JPH0887711A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0887711A JPH0887711A JP22466094A JP22466094A JPH0887711A JP H0887711 A JPH0887711 A JP H0887711A JP 22466094 A JP22466094 A JP 22466094A JP 22466094 A JP22466094 A JP 22466094A JP H0887711 A JPH0887711 A JP H0887711A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、金属磁性膜を一層毎に磁気異方性
を変化させるような煩雑な製造工程を伴わず、しかも、
磁気ヘッドのコア効率を向上させ良好な再生特性が得ら
れる磁気ヘッドを提供することを目的とする。 【構成】 結晶質あるいは微結晶質からなる金属磁性膜
3,4を同時に積層してなる一対の磁気コア半体1、2
同士を突き合わせて接合一体化し、その突き合わせ面間
に磁気ギャップを形成してなる磁気ヘッドにおいて、上
記各磁気コア半体1,2における金属磁性膜3,4の磁
化容易軸の方向Fが、上記突き合わせ面を中心に互いに
対称で且つ磁気記録媒体摺動面(方向)Sに向かって互
いに離間するように傾斜し、その傾斜角度θ1,θ2が
磁気ギャップ形成面である上記突き合わせ面に対してそ
れぞれ20°〜70°であるようにした。さらに、θ
1,θ2=30°〜50°であることが、再生特性の向
上の点から望ましい。
を変化させるような煩雑な製造工程を伴わず、しかも、
磁気ヘッドのコア効率を向上させ良好な再生特性が得ら
れる磁気ヘッドを提供することを目的とする。 【構成】 結晶質あるいは微結晶質からなる金属磁性膜
3,4を同時に積層してなる一対の磁気コア半体1、2
同士を突き合わせて接合一体化し、その突き合わせ面間
に磁気ギャップを形成してなる磁気ヘッドにおいて、上
記各磁気コア半体1,2における金属磁性膜3,4の磁
化容易軸の方向Fが、上記突き合わせ面を中心に互いに
対称で且つ磁気記録媒体摺動面(方向)Sに向かって互
いに離間するように傾斜し、その傾斜角度θ1,θ2が
磁気ギャップ形成面である上記突き合わせ面に対してそ
れぞれ20°〜70°であるようにした。さらに、θ
1,θ2=30°〜50°であることが、再生特性の向
上の点から望ましい。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばビデオテープレ
コーダー(VTR)やデジタルオーディオテープレコー
ダー(R−DAT)等の高密度記録可能な磁気記録再生
装置に搭載して好適な磁気ヘッド及びその製造方法に関
するものである。
コーダー(VTR)やデジタルオーディオテープレコー
ダー(R−DAT)等の高密度記録可能な磁気記録再生
装置に搭載して好適な磁気ヘッド及びその製造方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】例えば、ビデオテープレコーダーやデジ
タルオーディオテープレコーダー等の磁気記録再生装置
においては、高画質化等を目的として情報信号の短波長
記録化が進められており、これに対応して磁性粉に強磁
性金属粉末を用いた、いわゆるメタルテープや、ベース
フィルム上に強磁性金属材料を直接被着した蒸着テープ
等の高い抗磁力記録媒体が使用されるようになってきて
いる。
タルオーディオテープレコーダー等の磁気記録再生装置
においては、高画質化等を目的として情報信号の短波長
記録化が進められており、これに対応して磁性粉に強磁
性金属粉末を用いた、いわゆるメタルテープや、ベース
フィルム上に強磁性金属材料を直接被着した蒸着テープ
等の高い抗磁力記録媒体が使用されるようになってきて
いる。
【0003】一方、これに対処すべく磁気ヘッドの分野
においても研究が進められており、コア材料に金属磁性
材料を用いるとともに狭トラック化を図った磁気ヘッド
が開発されている。
においても研究が進められており、コア材料に金属磁性
材料を用いるとともに狭トラック化を図った磁気ヘッド
が開発されている。
【0004】このような磁気ヘッドの代表的なものとし
て、高透磁率かつ高飽和磁束密度を有する金属磁性膜を
非磁性材料等よりなる基板で挟み込んでなる磁気コア半
体を突き合わせ、ガラス融着により接合一体化した、い
わゆるラミネートタイプの磁気ヘッドが知られている。
て、高透磁率かつ高飽和磁束密度を有する金属磁性膜を
非磁性材料等よりなる基板で挟み込んでなる磁気コア半
体を突き合わせ、ガラス融着により接合一体化した、い
わゆるラミネートタイプの磁気ヘッドが知られている。
【0005】このようなラミネートタイプの磁気ヘッド
は、高い飽和磁束密度を有するアモルファス合金やセン
ダスト等の金属磁性材料よりなる薄膜が主コア材として
設けられてなるもので、上記金属磁性膜を制御すること
で簡単に狭トラック化が図られること、構造的に疑似ギ
ャップが発生しないこと、さらに、上記ガラス融着等に
より簡単に製造できること等種々の利点を有する。
は、高い飽和磁束密度を有するアモルファス合金やセン
ダスト等の金属磁性材料よりなる薄膜が主コア材として
設けられてなるもので、上記金属磁性膜を制御すること
で簡単に狭トラック化が図られること、構造的に疑似ギ
ャップが発生しないこと、さらに、上記ガラス融着等に
より簡単に製造できること等種々の利点を有する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、昨今におい
ては、磁気ヘッドのコア効率を向上させ良好な再生特性
が得られる磁気ヘッドの開発が一層活発化しているが、
このような磁気ヘッドには、次のような問題を有してい
る。
ては、磁気ヘッドのコア効率を向上させ良好な再生特性
が得られる磁気ヘッドの開発が一層活発化しているが、
このような磁気ヘッドには、次のような問題を有してい
る。
【0007】すなわち、上記のような磁気ヘッドの再生
特性は、それに用いられる積層された金属磁性膜の磁気
特性、特に磁気ヘッドの磁路に対して垂直な方向の特性
に大きく依存すると従来一般に考えられている。したが
って、金属磁性膜としては、磁気的に等方的なものや磁
化容易軸の方向が磁気ヘッドの磁路に対して磁気コアの
どの部分でも垂直に近いもので、かつ、磁化異方性を制
御し易い材料が理想的である。
特性は、それに用いられる積層された金属磁性膜の磁気
特性、特に磁気ヘッドの磁路に対して垂直な方向の特性
に大きく依存すると従来一般に考えられている。したが
って、金属磁性膜としては、磁気的に等方的なものや磁
化容易軸の方向が磁気ヘッドの磁路に対して磁気コアの
どの部分でも垂直に近いもので、かつ、磁化異方性を制
御し易い材料が理想的である。
【0008】このような点からは、磁気ヘッドの金属磁
性膜として、磁気異方性が小さく、かつ、膜形成後に磁
気異方性を制御し易いアモルファス膜が磁気特性の観点
からは有利であり、一部VTR用磁気ヘッドとして既に
実用化されてはいる。
性膜として、磁気異方性が小さく、かつ、膜形成後に磁
気異方性を制御し易いアモルファス膜が磁気特性の観点
からは有利であり、一部VTR用磁気ヘッドとして既に
実用化されてはいる。
【0009】しかしながら、アモルファス膜自体は耐熱
性が低く、従来から広く使用されている上記ガラス融着
により接合して製造するには不向きである。このため、
これを解決すべく、材料に様々な添加物を加えてアモル
ファス膜の耐熱性を向上させることや、低温金属接合等
の新しい製造工程上の検討が試みられている。
性が低く、従来から広く使用されている上記ガラス融着
により接合して製造するには不向きである。このため、
これを解決すべく、材料に様々な添加物を加えてアモル
ファス膜の耐熱性を向上させることや、低温金属接合等
の新しい製造工程上の検討が試みられている。
【0010】しかし、添加物を加えた場合、アモルファ
ス膜の飽和磁束密度が低下し、高密度磁気記録に用いら
れる高い抗磁力を有する磁気記録媒体に対する記録特性
が低下したり、低温熱拡散を用いた製造工程では基板の
平面度等に高度な加工精度が要求されたりする等の問題
を有する。
ス膜の飽和磁束密度が低下し、高密度磁気記録に用いら
れる高い抗磁力を有する磁気記録媒体に対する記録特性
が低下したり、低温熱拡散を用いた製造工程では基板の
平面度等に高度な加工精度が要求されたりする等の問題
を有する。
【0011】他方、磁気ヘッドの主コアとなる金属磁性
膜としてFe−Al−Si系合金(センダスト)、Fe
−Ru−Ga−Si系合金といった結晶質材料や、Fe
−Ta−N,Fe−Al−N等の微結晶材料では、高い
飽和磁束密度を有し、かつ、耐熱性に優れるため、従来
から広く使用されているガラス融着による接合に優れる
利点を有する。
膜としてFe−Al−Si系合金(センダスト)、Fe
−Ru−Ga−Si系合金といった結晶質材料や、Fe
−Ta−N,Fe−Al−N等の微結晶材料では、高い
飽和磁束密度を有し、かつ、耐熱性に優れるため、従来
から広く使用されているガラス融着による接合に優れる
利点を有する。
【0012】しかしながら、これら結晶質材料や微結晶
材料は、一般的には大きな磁気異方性を持つことに加
え、薄膜形成後に磁気異方性を制御することが困難であ
る。したがって、これらセンダスト等の材料を用いた金
属磁性膜を一層毎に磁気異方性を変化させて金属磁性膜
全体としては等方的な磁気特性が得られる様にする試み
も一部では行われている。
材料は、一般的には大きな磁気異方性を持つことに加
え、薄膜形成後に磁気異方性を制御することが困難であ
る。したがって、これらセンダスト等の材料を用いた金
属磁性膜を一層毎に磁気異方性を変化させて金属磁性膜
全体としては等方的な磁気特性が得られる様にする試み
も一部では行われている。
【0013】しかし、このような製造方法では、磁気コ
アを種々の方向に変化させるなど金属磁性膜の形成工程
が煩雑になるという問題を有する。このため、磁化容易
軸の方向がギャップデプス方向に対して平行になるよう
に薄膜の形成を行ってはいるが、再生出力の点で不十分
である。
アを種々の方向に変化させるなど金属磁性膜の形成工程
が煩雑になるという問題を有する。このため、磁化容易
軸の方向がギャップデプス方向に対して平行になるよう
に薄膜の形成を行ってはいるが、再生出力の点で不十分
である。
【0014】そこで、本発明は、結晶質あるいは微結晶
質からなる金属磁性膜を積層してなる一対の磁気コア半
体同士を突き合わせて接合一体化し、その突き合わせ面
間に磁気ギャップを形成してなる磁気ヘッド及び磁気ヘ
ッドの製造方法において、金属磁性膜を一層毎に磁気異
方性を変化させるような煩雑な製造工程を伴わず、しか
も、磁気ヘッドのコア効率を向上させ良好な再生特性が
得られる磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
質からなる金属磁性膜を積層してなる一対の磁気コア半
体同士を突き合わせて接合一体化し、その突き合わせ面
間に磁気ギャップを形成してなる磁気ヘッド及び磁気ヘ
ッドの製造方法において、金属磁性膜を一層毎に磁気異
方性を変化させるような煩雑な製造工程を伴わず、しか
も、磁気ヘッドのコア効率を向上させ良好な再生特性が
得られる磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記目的
を達成するために、高飽和磁束密度を有し、かつ、ガラ
ス融着に優れる結晶質及び微結晶質からなる金属磁性膜
を積層してなる磁気ヘッドにおいて、金属磁性膜を一層
毎に磁気異方性を変化させるような煩雑な製造工程を伴
わず、しかも、磁気ヘッドのコア効率を向上させ良好な
再生特性が得られる磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方
法を鋭意研究の結果、発明するに到った。
を達成するために、高飽和磁束密度を有し、かつ、ガラ
ス融着に優れる結晶質及び微結晶質からなる金属磁性膜
を積層してなる磁気ヘッドにおいて、金属磁性膜を一層
毎に磁気異方性を変化させるような煩雑な製造工程を伴
わず、しかも、磁気ヘッドのコア効率を向上させ良好な
再生特性が得られる磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方
法を鋭意研究の結果、発明するに到った。
【0016】すなわち、本発明に係る磁気ヘッドは、結
晶質あるいは微結晶質からなる金属磁性膜を積層してな
る一対の磁気コア半体同士を突き合わせて接合一体化
し、その突き合わせ面間に磁気ギャップを形成してなる
磁気ヘッドに適用されるものである。このような結晶質
あるいは微結晶質からなる金属磁性膜は、高い飽和磁束
密度を有し、かつ、耐熱性に優れるため、従来から広く
使用されているガラス融着による接合に優れる利点を活
かすためである。
晶質あるいは微結晶質からなる金属磁性膜を積層してな
る一対の磁気コア半体同士を突き合わせて接合一体化
し、その突き合わせ面間に磁気ギャップを形成してなる
磁気ヘッドに適用されるものである。このような結晶質
あるいは微結晶質からなる金属磁性膜は、高い飽和磁束
密度を有し、かつ、耐熱性に優れるため、従来から広く
使用されているガラス融着による接合に優れる利点を活
かすためである。
【0017】そして、本発明は、各磁気コア半体におけ
る金属磁性膜の磁化容易軸の方向が、前記突き合わせ面
を中心に互いに対称で且つ磁気記録媒体摺動面に向かっ
て互いに離間するように傾斜し、その傾斜角度が磁気ギ
ャップ形成面である上記突き合わせ面に対してそれぞれ
20°〜70°であることを特徴とする。
る金属磁性膜の磁化容易軸の方向が、前記突き合わせ面
を中心に互いに対称で且つ磁気記録媒体摺動面に向かっ
て互いに離間するように傾斜し、その傾斜角度が磁気ギ
ャップ形成面である上記突き合わせ面に対してそれぞれ
20°〜70°であることを特徴とする。
【0018】傾斜角度が、20°〜70°であるとき、
再生出力の向上が見られたが、30°〜50°であると
き、さらなる再生特性の向上が見られた。
再生出力の向上が見られたが、30°〜50°であると
き、さらなる再生特性の向上が見られた。
【0019】さらに、上記金属磁性膜を絶縁層を介して
複数層積層することを特徴とする。
複数層積層することを特徴とする。
【0020】他方、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
は、結晶質あるいは微結晶質からなる金属磁性膜を積層
してなる一対の磁気コア半体同士を突き合わせて接合一
体化し、その突き合わせ面間に磁気ギャップを形成して
なる磁気ヘッドの製造方法において、上記金属時成膜を
その磁化異方性を所定の方向に制御しながら第1の基板
上に少なくとも二箇所以上に同時に積層する工程と、上
記金属磁性膜上に第2の基板を重ね合わせて接合するこ
とにより、接合基板を形成する工程と、この接合基板を
切断して一対の磁気コア半体ブロックを作成する工程
と、上記一対の磁気コア半体ブロックの一方の磁気コア
半体ブロックを180°反転させ、これら一対の磁気コ
ア半体ブロックを突き合わせて、上記各磁気コア半体に
おける金属磁性膜の磁化容易軸の方向が上記突き合わせ
面を中心に互いに対称となるように接合一体化する工程
とを備えたことを特徴とする。
は、結晶質あるいは微結晶質からなる金属磁性膜を積層
してなる一対の磁気コア半体同士を突き合わせて接合一
体化し、その突き合わせ面間に磁気ギャップを形成して
なる磁気ヘッドの製造方法において、上記金属時成膜を
その磁化異方性を所定の方向に制御しながら第1の基板
上に少なくとも二箇所以上に同時に積層する工程と、上
記金属磁性膜上に第2の基板を重ね合わせて接合するこ
とにより、接合基板を形成する工程と、この接合基板を
切断して一対の磁気コア半体ブロックを作成する工程
と、上記一対の磁気コア半体ブロックの一方の磁気コア
半体ブロックを180°反転させ、これら一対の磁気コ
ア半体ブロックを突き合わせて、上記各磁気コア半体に
おける金属磁性膜の磁化容易軸の方向が上記突き合わせ
面を中心に互いに対称となるように接合一体化する工程
とを備えたことを特徴とする。
【0021】また、上記各磁気コア半体における金属磁
性膜の磁化容易軸の方向が磁気記録媒体摺動面に向かっ
て互いに離間するように傾斜し、その傾斜角度が磁気ギ
ャップ形成面である上記突き合わせ面に対してそれぞれ
20°〜70°となるように磁化異方性を所定の方向に
制御することを特徴とする。
性膜の磁化容易軸の方向が磁気記録媒体摺動面に向かっ
て互いに離間するように傾斜し、その傾斜角度が磁気ギ
ャップ形成面である上記突き合わせ面に対してそれぞれ
20°〜70°となるように磁化異方性を所定の方向に
制御することを特徴とする。
【0022】また、上記傾斜角度が30°〜50°であ
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【0023】さらに、上記金属磁性膜を絶縁層を介して
複数層積層することを特徴とする。
複数層積層することを特徴とする。
【0024】
【作用】従来、磁化容易軸の方向は磁気ギャップのデプ
ス方向と垂直とするような場合が良いとされていた。し
かしながら、本発明に係る磁気ヘッドは、一対の磁気コ
ア半体の金属磁性膜の磁化容易軸の方向を上記のような
角度に傾斜させてなることにより、磁化容易軸の方向は
磁気ギャップのデプス方向と垂直とするような場合は勿
論、磁化容易軸の方向を磁気ギャップのデプス方向と平
行とするような場合に比較しても、磁気ヘッドのコア効
率が向上し、良好な再生特性が得られる。
ス方向と垂直とするような場合が良いとされていた。し
かしながら、本発明に係る磁気ヘッドは、一対の磁気コ
ア半体の金属磁性膜の磁化容易軸の方向を上記のような
角度に傾斜させてなることにより、磁化容易軸の方向は
磁気ギャップのデプス方向と垂直とするような場合は勿
論、磁化容易軸の方向を磁気ギャップのデプス方向と平
行とするような場合に比較しても、磁気ヘッドのコア効
率が向上し、良好な再生特性が得られる。
【0025】また、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
は、結晶質あるいは微結晶質からなる金属磁性膜とする
ものであるから、従来から広く使用されているガラス融
着により磁気コア半体同士を接合一体化させることがで
きる。
は、結晶質あるいは微結晶質からなる金属磁性膜とする
ものであるから、従来から広く使用されているガラス融
着により磁気コア半体同士を接合一体化させることがで
きる。
【0026】そして、接合基板を切断した一対の磁気コ
ア半体ブロックを得て、この切断された一方の磁気コア
半体ブロックを180°反転させることにより、磁気コ
ア半体の突き合わせ面に対して磁化容易軸の方向の角度
を対称にさせることができる。
ア半体ブロックを得て、この切断された一方の磁気コア
半体ブロックを180°反転させることにより、磁気コ
ア半体の突き合わせ面に対して磁化容易軸の方向の角度
を対称にさせることができる。
【0027】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。
【0028】作製される磁気ヘッドの構成 本実施例が対象とされる磁気ヘッドは、図1及び図2に
示すように、金属磁性膜3が膜厚方向より一対の基板1
1,12により挟み込まれてなる磁気コア半体1と、同
様に金属磁性膜4が膜厚方向より一対の基板13,14
により挟み込まれてなる磁気コア半体2が、上記金属磁
性膜3,4を突き合わせるようにして接合一体化された
ものである。そして、上記金属磁性膜3,4の突き合わ
せ面間には、磁気ギャップg1 (フロントギャップ)
と、磁気ギャップg2 (バックギャップ)が形成され、
該金属磁性膜3,4により閉磁路が構成されている。
示すように、金属磁性膜3が膜厚方向より一対の基板1
1,12により挟み込まれてなる磁気コア半体1と、同
様に金属磁性膜4が膜厚方向より一対の基板13,14
により挟み込まれてなる磁気コア半体2が、上記金属磁
性膜3,4を突き合わせるようにして接合一体化された
ものである。そして、上記金属磁性膜3,4の突き合わ
せ面間には、磁気ギャップg1 (フロントギャップ)
と、磁気ギャップg2 (バックギャップ)が形成され、
該金属磁性膜3,4により閉磁路が構成されている。
【0029】ここで、上記金属磁性膜3,4は、高周波
帯域での渦電流損失を回避するため、絶縁膜を介して交
互に何層にも積層されている。
帯域での渦電流損失を回避するため、絶縁膜を介して交
互に何層にも積層されている。
【0030】上記金属磁性膜3、4の強磁性材料として
は、従来より公知の結晶質あるいは微結晶質のものが使
用できる。結晶質あるいは微結晶質のものは、高飽和磁
束密度を有し、かつ、ガラス融着に優れる利点を有する
からである。
は、従来より公知の結晶質あるいは微結晶質のものが使
用できる。結晶質あるいは微結晶質のものは、高飽和磁
束密度を有し、かつ、ガラス融着に優れる利点を有する
からである。
【0031】例示するならば、Fe−Al−Si系合金
(センダスト)、Fe−Si−Co系合金、Fe−Ni
系合金、Fe−Al−Ge系合金、Fe−Ga−Ge系
合金、Fe−Si−Ge系合金、Fe−Si−Ga系合
金、Fe−Si−Ga−Ru系合金、Fe−−Co−S
i−Al系合金等が挙げられる。また、耐蝕性や耐摩耗
性等の一層の向上を図るために、Ti,Cr,Mn,Z
r,Nb,Mo,Ta,W,Ru,Os,Rh,Ir,
Re,Ni,Pd,Pt,Hf,V等の少なくとも一種
を添加したものであってもよい。また、酸素含有センダ
スト,窒素含有センダスト、酸素含有Fe−Si−Ga
−Ru系合金、窒素含有Fe−Si−Ga−Ru系合金
等の結晶質磁性膜でも良い。さらには、Fe系微結晶
膜、Co系微結晶膜を用いてもよい。
(センダスト)、Fe−Si−Co系合金、Fe−Ni
系合金、Fe−Al−Ge系合金、Fe−Ga−Ge系
合金、Fe−Si−Ge系合金、Fe−Si−Ga系合
金、Fe−Si−Ga−Ru系合金、Fe−−Co−S
i−Al系合金等が挙げられる。また、耐蝕性や耐摩耗
性等の一層の向上を図るために、Ti,Cr,Mn,Z
r,Nb,Mo,Ta,W,Ru,Os,Rh,Ir,
Re,Ni,Pd,Pt,Hf,V等の少なくとも一種
を添加したものであってもよい。また、酸素含有センダ
スト,窒素含有センダスト、酸素含有Fe−Si−Ga
−Ru系合金、窒素含有Fe−Si−Ga−Ru系合金
等の結晶質磁性膜でも良い。さらには、Fe系微結晶
膜、Co系微結晶膜を用いてもよい。
【0032】また、上記基板11、12、13、14に
は、フェライト材の他、非磁性フェライト、酸化ジルコ
ニウム系セラミック、結晶化ガラス、非磁性酸化鉄系セ
ラミック、BaTiO3 ,K2 TiO3 等のチタン酸系
セラミック等が用いられる。
は、フェライト材の他、非磁性フェライト、酸化ジルコ
ニウム系セラミック、結晶化ガラス、非磁性酸化鉄系セ
ラミック、BaTiO3 ,K2 TiO3 等のチタン酸系
セラミック等が用いられる。
【0033】上記磁気ヘッドにおいては、基板11,1
2,13,14を用いていることから、磁気ギャップの
トラック幅Twは、上記金属磁性膜3,4の膜厚によっ
て決定される。
2,13,14を用いていることから、磁気ギャップの
トラック幅Twは、上記金属磁性膜3,4の膜厚によっ
て決定される。
【0034】また、上記磁気ヘッドにおいては、一方の
磁気コア半体2の対向面に、その一端によりフロントギ
ャップg1 のデプス(深さ)dを規制するとともに、図
示しないコイルを巻装するための巻線溝8が設けられて
いる。なお、この巻線溝8と対向する反対側の各側面に
は、コイルの巻装状態を良好なものとなすための巻線ガ
イド溝18,19が設けられている。また、磁気記録媒
体摺動面には、磁気記録媒体との当たりを確保するため
の段差16,17が設けられている。この磁気ヘッド
は、上記磁気コア半体1,2同士を融着ガラス20によ
って接合一体化されている。
磁気コア半体2の対向面に、その一端によりフロントギ
ャップg1 のデプス(深さ)dを規制するとともに、図
示しないコイルを巻装するための巻線溝8が設けられて
いる。なお、この巻線溝8と対向する反対側の各側面に
は、コイルの巻装状態を良好なものとなすための巻線ガ
イド溝18,19が設けられている。また、磁気記録媒
体摺動面には、磁気記録媒体との当たりを確保するため
の段差16,17が設けられている。この磁気ヘッド
は、上記磁気コア半体1,2同士を融着ガラス20によ
って接合一体化されている。
【0035】そして、上記各金属磁性膜3,4の磁化容
易軸の方向Fを、図2に示すように、一対の磁気コア半
体の突き合わせ面を中心に互いに対称で且つ磁気記録媒
体摺動面に向かって互いに離間するように傾斜し、その
傾斜角度しーたが磁気ギャップ形成面である上記突き合
わせ面に対してそれぞれ20°〜70°とされている。
すなわち、上記各磁気コア半体1,2の金属磁性膜3,
4の磁化容易軸の方向Fは、フロントギャップg1 のデ
プスd方向に対して一方のリーディング側となる磁気コ
ア半体1では磁気記録媒体摺動方向Sと逆方向側となる
ように変化させてなり、また、他方のトレーリング側と
なる磁気コア半体2では磁気記録媒体摺動方向側Sに変
化させてなる。
易軸の方向Fを、図2に示すように、一対の磁気コア半
体の突き合わせ面を中心に互いに対称で且つ磁気記録媒
体摺動面に向かって互いに離間するように傾斜し、その
傾斜角度しーたが磁気ギャップ形成面である上記突き合
わせ面に対してそれぞれ20°〜70°とされている。
すなわち、上記各磁気コア半体1,2の金属磁性膜3,
4の磁化容易軸の方向Fは、フロントギャップg1 のデ
プスd方向に対して一方のリーディング側となる磁気コ
ア半体1では磁気記録媒体摺動方向Sと逆方向側となる
ように変化させてなり、また、他方のトレーリング側と
なる磁気コア半体2では磁気記録媒体摺動方向側Sに変
化させてなる。
【0036】磁気ヘッドの製造方法 先ず、図3に示すように、磁性晶フェライト材よりなる
基板21(第1の基板)と、これを重ね合わせる基板2
2(第2の基板)を用意する。そして、上記一方の基板
21の主面に鏡面加工を施す。
基板21(第1の基板)と、これを重ね合わせる基板2
2(第2の基板)を用意する。そして、上記一方の基板
21の主面に鏡面加工を施す。
【0037】本実施例では、上記基板21として、磁性
フェライト材の単結晶あるいは多結晶、これらの接合
材、又は、非磁性フェライト,BaTiO3 ,K2 Ti
O3 ,結晶化ガラス等の非磁性の基板21が挙げられ
る。
フェライト材の単結晶あるいは多結晶、これらの接合
材、又は、非磁性フェライト,BaTiO3 ,K2 Ti
O3 ,結晶化ガラス等の非磁性の基板21が挙げられ
る。
【0038】また、本実施例に用いた上記単結晶フェラ
イトの結晶面の指数を図3に示す。すなわち、フェライ
ト結晶の切り出しの結晶方位を摺動方向において(10
0)面が現れるようにした。但し、上記結晶面の指数と
は異なる単結晶フェライト、あるいは、接合基板等を用
いてもよい。
イトの結晶面の指数を図3に示す。すなわち、フェライ
ト結晶の切り出しの結晶方位を摺動方向において(10
0)面が現れるようにした。但し、上記結晶面の指数と
は異なる単結晶フェライト、あるいは、接合基板等を用
いてもよい。
【0039】次に、図4乃至図5に示すように、上記基
板21に絶縁膜26を介して、結晶質あるいは微結晶質
からなる金属磁性膜25を所定の方向に磁化異方性を制
御して成膜する。このような結晶質あるいは微結晶質か
らなる金属磁性膜は、高い飽和磁束密度を有し、かつ、
耐熱性に優れるため、従来から広く使用されているガラ
ス融着による接合に優れる利点を活かすためである。
板21に絶縁膜26を介して、結晶質あるいは微結晶質
からなる金属磁性膜25を所定の方向に磁化異方性を制
御して成膜する。このような結晶質あるいは微結晶質か
らなる金属磁性膜は、高い飽和磁束密度を有し、かつ、
耐熱性に優れるため、従来から広く使用されているガラ
ス融着による接合に優れる利点を活かすためである。
【0040】ここで、本実施例においては、上記基板2
1上に、SiO2 膜24を形成し、このSiO2 膜24
上にマスクスパッタ処理を用いて必要最小限の面積に金
属磁性膜25を形成する。
1上に、SiO2 膜24を形成し、このSiO2 膜24
上にマスクスパッタ処理を用いて必要最小限の面積に金
属磁性膜25を形成する。
【0041】まず、上記基板21に金属磁性膜25を成
膜する前提として、基板21との付着力向上のための下
地層として50nm厚のSiO2 膜24が成膜した。こ
こで、成膜される下地層としては、上記SiO2 膜24
の他、Ta2 O5 等の酸化物膜、Si3 N4 等の窒化物
膜、あるいは、Cr,Al,Si,Pt等の金属膜及び
それらの合金膜、あるいは、それらを組み合わせた積層
膜を用いても良い。
膜する前提として、基板21との付着力向上のための下
地層として50nm厚のSiO2 膜24が成膜した。こ
こで、成膜される下地層としては、上記SiO2 膜24
の他、Ta2 O5 等の酸化物膜、Si3 N4 等の窒化物
膜、あるいは、Cr,Al,Si,Pt等の金属膜及び
それらの合金膜、あるいは、それらを組み合わせた積層
膜を用いても良い。
【0042】その後、上記SiO2 膜24上にマスクス
パッタを用いて金属磁性膜25を形成する。この金属磁
性膜25の厚さは、高周波特性向上のために一層当たり
の2〜5μmとし、目的とするトラック幅Twの1〜3
倍程度の膜厚となる様に絶縁膜26を介して数層積層す
る必要がある。なお、この絶縁膜26に関しては、0.
1〜0.3μm厚のSiO2,Ta2 O5 等の酸化物膜、
Si3 O4 等の窒化物膜等を用いれば良い。本実施例で
は、トラック幅Twを5μmとするために1層当たりの
金属磁性膜25の厚さを3μmとし、絶縁膜26として
の0.2μm厚のSiO2,膜24を介して三層重ね合わ
せた。
パッタを用いて金属磁性膜25を形成する。この金属磁
性膜25の厚さは、高周波特性向上のために一層当たり
の2〜5μmとし、目的とするトラック幅Twの1〜3
倍程度の膜厚となる様に絶縁膜26を介して数層積層す
る必要がある。なお、この絶縁膜26に関しては、0.
1〜0.3μm厚のSiO2,Ta2 O5 等の酸化物膜、
Si3 O4 等の窒化物膜等を用いれば良い。本実施例で
は、トラック幅Twを5μmとするために1層当たりの
金属磁性膜25の厚さを3μmとし、絶縁膜26として
の0.2μm厚のSiO2,膜24を介して三層重ね合わ
せた。
【0043】本実施例においては、一枚の第1の基板2
1上の少なく2箇所に上記のような金属磁性膜25a・
25bを同時に成膜する。このような成膜の仕方によ
り、一枚の基板21から、後述するような対称な磁化容
易軸方向Fとなる金属磁性膜25a・25bを得ること
ができる。
1上の少なく2箇所に上記のような金属磁性膜25a・
25bを同時に成膜する。このような成膜の仕方によ
り、一枚の基板21から、後述するような対称な磁化容
易軸方向Fとなる金属磁性膜25a・25bを得ること
ができる。
【0044】すなわち、本実施例では、上記金属磁性膜
25を被着する際に磁化異方性を制御するが、図2に示
すような対称な角度は、上記一枚の基板21上に一定方
向に磁界を印加等した後、後の工程で一方の磁気コア半
体ブロック31を180°回転させることで得ることが
できる。なお、このように付与される磁化容易軸の方向
Fは、以後、本実施例に係る製造工程を説明する図10
乃至図12において、符号Fの方向を示しながら説明す
ることとする。
25を被着する際に磁化異方性を制御するが、図2に示
すような対称な角度は、上記一枚の基板21上に一定方
向に磁界を印加等した後、後の工程で一方の磁気コア半
体ブロック31を180°回転させることで得ることが
できる。なお、このように付与される磁化容易軸の方向
Fは、以後、本実施例に係る製造工程を説明する図10
乃至図12において、符号Fの方向を示しながら説明す
ることとする。
【0045】次いで、図5及び図6に示すように、上記
金属磁性膜25の表面と重ね合わせ側のフェライト基板
22の表面にもスパッタリングを用いて0.1〜0.5
μm厚の低融点ガラス膜27を形成する。このガラス膜
27は、上記基板21の金属磁性膜25上の表面か、あ
るいは、金属磁性膜25を形成していない重ね合わせ側
の基板22の表面かの少なくとも一方の表面に形成して
も良い。なお、本実施例では、スパッタリングによって
形成されたガラス膜27を用いたが、スピンコーティン
グ等によって塗布されたフリットガラスを用いてもよ
い。
金属磁性膜25の表面と重ね合わせ側のフェライト基板
22の表面にもスパッタリングを用いて0.1〜0.5
μm厚の低融点ガラス膜27を形成する。このガラス膜
27は、上記基板21の金属磁性膜25上の表面か、あ
るいは、金属磁性膜25を形成していない重ね合わせ側
の基板22の表面かの少なくとも一方の表面に形成して
も良い。なお、本実施例では、スパッタリングによって
形成されたガラス膜27を用いたが、スピンコーティン
グ等によって塗布されたフリットガラスを用いてもよ
い。
【0046】また、このガラス膜27の成膜に際して
は、上記上記基板21の金属磁性膜25、あるいは、重
ね合わせ側の基板22のフェライトと、上記低融点ガラ
ス膜27との反応防止を目的として、SiO2,Ta2 O
5 等の酸化物膜、Si3 O4 等の窒化物膜、Cr,A
l,Si,Pt等の金属膜、あるいは、これらの合金膜
又は、上記を組み合わせた積層膜としても良い。本実施
例では、0.1μm厚のCr膜28を金属磁性膜25上
と重ね合わせ側の基板22の表面にスパッタリングを用
いて形成した後に、0.2μm厚のPb系のガラス膜2
7をやはりスパッタリングを用いて形成した。
は、上記上記基板21の金属磁性膜25、あるいは、重
ね合わせ側の基板22のフェライトと、上記低融点ガラ
ス膜27との反応防止を目的として、SiO2,Ta2 O
5 等の酸化物膜、Si3 O4 等の窒化物膜、Cr,A
l,Si,Pt等の金属膜、あるいは、これらの合金膜
又は、上記を組み合わせた積層膜としても良い。本実施
例では、0.1μm厚のCr膜28を金属磁性膜25上
と重ね合わせ側の基板22の表面にスパッタリングを用
いて形成した後に、0.2μm厚のPb系のガラス膜2
7をやはりスパッタリングを用いて形成した。
【0047】以上のようにして、金属磁性膜25が積層
された基板21に重ね合わせ側の基板22を圧着しなが
ら500〜700°Cに加熱接合して、図7及び図8に
示すように、接合基板30を作製する。なお、図8は、
図7の接合基板30の拡大断面図である。
された基板21に重ね合わせ側の基板22を圧着しなが
ら500〜700°Cに加熱接合して、図7及び図8に
示すように、接合基板30を作製する。なお、図8は、
図7の接合基板30の拡大断面図である。
【0048】次いで、上記接合基板30を目的とするア
ジマス角と同角度で切り出す。すなわち、図9に示すよ
うに、上記接合基板30のA−A線、B−B線、C−C
線から、図10に示すように、所定の大きさからなる一
対の磁気コア半体ブロック31,31を得る。
ジマス角と同角度で切り出す。すなわち、図9に示すよ
うに、上記接合基板30のA−A線、B−B線、C−C
線から、図10に示すように、所定の大きさからなる一
対の磁気コア半体ブロック31,31を得る。
【0049】ここで、本実施例では、各金属磁性膜25
a・25bの磁化容易軸に対して20°〜70°傾斜す
る方向に切断して一対の磁気コア半体ブロック31,3
1を得る。
a・25bの磁化容易軸に対して20°〜70°傾斜す
る方向に切断して一対の磁気コア半体ブロック31,3
1を得る。
【0050】次いで、同図10に示すように、上記一対
の磁気コア半体ブロック31,31の不要な部分を平面
研削盤を用いて除去する。すなわち、上記一対の磁気コ
ア半体ブロック31,31の上記切り出し方向に沿って
絶縁膜26を介して成膜した金属磁性膜25が現れるま
で基板21の不要な部分を平面研削盤を用いて除去す
る。すなわち、上記基板の(100)面が研削すること
となる。そして、その後、巻線溝8とガラス溝15等を
形成する。
の磁気コア半体ブロック31,31の不要な部分を平面
研削盤を用いて除去する。すなわち、上記一対の磁気コ
ア半体ブロック31,31の上記切り出し方向に沿って
絶縁膜26を介して成膜した金属磁性膜25が現れるま
で基板21の不要な部分を平面研削盤を用いて除去す
る。すなわち、上記基板の(100)面が研削すること
となる。そして、その後、巻線溝8とガラス溝15等を
形成する。
【0051】次いで、図11に示すように、トラック幅
規制溝33を機械加工により形成する。
規制溝33を機械加工により形成する。
【0052】ここで、同図11に示すように、スパッタ
リング等を用いて融着ガラス20との反応を防止する防
止膜29を形成しても良い。この反応防止膜29として
は、厚み0.05μm以上のSiO2 ,Ta2 O5 等の
酸化物膜Si3 N4 等の窒化物膜、Cr,Al,Si,
Pt等の金属膜及びそれらの合金膜、あるいは、それら
を組み合わせた積層膜を用いれば良い。本実施例では、
トラック幅規制溝33を形成した後、0.2μm厚のC
rからなる反応防止膜29をスパッタリングを用いて形
成した。
リング等を用いて融着ガラス20との反応を防止する防
止膜29を形成しても良い。この反応防止膜29として
は、厚み0.05μm以上のSiO2 ,Ta2 O5 等の
酸化物膜Si3 N4 等の窒化物膜、Cr,Al,Si,
Pt等の金属膜及びそれらの合金膜、あるいは、それら
を組み合わせた積層膜を用いれば良い。本実施例では、
トラック幅規制溝33を形成した後、0.2μm厚のC
rからなる反応防止膜29をスパッタリングを用いて形
成した。
【0053】次いで、同図11に示すように、ポリッシ
ング等を用いてフロントギャップg1 面に鏡面加工を施
した後、ギャップ膜を形成し、図12に示すように、一
対の磁気コア半体ブロック31,31同士をガラスを流
し込みながら融着ガラス20によりギャップ接合を行
う。
ング等を用いてフロントギャップg1 面に鏡面加工を施
した後、ギャップ膜を形成し、図12に示すように、一
対の磁気コア半体ブロック31,31同士をガラスを流
し込みながら融着ガラス20によりギャップ接合を行
う。
【0054】ここで、本実施例では、上記切断された一
方の磁気コア半体ブロック31を180°回転させる。
この回転により、磁気コアの突き合わせ面を中心に互い
に対称な磁化容易軸の方向Fのヘッドチップを得ること
ができる。しかも、この磁化容易軸の方向Fの対称性
は、上述の一枚の基板21(第1の基板)から作成した
ものであるから、完全な対称性を得ることができる。
方の磁気コア半体ブロック31を180°回転させる。
この回転により、磁気コアの突き合わせ面を中心に互い
に対称な磁化容易軸の方向Fのヘッドチップを得ること
ができる。しかも、この磁化容易軸の方向Fの対称性
は、上述の一枚の基板21(第1の基板)から作成した
ものであるから、完全な対称性を得ることができる。
【0055】次いで、巻線溝8の加工、当たり幅加工等
を行った後に目的とするチップ厚に切断する。その後、
磁気記録媒体摺動面に磁気記録媒体との当たりを確保す
るための段差16,17の形成や、この切断されたヘッ
ドチップに対して磁気記録媒体摺動面となる部分を円筒
研磨するとともに、巻線溝8にコイルを確実に巻装する
ための巻線ガイド溝18,19を切削加工等する。以上
によって、磁気ヘッドが図1及び図2に示すように完成
する。実験結果 そして、図2に示すように、上記各金属磁性膜3,4の
磁化容易軸の方向Fのθ1,θ2を、0°から90°に
揃えて変化させた磁気ヘッドを多数製造した。そして、
磁気ヘッドのコア効率を向上させ良好な再生特性を得る
上で好ましい角度θ1,θ2を検討した。
を行った後に目的とするチップ厚に切断する。その後、
磁気記録媒体摺動面に磁気記録媒体との当たりを確保す
るための段差16,17の形成や、この切断されたヘッ
ドチップに対して磁気記録媒体摺動面となる部分を円筒
研磨するとともに、巻線溝8にコイルを確実に巻装する
ための巻線ガイド溝18,19を切削加工等する。以上
によって、磁気ヘッドが図1及び図2に示すように完成
する。実験結果 そして、図2に示すように、上記各金属磁性膜3,4の
磁化容易軸の方向Fのθ1,θ2を、0°から90°に
揃えて変化させた磁気ヘッドを多数製造した。そして、
磁気ヘッドのコア効率を向上させ良好な再生特性を得る
上で好ましい角度θ1,θ2を検討した。
【0056】ここで、再生出力の測定は、固定ヘッド方
式の電磁変換特性測定装置を用い、相対速度10m/s
で行った。また、磁気テープには、市販の8ミリビデオ
カメラ用の磁気テープを用いた。その結果を示したもの
が図13である。
式の電磁変換特性測定装置を用い、相対速度10m/s
で行った。また、磁気テープには、市販の8ミリビデオ
カメラ用の磁気テープを用いた。その結果を示したもの
が図13である。
【0057】また、上記角度θ1,θ2は、図2に示し
た通り、磁化容易軸の方向Fでリーディング側の一方の
磁気コア1では磁気記録媒体摺動方向Sと逆方向側に開
く角度をθ1とし、トレーリング側の他方の磁気コア2
では磁気記録媒体摺動方向Sと同方向側に開く角度θ2
とした。なお、θ1,θ2=0°の時の再生出力を0d
Bとした。
た通り、磁化容易軸の方向Fでリーディング側の一方の
磁気コア1では磁気記録媒体摺動方向Sと逆方向側に開
く角度をθ1とし、トレーリング側の他方の磁気コア2
では磁気記録媒体摺動方向Sと同方向側に開く角度θ2
とした。なお、θ1,θ2=0°の時の再生出力を0d
Bとした。
【0058】上記図13から明らかなように、全体とし
て、金属磁性膜25の磁化容易軸の方向Fを磁気ギャッ
プのデプス方向に対して変化させると、大きな再生特性
が得られることがわかる。そして、θ1,θ2=20°
〜70°のときに、θ1,θ2=0°のときよりも大き
な再生特性が得られることがわかる。特に、θ1,θ2
=30°〜50°のときに、約2dBもの良好な再生特
性が得られ良ることが明らかである。
て、金属磁性膜25の磁化容易軸の方向Fを磁気ギャッ
プのデプス方向に対して変化させると、大きな再生特性
が得られることがわかる。そして、θ1,θ2=20°
〜70°のときに、θ1,θ2=0°のときよりも大き
な再生特性が得られることがわかる。特に、θ1,θ2
=30°〜50°のときに、約2dBもの良好な再生特
性が得られ良ることが明らかである。
【0059】他方、磁化容易軸の方向Fが20°未満で
あっても磁気ヘッドの再生出力の向上がみられるが、有
効な再生出力の向上とはならなかった。逆に、磁化容易
軸の方向Fが70°を越えると、以後、再生出力は徐々
に低下する結果となった。
あっても磁気ヘッドの再生出力の向上がみられるが、有
効な再生出力の向上とはならなかった。逆に、磁化容易
軸の方向Fが70°を越えると、以後、再生出力は徐々
に低下する結果となった。
【0060】したがって、磁化容易軸の方向Fは、θ
1,θ2=20°〜70°のときに大きな再生特性が得
られることがわかる。また、θ1,θ2=30°〜50
°のときの再生特性の向上が顕著であるために、望まし
くはθ1,θ2=30°〜50°であることがわかる。
1,θ2=20°〜70°のときに大きな再生特性が得
られることがわかる。また、θ1,θ2=30°〜50
°のときの再生特性の向上が顕著であるために、望まし
くはθ1,θ2=30°〜50°であることがわかる。
【0061】このように良好な再生特性が得られたの
は、次の点にあるものと考えられる。一般に、結晶質の
金属磁性膜の磁化異方性と透磁率μとは密接な関係にあ
ることが知られている。すなわち、図14に示すよう
に、透磁率μは、磁化容易軸の方向F(Easy Ax
is)よりも磁化困難軸の方向(Hard Axis)
の方が高い。本実施例に係る磁気ヘッドおいては、磁化
容易軸の方向Fを前記範囲とすることにより、再生出力
に最も影響が大きいフロントデプス近傍での磁束に対し
て金属磁性膜の磁化異方性が最適化されて、その結果、
透磁率μが大きく確保されたものと考えられる。
は、次の点にあるものと考えられる。一般に、結晶質の
金属磁性膜の磁化異方性と透磁率μとは密接な関係にあ
ることが知られている。すなわち、図14に示すよう
に、透磁率μは、磁化容易軸の方向F(Easy Ax
is)よりも磁化困難軸の方向(Hard Axis)
の方が高い。本実施例に係る磁気ヘッドおいては、磁化
容易軸の方向Fを前記範囲とすることにより、再生出力
に最も影響が大きいフロントデプス近傍での磁束に対し
て金属磁性膜の磁化異方性が最適化されて、その結果、
透磁率μが大きく確保されたものと考えられる。
【0062】このように、結晶質あるいは微結晶質から
なる金属磁性膜を積層してなる一対の磁気コア半体同士
を突き合わせて接合一体化し、その突き合わせ面間に磁
気ギャップを形成してなる磁気ヘッドにおいて、上記の
ように磁化容易軸の方向を傾斜させた磁気ヘッドは、磁
化容易軸の方向が磁気ギャップのデプス方向と垂直とす
るような場合は勿論、磁化容易軸の方向を磁気ギャップ
のデプス方向と平行とするような場合に比較しても、磁
気ヘッドのコア効率が向上し、良好な再生特性が得られ
ることとなる。
なる金属磁性膜を積層してなる一対の磁気コア半体同士
を突き合わせて接合一体化し、その突き合わせ面間に磁
気ギャップを形成してなる磁気ヘッドにおいて、上記の
ように磁化容易軸の方向を傾斜させた磁気ヘッドは、磁
化容易軸の方向が磁気ギャップのデプス方向と垂直とす
るような場合は勿論、磁化容易軸の方向を磁気ギャップ
のデプス方向と平行とするような場合に比較しても、磁
気ヘッドのコア効率が向上し、良好な再生特性が得られ
ることとなる。
【0063】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気ヘッドは、各磁気コア半体における金属磁性
膜の磁化容易軸の方向が、前記突き合わせ面を中心に互
いに対称で且つ磁気記録媒体摺動面に向かって互いに離
間するように傾斜し、その傾斜角度が磁気ギャップ形成
面である上記突き合わせ面に対してそれぞれ20°〜7
0°であるので、磁化容易軸の方向をギャップのデプス
方向と垂直とするような場合に比較した場合は勿論、磁
化容易軸の方向をギャップデプス方向と平行とするよう
な場合に比較しても、磁気ヘッドの再生出力の向上が可
能となった。
に係る磁気ヘッドは、各磁気コア半体における金属磁性
膜の磁化容易軸の方向が、前記突き合わせ面を中心に互
いに対称で且つ磁気記録媒体摺動面に向かって互いに離
間するように傾斜し、その傾斜角度が磁気ギャップ形成
面である上記突き合わせ面に対してそれぞれ20°〜7
0°であるので、磁化容易軸の方向をギャップのデプス
方向と垂直とするような場合に比較した場合は勿論、磁
化容易軸の方向をギャップデプス方向と平行とするよう
な場合に比較しても、磁気ヘッドの再生出力の向上が可
能となった。
【0064】他方、本発明に係る磁気ヘッドの製造方法
は、結晶質あるいは微結晶質からなる金属磁性膜とする
ものであるから、従来から広く使用されているガラス融
着により磁気コア半体同士を接合一体化させることがで
きる。
は、結晶質あるいは微結晶質からなる金属磁性膜とする
ものであるから、従来から広く使用されているガラス融
着により磁気コア半体同士を接合一体化させることがで
きる。
【0065】そして、接合基板を金属磁性膜の磁化容易
軸に対して20°〜70°傾斜する方向に切断して一対
の磁気コア半体ブロックを得て、この切断された一方の
磁気コア半体ブロックを180°反転させることによ
り、磁気コア半体の突き合わせ面に対して各金属磁性膜
の磁化容易軸の方向の角度を対称にさせることができる
等製造工程上の利点を種々有する。
軸に対して20°〜70°傾斜する方向に切断して一対
の磁気コア半体ブロックを得て、この切断された一方の
磁気コア半体ブロックを180°反転させることによ
り、磁気コア半体の突き合わせ面に対して各金属磁性膜
の磁化容易軸の方向の角度を対称にさせることができる
等製造工程上の利点を種々有する。
【図1】本発明に係る磁気ヘッドの一実施例を示す斜視
図である。
図である。
【図2】上記磁気ヘッドの概略構成を模式的に示す平面
図る。
図る。
【図3】上記実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示す
もので、金属磁性膜が形成される基板と重ね合わせ側の
基板を準備する工程を示す斜視図である。
もので、金属磁性膜が形成される基板と重ね合わせ側の
基板を準備する工程を示す斜視図である。
【図4】上記実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示す
もので、基板に絶縁膜を介して金属磁性膜を成膜する工
程を示す拡大断面図である。
もので、基板に絶縁膜を介して金属磁性膜を成膜する工
程を示す拡大断面図である。
【図5】上記実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示す
もので、基板にCr膜とガラス膜を成膜する工程を示す
拡大断面図である。
もので、基板にCr膜とガラス膜を成膜する工程を示す
拡大断面図である。
【図6】上記実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示す
もので、重ね合わせ側の基板にCr膜とガラス膜を成膜
する工程を示す拡大断面図である。
もので、重ね合わせ側の基板にCr膜とガラス膜を成膜
する工程を示す拡大断面図である。
【図7】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示
すもので、基板に重ね合わせ側の基板を重ね合わせて接
合基板を製作する工程を示す斜視図である。
すもので、基板に重ね合わせ側の基板を重ね合わせて接
合基板を製作する工程を示す斜視図である。
【図8】図7の拡大断面図である。
【図9】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を示
すもので、基板に重ね合わせ側の基板を重ね合わせた接
合基板を目的とするアジマス角に切断する工程を示す斜
視図である。
すもので、基板に重ね合わせ側の基板を重ね合わせた接
合基板を目的とするアジマス角に切断する工程を示す斜
視図である。
【図10】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を
示すもので、一対の磁気コア半体ブロックに巻線溝とガ
ラス溝を施す工程を示す斜視図である。
示すもので、一対の磁気コア半体ブロックに巻線溝とガ
ラス溝を施す工程を示す斜視図である。
【図11】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を
示すもので、一対の磁気コア半体ブロックにトラック幅
規制溝と反応膜防止膜を施す工程を示す斜視図である。
示すもので、一対の磁気コア半体ブロックにトラック幅
規制溝と反応膜防止膜を施す工程を示す斜視図である。
【図12】上記一実施例に係る磁気ヘッドの製造工程を
示すもので、一対の磁気コア半体ブロック同士を突き合
わせ接合一体化する工程を示す斜視図である。
示すもので、一対の磁気コア半体ブロック同士を突き合
わせ接合一体化する工程を示す斜視図である。
【図13】上記製造工程により製造された磁気ヘッドの
再生出力の測定結果を示す図である。
再生出力の測定結果を示す図である。
【図14】上記製造工程により製造された磁気ヘッドに
おける金属磁性膜の透磁率μの周波数特性を示す図であ
る。
おける金属磁性膜の透磁率μの周波数特性を示す図であ
る。
1,2・・・磁気コア半体 3,4・・・結晶質あるいは微結晶質からなる金属磁性
膜 8・・・巻線溝 11,12,13,14・・・基板 20・・・融着ガラス 21・・・基板(第1の基板) 22・・・重ね合わせ側の基板(第2の基板) 25,25a,25b・・・結晶質あるいは微結晶質か
らなる金属磁性膜 26・・・絶縁膜 27・・・ガラス膜 29・・・反応防止膜 30・・・接合基板 31・・・磁気コア半体ブロック F・・・磁化容易軸の方向 g1 ・・・フロントギャップ g2 ・・・バックギャップ d・・・磁気ギャップのデプス S・・・磁気記録媒体の摺動方向
膜 8・・・巻線溝 11,12,13,14・・・基板 20・・・融着ガラス 21・・・基板(第1の基板) 22・・・重ね合わせ側の基板(第2の基板) 25,25a,25b・・・結晶質あるいは微結晶質か
らなる金属磁性膜 26・・・絶縁膜 27・・・ガラス膜 29・・・反応防止膜 30・・・接合基板 31・・・磁気コア半体ブロック F・・・磁化容易軸の方向 g1 ・・・フロントギャップ g2 ・・・バックギャップ d・・・磁気ギャップのデプス S・・・磁気記録媒体の摺動方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小形 誠一 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (7)
- 【請求項1】 結晶質あるいは微結晶質からなる金属磁
性膜を同時に積層してなる一対の磁気コア半体同士を突
き合わせて接合一体化し、その突き合わせ面間に磁気ギ
ャップを形成してなる磁気ヘッドにおいて、 上記各磁気コア半体における金属磁性膜の磁化容易軸の
方向が、上記突き合わせ面を中心に互いに対称で且つ磁
気記録媒体摺動面に向かって互いに離間するように傾斜
し、その傾斜角度が磁気ギャップ形成面である上記突き
合わせ面に対してそれぞれ20°〜70°であることを
特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項2】 上記傾斜角度が30°〜50°であるこ
とを特徴とする請求項請求項1記載の磁気ヘッド。 - 【請求項3】 上記金属磁性膜が絶縁層を介して複数層
積層されていることを特徴とする請求項1、又は請求項
2記載の磁気ヘッド。 - 【請求項4】 結晶質あるいは微結晶質からなる金属磁
性膜を積層してなる一対の磁気コア半体同士を突き合わ
せて接合一体化し、その突き合わせ面間に磁気ギャップ
を形成してなる磁気ヘッドの製造方法において、 上記金属時成膜をその磁化異方性を所定の方向に制御し
ながら第1の基板上に少なくとも二箇所以上に同時に積
層する工程と、 上記金属磁性膜上に第2の基板を重ね合わせて接合する
ことにより、接合基板を形成する工程と、 この接合基板を切断して一対の磁気コア半体ブロックを
作成する工程と、 上記一対の磁気コア半体ブロックの一方の磁気コア半体
ブロックを180°反転させ、これら一対の磁気コア半
体ブロックを突き合わせて、上記各磁気コア半体におけ
る金属磁性膜の磁化容易軸の方向が上記突き合わせ面を
中心に互いに対称となるように接合一体化する工程とを
備えたことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項5】 上記各磁気コア半体における金属磁性膜
の磁化容易軸の方向が磁気記録媒体摺動面に向かって互
いに離間するように傾斜し、その傾斜角度が磁気ギャッ
プ形成面である上記突き合わせ面に対してそれぞれ20
°〜70°となるように磁化異方性を所定の方向に制御
することを特徴とする請求項4記載の磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項6】 上記傾斜角度が30°〜50°であるこ
とを特徴とする請求項5記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項7】 上記金属磁性膜を絶縁層を介して複数層
積層することを特徴とする請求項4、請求項5、又は請
求項6記載の磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22466094A JPH0887711A (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22466094A JPH0887711A (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0887711A true JPH0887711A (ja) | 1996-04-02 |
Family
ID=16817216
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22466094A Pending JPH0887711A (ja) | 1994-09-20 | 1994-09-20 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0887711A (ja) |
-
1994
- 1994-09-20 JP JP22466094A patent/JPH0887711A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030325 |