JPH0892259A - シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物 - Google Patents
シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物Info
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- JPH0892259A JPH0892259A JP7214261A JP21426195A JPH0892259A JP H0892259 A JPH0892259 A JP H0892259A JP 7214261 A JP7214261 A JP 7214261A JP 21426195 A JP21426195 A JP 21426195A JP H0892259 A JPH0892259 A JP H0892259A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シラシクロヘキサン環を有する液晶化合物を
提供する。 【構成】 下記一般式（Ｉ）で表されるシラシクロヘキ
サン化合物。 但し、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数
１〜１０のモノ又はジフルオロアルキル基、炭素数３〜
８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキシア
ルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表す。 は１又は４位のケイ素がＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＨ3の置換
基を持つトランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレ
ン基又はトランス−４−シラ−１，４−シクロへキシレ
ン基を表す。Ｌ1及びＬ2はそれぞれ相互に独立してＨ又
はＦを表す。Ｌ3及びＬ4はそれぞれ相互に独立してＨ、
Ｆ又はＣｌを表す。ＸはＨ、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ3、
ＣＦ2Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｃｌ、ＯＣ
ＨＦＣｌ、ＯＣＨＦ2、炭素数１〜１０の直鎖状アルキ
ル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基を表す。ｉは
０、１又は２を表す。
提供する。 【構成】 下記一般式（Ｉ）で表されるシラシクロヘキ
サン化合物。 但し、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数
１〜１０のモノ又はジフルオロアルキル基、炭素数３〜
８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキシア
ルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表す。 は１又は４位のケイ素がＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＨ3の置換
基を持つトランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレ
ン基又はトランス−４−シラ−１，４−シクロへキシレ
ン基を表す。Ｌ1及びＬ2はそれぞれ相互に独立してＨ又
はＦを表す。Ｌ3及びＬ4はそれぞれ相互に独立してＨ、
Ｆ又はＣｌを表す。ＸはＨ、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ3、
ＣＦ2Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｃｌ、ＯＣ
ＨＦＣｌ、ＯＣＨＦ2、炭素数１〜１０の直鎖状アルキ
ル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基を表す。ｉは
０、１又は２を表す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なシラシクロヘキ
サン化合物、その製造方法、これを含有する液晶組成物
及びこの液晶組成物を含有する液晶表示素子に関する。
サン化合物、その製造方法、これを含有する液晶組成物
及びこの液晶組成物を含有する液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、液晶物質が持つ光学異
方性及び誘電異電性を利用したものであり、その表示様
式によって、ＴＮ型（ねじれネマチック型）、ＳＴＮ型
（超ねじれネマチック型）、ＳＢＥ型（超複屈折型）、
ＤＳ型（動的散乱型）、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型
（整列相の変形型）及びＯＭＩ型（光学的モード干渉
型）等、各種の方式がある。最も一般的なディスプレイ
デバイスはシャット−ヘルフリッヒ効果に基づき、ねじ
れネマチック構造を有するものである。
方性及び誘電異電性を利用したものであり、その表示様
式によって、ＴＮ型（ねじれネマチック型）、ＳＴＮ型
（超ねじれネマチック型）、ＳＢＥ型（超複屈折型）、
ＤＳ型（動的散乱型）、ゲスト・ホスト型、ＤＡＰ型
（整列相の変形型）及びＯＭＩ型（光学的モード干渉
型）等、各種の方式がある。最も一般的なディスプレイ
デバイスはシャット−ヘルフリッヒ効果に基づき、ねじ
れネマチック構造を有するものである。
【０００３】これらの液晶表示に用いられる液晶物質に
要求される性質は、その表示方式によって若干異なる
が、液晶温度範囲が広いこと、水分、空気、光、熱、電
界等に対して安定であること等は、いずれの表示方式に
おいても共通して要求される。さらに、液晶材料は、低
粘度であり、且つセル中において短いアドレス時間、低
い閾値電圧及び高いコントラストを与えることが望まれ
る。
要求される性質は、その表示方式によって若干異なる
が、液晶温度範囲が広いこと、水分、空気、光、熱、電
界等に対して安定であること等は、いずれの表示方式に
おいても共通して要求される。さらに、液晶材料は、低
粘度であり、且つセル中において短いアドレス時間、低
い閾値電圧及び高いコントラストを与えることが望まれ
る。
【０００４】現在、単一の化合物でこれらの要求をすべ
て満たす物質はなく、実際には数種〜１０数種の液晶化
合物・潜在液晶化合物を混合して得られる液晶性混合物
が使用されている。それ故、構成成分が互いに容易に混
和できることが重要ともなる。
て満たす物質はなく、実際には数種〜１０数種の液晶化
合物・潜在液晶化合物を混合して得られる液晶性混合物
が使用されている。それ故、構成成分が互いに容易に混
和できることが重要ともなる。
【０００５】これらの構成成分のうち、高いＴNI（ネマ
チック−アイソトロピック転移温度）と高いΔｎ（屈折
率異方性）とを同時に備えた液晶物質として、以下の化
合物が知られている。
チック−アイソトロピック転移温度）と高いΔｎ（屈折
率異方性）とを同時に備えた液晶物質として、以下の化
合物が知られている。
【０００６】
【化１３】 （Ｚ1、Ｚ2及びＺ3はそれぞれ相互に独立してＨ又は
Ｆ、ＸはＦ、ＣＮ又はＣｌを表す。）（特表平３−５０
３７７１号公報参照）
Ｆ、ＸはＦ、ＣＮ又はＣｌを表す。）（特表平３−５０
３７７１号公報参照）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】近年、液晶ディスプレ
イーの用途が拡大するにつれて、液晶材料に要求される
特性も益々高度なものになりつつあり、また駆動方式、
動作モードに関しても多様化が進みつつある。
イーの用途が拡大するにつれて、液晶材料に要求される
特性も益々高度なものになりつつあり、また駆動方式、
動作モードに関しても多様化が進みつつある。
【０００９】特に車載用には、その使用環境から、高温
度にまで拡大したネマチック相を持つ液晶材料が必要と
なる。ネマチック相を高温部にまで拡大するには、高い
ＴN1（ネマチック−アイソトロピック転移温度）を持つ
液晶化合物を構成成分に加えればよい。
度にまで拡大したネマチック相を持つ液晶材料が必要と
なる。ネマチック相を高温部にまで拡大するには、高い
ＴN1（ネマチック−アイソトロピック転移温度）を持つ
液晶化合物を構成成分に加えればよい。
【００１０】一方、従来から知られている動作モードと
してＳＴＮ（スーパーツイステッドネマチック）モード
があるが、最近、その欠点であった低応答速度を改良す
るアクティブアドレシング駆動方式が開発され、実用化
されつつある。これに使用される液晶材料としては、セ
ルギャップを狭くしたことに対応する高いΔｎ（屈折率
異方性）を持った液晶材料が必要となる。
してＳＴＮ（スーパーツイステッドネマチック）モード
があるが、最近、その欠点であった低応答速度を改良す
るアクティブアドレシング駆動方式が開発され、実用化
されつつある。これに使用される液晶材料としては、セ
ルギャップを狭くしたことに対応する高いΔｎ（屈折率
異方性）を持った液晶材料が必要となる。
【００１１】他方、新規な表示方式としてＰＤＬＣ（ポ
リマー分散液晶）方式あるいはＰＮＬＣ（ポリマーネッ
トワーク液晶）方式が提案され、実用化に向けて開発が
進んでいる。これらの表示モードはいずれも散乱モード
であるため、コントラストを上げるにはΔｎの大きな液
晶材料を必要とする。
リマー分散液晶）方式あるいはＰＮＬＣ（ポリマーネッ
トワーク液晶）方式が提案され、実用化に向けて開発が
進んでいる。これらの表示モードはいずれも散乱モード
であるため、コントラストを上げるにはΔｎの大きな液
晶材料を必要とする。
【００１２】この様な観点から、本発明は、高いＴNIと
同時に大きなΔｎを持ち、且つ従来知られていなかった
分子構造中にケイ素原子を含んだシラシクロヘキサン環
を有する全く新規な液晶化合物を提供することを目的と
する。
同時に大きなΔｎを持ち、且つ従来知られていなかった
分子構造中にケイ素原子を含んだシラシクロヘキサン環
を有する全く新規な液晶化合物を提供することを目的と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、下記
一般式（Ｉ）で表されるシラシクロヘキサン化合物であ
る。
一般式（Ｉ）で表されるシラシクロヘキサン化合物であ
る。
【化１４】 但し、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数
１〜１０のモノ又はジフルオロアルキル基、炭素数３〜
８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキシア
ルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表す。
１〜１０のモノ又はジフルオロアルキル基、炭素数３〜
８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキシア
ルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表す。
【化１５】 は１又は４位のケイ素がＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＨ３の置換
基を持つトランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレ
ン基又はトランス−４−シラ−１，４−シクロへキシレ
ン基を表す。Ｌ１及びＬ２はそれぞれ相互に独立してＨ
又はＦを表す。Ｌ３及びＬ４はそれぞれ相互に独立して
Ｈ、Ｆ又はＣｌを表す。ＸはＨ、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ
3、ＣＦ2Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｃｌ、Ｏ
ＣＨＦＣｌ、ＯＣＨＦ2、炭素数１〜１０の直鎖状アル
キル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基を表す。ｉは
０、１又は２を表す。
基を持つトランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレ
ン基又はトランス−４−シラ−１，４−シクロへキシレ
ン基を表す。Ｌ１及びＬ２はそれぞれ相互に独立してＨ
又はＦを表す。Ｌ３及びＬ４はそれぞれ相互に独立して
Ｈ、Ｆ又はＣｌを表す。ＸはＨ、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ
3、ＣＦ2Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｃｌ、Ｏ
ＣＨＦＣｌ、ＯＣＨＦ2、炭素数１〜１０の直鎖状アル
キル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基を表す。ｉは
０、１又は２を表す。
【００１４】また本発明は、有機金属試薬
【化１６】Ｒ−Ｍ （ＭはＭｇＰ（Ｐはハロゲンを表す。）、ＺｎＰ又はＬ
ｉを表す。）と
ｉを表す。）と
【化１７】 （Ｑはハロゲン、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜
４のアルコキシ基）、メタンスルホニルオキシ基、ベン
ゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキ
シ基又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表
す。）との炭素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結
合形成反応によることを特徴とする前記一般式（Ｉ）で
表されるシラシクロヘキサン化合物の製造方法である。
４のアルコキシ基）、メタンスルホニルオキシ基、ベン
ゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキ
シ基又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表
す。）との炭素−炭素結合形成反応又は炭素−ケイ素結
合形成反応によることを特徴とする前記一般式（Ｉ）で
表されるシラシクロヘキサン化合物の製造方法である。
【００１５】また本発明は、有機金属試薬
【化１８】 （ＷはＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＨ3で好ましくはＨ又はＣＨ3
を表す。）と
を表す。）と
【化１９】 との炭素−炭素結合形成反応によることを特徴とする前
記一般式（Ｉ）で表されるシラシクロヘキサン化合物の
製造方法である。
記一般式（Ｉ）で表されるシラシクロヘキサン化合物の
製造方法である。
【００１６】また本発明は、有機金属試薬
【化２０】 と
【化２１】 （ｍ及びｎは０、１又は２で且つｍ＋ｎ＝２を満たす整
数を表す。）との炭素−炭素結合形成反応によることを
特徴とする前記一般式（Ｉ）で表されるシラシクロヘキ
サン化合物の製造方法である。
数を表す。）との炭素−炭素結合形成反応によることを
特徴とする前記一般式（Ｉ）で表されるシラシクロヘキ
サン化合物の製造方法である。
【００１７】また本発明は、有機金属試薬
【化２２】 と
【化２３】 との炭素−炭素結合形成反応によることを特徴とする前
記一般式（Ｉ）で表されるシラシクロヘキサン化合物の
製造方法である。
記一般式（Ｉ）で表されるシラシクロヘキサン化合物の
製造方法である。
【００１８】また本発明は、有機金属試薬
【化２４】 （Ｍ’はＭ、Ｂ（ＯＲ’）2（Ｒ’はアルキル基（好ま
しくは炭素数１〜４のアルキル基）又は水素原子を表
す。）又はＴｉＰk（ＯＲ”）3-k（Ｐはハロゲン、Ｒ”
はアルキル基（好ましくは炭素数１〜６のアルキル基）
ｋは０〜３の整数を表す。）を表す。）と
しくは炭素数１〜４のアルキル基）又は水素原子を表
す。）又はＴｉＰk（ＯＲ”）3-k（Ｐはハロゲン、Ｒ”
はアルキル基（好ましくは炭素数１〜６のアルキル基）
ｋは０〜３の整数を表す。）を表す。）と
【化２５】 との炭素−炭素結合形成反応によることを特徴とする前
記一般式（Ｉ）で表されるシラシクロヘキサン化合物の
製造方法である。
記一般式（Ｉ）で表されるシラシクロヘキサン化合物の
製造方法である。
【００１９】さらに本発明は、前記一般式（Ｉ）で表さ
れるシラシクロヘキサン化合物を含有することを特徴と
する液晶組成物及びこの液晶組成物を含有することを特
徴とする液晶表示素子である。
れるシラシクロヘキサン化合物を含有することを特徴と
する液晶組成物及びこの液晶組成物を含有することを特
徴とする液晶表示素子である。
【００２０】次に、前記一般式（Ｉ）で表されるシラシ
クロヘキサン化合物の具体例を示して本発明をさらに詳
細に説明する。
クロヘキサン化合物の具体例を示して本発明をさらに詳
細に説明する。
【００２１】本発明の新規な環構造としては、以下のト
ランス−１−又はトランス−４−シラシクロヘキサン環
を含む還構造が挙げられる。
ランス−１−又はトランス−４−シラシクロヘキサン環
を含む還構造が挙げられる。
【００２２】
【化２６】
【００２３】
【化２７】
【００２４】なお、Ｒは以下のいずれかを表す。 （ａ）炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オ
クチル基、ｎ−ノニル基又はｎ−デシル基。 （ｂ）炭素数１〜１０のモノ又はジフロロアルキル基、
即ち、フロロメチル基、１−フロロエチル基、１−フロ
ロプロピル基、１−フロロブチル基、１−フロロペンチ
ル基、１−フロロヘキシル基、１−フロロヘプチル基、
１−フロロオクチル基、１−フロロノニル基、１−フロ
ロデシル基、２−フロロエチル基、２−フロロプロピル
基、２−フロロブチル基、２−フロロペンチル基、２−
フロロヘキシル基、２−フロロヘプチル基、２−フロロ
オクチル基、２−フロロノニル基、２−フロロデシル
基、３−フロロプロピル基、３−フロロブチル基、３−
フロロペンチル基、３−フロロヘキシル基、３−フロロ
ヘプチル基、３−フロロオクチル基、３−フロロノニル
基、３−フロロデシル基、４−フロロブチル基、４−フ
ロロペンチル基、４−フロロヘキシル基、４−フロロヘ
プチル基、４−フロロオクチル基、４−フロロノニル
基、４−フロロデシル基、５−フロロペンチル基、５−
フロロヘキシル基、５−フロロヘプチル基、５−フロロ
オクチル基、５−フロロノニル基、５−フロロデシル
基、６−フロロヘキシル基、６−フロロヘプチル基、６
−フロロオクチル基、６−フロロノニル基、６−フロロ
デシル基、７−フロロヘプチル基、７−フロロオクチル
基、７−フロロノニル基、７−フロロデシル基、８−フ
ロロオクチル基、８−フロロノニル基、８−フロロデシ
ル基、９−フロロノニル基、９−フロロデシル基、１０
−フロロデシル基、ジフロロメチル基、１，１−ジフロ
ロエチル基、１，１−ジフロロプロピル基、１，１−ジ
フロロブチル基、１，１−ジフロロペンチル基、１，１
−ジフロロヘキシル基、１，１−ジフロロヘプチル基、
１，１−ジフロロオクチル基、１，１−ジフロロノニル
基、１，１−ジフロロデシル基、２，２−ジフロロエチ
ル基、２，２−ジフロロプロピル基、２，２−ジフロロ
ブチル基、２，２−ジフロロペンチル基、２，２−ジフ
ロロヘキシル基、２，２−ジフロロヘプチル基、２，２
−ジフロロオクチル基、２，２−ジフロロノニル基、
２，２−ジフロロデシル基、３，３−ジフロロプロピル
基、３，３−ジフロロブチル基、３，３−ジフロロペン
チル基、３，３−ジフロロヘキシル基、３，３−ジフロ
ロヘプチル基、３，３−ジフロロオクチル基、３，３−
ジフロロノニル基、３，３−ジフロロデシル基、４，４
−ジフロロブチル基、４，４−ジフロロペンチル基、
４，４−ジフロロヘキシル基、４，４−ジフロロヘプチ
ル基、４，４−ジフロロオクチル基、４，４−ジフロロ
ノニル基、４，４−ジフロロデシル基、５，５−ジフロ
ロペンチル基、５，５−ジフロロヘキシル基、５，５−
ジフロロヘプチル基、５，５−ジフロロオクチル基、
５，５−ジフロロノニル基、５，５−ジフロロデシル
基、６，６−ジフロロヘキシル基、６，６−ジフロロヘ
プチル基、６，６−ジフロロオクチル基、６，６−ジフ
ロロノニル基、６，６−ジフロロデシル基、７，７−ジ
フロロヘプチル基、７，７−ジフロロオクチル基、７，
７−ジフロロノニル基、７，７−ジフロロデシル基、
８，８−ジフロロオクチル基、８，８−ジフロロノニル
基、８，８−ジフロロデシル基、９，９−ジフロロノニ
ル基、９，９−ジフロロデシル基又は１０，１０−ジフ
ロロデシル基。 （ｃ）炭素数３〜８の分枝鎖状アルキル基、即ち、イソ
プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、１−メ
チルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル
基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３
−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、１−メチ
ルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキ
シル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル
基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基又は
３−メチルヘプチル基。 （ｄ）炭素数２〜７のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、ペントキシメチル基、ヘキシロ
キシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、
プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペントキシエ
チル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プ
ロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、メトキシブ
チル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、メト
キシペンチル基、エトキシペンチル基又はメトキシヘキ
シル基。 （ｅ）炭素数２〜８のアルケニル基、即ち、ビニル基、
１−プロペニル基、アリル基、１−ブテニル基、３−ブ
テニル基、イソプレニル基、１−ペンテニル基、３−ペ
ンテニル基、４−ペンテニル基、ジメチルアリル基、１
−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、５−ヘキセニル
基、１−ヘプテニル基、３−ヘプテニル基、６−ヘプテ
ニル基又は７−オクテニル基。
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オ
クチル基、ｎ−ノニル基又はｎ−デシル基。 （ｂ）炭素数１〜１０のモノ又はジフロロアルキル基、
即ち、フロロメチル基、１−フロロエチル基、１−フロ
ロプロピル基、１−フロロブチル基、１−フロロペンチ
ル基、１−フロロヘキシル基、１−フロロヘプチル基、
１−フロロオクチル基、１−フロロノニル基、１−フロ
ロデシル基、２−フロロエチル基、２−フロロプロピル
基、２−フロロブチル基、２−フロロペンチル基、２−
フロロヘキシル基、２−フロロヘプチル基、２−フロロ
オクチル基、２−フロロノニル基、２−フロロデシル
基、３−フロロプロピル基、３−フロロブチル基、３−
フロロペンチル基、３−フロロヘキシル基、３−フロロ
ヘプチル基、３−フロロオクチル基、３−フロロノニル
基、３−フロロデシル基、４−フロロブチル基、４−フ
ロロペンチル基、４−フロロヘキシル基、４−フロロヘ
プチル基、４−フロロオクチル基、４−フロロノニル
基、４−フロロデシル基、５−フロロペンチル基、５−
フロロヘキシル基、５−フロロヘプチル基、５−フロロ
オクチル基、５−フロロノニル基、５−フロロデシル
基、６−フロロヘキシル基、６−フロロヘプチル基、６
−フロロオクチル基、６−フロロノニル基、６−フロロ
デシル基、７−フロロヘプチル基、７−フロロオクチル
基、７−フロロノニル基、７−フロロデシル基、８−フ
ロロオクチル基、８−フロロノニル基、８−フロロデシ
ル基、９−フロロノニル基、９−フロロデシル基、１０
−フロロデシル基、ジフロロメチル基、１，１−ジフロ
ロエチル基、１，１−ジフロロプロピル基、１，１−ジ
フロロブチル基、１，１−ジフロロペンチル基、１，１
−ジフロロヘキシル基、１，１−ジフロロヘプチル基、
１，１−ジフロロオクチル基、１，１−ジフロロノニル
基、１，１−ジフロロデシル基、２，２−ジフロロエチ
ル基、２，２−ジフロロプロピル基、２，２−ジフロロ
ブチル基、２，２−ジフロロペンチル基、２，２−ジフ
ロロヘキシル基、２，２−ジフロロヘプチル基、２，２
−ジフロロオクチル基、２，２−ジフロロノニル基、
２，２−ジフロロデシル基、３，３−ジフロロプロピル
基、３，３−ジフロロブチル基、３，３−ジフロロペン
チル基、３，３−ジフロロヘキシル基、３，３−ジフロ
ロヘプチル基、３，３−ジフロロオクチル基、３，３−
ジフロロノニル基、３，３−ジフロロデシル基、４，４
−ジフロロブチル基、４，４−ジフロロペンチル基、
４，４−ジフロロヘキシル基、４，４−ジフロロヘプチ
ル基、４，４−ジフロロオクチル基、４，４−ジフロロ
ノニル基、４，４−ジフロロデシル基、５，５−ジフロ
ロペンチル基、５，５−ジフロロヘキシル基、５，５−
ジフロロヘプチル基、５，５−ジフロロオクチル基、
５，５−ジフロロノニル基、５，５−ジフロロデシル
基、６，６−ジフロロヘキシル基、６，６−ジフロロヘ
プチル基、６，６−ジフロロオクチル基、６，６−ジフ
ロロノニル基、６，６−ジフロロデシル基、７，７−ジ
フロロヘプチル基、７，７−ジフロロオクチル基、７，
７−ジフロロノニル基、７，７−ジフロロデシル基、
８，８−ジフロロオクチル基、８，８−ジフロロノニル
基、８，８−ジフロロデシル基、９，９−ジフロロノニ
ル基、９，９−ジフロロデシル基又は１０，１０−ジフ
ロロデシル基。 （ｃ）炭素数３〜８の分枝鎖状アルキル基、即ち、イソ
プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、１−メ
チルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル
基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３
−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、１−メチ
ルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキ
シル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル
基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基又は
３−メチルヘプチル基。 （ｄ）炭素数２〜７のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、ペントキシメチル基、ヘキシロ
キシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、
プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、ペントキシエ
チル基、メトキシプロピル基、エトキシプロピル基、プ
ロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、メトキシブ
チル基、エトキシブチル基、プロポキシブチル基、メト
キシペンチル基、エトキシペンチル基又はメトキシヘキ
シル基。 （ｅ）炭素数２〜８のアルケニル基、即ち、ビニル基、
１−プロペニル基、アリル基、１−ブテニル基、３−ブ
テニル基、イソプレニル基、１−ペンテニル基、３−ペ
ンテニル基、４−ペンテニル基、ジメチルアリル基、１
−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、５−ヘキセニル
基、１−ヘプテニル基、３−ヘプテニル基、６−ヘプテ
ニル基又は７−オクテニル基。
【００２５】ＷはＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＨ3基を表す。
【００２６】Ｌ1及びＬ2はそれぞれ相互に独立してＨ又
はＦを表し、Ｌ3及びＬ4はそれぞれ相互に独立してＨ、
Ｆ又はＣｌを表す。
はＦを表し、Ｌ3及びＬ4はそれぞれ相互に独立してＨ、
Ｆ又はＣｌを表す。
【００２７】ＸはＨ、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ3、ＣＦ2Ｃ
ｌ、ＣＨＦＣｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｃｌ、ＯＣＨＦＣ
ｌ、ＯＣＨＦ2又は以下のいずれかの基を表す。 （ｆ）炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オ
クチル基、ｎ−ノニル基又はｎ−デシル基。 （ｇ）炭素数１〜１０の直鎖状アルコキシ基、即ち、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキシロキシ基、ｎ−ヘ
プチロキシ基、ｎ−オクチロキシ基、ｎ−ノニロキシ基
又はｎ−デシロキシ基。
ｌ、ＣＨＦＣｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｃｌ、ＯＣＨＦＣ
ｌ、ＯＣＨＦ2又は以下のいずれかの基を表す。 （ｆ）炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、即ち、メチ
ル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−
ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オ
クチル基、ｎ−ノニル基又はｎ−デシル基。 （ｇ）炭素数１〜１０の直鎖状アルコキシ基、即ち、メ
トキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキ
シ基、ｎ−ペントキシ基、ｎ−ヘキシロキシ基、ｎ−ヘ
プチロキシ基、ｎ−オクチロキシ基、ｎ−ノニロキシ基
又はｎ−デシロキシ基。
【００２８】次に、前記一般式（Ｉ）で表されるシラシ
クロヘキサン化合物の部分骨格構造
クロヘキサン化合物の部分骨格構造
【化２８】 の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【００２９】
【化２９】
【００３０】
【化３０】
【００３１】
【化３１】
【００３２】
【化３２】
【００３３】
【化３３】
【００３４】
【化３４】
【００３５】
【化３５】
【００３６】
【化３６】
【００３７】
【化３７】
【００３８】
【化３８】
【００３９】次に、前記一般式（Ｉ）で表されるシラシ
クロヘキサン化合物の部分骨格構造
クロヘキサン化合物の部分骨格構造
【化３９】 の具体例としては、以下のものが挙げられる。
【００４０】
【化４０】
【００４１】
【化４１】
【００４２】
【化４２】
【００４３】
【化４３】
【００４４】
【化４４】
【００４５】
【化４５】
【００４６】
【化４６】
【００４７】
【化４７】
【００４８】
【化４８】
【００４９】
【化４９】
【００５０】
【化５０】
【００５１】
【化５１】
【００５２】
【化５２】
【００５３】
【化５３】
【００５４】
【化５４】
【００５５】
【化５５】
【００５６】
【化５６】
【００５７】
【化５７】
【００５８】
【化５８】
【００５９】
【化５９】
【００６０】
【化６０】
【００６１】
【化６１】
【００６２】
【化６２】
【００６３】
【化６３】
【００６４】
【化６４】
【００６５】
【化６５】
【００６６】
【化６６】
【００６７】
【化６７】
【００６８】
【化６８】
【００６９】
【化６９】
【００７０】
【化７０】
【００７１】
【化７１】
【００７２】
【化７２】
【００７３】
【化７３】
【００７４】これらの具体例のうち、特に以下のものが
実用上好ましい。
実用上好ましい。
【００７５】環構造については、
【化７４】 で表されるものが好ましい。
【００７６】Ｒについては、以下のいずれかが好まし
い。 （ｋ）炭素数２〜７の直鎖状アルキル基、即ち、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、
ｎ−ヘキシル基又はｎ−ヘプチル基。 （ｉ）炭素数１〜１０のモノ又はジフルオロアルキル基
のうち、２−フロロエチル基、２−フロロプロピル基、
２−フロロブチル基、２−フロロペンチル基、２−フロ
ロヘキシル基、２−フロロヘプチル基、４−フロロブチ
ル基、４−フロロペンチル基、４−フロロヘキシル基、
４−フロロヘプチル基、５−フロロペンチル基、５−フ
ロロヘキシル基、５−フロロヘプチル基、６−フロロヘ
キシル基、６−フロロヘプチル基、７−フロロヘプチル
基、２，２−ジフロロエチル基、２，２−ジフロロプロ
ピル基、２，２−ジフロロブチル基、２，２−ジフロロ
ペンチル基、２，２−ジフロロヘキシル基、２，２−ジ
フロロヘプチル基、４，４−ジフロロブチル基、４，４
−ジフロロペンチル基、４，４−ジフロロヘキシル基、
４，４−ジフロロヘプチル基、５，５−ジフロロペンチ
ル基、５，５−ジフロロヘキシル基、５，５−ジフロロ
ヘプチル基、６，６−ジフロロヘキシル基、６，６−ジ
フロロヘプチル基又は７，７−ジフロロヘプチル基。 （ｊ）分枝鎖状アルキル基のうち、イソプロピル基、１
−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、１−メチ
ルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル
基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基又は
２−エチルヘキシル基。 （ｋ）炭素数２〜６のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル
基、メトキシペンチル基、エトキシメチル基、エトキシ
エチル基、プロポキシメチル基又はペントキシメチル
基。 （ｌ）アルケニル基のうち、ビニル基、１−プロペニル
基、３−ブテニル基、１−ペンテニル基、３−ペンテニ
ル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキ
セニル基、６−ヘプテニル基又は７−オクテニル基。
い。 （ｋ）炭素数２〜７の直鎖状アルキル基、即ち、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、
ｎ−ヘキシル基又はｎ−ヘプチル基。 （ｉ）炭素数１〜１０のモノ又はジフルオロアルキル基
のうち、２−フロロエチル基、２−フロロプロピル基、
２−フロロブチル基、２−フロロペンチル基、２−フロ
ロヘキシル基、２−フロロヘプチル基、４−フロロブチ
ル基、４−フロロペンチル基、４−フロロヘキシル基、
４−フロロヘプチル基、５−フロロペンチル基、５−フ
ロロヘキシル基、５−フロロヘプチル基、６−フロロヘ
キシル基、６−フロロヘプチル基、７−フロロヘプチル
基、２，２−ジフロロエチル基、２，２−ジフロロプロ
ピル基、２，２−ジフロロブチル基、２，２−ジフロロ
ペンチル基、２，２−ジフロロヘキシル基、２，２−ジ
フロロヘプチル基、４，４−ジフロロブチル基、４，４
−ジフロロペンチル基、４，４−ジフロロヘキシル基、
４，４−ジフロロヘプチル基、５，５−ジフロロペンチ
ル基、５，５−ジフロロヘキシル基、５，５−ジフロロ
ヘプチル基、６，６−ジフロロヘキシル基、６，６−ジ
フロロヘプチル基又は７，７−ジフロロヘプチル基。 （ｊ）分枝鎖状アルキル基のうち、イソプロピル基、１
−メチルプロピル基、２−メチルプロピル基、１−メチ
ルブチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル
基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基又は
２−エチルヘキシル基。 （ｋ）炭素数２〜６のアルコキシアルキル基、即ち、メ
トキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル
基、メトキシペンチル基、エトキシメチル基、エトキシ
エチル基、プロポキシメチル基又はペントキシメチル
基。 （ｌ）アルケニル基のうち、ビニル基、１−プロペニル
基、３−ブテニル基、１−ペンテニル基、３−ペンテニ
ル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキ
セニル基、６−ヘプテニル基又は７−オクテニル基。
【００７７】ＷについてはＨ、Ｆ又はＣＨ3基が好まし
い。
い。
【００７８】部分骨格構造
【化７５】 については、以下のものが好ましい。
【００７９】
【化７６】
【００８０】
【化７７】
【００８１】
【化７８】
【００８２】
【化７９】
【００８３】部分骨格構造
【化８０】 については、以下のものが好ましい。
【００８４】
【化８１】
【００８５】
【化８２】
【００８６】
【化８３】
【００８７】
【化８４】
【００８８】
【化８５】
【００８９】
【化８６】
【００９０】
【化８７】
【００９１】
【化８８】
【００９２】
【化８９】
【００９３】
【化９０】
【００９４】
【化９１】
【００９５】
【化９２】
【００９６】
【化９３】
【００９７】
【化９４】
【００９８】
【化９５】
【００９９】
【化９６】
【０１００】
【化９７】
【０１０１】
【化９８】
【０１０２】次に、本発明の前記一般式（Ｉ）で表され
るシラシクロヘキサン化合物の製造方法について説明す
る。環構造により反応基質は若干異なるが、いずれも共
通して、以下に示す有機金属試薬のカップリング反応に
より製造される。
るシラシクロヘキサン化合物の製造方法について説明す
る。環構造により反応基質は若干異なるが、いずれも共
通して、以下に示す有機金属試薬のカップリング反応に
より製造される。
【０１０３】まず、有機金属試薬
【化９９】Ｒ−Ｍ （ＭはＭｇＰ（Ｐはハロゲンを表す。）、ＺｎＰ又はＬ
ｉを表す。）と
ｉを表す。）と
【化１００】 （Ｑはハロゲン、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜
４のアルコキシ基）、メタンスルホニルオキシ基、ベン
ゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキ
シ基又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表
す。）との反応において、
４のアルコキシ基）、メタンスルホニルオキシ基、ベン
ゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキ
シ基又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表
す。）との反応において、
【化１０１】 が
【化１０２】 （ＷはＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＨ3基を表す。）である場
合、Ｑとしてはハロゲン又はアルコキシ基が挙げられ、
特にＣｌ、Ｂｒ、ＯＣＨ3又はＯＣＨ2ＣＨ3基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与えるので好ましい。
合、Ｑとしてはハロゲン又はアルコキシ基が挙げられ、
特にＣｌ、Ｂｒ、ＯＣＨ3又はＯＣＨ2ＣＨ3基であれ
ば、この炭素−ケイ素結合形成反応が容易に進行し、高
い収率で目的物を与えるので好ましい。
【０１０４】また、
【化１０３】 が
【化１０４】 である場合、この炭素−炭素結合形成反応は触媒量の銅
塩の存在下に行われる。銅化合物として、塩化銅
（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）、シアン化銅
（Ｉ）等の１価の銅塩、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅（Ｉ
Ｉ）、ヨウ化銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）等の２価の銅
塩、ジリチウムテトラクロロキュープレート等の銅錯体
等が挙げられる。Ｑとしてハロゲン原子やスルホニルオ
キシ基が挙げられ、特にＢｒ又はＩが高い収率で目的物
を与えるため好しい。
塩の存在下に行われる。銅化合物として、塩化銅
（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）、シアン化銅
（Ｉ）等の１価の銅塩、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅（Ｉ
Ｉ）、ヨウ化銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）等の２価の銅
塩、ジリチウムテトラクロロキュープレート等の銅錯体
等が挙げられる。Ｑとしてハロゲン原子やスルホニルオ
キシ基が挙げられ、特にＢｒ又はＩが高い収率で目的物
を与えるため好しい。
【０１０５】次に、有機金属試薬
【化１０５】 と
【化１０６】 との反応において、
【化１０７】 が
【化１０８】 である場合、この炭素−炭素結合形成反応は遷移金属触
媒の存在下に行われる。
媒の存在下に行われる。
【０１０６】遷移金属触媒として、特にパラジウムある
いはニッケル化合物が好ましい。パラジウム触媒として
は、例えばテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（０）、ジ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］パラジウム（０）等の０価のパラジウム化
合物、あるいは、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、
［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセ
ン］パラジウム（ＩＩ）クロリド等の２価のパラジウム
化合物と配位子から成る化合物、またはこれらと還元剤
の組み合わせ等を用いることができる。
いはニッケル化合物が好ましい。パラジウム触媒として
は、例えばテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（０）、ジ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］パラジウム（０）等の０価のパラジウム化
合物、あるいは、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、
［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセ
ン］パラジウム（ＩＩ）クロリド等の２価のパラジウム
化合物と配位子から成る化合物、またはこれらと還元剤
の組み合わせ等を用いることができる。
【０１０７】ニッケル触媒としては、例えば［１，３−
ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（I
I）クロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］ニッケル（II）クロリド、ビス（トリフェ
ニルホスフィン）ニッケル（II）クロリド等の２価のニ
ッケル化合物や、テトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）ニッケル（０）等の０価のニッケル化合物を挙げる
ことができる。
ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（I
I）クロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］ニッケル（II）クロリド、ビス（トリフェ
ニルホスフィン）ニッケル（II）クロリド等の２価のニ
ッケル化合物や、テトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）ニッケル（０）等の０価のニッケル化合物を挙げる
ことができる。
【０１０８】Ｑとしては、ハロゲンやメタンスルホニル
オキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基又はトリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられ、特にＣ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ
基が高い収率で目的物を与えるため好ましい。
オキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基又はトリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられ、特にＣ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ
基が高い収率で目的物を与えるため好ましい。
【０１０９】脱離基Ｑがトリフルオロメタンスルホニル
オキシ基の場合、塩化リチウム、臭化リチウム等のリチ
ウム塩の添加が収率の向上をもたらす。
オキシ基の場合、塩化リチウム、臭化リチウム等のリチ
ウム塩の添加が収率の向上をもたらす。
【０１１０】また、有機金属試薬
【化１０９】 と
【化１１０】 （ｍ及びｎは０、１又は２で且つｍ＋ｎ＝２を満たす整
数を表す。）との反応において、
数を表す。）との反応において、
【化１１１】 がｍ＝０，１である場合、この炭素−炭素結合形成反応
は触媒量の銅塩の存在下に行われる。銅化合物として、
塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）、シアン
化銅（Ｉ）等の１価の銅塩、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅
（ＩＩ）、ヨウ化銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）等の２価
の銅塩、ジリチウムテトラクロロキュープレート等の銅
錯体等が挙げられる。Ｑとしてハロゲンやスルホニルオ
キシ基が挙げられ、特にＢｒ又はＩが高い収率で目的物
を与えるため好しい。
は触媒量の銅塩の存在下に行われる。銅化合物として、
塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）、シアン
化銅（Ｉ）等の１価の銅塩、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅
（ＩＩ）、ヨウ化銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）等の２価
の銅塩、ジリチウムテトラクロロキュープレート等の銅
錯体等が挙げられる。Ｑとしてハロゲンやスルホニルオ
キシ基が挙げられ、特にＢｒ又はＩが高い収率で目的物
を与えるため好しい。
【０１１１】また、
【化１１２】 がｍ＝２である場合、この炭素−炭素結合形成反応は遷
移金属触媒の存在下に行われる。
移金属触媒の存在下に行われる。
【０１１２】遷移金属触媒として、特にパラジウムある
いはニッケル化合物が好ましい。パラジウム触媒として
は、例えばテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（０）、ジ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］パラジウム（０）等の０価のパラジウム化
合物、あるいは、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、
［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセ
ン］パラジウム（ＩＩ）クロリド等の２価のパラジウム
化合物と配位子から成る化合物、またはこれらと還元剤
の組み合わせ等を用いることができる。
いはニッケル化合物が好ましい。パラジウム触媒として
は、例えばテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（０）、ジ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］パラジウム（０）等の０価のパラジウム化
合物、あるいは、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、
［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセ
ン］パラジウム（ＩＩ）クロリド等の２価のパラジウム
化合物と配位子から成る化合物、またはこれらと還元剤
の組み合わせ等を用いることができる。
【０１１３】ニッケル触媒としては、例えば［１，３−
ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（I
I）クロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］ニッケル（II）クロリド、ビス（トリフェ
ニルホスフィン）ニッケル（II）クロリド等の２価のニ
ッケル化合物や、テトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）ニッケル（０）等の０価のニッケル化合物を挙げる
ことができる。
ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（I
I）クロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］ニッケル（II）クロリド、ビス（トリフェ
ニルホスフィン）ニッケル（II）クロリド等の２価のニ
ッケル化合物や、テトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）ニッケル（０）等の０価のニッケル化合物を挙げる
ことができる。
【０１１４】Ｑとしては、ハロゲンやメタンスルホニル
オキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基又はトリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられ、特にＣ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ
基が高い収率で目的物を与えるため好ましい。
オキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基又はトリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられ、特にＣ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ
基が高い収率で目的物を与えるため好ましい。
【０１１５】脱離基Ｑがトリフルオロメタンスルホニル
オキシ基の場合、塩化リチウム、臭化リチウム等のリチ
ウム塩の添加が収率の向上をもたらす。
オキシ基の場合、塩化リチウム、臭化リチウム等のリチ
ウム塩の添加が収率の向上をもたらす。
【０１１６】また、有機金属試薬
【化１１３】 と
【化１１４】 との反応において、
【化１１５】 がｎ＝０，１である場合、この炭素−炭素結合形成反応
は触媒量の銅塩の存在下に行われる。銅化合物として、
塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）、シアン
化銅（Ｉ）等の１価の銅塩、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅
（ＩＩ）、ヨウ化銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）等の２価
の銅塩、ジリチウムテトラクロロキュープレート等の銅
錯体等が挙げられる。Ｑとしてハロゲンやスルホニルオ
キシ基が挙げられ、特にＢｒ又はＩが高い収率で目的物
を与えるため好しい。
は触媒量の銅塩の存在下に行われる。銅化合物として、
塩化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、ヨウ化銅（Ｉ）、シアン
化銅（Ｉ）等の１価の銅塩、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅
（ＩＩ）、ヨウ化銅（ＩＩ）、酢酸銅（ＩＩ）等の２価
の銅塩、ジリチウムテトラクロロキュープレート等の銅
錯体等が挙げられる。Ｑとしてハロゲンやスルホニルオ
キシ基が挙げられ、特にＢｒ又はＩが高い収率で目的物
を与えるため好しい。
【０１１７】また、
【化１１６】 がｎ＝２である場合、この炭素−炭素結合形成反応は遷
移金属触媒の存在下に行われる。
移金属触媒の存在下に行われる。
【０１１８】遷移金属触媒として、特にパラジウムある
いはニッケル化合物が好ましい。パラジウム触媒として
は、例えばテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（０）、ジ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］パラジウム（０）等の０価のパラジウム化
合物、あるいは、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、
［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセ
ン］パラジウム（ＩＩ）クロリド等の２価のパラジウム
化合物と配位子から成る化合物、またはこれらと還元剤
の組み合わせ等を用いることができる。
いはニッケル化合物が好ましい。パラジウム触媒として
は、例えばテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（０）、ジ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］パラジウム（０）等の０価のパラジウム化
合物、あるいは、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、
［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセ
ン］パラジウム（ＩＩ）クロリド等の２価のパラジウム
化合物と配位子から成る化合物、またはこれらと還元剤
の組み合わせ等を用いることができる。
【０１１９】ニッケル触媒としては、例えば［１，３−
ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（I
I）クロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］ニッケル（II）クロリド、ビス（トリフェ
ニルホスフィン）ニッケル（II）クロリド等の２価のニ
ッケル化合物や、テトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）ニッケル（０）等の０価のニッケル化合物を挙げる
ことができる。
ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（I
I）クロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］ニッケル（II）クロリド、ビス（トリフェ
ニルホスフィン）ニッケル（II）クロリド等の２価のニ
ッケル化合物や、テトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）ニッケル（０）等の０価のニッケル化合物を挙げる
ことができる。
【０１２０】Ｑとしては、ハロゲンやメタンスルホニル
オキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基又はトリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられ、特にＣ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ
基が高い収率で目的物を与えるため好ましい。
オキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基又はトリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられ、特にＣ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ
基が高い収率で目的物を与えるため好ましい。
【０１２１】脱離基Ｑがトリフルオロメタンスルホニル
オキシ基の場合、塩化リチウム、臭化リチウム等のリチ
ウム塩の添加が収率の向上をもたらす。
オキシ基の場合、塩化リチウム、臭化リチウム等のリチ
ウム塩の添加が収率の向上をもたらす。
【０１２２】また、有機金属試薬
【化１１７】 （Ｍ’はＭ、Ｂ（ＯＲ’）2（Ｒ’はアルキル基（好ま
しくは炭素数１〜４のアルキル基）又は水素原子を表
す。）又はＴｉＰk（ＯＲ”）3-k（Ｐはハロゲン、Ｒ”
はアルキル基（好ましくは炭素数１〜６のアルキル基）
ｋは０〜３の整数を表す。）を表す。）と
しくは炭素数１〜４のアルキル基）又は水素原子を表
す。）又はＴｉＰk（ＯＲ”）3-k（Ｐはハロゲン、Ｒ”
はアルキル基（好ましくは炭素数１〜６のアルキル基）
ｋは０〜３の整数を表す。）を表す。）と
【化１１８】 との炭素−炭素結合形成反応は、遷移金属触媒の存在下
に行われる。
に行われる。
【０１２３】遷移金属触媒として、特にパラジウムある
いはニッケル化合物が好ましい。パラジウム触媒として
は、例えばテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（０）、ジ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］パラジウム（０）等の０価のパラジウム化
合物、あるいは、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、
［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセ
ン］パラジウム（ＩＩ）クロリド等の２価のパラジウム
化合物と配位子から成る化合物、またはこれらと還元剤
の組み合わせ等を用いることができる。
いはニッケル化合物が好ましい。パラジウム触媒として
は、例えばテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラ
ジウム（０）、ジ［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］パラジウム（０）等の０価のパラジウム化
合物、あるいは、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、
［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセ
ン］パラジウム（ＩＩ）クロリド等の２価のパラジウム
化合物と配位子から成る化合物、またはこれらと還元剤
の組み合わせ等を用いることができる。
【０１２４】ニッケル触媒としては、例えば［１，３−
ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（I
I）クロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］ニッケル（II）クロリド、ビス（トリフェ
ニルホスフィン）ニッケル（II）クロリド等の２価のニ
ッケル化合物や、テトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）ニッケル（０）等の０価のニッケル化合物を挙げる
ことができる。
ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（I
I）クロリド、［１，２−ビス（ジフェニルホスフィ
ノ）エタン］ニッケル（II）クロリド、ビス（トリフェ
ニルホスフィン）ニッケル（II）クロリド等の２価のニ
ッケル化合物や、テトラキス（トリフェニルホスフィ
ン）ニッケル（０）等の０価のニッケル化合物を挙げる
ことができる。
【０１２５】Ｑとしては、ハロゲンやメタンスルホニル
オキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基又はトリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられ、特にＣ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ
基が高い収率で目的物を与えるため好ましい。
オキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基又はトリフ
ルオロメタンスルホニルオキシ基が挙げられ、特にＣ
ｌ、Ｂｒ、Ｉ又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ
基が高い収率で目的物を与えるため好ましい。
【０１２６】脱離基Ｑがトリフルオロメタンスルホニル
オキシ基の場合、塩化リチウム、臭化リチウム等のリチ
ウム塩の添加が収率の向上をもたらす。
オキシ基の場合、塩化リチウム、臭化リチウム等のリチ
ウム塩の添加が収率の向上をもたらす。
【０１２７】さらに、Ｍ’がＢ（ＯＲ’）2である場合
には、反応は塩基の存在下で行うのが望ましい。塩基と
しては、例えば炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、
炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の
無機塩基や、トリエチルアミン、ジメチルアニリン、ト
リブチルアミン等の有機塩基を用いることができる。
には、反応は塩基の存在下で行うのが望ましい。塩基と
しては、例えば炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、
炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の
無機塩基や、トリエチルアミン、ジメチルアニリン、ト
リブチルアミン等の有機塩基を用いることができる。
【０１２８】以上の反応で得られた生成物から、通常の
後処理操作の後、精製操作により、目的のシラシクロヘ
キサン化合物を得ることができる。シラシクロヘキサン
環の立体配置がトランス体とシス体の混合物である場合
には、クロマトグラフィーや再結晶等の常法の精製手段
によりトランス体を分離することができる。
後処理操作の後、精製操作により、目的のシラシクロヘ
キサン化合物を得ることができる。シラシクロヘキサン
環の立体配置がトランス体とシス体の混合物である場合
には、クロマトグラフィーや再結晶等の常法の精製手段
によりトランス体を分離することができる。
【０１２９】次に、本発明のシラシクロヘキサン化合物
と混合して液晶相を形成するために用いられる既知の化
合物は、
と混合して液晶相を形成するために用いられる既知の化
合物は、
【化１１９】
【化１２０】 から選ばれる。
【０１３０】なお、［化１１９〕及び［化１２０］にお
いて、（Ｍ）及び（Ｎ）は以下の〜のいずれかを表
す。 無置換又は置換基として１個又は２個以上のＦ、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、ＣＮ、アルキル基を有するトランス−１，４
−シクロヘキシレン基。 シクロヘキサン環中の１個又は隣接していない２個の
ＣＨ２基がＯ又はＳに置き換えられているトランス−
１，４−シクロヘキシレン基。 １，４−シクロヘキセニレン基。 無置換又は置換基として１個又は２個のＦ、Ｃｌ、Ｃ
Ｈ3又はＣＮ基を有する１，４−フェニレン基。 環中の１個又は２個のＣＨ基がＮ原子により置き換え
られている１，４−フェニレン基。
いて、（Ｍ）及び（Ｎ）は以下の〜のいずれかを表
す。 無置換又は置換基として１個又は２個以上のＦ、Ｃ
ｌ、Ｂｒ、ＣＮ、アルキル基を有するトランス−１，４
−シクロヘキシレン基。 シクロヘキサン環中の１個又は隣接していない２個の
ＣＨ２基がＯ又はＳに置き換えられているトランス−
１，４−シクロヘキシレン基。 １，４−シクロヘキセニレン基。 無置換又は置換基として１個又は２個のＦ、Ｃｌ、Ｃ
Ｈ3又はＣＮ基を有する１，４−フェニレン基。 環中の１個又は２個のＣＨ基がＮ原子により置き換え
られている１，４−フェニレン基。
【０１３１】Ｚ1及びＺ2は、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ＝
ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯ2−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ2
Ｏ−、−ＯＣＨ2−又は単結合を表す。
ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯ2−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ2
Ｏ−、−ＯＣＨ2−又は単結合を表す。
【０１３２】ｌ（エル）及びｍは０、１又は２（但し、
ｌ＋ｍ＝１、２、３）、ｎは０、１又は２である。
ｌ＋ｍ＝１、２、３）、ｎは０、１又は２である。
【０１３３】Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、
炭素数３〜８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のア
ルコキシアルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を
表す。
炭素数３〜８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のア
ルコキシアルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を
表す。
【０１３４】ＸはＨ、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ3、ＣＦ2Ｃ
ｌ、ＣＨＦＣｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｃｌ、ＯＣＨＦＣ
ｌ、ＯＣＨＦ2、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基又
は炭素数１〜１０のアルコキシ基を表す。
ｌ、ＣＨＦＣｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｃｌ、ＯＣＨＦＣ
ｌ、ＯＣＨＦ2、炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基又
は炭素数１〜１０のアルコキシ基を表す。
【０１３５】Ｙ及びＺはそれぞれ相互に独立してＨ又は
Ｆを表す。
Ｆを表す。
【０１３６】なお、上記においてｌ（エル）及びｎがい
ずれも２の場合には（Ｍ）中に、ｍが２の場合には
（Ｎ）中に、それぞれ異種環を含んでいてもよい。
ずれも２の場合には（Ｍ）中に、ｍが２の場合には
（Ｎ）中に、それぞれ異種環を含んでいてもよい。
【０１３７】液晶相中における本発明のシラシクロヘキ
サン化合物の割合は、その１種又は２種以上を１〜５０
％、好ましくは５〜３０％含有される。また、液晶相に
は着色ゲスト−ホスト系を生成するための多色性染料或
いは誘電異方性、粘度、ネマチック相の配向を変えるた
めの添加剤を含むことができる。
サン化合物の割合は、その１種又は２種以上を１〜５０
％、好ましくは５〜３０％含有される。また、液晶相に
は着色ゲスト−ホスト系を生成するための多色性染料或
いは誘電異方性、粘度、ネマチック相の配向を変えるた
めの添加剤を含むことができる。
【０１３８】このようにして形成された液晶相は、所望
形状の電極を有する透明基板間に封入して液晶表示素子
として使用される。この素子は、必要において各種アン
ダーコート、配向制御用オーバーコート、偏光板、フィ
ルター、反射層等を有しても良い。また、多層セルとし
たり、他の表示素子と組み合わせたり、半導体基板を用
いたり、或いは光源を用いたりする種々のものが使用で
きる。
形状の電極を有する透明基板間に封入して液晶表示素子
として使用される。この素子は、必要において各種アン
ダーコート、配向制御用オーバーコート、偏光板、フィ
ルター、反射層等を有しても良い。また、多層セルとし
たり、他の表示素子と組み合わせたり、半導体基板を用
いたり、或いは光源を用いたりする種々のものが使用で
きる。
【０１３９】また、液晶表示素子の駆動方法としては、
ダイナミックスキャタリング（ＤＳＭ）方式、ツイステ
ッドネマチック（ＴＮ）方式、ゲストホスト（ＧＨ）方
式、スーパーツイステッドネマチック（ＳＴＮ）方式、
ポリマー分散（ＰＤＬＣ）方式、ポリマーネットワーク
（ＰＮＬＣ）方式、電界制御複屈折（ＥＣＢ）方式等、
液晶表示素子の業界で公知の方式を採用することができ
る。
ダイナミックスキャタリング（ＤＳＭ）方式、ツイステ
ッドネマチック（ＴＮ）方式、ゲストホスト（ＧＨ）方
式、スーパーツイステッドネマチック（ＳＴＮ）方式、
ポリマー分散（ＰＤＬＣ）方式、ポリマーネットワーク
（ＰＮＬＣ）方式、電界制御複屈折（ＥＣＢ）方式等、
液晶表示素子の業界で公知の方式を採用することができ
る。
【０１４０】
【実施例】以下に具体的な実施例を挙げて本発明をさら
に詳しく説明する。
に詳しく説明する。
【０１４１】［実施例１］ トランス−４−（２−（４−（４−ｎ−プロピル−４−
シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−３’，４’
−ジフルオロビフェニルの製造 マグネシウム０．５ｇ（２１ｍｍｏｌ）及びテトラヒド
ロフラン（以下「ＴＨＦ」と略す。）５０ｍｌの混合物
に、ｎ−プロピルブロマイド２．５ｇ（２０ｍｍｏｌ）
を滴下してグリニャー試薬を得た。続いて、この溶液を
４−（２−（４−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−３’，４’−ジフルオロビフ
ェニル８．５ｇ（２０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液５０ｍｌ
に滴下して粗生成物を得た。このものは、シラシクロヘ
キサン環に関してトランス体とシス体の混合物であり、
通常の後処理の後、これらをクロマトグラフィーにより
分離して、トランス体の目的物７．５ｇ（収率８６％）
を得た。 Ｃ−Ｎ転移温度：６３℃、Ｎ−Ｉ転移温度：１５５℃ ＩＲ（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） νｍａｘ：２９１４，２８
６２，２１０２，１６０５，１５０６，９８４，８８
７，８８１，８１６，７７５ｃｍ-1
シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−３’，４’
−ジフルオロビフェニルの製造 マグネシウム０．５ｇ（２１ｍｍｏｌ）及びテトラヒド
ロフラン（以下「ＴＨＦ」と略す。）５０ｍｌの混合物
に、ｎ−プロピルブロマイド２．５ｇ（２０ｍｍｏｌ）
を滴下してグリニャー試薬を得た。続いて、この溶液を
４−（２−（４−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−３’，４’−ジフルオロビフ
ェニル８．５ｇ（２０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液５０ｍｌ
に滴下して粗生成物を得た。このものは、シラシクロヘ
キサン環に関してトランス体とシス体の混合物であり、
通常の後処理の後、これらをクロマトグラフィーにより
分離して、トランス体の目的物７．５ｇ（収率８６％）
を得た。 Ｃ−Ｎ転移温度：６３℃、Ｎ−Ｉ転移温度：１５５℃ ＩＲ（ＫＢｒ ｄｉｓｃ） νｍａｘ：２９１４，２８
６２，２１０２，１６０５，１５０６，９８４，８８
７，８８１，８１６，７７５ｃｍ-1
【０１４２】実施例１と同様にして以下の化合物を得
た。
た。
【０１４３】［実施例２］ｎ−プロピルブロマイド及び
４−（２−（４−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−２，４’−ジフルオロビフェ
ニルを用いてトランス−４−（２−（４−（４−ｎ−プ
ロピル−４−シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）
−２，４’−ジフルオロビフェニルを得た。
４−（２−（４−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−２，４’−ジフルオロビフェ
ニルを用いてトランス−４−（２−（４−（４−ｎ−プ
ロピル−４−シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）
−２，４’−ジフルオロビフェニルを得た。
【０１４４】［実施例３］ｎ−プロピルブロマイド及び
４−（２−（４−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−２，３’，４’−トリフルオ
ロビフェニルを用いてトランス−４−（２−（４−（４
−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）フェニル）
エチル）−２，３’，４’−トリフルオロビフェニルを
得た。
４−（２−（４−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−２，３’，４’−トリフルオ
ロビフェニルを用いてトランス−４−（２−（４−（４
−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）フェニル）
エチル）−２，３’，４’−トリフルオロビフェニルを
得た。
【０１４５】［実施例４］ｎ−プロピルブロマイド及び
４−（２−（４−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−２−フルオロ−４’−ｎ−プ
ロピルビフェニルを用いてトランス−４−（２−（４−
（４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）フェニ
ル）エチル）−２−フルオロ−４’−ｎ−プロピルビフ
ェニルを得た。
４−（２−（４−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−２−フルオロ−４’−ｎ−プ
ロピルビフェニルを用いてトランス−４−（２−（４−
（４−ｎ−プロピル−４−シラシクロヘキシル）フェニ
ル）エチル）−２−フルオロ−４’−ｎ−プロピルビフ
ェニルを得た。
【０１４６】［実施例５］ｎ−ペンチルブロマイド及び
４−（２−（４−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−２−フルオロ−４’−クロロ
ビフェニルを用いてトランス−４−（２−（４−（４−
ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）フェニル）エ
チル）−２−フルオロ−４’−クロロビフェニルを得
た。
４−（２−（４−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−２−フルオロ−４’−クロロ
ビフェニルを用いてトランス−４−（２−（４−（４−
ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）フェニル）エ
チル）−２−フルオロ−４’−クロロビフェニルを得
た。
【０１４７】［実施例６］ｎ−ペンチルブロマイド及び
４−（２−（４−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−２−フルオロ−４’−シアノ
ビフェニルを用いてトランス−４−（２−（４−（４−
ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）フェニル）エ
チル）−２−フルオロ−４’−ｎ−プロポキシビフェニ
ルを得た。
４−（２−（４−（４−クロロ−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−２−フルオロ−４’−シアノ
ビフェニルを用いてトランス−４−（２−（４−（４−
ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）フェニル）エ
チル）−２−フルオロ−４’−ｎ−プロポキシビフェニ
ルを得た。
【０１４８】［実施例７］４−（２−ブロモエチル）−
２，３’，４’−トリフルオロビフェニル及び４−（４
−（３−メトキシプロピル）−４−シラシクロヘキシ
ル）−１−ブロモベンゼンを用いてトランス−４−（２
−（４−（４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−２−フルオロ−４’−シアノ
ビフェニルを得た。
２，３’，４’−トリフルオロビフェニル及び４−（４
−（３−メトキシプロピル）−４−シラシクロヘキシ
ル）−１−ブロモベンゼンを用いてトランス−４−（２
−（４−（４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシ
ル）フェニル）エチル）−２−フルオロ−４’−シアノ
ビフェニルを得た。
【０１４９】［実施例８］ トランス−４−（２−（４−（４−ｎ−ペンチル−４−
シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−３，４’−
ジフルオロビフェニルの製造 マグネシウム０．５ｇ（２１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ５０
ｍｌの混合物に、４−（２−ブロモエチル）−３，４’
−ジフルオロビフェニル５．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）を滴
下してグリニャー試薬を得た。続いて、この溶液を４−
（４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−１−
ブロモベンゼン６．５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と触媒量のテ
トラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）
を添加したＴＨＦ溶液５０ｍｌに滴下して粗生成物を得
た。このものは、シラシクロヘキサン環に関してトラン
ス体とシス体の混合物であり、通常の後処理の後、これ
らをクロマトグラフィーにより分離して、トランス体の
目的物７．６ｇ（収率８２％）を得た。
シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−３，４’−
ジフルオロビフェニルの製造 マグネシウム０．５ｇ（２１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ５０
ｍｌの混合物に、４−（２−ブロモエチル）−３，４’
−ジフルオロビフェニル５．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）を滴
下してグリニャー試薬を得た。続いて、この溶液を４−
（４−ｎ−ペンチル−４−シラシクロヘキシル）−１−
ブロモベンゼン６．５ｇ（２０ｍｍｏｌ）と触媒量のテ
トラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）
を添加したＴＨＦ溶液５０ｍｌに滴下して粗生成物を得
た。このものは、シラシクロヘキサン環に関してトラン
ス体とシス体の混合物であり、通常の後処理の後、これ
らをクロマトグラフィーにより分離して、トランス体の
目的物７．６ｇ（収率８２％）を得た。
【０１５０】実施例８と同様にして以下の化合物を得
た。
た。
【０１５１】［実施例９］４−（２−ブロモエチル）−
２，３’，４’−トリフルオロビフェニル及び４−（４
−（３−メトキシプロピル）−４−シラシクロヘキシ
ル）−１−ブロモベンゼンを用いてトランス−４−（２
−（４−（４−（３−メトキシプロピル）−４−シラシ
クロヘキシル）フェニル）エチル）−２，３’，４’−
トリフルオロビフェニルを得た。
２，３’，４’−トリフルオロビフェニル及び４−（４
−（３−メトキシプロピル）−４−シラシクロヘキシ
ル）−１−ブロモベンゼンを用いてトランス−４−（２
−（４−（４−（３−メトキシプロピル）−４−シラシ
クロヘキシル）フェニル）エチル）−２，３’，４’−
トリフルオロビフェニルを得た。
【０１５２】［実施例１０］４−（２−ブロモエチル）
−２−フルオロ−４’−ｎ−プロピルビフェニル及び４
−（４−（３−ペンテニル）−４−シラシクロヘキシ
ル）−１−ブロモベンゼンを用いてトランス−４−（２
−（４−（４−（３−ペンテニル）−４−シラシクロヘ
キシル）フェニル）エチル）−２−フルオロ−４’−ｎ
−プロピルビフェニルを得た。
−２−フルオロ−４’−ｎ−プロピルビフェニル及び４
−（４−（３−ペンテニル）−４−シラシクロヘキシ
ル）−１−ブロモベンゼンを用いてトランス−４−（２
−（４−（４−（３−ペンテニル）−４−シラシクロヘ
キシル）フェニル）エチル）−２−フルオロ−４’−ｎ
−プロピルビフェニルを得た。
【０１５３】［実施例１１］ トランス−４−（２−（４−（４−ｎ−ペンチル−４−
シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−２’，３’
−ジフルオロ−４’−ｎ−プロポキシビフェニルの製造 マグネシウム０．５ｇ（２１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ５０
ｍｌの混合物に、４−（４−ｎ−ペンチル−４−シラシ
クロヘキシル）−１−ブロモベンゼン６．５ｇ（２０ｍ
ｍｏｌ）を滴下してグリニャー試薬を得た。続いて、こ
の溶液を、４−（２−ブロモエチル）−２’，３’−ジ
フルオロ−４’−ｎ−プロポキシビフェニル７．１ｇ
（２０ｍｍｏｌ）、触媒量のヨウ化銅（Ｉ）及びトリエ
チルホスファイトを添加したＴＨＦ溶液５０ｍｌに滴下
して粗生成物を得た。このものは、シラシクロヘキサン
環に関してトランス体とシス体の混合物であり、通常の
後処理の後、これらをクロマトグラフィーにより分離し
て、トランス体の目的物８．３ｇ（収率８０％）を得
た。
シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−２’，３’
−ジフルオロ−４’−ｎ−プロポキシビフェニルの製造 マグネシウム０．５ｇ（２１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ５０
ｍｌの混合物に、４−（４−ｎ−ペンチル−４−シラシ
クロヘキシル）−１−ブロモベンゼン６．５ｇ（２０ｍ
ｍｏｌ）を滴下してグリニャー試薬を得た。続いて、こ
の溶液を、４−（２−ブロモエチル）−２’，３’−ジ
フルオロ−４’−ｎ−プロポキシビフェニル７．１ｇ
（２０ｍｍｏｌ）、触媒量のヨウ化銅（Ｉ）及びトリエ
チルホスファイトを添加したＴＨＦ溶液５０ｍｌに滴下
して粗生成物を得た。このものは、シラシクロヘキサン
環に関してトランス体とシス体の混合物であり、通常の
後処理の後、これらをクロマトグラフィーにより分離し
て、トランス体の目的物８．３ｇ（収率８０％）を得
た。
【０１５４】実施例１１と同様にして以下の化合物を得
た。
た。
【０１５５】［実施例１２］４−（４−イソブチル−４
−シラシクロヘキシル）−１−ブロモベンゼン及び４−
（２−ブロモエチル）−２−フルオロ−４’−シアノビ
フェニルを用いてトランス−４−（２−（４−（４−イ
ソブチル−４−シラシクロヘキシル）フェニル）エチ
ル）−２−フルオロ−４’−シアノビフェニルを得た。
−シラシクロヘキシル）−１−ブロモベンゼン及び４−
（２−ブロモエチル）−２−フルオロ−４’−シアノビ
フェニルを用いてトランス−４−（２−（４−（４−イ
ソブチル−４−シラシクロヘキシル）フェニル）エチ
ル）−２−フルオロ−４’−シアノビフェニルを得た。
【０１５６】［実施例１３］４−（４−ｎ−ペンチル−
４−メチル−４−シラシクロヘキシル）−１−ブロモベ
ンゼン及び４−（２−ブロモエチル）−４’−シアノビ
フェニルを用いてトランス−４−（２−（４−（４−ｎ
−ペンチル−４−メチル−４−シラシクロヘキシル）フ
ェニル）エチル）−４’−シアノビフェニルを得た。
４−メチル−４−シラシクロヘキシル）−１−ブロモベ
ンゼン及び４−（２−ブロモエチル）−４’−シアノビ
フェニルを用いてトランス−４−（２−（４−（４−ｎ
−ペンチル−４−メチル−４−シラシクロヘキシル）フ
ェニル）エチル）−４’−シアノビフェニルを得た。
【０１５７】［実施例１４］ トランス−４−（２−（４−（４−ｎ−ペンチル−４−
シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−３’，４’
−ジフルオロビフェニルの製造 マグネシウム０．５ｇ（２１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ５０
ｍｌの混合物に、３，４−ジフルオロブロモベンゼン
３．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）を滴下してグリニャー試薬を
得た。これを塩化亜鉛２．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）のＴＨ
Ｆ溶液２０ｍｌに滴下して有機亜鉛試薬を得た。続い
て、この溶液を、４−（２−（４−（４−ｎ−ペンチル
−４−シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−１−
ブロモベンゼン８．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）と触媒量の
１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンニッケ
ル（II）クロリドを添加したＴＨＦ溶液５０ｍｌに滴下
して粗生成物を得た。このものは、シラシクロヘキサン
環に関してトランス体とシス体の混合物であり、通常の
後処理の後、これらをクロマトグラフィーにより分離し
て、トランス体の目的物８．３ｇ（収率９０％）を得
た。
シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−３’，４’
−ジフルオロビフェニルの製造 マグネシウム０．５ｇ（２１ｍｍｏｌ）及びＴＨＦ５０
ｍｌの混合物に、３，４−ジフルオロブロモベンゼン
３．９ｇ（２０ｍｍｏｌ）を滴下してグリニャー試薬を
得た。これを塩化亜鉛２．８ｇ（２０ｍｍｏｌ）のＴＨ
Ｆ溶液２０ｍｌに滴下して有機亜鉛試薬を得た。続い
て、この溶液を、４−（２−（４−（４−ｎ−ペンチル
−４−シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−１−
ブロモベンゼン８．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）と触媒量の
１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパンニッケ
ル（II）クロリドを添加したＴＨＦ溶液５０ｍｌに滴下
して粗生成物を得た。このものは、シラシクロヘキサン
環に関してトランス体とシス体の混合物であり、通常の
後処理の後、これらをクロマトグラフィーにより分離し
て、トランス体の目的物８．３ｇ（収率９０％）を得
た。
【０１５８】実施例１４と同様にして以下の化合物を得
た。
た。
【０１５９】［実施例１５］４−フルオロブロモベンゼ
ン及び４−（２−（４−（４−ｎ−プロピル−１−シラ
シクロヘキシル）フェニル）エチル）−２−フルオロ−
１−ブロモベンゼンを用いてトランス−４−（２−（４
−（４−ｎ−プロピル−１−シラシクロヘキシル）フェ
ニル）エチル）−２，４’−ジフルオロビフェニルを得
た。
ン及び４−（２−（４−（４−ｎ−プロピル−１−シラ
シクロヘキシル）フェニル）エチル）−２−フルオロ−
１−ブロモベンゼンを用いてトランス−４−（２−（４
−（４−ｎ−プロピル−１−シラシクロヘキシル）フェ
ニル）エチル）−２，４’−ジフルオロビフェニルを得
た。
【０１６０】［実施例１６］４−フルオロブロモベンゼ
ン及び４−（２−（４−（４−ｎ−ペンチル−１−フル
オロ−１−シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−
１−ブロモベンゼンを用いてトランス−４−（２−（４
−（４−ｎ−ペンチル−１−フルオロ−１−シラシクロ
ヘキシル）フェニル）エチル）−４’−フルオロビフェ
ニルを得た。
ン及び４−（２−（４−（４−ｎ−ペンチル−１−フル
オロ−１−シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−
１−ブロモベンゼンを用いてトランス−４−（２−（４
−（４−ｎ−ペンチル−１−フルオロ−１−シラシクロ
ヘキシル）フェニル）エチル）−４’−フルオロビフェ
ニルを得た。
【０１６１】［実施例１７］トランス−４−（２−（ト
ランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘ
キシル）エチル）−１−ｎ−エチル−１−シクロヘキサ
ン４５％、トランス−４−（２−（トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）エチ
ル）−１−ｎ−プロピル−１−シクロヘキサン１５％及
びトランス−４−（２−（トランス−４−（３，４−ジ
フルオロフェニル）シクロヘキシル）エチル）−１−ｎ
−ペンチル−１−シクロヘキサン４０％からなる混合物
Ａは以下の性質を示す。 ＴNI（ネマチック−アイソトロピック転移温度）＝９６
℃ ＴCN（結晶−ネマチック転移温度）＝−１０℃ Δｎ（屈折率異方性、２５℃）＝０．０７１８
ランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘ
キシル）エチル）−１−ｎ−エチル−１−シクロヘキサ
ン４５％、トランス−４−（２−（トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル）エチ
ル）−１−ｎ−プロピル−１−シクロヘキサン１５％及
びトランス−４−（２−（トランス−４−（３，４−ジ
フルオロフェニル）シクロヘキシル）エチル）−１−ｎ
−ペンチル−１−シクロヘキサン４０％からなる混合物
Ａは以下の性質を示す。 ＴNI（ネマチック−アイソトロピック転移温度）＝９６
℃ ＴCN（結晶−ネマチック転移温度）＝−１０℃ Δｎ（屈折率異方性、２５℃）＝０．０７１８
【０１６２】この混合物Ａ８５％と実施例１で得られた
トランス−４−（２−（４−（４−ｎ−プロピル−４−
シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−３’，４’
−ジフルオロビフェニル１５％からなる混合物は、以下
に示すように、ＴNIが上昇し、ＴCNが降下するとともに
とΔｎが増大する結果を得た。 ＴNI＝１０３℃ ＴCN＝−１６℃ Δｎ＝０．０８６４
トランス−４−（２−（４−（４−ｎ−プロピル−４−
シラシクロヘキシル）フェニル）エチル）−３’，４’
−ジフルオロビフェニル１５％からなる混合物は、以下
に示すように、ＴNIが上昇し、ＴCNが降下するとともに
とΔｎが増大する結果を得た。 ＴNI＝１０３℃ ＴCN＝−１６℃ Δｎ＝０．０８６４
【０１６３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、高いＴNI
（ネマチック−アイソトロピック転移温度）と同時に大
きなΔｎ（屈折率異方性）を持ち、且つ、従来知られて
いなかった分子構造中にケイ素原子を含んだシラシクロ
ヘキサン環を有する全く新規な液晶化合物を提供するこ
とができた。高いＴNIにより、高温域まで液晶範囲が拡
大されるので、例えば車載用液晶パネル組成物として良
好である。また、大きなΔｎにより、例えばＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマチック）モードでは反応速度の
高速化が可能となり、ＰＤＬＣ（ポリマー分散液晶）方
式やＰＮＬＣ（ポリマーネットワーク液晶）方式ではコ
ントラストの向上が可能となる。
（ネマチック−アイソトロピック転移温度）と同時に大
きなΔｎ（屈折率異方性）を持ち、且つ、従来知られて
いなかった分子構造中にケイ素原子を含んだシラシクロ
ヘキサン環を有する全く新規な液晶化合物を提供するこ
とができた。高いＴNIにより、高温域まで液晶範囲が拡
大されるので、例えば車載用液晶パネル組成物として良
好である。また、大きなΔｎにより、例えばＳＴＮ（ス
ーパーツイステッドネマチック）モードでは反応速度の
高速化が可能となり、ＰＤＬＣ（ポリマー分散液晶）方
式やＰＮＬＣ（ポリマーネットワーク液晶）方式ではコ
ントラストの向上が可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 荻原 勤 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 金生 剛 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 金子 達志 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地の １ 信越化学工業株式会社合成技術研究所 内 (72)発明者 栗原 英志 神奈川県川崎市高津区坂戸３丁目２番１号 信越化学工業株式会社コ−ポレ−トリサ −チセンタ−内
Claims (8)
- 【請求項１】 下記一般式（Ｉ）で表されるシラシクロ
ヘキサン化合物。 【化１】 但し、Ｒは炭素数１〜１０の直鎖状アルキル基、炭素数
１〜１０のモノ又はジフルオロアルキル基、炭素数３〜
８の分枝鎖状アルキル基、炭素数２〜７のアルコキシア
ルキル基又は炭素数２〜８のアルケニル基を表す。 【化２】 は１又は４位のケイ素がＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＨ3の置換
基を持つトランス−１−シラ−１，４−シクロヘキシレ
ン基又はトランス−４−シラ−１，４−シクロへキシレ
ン基を表す。Ｌ1及びＬ2はそれぞれ相互に独立してＨ又
はＦを表す。Ｌ3及びＬ4はそれぞれ相互に独立してＨ、
Ｆ又はＣｌを表す。ＸはＨ、ＣＮ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＦ3、
ＣＦ2Ｃｌ、ＣＨＦＣｌ、ＯＣＦ3、ＯＣＦ2Ｃｌ、ＯＣ
ＨＦＣｌ、ＯＣＨＦ2、炭素数１〜１０の直鎖状アルキ
ル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基を表す。ｉは
０、１又は２を表す。 - 【請求項２】 有機金属試薬 【化３】Ｒ−Ｍ （ＭはＭｇＰ（Ｐはハロゲンを表す。）、ＺｎＰ又はＬ
ｉを表す。）と 【化４】 （Ｑはハロゲン、アルコキシ基、メタンスルホニルオキ
シ基、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスル
ホニルオキシ基又はトリフルオロメタンスルホニルオキ
シ基を表す。）との炭素−炭素結合形成反応又は炭素−
ケイ素結合形成反応によることを特徴とする請求項１記
載のシラシクロヘキサン化合物の製造方法。 - 【請求項３】 有機金属試薬 【化５】 （ＷはＨ、Ｆ、Ｃｌ又はＣＨ3を表す。）と 【化６】 との炭素−炭素結合形成反応によることを特徴とする請
求項１記載のシラシクロヘキサン化合物の製造方法。 - 【請求項４】 有機金属試薬 【化７】 と 【化８】 （ｍ及びｎは０、１又は２で且つｍ＋ｎ＝２を満たす整
数を表す。）との炭素−炭素結合形成反応によることを
特徴とする請求項１記載のシラシクロヘキサン化合物の
製造方法。 - 【請求項５】 有機金属試薬 【化９】 と 【化１０】 との炭素−炭素結合形成反応によることを特徴とする請
求項１記載のシラシクロヘキサン化合物の製造方法。 - 【請求項６】 有機金属試薬 【化１１】 （Ｍ’はＭ、Ｂ（ＯＲ’）2（Ｒ’はアルキル基又は水
素原子を表す。）又はＴｉＰk（ＯＲ”）3-k（Ｐはハロ
ゲン、Ｒ”はアルキル基、ｋは０〜３の整数を表す。）
を表す。）と 【化１２】 との炭素−炭素結合形成反応によることを特徴とする請
求項１記載のシラシクロヘキサン化合物の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１に記載のシラシクロヘキサン化
合物を含有することを特徴とする液晶組成物。 - 【請求項８】 請求項７に記載の液晶組成物を含有する
ことを特徴とする液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7214261A JPH0892259A (ja) | 1994-07-29 | 1995-07-31 | シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-197895 | 1994-07-29 | ||
| JP19789594 | 1994-07-29 | ||
| JP7214261A JPH0892259A (ja) | 1994-07-29 | 1995-07-31 | シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0892259A true JPH0892259A (ja) | 1996-04-09 |
Family
ID=26510634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7214261A Pending JPH0892259A (ja) | 1994-07-29 | 1995-07-31 | シラシクロヘキサン化合物、その製造方法及びこれを含有する液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0892259A (ja) |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP7214261A patent/JPH0892259A/ja active Pending
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