JPH0888207A - 半導体ウエハに付着した異物の除去方法 - Google Patents
半導体ウエハに付着した異物の除去方法Info
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- JPH0888207A JPH0888207A JP24733694A JP24733694A JPH0888207A JP H0888207 A JPH0888207 A JP H0888207A JP 24733694 A JP24733694 A JP 24733694A JP 24733694 A JP24733694 A JP 24733694A JP H0888207 A JPH0888207 A JP H0888207A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 粘着テ―プを用いたドライ洗浄方式により、
半導体ウエハに付着した異物を高い除去率で除去する方
法を提供する。 【構成】 半導体ウエハ３の表面３ａおよび／または裏
面３ｂの全面に、支持フイルム１１と粘着剤層１２とか
らなる粘着テ―プ１を、粘着剤層１２面が上記表面３ａ
および／または裏面３ｂの異物２と十分に馴染むように
貼り付けたのち、この粘着テ―プ１を剥離操作すること
により、上記異物２を粘着剤層１２面に吸着させて半導
体ウエハ３から除去する。
半導体ウエハに付着した異物を高い除去率で除去する方
法を提供する。 【構成】 半導体ウエハ３の表面３ａおよび／または裏
面３ｂの全面に、支持フイルム１１と粘着剤層１２とか
らなる粘着テ―プ１を、粘着剤層１２面が上記表面３ａ
および／または裏面３ｂの異物２と十分に馴染むように
貼り付けたのち、この粘着テ―プ１を剥離操作すること
により、上記異物２を粘着剤層１２面に吸着させて半導
体ウエハ３から除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おける洗浄工程に適用される、半導体ウエハに付着した
異物の除去方法に関する。
おける洗浄工程に適用される、半導体ウエハに付着した
異物の除去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高密度化、高集積化、また回路
の多様化が進むにつれて、半導体ウエハに存在する塵
埃、金属不純物などの異物（パ―テイクル）が製品の歩
留り、製品の信頼性に大きく影響するようになつてき
た。たとえば、半導体ウエハの表面（回路パタ―ン形成
面）に存在する異物は、回路形成時に回路の断線やシヨ
―トの原因となる。また、半導体ウエハの裏面（回路パ
タ―ン面の反対面）に存在する異物は、回路形成時の露
光工程で焦点を狂わす原因となり、また隣接するウエハ
の表面に転写して回路の断線やシヨ―トの原因となる。
の多様化が進むにつれて、半導体ウエハに存在する塵
埃、金属不純物などの異物（パ―テイクル）が製品の歩
留り、製品の信頼性に大きく影響するようになつてき
た。たとえば、半導体ウエハの表面（回路パタ―ン形成
面）に存在する異物は、回路形成時に回路の断線やシヨ
―トの原因となる。また、半導体ウエハの裏面（回路パ
タ―ン面の反対面）に存在する異物は、回路形成時の露
光工程で焦点を狂わす原因となり、また隣接するウエハ
の表面に転写して回路の断線やシヨ―トの原因となる。
【０００３】このため、ＬＳＩの製造工程では、製造工
程内の清浄度のレベルアツプ、ウエハ洗浄技術のレベル
アツプに努めており、さまざまな清浄化技術が提案さ
れ、実施されてきた。とくに、洗浄工程は全工程の約３
０％を占めており、歩留りや信頼性アツプのキ―ポイン
トである。しかし、最近のＬＳＩの高密度化、高集積化
に伴い、従来のウエハ洗浄方法の問題が顕在化してき
た。
程内の清浄度のレベルアツプ、ウエハ洗浄技術のレベル
アツプに努めており、さまざまな清浄化技術が提案さ
れ、実施されてきた。とくに、洗浄工程は全工程の約３
０％を占めており、歩留りや信頼性アツプのキ―ポイン
トである。しかし、最近のＬＳＩの高密度化、高集積化
に伴い、従来のウエハ洗浄方法の問題が顕在化してき
た。
【０００４】ウエハ洗浄方法には、ウエツト洗浄（超純
水、薬液などによる）と、ドライ洗浄（ＵＶオゾン、Ｏ
2 プラズマなど）があり、一般にはウエツト洗浄がその
汎用性、経済性のバランスのよさから頻繁に適用され
る。ウエツト洗浄の問題点は、洗浄によりウエハから除
去された異物のウエハへの再付着であり、とくにウエハ
裏面に付着している異物は著しい汚染源となる。また、
ウエツト洗浄は乾燥工程を必要とするため、乾燥工程で
のウエハ汚染の問題が同様に存在する。
水、薬液などによる）と、ドライ洗浄（ＵＶオゾン、Ｏ
2 プラズマなど）があり、一般にはウエツト洗浄がその
汎用性、経済性のバランスのよさから頻繁に適用され
る。ウエツト洗浄の問題点は、洗浄によりウエハから除
去された異物のウエハへの再付着であり、とくにウエハ
裏面に付着している異物は著しい汚染源となる。また、
ウエツト洗浄は乾燥工程を必要とするため、乾燥工程で
のウエハ汚染の問題が同様に存在する。
【０００５】ウエツト洗浄の短所を補う洗浄方法とし
て、洗浄方法のドライ化（ＵＶオゾン、Ｏ2 プラズマな
ど）が進んでおり、異物の再付着の低減、乾燥工程の省
略などの利点を活かしているが、ドライ洗浄は異物に対
して十分な除去能力を示さず、多量の汚染物の除去に適
していないことがわかつてきた。
て、洗浄方法のドライ化（ＵＶオゾン、Ｏ2 プラズマな
ど）が進んでおり、異物の再付着の低減、乾燥工程の省
略などの利点を活かしているが、ドライ洗浄は異物に対
して十分な除去能力を示さず、多量の汚染物の除去に適
していないことがわかつてきた。
【０００６】別の試みとして、特開昭４８−３５７７１
号公報などには、粘着テ―プを用いて異物を除去する方
法が提案されている。この方法は、たとえば、ゴム製弾
性ロ―ラの周面に粘着テ―プを巻き付け、これを半導体
ウエハの表面にその上を回転移動させながら押圧接触さ
せることにより、半導体ウエハの表面に付着する異物を
上記テ―プの粘着剤層面に吸着させて除去するものであ
る。
号公報などには、粘着テ―プを用いて異物を除去する方
法が提案されている。この方法は、たとえば、ゴム製弾
性ロ―ラの周面に粘着テ―プを巻き付け、これを半導体
ウエハの表面にその上を回転移動させながら押圧接触さ
せることにより、半導体ウエハの表面に付着する異物を
上記テ―プの粘着剤層面に吸着させて除去するものであ
る。
【０００７】この粘着テ―プを用いる方法は、一種のド
ライ洗浄ということができるから、ウエツト洗浄におけ
る異物の再付着の問題や乾燥工程での汚染の問題を回避
することができるうえに、ＵＶオゾン、Ｏ2 プラズマな
どの他のドライ洗浄に比べ、異物の除去能力をより高め
られるものと期待されている。
ライ洗浄ということができるから、ウエツト洗浄におけ
る異物の再付着の問題や乾燥工程での汚染の問題を回避
することができるうえに、ＵＶオゾン、Ｏ2 プラズマな
どの他のドライ洗浄に比べ、異物の除去能力をより高め
られるものと期待されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記提案の
方法は、粘着テ―プが半導体ウエハに対しロ―ラ周面上
で点接触ないし線接触によりわずか数秒程度接触するだ
けの操作であるため、ウエハ上の異物を粘着剤層面に十
分に吸着させにくい難点がある。
方法は、粘着テ―プが半導体ウエハに対しロ―ラ周面上
で点接触ないし線接触によりわずか数秒程度接触するだ
けの操作であるため、ウエハ上の異物を粘着剤層面に十
分に吸着させにくい難点がある。
【０００９】この欠点は、たとえば、ロ―ラ周面に巻き
付けた粘着テ―プと半導体ウエハとの相対接触速度を可
能な限りおそくしたり、あるいはゴム製弾性ロ―ラの直
径を十分に大きくする、たとえば約２〜３ｍ程度の直径
にすることなどにより、ある程度回避できるものと思わ
れるが、半導体ウエハの生産性や経済性などの点からす
ると実用的ではなく、工業的実施は極めて難しい。
付けた粘着テ―プと半導体ウエハとの相対接触速度を可
能な限りおそくしたり、あるいはゴム製弾性ロ―ラの直
径を十分に大きくする、たとえば約２〜３ｍ程度の直径
にすることなどにより、ある程度回避できるものと思わ
れるが、半導体ウエハの生産性や経済性などの点からす
ると実用的ではなく、工業的実施は極めて難しい。
【００１０】そこで、上記提案の方法では、実用的な接
触速度および回転ロ―ラの実用的な直径のもとに、粘着
テ―プを巻き付けたロ―ラを半導体ウエハの表面上で何
度も転動させることにより、ウエハ上の異物を粘着剤層
面に十分に吸着させるようにしているが、この場合、一
旦除去された異物が再度半導体ウエハに接触して再付着
するため、異物の除去効率が却つて低下することにな
る。
触速度および回転ロ―ラの実用的な直径のもとに、粘着
テ―プを巻き付けたロ―ラを半導体ウエハの表面上で何
度も転動させることにより、ウエハ上の異物を粘着剤層
面に十分に吸着させるようにしているが、この場合、一
旦除去された異物が再度半導体ウエハに接触して再付着
するため、異物の除去効率が却つて低下することにな
る。
【００１１】本発明は、このような事情に鑑み、ウエツ
ト洗浄方式に比べて有用な粘着テ―プを用いたドライ洗
浄方式により、半導体ウエハに付着した異物を高い除去
率で除去する方法を提供することを目的としている。
ト洗浄方式に比べて有用な粘着テ―プを用いたドライ洗
浄方式により、半導体ウエハに付着した異物を高い除去
率で除去する方法を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的に対し鋭意検討した結果、粘着テ―プを回転ロ―ラに
巻き付けて押圧操作するのではなく、半導体ウエハ上に
その全面にわたつて貼り付けて、ウエハ上の異物と粘着
剤層面とをある程度の所要時間をもつて十分に馴染ませ
たうえで、剥離操作したときには、ウエハ上の異物を高
い除去率で吸着除去できることを知り、本発明を完成す
るに至つた。
的に対し鋭意検討した結果、粘着テ―プを回転ロ―ラに
巻き付けて押圧操作するのではなく、半導体ウエハ上に
その全面にわたつて貼り付けて、ウエハ上の異物と粘着
剤層面とをある程度の所要時間をもつて十分に馴染ませ
たうえで、剥離操作したときには、ウエハ上の異物を高
い除去率で吸着除去できることを知り、本発明を完成す
るに至つた。
【００１３】本発明は、半導体ウエハの表面および／ま
たは裏面の全面に、支持フイルムと粘着剤層とからなる
粘着テ―プを、粘着剤層面が上記表面および／または裏
面の異物と十分に馴染むように貼り付けたのち、この粘
着テ―プを剥離操作することにより、上記異物を粘着剤
層面に吸着させて半導体ウエハから除去することを特徴
とする半導体ウエハに付着した異物の除去方法に係るも
のである。
たは裏面の全面に、支持フイルムと粘着剤層とからなる
粘着テ―プを、粘着剤層面が上記表面および／または裏
面の異物と十分に馴染むように貼り付けたのち、この粘
着テ―プを剥離操作することにより、上記異物を粘着剤
層面に吸着させて半導体ウエハから除去することを特徴
とする半導体ウエハに付着した異物の除去方法に係るも
のである。
【００１４】
【発明の構成・作用】図１は、本発明に用いる粘着テ―
プの一例を示したものである。１は粘着テ―プで、支持
フイルム１１上に粘着剤層１２を設けた構成となつてい
る。
プの一例を示したものである。１は粘着テ―プで、支持
フイルム１１上に粘着剤層１２を設けた構成となつてい
る。
【００１５】支持フイルム１１は、ポリエステル、ポリ
カ―ボネ―ト、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル
共重合体、エチレン−エチルアクリレ―ト共重合体、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共
重合体などのプラスチツクからなる厚さが通常１０〜
１，０００μｍのフイルムである。
カ―ボネ―ト、ポリ塩化ビニル、エチレン−酢酸ビニル
共重合体、エチレン−エチルアクリレ―ト共重合体、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共
重合体などのプラスチツクからなる厚さが通常１０〜
１，０００μｍのフイルムである。
【００１６】粘着剤層１２は、アクリル樹脂系、シリコ
―ン樹脂系、フツ素樹脂系、ゴム系（天然ゴム、合成ゴ
ム）などのポリマ―を主成分とした、常温下で感圧接着
性を有するものであり、厚さは通常５〜１００μｍであ
る。このような粘着剤層は、上記ポリマ―を主成分とし
た粘着剤を支持フイルム１１上に塗着し、加熱などによ
り架橋処理することにより、また離型紙上に上記と同じ
方法で形成した粘着剤層を支持フイルム１１上に貼着す
ることにより、形成できる。
―ン樹脂系、フツ素樹脂系、ゴム系（天然ゴム、合成ゴ
ム）などのポリマ―を主成分とした、常温下で感圧接着
性を有するものであり、厚さは通常５〜１００μｍであ
る。このような粘着剤層は、上記ポリマ―を主成分とし
た粘着剤を支持フイルム１１上に塗着し、加熱などによ
り架橋処理することにより、また離型紙上に上記と同じ
方法で形成した粘着剤層を支持フイルム１１上に貼着す
ることにより、形成できる。
【００１７】本発明では、粘着テ―プを半導体ウエハに
貼り付けて、半導体ウエハ上の異物を粘着剤層面によく
馴染ませたのち、剥離操作して、上記異物を吸着除去す
ることを基本とする。よつて、粘着剤層１２は、貼り
付け時、剥離操作時のそれぞれに適した特性を有して
いる必要がある。しかし、現実には、とで要求され
る特性は、通常相反するものとなる。つまり、の貼り
付け時には、粘着剤は異物に馴染むように塑性変形しや
すく、かつ高粘着力であることが必要であり、一方、
の剥離操作時には、異物を確実に固定するため、粘着剤
は硬く、強靭であり、かつ低粘着力であることが必要で
ある。
貼り付けて、半導体ウエハ上の異物を粘着剤層面によく
馴染ませたのち、剥離操作して、上記異物を吸着除去す
ることを基本とする。よつて、粘着剤層１２は、貼り
付け時、剥離操作時のそれぞれに適した特性を有して
いる必要がある。しかし、現実には、とで要求され
る特性は、通常相反するものとなる。つまり、の貼り
付け時には、粘着剤は異物に馴染むように塑性変形しや
すく、かつ高粘着力であることが必要であり、一方、
の剥離操作時には、異物を確実に固定するため、粘着剤
は硬く、強靭であり、かつ低粘着力であることが必要で
ある。
【００１８】このような特性を実現させる第一の手段
は、，の各段階でバランスよく適合する特性を持つ
た粘着剤を選択することである。この目的には、特性が
比較的安定しているアクリル系樹脂を主成分としたもの
が好ましく用いられる。シリコンウエハに対する粘着力
としては、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１
８０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／
分）が、通常５０〜５００ｇ／２０mm幅にあるものが適
している。
は、，の各段階でバランスよく適合する特性を持つ
た粘着剤を選択することである。この目的には、特性が
比較的安定しているアクリル系樹脂を主成分としたもの
が好ましく用いられる。シリコンウエハに対する粘着力
としては、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定される１
８０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３００mm／
分）が、通常５０〜５００ｇ／２０mm幅にあるものが適
している。
【００１９】また、第二の手段は、，の各段階で適
合するように、段階ごとに特性を変化させることであ
る。この目的には、活性エネルギ−源の供給により特性
が変化する粘着剤が好ましく用いられる。ここで、活性
エネルギ−源とは、たとえば、紫外線、赤外線（熱）、
電子線、エツクス線などに代表される電磁波、超音波な
どに代表される弾性波のことである。
合するように、段階ごとに特性を変化させることであ
る。この目的には、活性エネルギ−源の供給により特性
が変化する粘着剤が好ましく用いられる。ここで、活性
エネルギ−源とは、たとえば、紫外線、赤外線（熱）、
電子線、エツクス線などに代表される電磁波、超音波な
どに代表される弾性波のことである。
【００２０】上記特性が変化する粘着剤には、紫外線硬
化性粘着剤、電子線硬化性粘着剤、熱硬化性粘着剤、熱
可塑性粘着剤、熱発泡性粘着剤などがあり、それぞれ単
独で用いてもよいし、複数種を同時に用いてもよい。シ
リコンウエハに対する粘着力としては、ＪＩＳ Ｚ−０
２３７に準じて測定される１８０度引き剥がし粘着力
（常温、剥離速度３００mm／分）が、活性エネルギ−源
供給前（貼り付け時）で通常５００〜２，０００ｇ／２
０mm幅であり、活性エネルギ−源供給後（剥離操作時）
で通常３〜５００ｇ／２０mm幅となるものが適してい
る。
化性粘着剤、電子線硬化性粘着剤、熱硬化性粘着剤、熱
可塑性粘着剤、熱発泡性粘着剤などがあり、それぞれ単
独で用いてもよいし、複数種を同時に用いてもよい。シ
リコンウエハに対する粘着力としては、ＪＩＳ Ｚ−０
２３７に準じて測定される１８０度引き剥がし粘着力
（常温、剥離速度３００mm／分）が、活性エネルギ−源
供給前（貼り付け時）で通常５００〜２，０００ｇ／２
０mm幅であり、活性エネルギ−源供給後（剥離操作時）
で通常３〜５００ｇ／２０mm幅となるものが適してい
る。
【００２１】図２は、上記構成の粘着テ―プ１を用い
て、半導体ウエハに付着した異物を除去する本発明の洗
浄方法を示したものである。まず、半導体ウエハ３の表
面３ａ（および／または裏面３ｂ）の全面に、粘着テ―
プ１を貼り付けて、粘着剤層１２面を上記表面３ａ上の
異物２に対して十分に馴染ませる。これは、たとえば、
粘着テ―プ１を上記表面３ａにハンドロ―ラ（図示せ
ず）により押圧したのち、数分程度放置するといつた方
法で行えばよい。
て、半導体ウエハに付着した異物を除去する本発明の洗
浄方法を示したものである。まず、半導体ウエハ３の表
面３ａ（および／または裏面３ｂ）の全面に、粘着テ―
プ１を貼り付けて、粘着剤層１２面を上記表面３ａ上の
異物２に対して十分に馴染ませる。これは、たとえば、
粘着テ―プ１を上記表面３ａにハンドロ―ラ（図示せ
ず）により押圧したのち、数分程度放置するといつた方
法で行えばよい。
【００２２】このように貼り付けたのち、図示のよう
に、粘着テ―プ１の端部より引き剥がす、剥離操作を施
すと、上記表面３ａの異物２は粘着剤層１２面に吸着さ
れて、上記表面３ａから除去される。その除去率は、従
来のドライ洗浄はもちろんのこと、ウエツト洗浄や既提
案の粘着テ―プを用いる方法に比べて、高い値となる。
一般には、０．２μｍ以上の大きさの異物を５０％以
上、好ましくは７０％以上除去できるほどの高い除去率
が得られる。
に、粘着テ―プ１の端部より引き剥がす、剥離操作を施
すと、上記表面３ａの異物２は粘着剤層１２面に吸着さ
れて、上記表面３ａから除去される。その除去率は、従
来のドライ洗浄はもちろんのこと、ウエツト洗浄や既提
案の粘着テ―プを用いる方法に比べて、高い値となる。
一般には、０．２μｍ以上の大きさの異物を５０％以
上、好ましくは７０％以上除去できるほどの高い除去率
が得られる。
【００２３】この理由は、ウエハ表面の全面にわたり粘
着テ―プを貼り付けて、かつ異物と粘着剤層面とを十分
に馴染ませるようにしたためであり、またその結果とし
て、上記一度の貼り付けおよび剥離操作によつて初期の
除去目的を達成でき、既提案の繰り返し転動による異物
の再付着といつた問題を一切生じないためである。さら
には、粘着剤層として、前記特性を持つたものを使用す
ることにより、剥離操作後に粘着剤がウエハ表面に付着
して、ウエハを汚染するといつた問題を招くおそれも少
ないためである。
着テ―プを貼り付けて、かつ異物と粘着剤層面とを十分
に馴染ませるようにしたためであり、またその結果とし
て、上記一度の貼り付けおよび剥離操作によつて初期の
除去目的を達成でき、既提案の繰り返し転動による異物
の再付着といつた問題を一切生じないためである。さら
には、粘着剤層として、前記特性を持つたものを使用す
ることにより、剥離操作後に粘着剤がウエハ表面に付着
して、ウエハを汚染するといつた問題を招くおそれも少
ないためである。
【００２４】このように半導体ウエハ上の異物を高い除
去率で洗浄除去すると、回路形成時の回路の断線やシヨ
―ト、露光不良発生が低減し、最終的に作製される半導
体デバイスの歩留りや信頼性が大幅に向上する。たとえ
ば、上記歩留りは、従来のウエツト洗浄を適用した場合
よりも、１０％以上確実に向上できる。また、地球環境
保全の立場からみて、従来のウエツト洗浄やドライ洗浄
のような純水、薬品、空気、電力などを大量に消費する
洗浄方式を、上記本発明の方式に置き換えることで、地
球環境保全に大きく寄与させることができる。
去率で洗浄除去すると、回路形成時の回路の断線やシヨ
―ト、露光不良発生が低減し、最終的に作製される半導
体デバイスの歩留りや信頼性が大幅に向上する。たとえ
ば、上記歩留りは、従来のウエツト洗浄を適用した場合
よりも、１０％以上確実に向上できる。また、地球環境
保全の立場からみて、従来のウエツト洗浄やドライ洗浄
のような純水、薬品、空気、電力などを大量に消費する
洗浄方式を、上記本発明の方式に置き換えることで、地
球環境保全に大きく寄与させることができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、粘着テ―プを用いるド
ライ洗浄方式により、半導体ウエハに付着した異物を高
い除去率で除去できるから、半導体デバイスの歩留りや
信頼性の向上に大きく寄与させることができる。また、
従来の他の洗浄方式などに比べて、地球環境保全の面で
の寄与効果も得られる。
ライ洗浄方式により、半導体ウエハに付着した異物を高
い除去率で除去できるから、半導体デバイスの歩留りや
信頼性の向上に大きく寄与させることができる。また、
従来の他の洗浄方式などに比べて、地球環境保全の面で
の寄与効果も得られる。
【００２６】
【実施例】以下に、本発明の実施例を記載して、より具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００２７】実施例１ 厚さ５０μｍのポリエステル支持フイルムのコロナ処理
面に、アクリル系粘着剤の溶液を塗布し、１２０℃で３
分間加熱架橋処理して、厚さ２０μｍの粘着剤層を有す
る粘着テ―プを作製した。シリコンウエハ（ミラ―面）
に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定
される１８０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３０
０mm／分）で２００ｇ／２０mm幅であつた。
面に、アクリル系粘着剤の溶液を塗布し、１２０℃で３
分間加熱架橋処理して、厚さ２０μｍの粘着剤層を有す
る粘着テ―プを作製した。シリコンウエハ（ミラ―面）
に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定
される１８０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３０
０mm／分）で２００ｇ／２０mm幅であつた。
【００２８】０．２μｍ以上の大きさの異物が０個であ
る５インチシリコンウエハ（回路パタ―ンのないミラ―
ウエハ）を所定の工程（イオン打ち込み処理工程）に通
して異物を付着させ、レ―ザ―表面検査装置〔日立電子
エンジニアリング（株）製のＬＳ−５０００；シリコン
ウエハのミラ―面のみ異物数をカウントすることができ
る装置〕を用い、ミラ―面に付着した０．２μｍ以上の
大きさの異物の数をカウントした。なお、ウエハの表裏
に付着する異物をカウントするため、ミラ―面を表裏逆
にした２通りの場合について同様の検査を行つた。
る５インチシリコンウエハ（回路パタ―ンのないミラ―
ウエハ）を所定の工程（イオン打ち込み処理工程）に通
して異物を付着させ、レ―ザ―表面検査装置〔日立電子
エンジニアリング（株）製のＬＳ−５０００；シリコン
ウエハのミラ―面のみ異物数をカウントすることができ
る装置〕を用い、ミラ―面に付着した０．２μｍ以上の
大きさの異物の数をカウントした。なお、ウエハの表裏
に付着する異物をカウントするため、ミラ―面を表裏逆
にした２通りの場合について同様の検査を行つた。
【００２９】異物洗浄試験として、上記のように異物を
付着させたシリコンウエハのミラ―面に、前記の方法で
作製した粘着テ―プを、ハンドロ―ラを用いて貼り付
け、３分間放置したのち、粘着テ―プを剥離操作して、
洗浄した。この洗浄後、再びレ―ザ―表面検査装置を用
いて、ミラ―面に付着している０．２μｍ以上の大きさ
の異物の数をカウントした。この貼り付けおよび剥離操
作による洗浄後の異物数と、洗浄前の異物数とから、異
物除去率を算出した。
付着させたシリコンウエハのミラ―面に、前記の方法で
作製した粘着テ―プを、ハンドロ―ラを用いて貼り付
け、３分間放置したのち、粘着テ―プを剥離操作して、
洗浄した。この洗浄後、再びレ―ザ―表面検査装置を用
いて、ミラ―面に付着している０．２μｍ以上の大きさ
の異物の数をカウントした。この貼り付けおよび剥離操
作による洗浄後の異物数と、洗浄前の異物数とから、異
物除去率を算出した。
【００３０】これとは別に、粘着剤による汚染試験とし
て、０．２μｍ以上の大きさの異物が０個である５イン
チシリコンウエハ（回路パタ―ンのないミラ―ウエハ）
のミラ―面に、前記の方法で作製した粘着テ―プを、ハ
ンドロ―ラを用いて貼り付け、３分間放置したのち、粘
着テ―プを剥離操作した。この操作後、レ―ザ―表面検
査装置を用いて、ミラ―面に付着している０．２μｍ以
上の大きさの異物の数をカウントし、粘着剤の付着によ
る汚染状況を調べた。
て、０．２μｍ以上の大きさの異物が０個である５イン
チシリコンウエハ（回路パタ―ンのないミラ―ウエハ）
のミラ―面に、前記の方法で作製した粘着テ―プを、ハ
ンドロ―ラを用いて貼り付け、３分間放置したのち、粘
着テ―プを剥離操作した。この操作後、レ―ザ―表面検
査装置を用いて、ミラ―面に付着している０．２μｍ以
上の大きさの異物の数をカウントし、粘着剤の付着によ
る汚染状況を調べた。
【００３１】なお、上記の異物洗浄試験（異物除去率の
測定）および粘着剤汚染試験（付着異物数の測定）に際
し、一連の作業は、クラス１０のクリ―ンル―ム内（温
度２３℃、湿度６０％）で行つた。これらの試験結果
は、後記の表１（ウエハ表面）および表２（ウエハ裏
面）に示されるとおりであつた。
測定）および粘着剤汚染試験（付着異物数の測定）に際
し、一連の作業は、クラス１０のクリ―ンル―ム内（温
度２３℃、湿度６０％）で行つた。これらの試験結果
は、後記の表１（ウエハ表面）および表２（ウエハ裏
面）に示されるとおりであつた。
【００３２】実施例２ 粘着剤としてアクリル系紫外線硬化性粘着剤を用いたほ
かは、実施例１に準じて厚さ２０μｍの粘着剤層を有す
る粘着テ―プを作製した。シリコンウエハ（ミラ―面）
に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定
される１８０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３０
０mm／分）で１，０５０ｇ／２０mm幅であつた。また、
紫外線（波長３６５nm、１，０００ｍｊ／cm2 ）照射後
の上記同様の１８０度引き剥がし粘着力は、８ｇ／２０
mm幅であつた。
かは、実施例１に準じて厚さ２０μｍの粘着剤層を有す
る粘着テ―プを作製した。シリコンウエハ（ミラ―面）
に対する粘着力は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定
される１８０度引き剥がし粘着力（常温、剥離速度３０
０mm／分）で１，０５０ｇ／２０mm幅であつた。また、
紫外線（波長３６５nm、１，０００ｍｊ／cm2 ）照射後
の上記同様の１８０度引き剥がし粘着力は、８ｇ／２０
mm幅であつた。
【００３３】この粘着テ―プを用い、剥離操作前に紫外
線（波長３６５nm、１，０００ｍｊ／cm2 ）照射処理を
施すようにした以外は、実施例１と同様にして、異物洗
浄試験（異物除去率の測定）および粘着剤汚染試験（付
着異物数の測定）を行つた。これらの試験結果は、後記
の表１（ウエハ表面）および表２（ウエハ裏面）に示さ
れるとおりであつた。
線（波長３６５nm、１，０００ｍｊ／cm2 ）照射処理を
施すようにした以外は、実施例１と同様にして、異物洗
浄試験（異物除去率の測定）および粘着剤汚染試験（付
着異物数の測定）を行つた。これらの試験結果は、後記
の表１（ウエハ表面）および表２（ウエハ裏面）に示さ
れるとおりであつた。
【００３４】比較例１ 異物洗浄試験として、実施例１と同様の操作により異物
を付着させたシリコンウエハのミラ―面を、超純水洗浄
装置（現行ウエツト洗浄方法）を用いて、所定の条件に
て洗浄した。乾燥後、レ―ザ―表面検査装置を用いて、
ミラ―面に付着している０．２μｍ以上の大きさの異物
の数をカウントした。この洗浄後の異物数と、洗浄前に
上記同様の装置を用いてカウントした０．２μｍ以上の
大きさの異物の数とから、異物除去率を算出した。この
試験結果は、後記の表１（ウエハ表面）および表２（ウ
エハ裏面）に示されるとおりであつた。
を付着させたシリコンウエハのミラ―面を、超純水洗浄
装置（現行ウエツト洗浄方法）を用いて、所定の条件に
て洗浄した。乾燥後、レ―ザ―表面検査装置を用いて、
ミラ―面に付着している０．２μｍ以上の大きさの異物
の数をカウントした。この洗浄後の異物数と、洗浄前に
上記同様の装置を用いてカウントした０．２μｍ以上の
大きさの異物の数とから、異物除去率を算出した。この
試験結果は、後記の表１（ウエハ表面）および表２（ウ
エハ裏面）に示されるとおりであつた。
【００３５】比較例２ 洗浄方法をＵＶオゾン洗浄（現行ドライ洗浄）に代えた
ほかは、比較例１に準じて異物洗浄試験を行い、異物除
去率を算出した。この試験結果は、後記の表１（ウエハ
表面）および表２（ウエハ裏面）に示されるとおりであ
つた。
ほかは、比較例１に準じて異物洗浄試験を行い、異物除
去率を算出した。この試験結果は、後記の表１（ウエハ
表面）および表２（ウエハ裏面）に示されるとおりであ
つた。
【００３６】比較例３ 図３に示すように、実施例１で作製した粘着テ―プ１
を、直径５０mm、幅１８０mmのゴム製円筒形弾性ロ―ラ
４の周囲側面に、粘着剤層面を外側にして巻き付け、こ
れを治具５に装着した。実施例１と同様の操作により異
物を付着させたシリコンウエハ３を、シリコンウエハ固
定台６に載置して送り速度４０mm／分で走行させなが
ら、その上より上記の弾性ロ―ラ４を回転させながら押
圧操作して、粘着剤層面をウエハ表面に接触させ、１枚
目のシリコンウエハ３Ａから２枚目のシリコンウエハ３
Ｂにかけ連続して洗浄処理した。
を、直径５０mm、幅１８０mmのゴム製円筒形弾性ロ―ラ
４の周囲側面に、粘着剤層面を外側にして巻き付け、こ
れを治具５に装着した。実施例１と同様の操作により異
物を付着させたシリコンウエハ３を、シリコンウエハ固
定台６に載置して送り速度４０mm／分で走行させなが
ら、その上より上記の弾性ロ―ラ４を回転させながら押
圧操作して、粘着剤層面をウエハ表面に接触させ、１枚
目のシリコンウエハ３Ａから２枚目のシリコンウエハ３
Ｂにかけ連続して洗浄処理した。
【００３７】この洗浄後、レ―ザ―表面検査装置を用い
て、ミラ―面に付着している０．２μｍ以上の大きさの
異物の数をカウントした。この洗浄後の異物数と、洗浄
前に上記同様の装置を用いてカウントした０．２μｍ以
上の大きさの異物の数とから、異物除去率を算出した。
また、この異物洗浄試験とは別に、粘着剤汚染試験とし
て、実施例１と同様の異物の付着しない５インチシリコ
ンウエハを用いて、これに上記と同様に弾性ロ―ラの回
転により粘着テ―プを押圧接触させたときの汚染状況を
調べた。これらの試験結果は、後記の表１（ウエハ表
面）および表２（ウエハ裏面）に示されるとおりであつ
た。
て、ミラ―面に付着している０．２μｍ以上の大きさの
異物の数をカウントした。この洗浄後の異物数と、洗浄
前に上記同様の装置を用いてカウントした０．２μｍ以
上の大きさの異物の数とから、異物除去率を算出した。
また、この異物洗浄試験とは別に、粘着剤汚染試験とし
て、実施例１と同様の異物の付着しない５インチシリコ
ンウエハを用いて、これに上記と同様に弾性ロ―ラの回
転により粘着テ―プを押圧接触させたときの汚染状況を
調べた。これらの試験結果は、後記の表１（ウエハ表
面）および表２（ウエハ裏面）に示されるとおりであつ
た。
【００３８】
【表１】
【００３９】
【表２】
【００４０】上記の表１，表２の結果から明らかなよう
に、本発明によれば、シリコンウエハの表面や裏面に付
着した異物を、７０％以上の高い除去率で除去できるも
のであることがわかる。とくに実施例２では、粘着剤の
特性である粘着力および粘着剤の硬さを、貼り付け時お
よび剥離操作時の各段階に適するように変化させた、つ
まり貼り付け時は高粘着力で柔らかく、剥離操作時は低
粘着力で硬い特性を持つように設定したことにより、約
８０％もの非常に高い除去率が得られることが明らかで
ある。また、実施例１，２のいずれの粘着テ―プにおい
ても、ウエハの汚染程度が少なく、ウエハに付着した異
物を除去するという洗浄目的にほとんど支障をきたさな
いものであることも明らかである。
に、本発明によれば、シリコンウエハの表面や裏面に付
着した異物を、７０％以上の高い除去率で除去できるも
のであることがわかる。とくに実施例２では、粘着剤の
特性である粘着力および粘着剤の硬さを、貼り付け時お
よび剥離操作時の各段階に適するように変化させた、つ
まり貼り付け時は高粘着力で柔らかく、剥離操作時は低
粘着力で硬い特性を持つように設定したことにより、約
８０％もの非常に高い除去率が得られることが明らかで
ある。また、実施例１，２のいずれの粘着テ―プにおい
ても、ウエハの汚染程度が少なく、ウエハに付着した異
物を除去するという洗浄目的にほとんど支障をきたさな
いものであることも明らかである。
【００４１】これに対し、比較例１，２では、異物除去
率が低く、とくに比較例２では付着した異物はほとんど
除去されていない。また、比較例３では、シリコンウエ
ハ上への粘着テ―プの貼り付けおよび剥離が、シリコン
ウエハ上の任意の点でわずか数秒の間起こつているだけ
のため、粘着剤層表面に異物を十分に吸着させることが
できず、高い異物除去率を望めない。とくに１μｍ以下
の大きさの異物はほとんど除去されていなかつた。しか
も、２枚目では、１枚目で除去した異物の再付着が認め
られ、異物除去率がさらに低くなつている。
率が低く、とくに比較例２では付着した異物はほとんど
除去されていない。また、比較例３では、シリコンウエ
ハ上への粘着テ―プの貼り付けおよび剥離が、シリコン
ウエハ上の任意の点でわずか数秒の間起こつているだけ
のため、粘着剤層表面に異物を十分に吸着させることが
できず、高い異物除去率を望めない。とくに１μｍ以下
の大きさの異物はほとんど除去されていなかつた。しか
も、２枚目では、１枚目で除去した異物の再付着が認め
られ、異物除去率がさらに低くなつている。
【００４２】なお、上記の実施例１，２および比較例１
で示した洗浄方法を、所定の半導体ウエハの製造工程に
適用し、最終的に得られた半導体デバイスの歩留りを集
計した結果、実施例１および実施例２の方法では、比較
例１の方法と比較して、歩留りがそれぞれ１２％および
１５％高いことがわかつた。
で示した洗浄方法を、所定の半導体ウエハの製造工程に
適用し、最終的に得られた半導体デバイスの歩留りを集
計した結果、実施例１および実施例２の方法では、比較
例１の方法と比較して、歩留りがそれぞれ１２％および
１５％高いことがわかつた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に用いる粘着テ―プの一例を示す断面図
である。
である。
【図２】本発明の異物の除去方法の一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図３】本発明とは異なる異物の除去方法を示す概略側
面図である。
面図である。
１ 粘着テ―プ １１ 支持フイルム １２ 粘着剤層 ２ 異物 ３ 半導体ウエハ ３ａ 半導体ウエハの表面 ３ｂ 半導体ウエハの裏面
フロントページの続き (72)発明者 三木 和幸 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 松村 健 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 暮石 芳憲 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 石川 勉 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 高田 仁志 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハの表面および／または裏面
の全面に、支持フイルムと粘着剤層とからなる粘着テ―
プを、粘着剤層面が上記表面および／または裏面の異物
と十分に馴染むように貼り付けたのち、この粘着テ―プ
を剥離操作することにより、上記異物を粘着剤層面に吸
着させて半導体ウエハから除去することを特徴とする半
導体ウエハに付着した異物の除去方法。 - 【請求項２】 ０．２μｍ以上の大きさの異物を５０％
以上の除去率で除去する請求項１に記載の半導体ウエハ
に付着した異物の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24733694A JP3534847B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 半導体ウエハに付着した異物の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24733694A JP3534847B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 半導体ウエハに付着した異物の除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0888207A true JPH0888207A (ja) | 1996-04-02 |
| JP3534847B2 JP3534847B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=17161897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24733694A Expired - Lifetime JP3534847B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 半導体ウエハに付着した異物の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3534847B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9111966B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-08-18 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2018085481A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 信越ポリマー株式会社 | ゴム弾性部材の再生方法 |
| JP2018187895A (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-29 | 信越ポリマー株式会社 | ゴム弾性部材の再生方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI420579B (zh) | 2005-07-12 | 2013-12-21 | 創意科技股份有限公司 | And a foreign matter removing method for a substrate |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP24733694A patent/JP3534847B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9111966B2 (en) | 2011-09-28 | 2015-08-18 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
| JP2018085481A (ja) * | 2016-11-25 | 2018-05-31 | 信越ポリマー株式会社 | ゴム弾性部材の再生方法 |
| JP2018187895A (ja) * | 2017-05-11 | 2018-11-29 | 信越ポリマー株式会社 | ゴム弾性部材の再生方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3534847B2 (ja) | 2004-06-07 |
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