すような形状のように、凸部４の先端部分の形
状が隣接するインナーリード３と平行な直線となるよう
な形状がより望ましい。
は、図１及び図３乃至図５に示すような形状の他に、あ
らゆる形状を使用しても問題はないが、隣接するインナ
ーリード４に対して電界集中を抑制するような形状が望
ましい。具体的には、図１（ａ）に示すような形状又は
図４に示すような形状のように、凸部４の先端部分の形
状が隣接するインナーリード３と平行な直線となるよう
な形状がより望ましい。
【００１９】また、半導体素子２の１つの辺内でインナ
リード３間の疎密がある場合には、テープキャリアのパ
ターンを、例えば、図６に示すように、インナリード３
の間隔が広いほうに凸部４を設ける形状にする。尚、図
６において、半導体素子２の長辺に接続されるインナー
リード３の列のいずれにも凸部４を形成することによ
り、樹脂の流出量をより精度よく制御することが可能と
なる。
リード３間の疎密がある場合には、テープキャリアのパ
ターンを、例えば、図６に示すように、インナリード３
の間隔が広いほうに凸部４を設ける形状にする。尚、図
６において、半導体素子２の長辺に接続されるインナー
リード３の列のいずれにも凸部４を形成することによ
り、樹脂の流出量をより精度よく制御することが可能と
なる。
【００２０】更に、凸部４の大きさは、半導体素子２の
エッジ部分や隣接する電位差のあるインナーリード３に
接触しないような大きさであり、且つ、隣接するインナ
ーリード３との最低絶縁抵抗は１０10Ω以上を確保する
必要がある。
エッジ部分や隣接する電位差のあるインナーリード３に
接触しないような大きさであり、且つ、隣接するインナ
ーリード３との最低絶縁抵抗は１０10Ω以上を確保する
必要がある。
【００２１】また、封止樹脂６の量はインナーリード３
と半導体素子２とを被覆可能な最低量を適量として決定
し、使用する封止樹脂６の溶融粘度は８０ポイズ以上、
特に８０〜１００ポイズ程度が望ましい。また、使用す
る封止樹脂６はエポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はポリ
イミド樹脂等が適当であり、本実施例においては無溶剤
の封止樹脂６を用いた場合について述べるが、封止樹脂
６に溶剤が含まれている場合でも上記範囲の粘度を有し
ていれば適用可能である。更に、使用する樹脂レベリン
グ性は、６〜８．５ｍｍ程度が適当である。尚、本実施
例でいう樹脂レベリング性とは、商品名「ユーピレック
ス」（宇部興産（株）製）上に封止樹脂６を１０ｍｇ滴
下した場合の樹脂塗布領域の直径で表される量をいう。
と半導体素子２とを被覆可能な最低量を適量として決定
し、使用する封止樹脂６の溶融粘度は８０ポイズ以上、
特に８０〜１００ポイズ程度が望ましい。また、使用す
る封止樹脂６はエポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はポリ
イミド樹脂等が適当であり、本実施例においては無溶剤
の封止樹脂６を用いた場合について述べるが、封止樹脂
６に溶剤が含まれている場合でも上記範囲の粘度を有し
ていれば適用可能である。更に、使用する樹脂レベリン
グ性は、６〜８．５ｍｍ程度が適当である。尚、本実施
例でいう樹脂レベリング性とは、商品名「ユーピレック
ス」（宇部興産（株）製）上に封止樹脂６を１０ｍｇ滴
下した場合の樹脂塗布領域の直径で表される量をいう。
【００２２】そして、図２に示すように、ウエハテスト
Ｓ1、ウエハーダイシングＳ2、チップ検査Ｓ3及びテー
プ受け入れ検査Ｓ4を終了した後、図１に示したよう
に、半導体素子２とインナリード３とを接続する（イン
ナーリードボンディングＳ5）。そして、インナーリー
ドボンディング検査Ｓ6終了後、常温での粘度が２００
〜１５００ポイズで樹脂封止Ｓ7し、温度１００〜１８
０℃で時間５〜６０分間の条件で、溶融粘度が８０〜１
００ポイズとなるようにして仮硬化Ｓ8、次に、温度１
００〜１８０℃で時間２〜１２時間の条件で本硬化Ｓ9
する。その後マーク工程Ｓ10及び外観検査工程Ｓ11を行
う。
Ｓ1、ウエハーダイシングＳ2、チップ検査Ｓ3及びテー
プ受け入れ検査Ｓ4を終了した後、図１に示したよう
に、半導体素子２とインナリード３とを接続する（イン
ナーリードボンディングＳ5）。そして、インナーリー
ドボンディング検査Ｓ6終了後、常温での粘度が２００
〜１５００ポイズで樹脂封止Ｓ7し、温度１００〜１８
０℃で時間５〜６０分間の条件で、溶融粘度が８０〜１
００ポイズとなるようにして仮硬化Ｓ8、次に、温度１
００〜１８０℃で時間２〜１２時間の条件で本硬化Ｓ9
する。その後マーク工程Ｓ10及び外観検査工程Ｓ11を行
う。
【００２３】そして、隙間面積と封止樹脂広がりの相関
関係は図７に示すようになり、半導体素子の長辺の長さ
１３．１２ｍｍ、半導体素子のエッジからデバイスホー
ルエッジまでの長さ０．１ｍｍ、インナーリードの幅
０．０５ｍｍ、半導体素子の１の長辺に接続されるイン
ナリード数が６０本、凸部の面積が０．２４ｍｍ2と
し、隙間面積を凸部４により２４％小さくした場合、温
度１４５℃で１５分間の硬化条件のもと、同じインナー
リード間隔の、従来のインナリード３に凸部４を設けて
いないキャリアテープ５のパターンで樹脂封止した場合
に比べて塗布裏面側の樹脂領域が５％縮小できた。尚、
図７において横軸は、インナーリードに凸部を設けられ
た場合の樹脂流出可能面積とインナーリードに凸部を設
けられていない場合の樹脂流出可能面積との比であり、
縦軸は半導体素子２のエッジからの封止樹脂６の広がり
の長さである。
関係は図７に示すようになり、半導体素子の長辺の長さ
１３．１２ｍｍ、半導体素子のエッジからデバイスホー
ルエッジまでの長さ０．１ｍｍ、インナーリードの幅
０．０５ｍｍ、半導体素子の１の長辺に接続されるイン
ナリード数が６０本、凸部の面積が０．２４ｍｍ2と
し、隙間面積を凸部４により２４％小さくした場合、温
度１４５℃で１５分間の硬化条件のもと、同じインナー
リード間隔の、従来のインナリード３に凸部４を設けて
いないキャリアテープ５のパターンで樹脂封止した場合
に比べて塗布裏面側の樹脂領域が５％縮小できた。尚、
図７において横軸は、インナーリードに凸部を設けられ
た場合の樹脂流出可能面積とインナーリードに凸部を設
けられていない場合の樹脂流出可能面積との比であり、
縦軸は半導体素子２のエッジからの封止樹脂６の広がり
の長さである。
【００２４】尚、図８に示すように、インナーリード３
の幅を広げることにより、樹脂領域制御を行うことは、
キャリアテープ５端に接触する部分のインナーリード３
幅に細い箇所と太い箇所ができるため、インナリード３
の剛性が不均一になり、半導体素子２のボンディング時
に特定の箇所（図８においては点線で囲んだ箇所）にス
トレスが集中することによりインナリード３が破損する
ことが考えられるため好ましくない。
の幅を広げることにより、樹脂領域制御を行うことは、
キャリアテープ５端に接触する部分のインナーリード３
幅に細い箇所と太い箇所ができるため、インナリード３
の剛性が不均一になり、半導体素子２のボンディング時
に特定の箇所（図８においては点線で囲んだ箇所）にス
トレスが集中することによりインナリード３が破損する
ことが考えられるため好ましくない。
【００２５】上記技術と本発明との違いは、上記技術で
は幅の広いインナリード３がキャリアテープ５端からデ
バイスホール領域中まで形成されているが、本発明では
インナリードの凸部４はデバイスホール領域のみに形成
されていることである。図８は本発明の特徴の説明に供
する図である。
は幅の広いインナリード３がキャリアテープ５端からデ
バイスホール領域中まで形成されているが、本発明では
インナリードの凸部４はデバイスホール領域のみに形成
されていることである。図８は本発明の特徴の説明に供
する図である。
【００２６】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明を
用いることにより、以下の効果を奏する。
用いることにより、以下の効果を奏する。
【００２７】（１）従来より、塗布面側及び塗布裏面側
ともに封止樹脂の厚さの不均一化を抑制することができ
るため、設計した樹脂領域を安定して生産することがで
き、樹脂領域オーバー、厚みスペックオーバー等の外観
不良が低減できる。また、局部的な樹脂の流れ出しによ
り、樹脂は薄く広がり過ぎた部分ができ、機械的なスト
レスによるクラックの発生原因となっていたが、対クラ
ック性や耐湿性が向上し、量産歩留まり、即ち、生産性
が向上し、最終製品の低コスト化が向上する。
ともに封止樹脂の厚さの不均一化を抑制することができ
るため、設計した樹脂領域を安定して生産することがで
き、樹脂領域オーバー、厚みスペックオーバー等の外観
不良が低減できる。また、局部的な樹脂の流れ出しによ
り、樹脂は薄く広がり過ぎた部分ができ、機械的なスト
レスによるクラックの発生原因となっていたが、対クラ
ック性や耐湿性が向上し、量産歩留まり、即ち、生産性
が向上し、最終製品の低コスト化が向上する。
【００２８】（２）塗布裏面の樹脂流出量を調節できる
ため、塗布量が最小限に押さえることができ、従来よ
り、外形を小さくすることができるため、液晶ドライバ
ー等のより小型化が可能となり、樹脂使用量を削減によ
るコスト低減も図れる。
ため、塗布量が最小限に押さえることができ、従来よ
り、外形を小さくすることができるため、液晶ドライバ
ー等のより小型化が可能となり、樹脂使用量を削減によ
るコスト低減も図れる。
【００２９】（３）従来行っていた該当辺に対する塗布
樹脂量の調整のための塗布圧力の調整や描画速度の適正
化が必要なくなり、作業時間が短縮できる。
樹脂量の調整のための塗布圧力の調整や描画速度の適正
化が必要なくなり、作業時間が短縮できる。
【００３０】また、請求項２記載の発明を用いることに
より、隣接するインナーリードに対する電界集中を抑制
することができる。
より、隣接するインナーリードに対する電界集中を抑制
することができる。
【００３１】また、請求項３記載の発明を用いることに
より、半導体素子を保護する樹脂の量が塗布面側及び塗
布裏面側共に均一に塗布できるため、上記（１）〜
（４）の効果がより向上する。
より、半導体素子を保護する樹脂の量が塗布面側及び塗
布裏面側共に均一に塗布できるため、上記（１）〜
（４）の効果がより向上する。
【図１】（ａ）は本発明の一実施例のテープキャリアの
パターン平面図、（ｂ）同テープキャリアの樹脂塗布後
の断面図である。
パターン平面図、（ｂ）同テープキャリアの樹脂塗布後
の断面図である。
【図２】テープキャリアパッケージ製造工程図である。
【図３】本発明の他の実施例のテープキャリアのパター
ン平面図である。
ン平面図である。
【図４】本発明の他の実施例のテープキャリアのパター
ン平面図である。
ン平面図である。
【図５】本発明の他の実施例のテープキャリアのパター
ン平面図である。
ン平面図である。
【図６】本発明の他の実施例のテープキャリアのパター
ン平面図である。
ン平面図である。
【図７】隙間面積と樹脂広がりとの相関図である。
【図８】本発明の構造の特徴の説明に供する図である。
【図９】（ａ）は第１の従来のテープキャリアのパター
ン平面図、（ｂ）は同テープキャリアの樹脂塗布後の断
面図である。
ン平面図、（ｂ）は同テープキャリアの樹脂塗布後の断
面図である。
【図１０】第２の従来のテープキャリアのパターン平面
図である。
図である。
１ デバイスホール ２ 半導体素子 ３ インナーリード ４ インナーリードに設けられた凸部 ５ キャリアテープ ６ 封止樹脂
Claims (3)
- 【請求項１】 キャリアテープのデバイスホール内側に
装着された半導体基板の第１辺側に接続される、複数の
第１辺側インナーリードの間隔が、上記半導体基板の、
上記第１辺に対向する第２辺側に接続される、複数の第
２辺側インナーリードの間隔より大きく形成され、上記
半導体基板の第１辺から該第１辺に対向する上記デバイ
スホールエッジまでの距離と上記半導体基板の第２辺か
ら該第２辺に対向する上記デバイスホールエッジまでの
距離とが等しいＴＣＰ半導体装置において、 上記半導体基板の第１辺から該第１辺に対向する上記デ
バイスホールエッジまでの領域上の上記第１辺側インナ
ーリードの片側又は両側に凸部を設けたことを特徴とす
るＴＣＰ半導体装置。 - 【請求項２】 上記凸部先端の形状が、隣接するインナ
ーリードと平行な直線であることを特徴とする、請求項
１記載のＴＣＰ半導体装置。 - 【請求項３】 上記凸部の面積が、上記第１辺側インナ
ーリード間の各隙間面積の合計と上記第２辺側インナー
リード間の各隙間面積の合計が等しくなるような大きさ
であることを特徴とする、請求項１記載のＴＣＰ半導体
装置。
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