JPH089773B2 - 蒸着装置 - Google Patents
蒸着装置Info
- Publication number
- JPH089773B2 JPH089773B2 JP61265937A JP26593786A JPH089773B2 JP H089773 B2 JPH089773 B2 JP H089773B2 JP 61265937 A JP61265937 A JP 61265937A JP 26593786 A JP26593786 A JP 26593786A JP H089773 B2 JPH089773 B2 JP H089773B2
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- Japan
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- vapor deposition
- vacuum chamber
- microwave
- magnetic field
- deposition apparatus
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、蒸着装置とくにマイクロ波と磁場を印加し
てイオン化を促進させた蒸着装置に関するものである。
てイオン化を促進させた蒸着装置に関するものである。
従来の技術 真空を利用した薄膜を形成する方法として蒸着法，ス
パッタ法，イオンプレーティング法，気相成長法などが
ある。化合物薄膜の形成や膜質をよくするためイオン化
を促進する方法としてイオンプレーティング法がある。
第２図に従来のイオンプレーティング法の蒸着装置を示
す。１は蒸着源、７はグリッド電極、５は基板、４は真
空槽、６は蒸着物である。
パッタ法，イオンプレーティング法，気相成長法などが
ある。化合物薄膜の形成や膜質をよくするためイオン化
を促進する方法としてイオンプレーティング法がある。
第２図に従来のイオンプレーティング法の蒸着装置を示
す。１は蒸着源、７はグリッド電極、５は基板、４は真
空槽、６は蒸着物である。
蒸着源１の蒸着物６より発生した電気的に中性あるい
はイオン化した蒸着粒子のうちイオンを、負電位にして
あるグリッド電極７によって加速して、基板５に至らし
めて、良質な膜を得るものである（麻蒔立男著「薄膜作
成の基礎」第５章,6章,7章）。
はイオン化した蒸着粒子のうちイオンを、負電位にして
あるグリッド電極７によって加速して、基板５に至らし
めて、良質な膜を得るものである（麻蒔立男著「薄膜作
成の基礎」第５章,6章,7章）。
発明が解決しようとする問題点 ところが上記のような構成によると、イオン化を促進
させるための電極７が必要となり、活性化したイオンに
よる電極へのスパッタリングによって膜中に不純物とし
て電極材料が混入してしまう。
させるための電極７が必要となり、活性化したイオンに
よる電極へのスパッタリングによって膜中に不純物とし
て電極材料が混入してしまう。
本発明は、上記のような問題に鑑み電極がなくかつイ
オン化を促進させて良質な膜形成を可能にする蒸着装置
を提供するものである。
オン化を促進させて良質な膜形成を可能にする蒸着装置
を提供するものである。
問題点を解決するための手段 問題点を解決するため、本発明の蒸着装置は、真空槽
と、真空槽無いに設置された蒸発源と、真空槽内に設置
され蒸発源を蒸着させる基板と、真空槽内にマイクロ波
を導入する手段と、真空槽内に磁場を印加する手段とを
有し、さらに、磁場の強度をマイクロ波の周波数で決ま
る電子サイクロトロン共鳴条件以上にし、かつ、蒸発源
から放出される励起された蒸発粒子の飛りゅう方向とマ
イクロ波の伝搬方向を一致させた構成となっている。
と、真空槽無いに設置された蒸発源と、真空槽内に設置
され蒸発源を蒸着させる基板と、真空槽内にマイクロ波
を導入する手段と、真空槽内に磁場を印加する手段とを
有し、さらに、磁場の強度をマイクロ波の周波数で決ま
る電子サイクロトロン共鳴条件以上にし、かつ、蒸発源
から放出される励起された蒸発粒子の飛りゅう方向とマ
イクロ波の伝搬方向を一致させた構成となっている。
作用 本発明は、蒸着源から発生した電気的に中性の中性粒
子およびイオンを、基板に至るまでマイクロ波と磁場に
よってイオン化および励起するものである。すなわちマ
イクロ波を用いるので電極が不必要であり、また磁場強
度を電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁場強度にす
ることにより、高エネルギーでかつ高密度の電子を発生
し、中性粒子およびイオンを励起およびイオン化を促進
できる。その結果、励起およびイオンした粒子によって
良質な膜を得ることができる。
子およびイオンを、基板に至るまでマイクロ波と磁場に
よってイオン化および励起するものである。すなわちマ
イクロ波を用いるので電極が不必要であり、また磁場強
度を電子サイクロトロン共鳴条件を満たす磁場強度にす
ることにより、高エネルギーでかつ高密度の電子を発生
し、中性粒子およびイオンを励起およびイオン化を促進
できる。その結果、励起およびイオンした粒子によって
良質な膜を得ることができる。
実 施 例 第１図に本発明の装置の概略図を示す。１は蒸着源、
２はマイクロ波用の同軸円筒状アンテナ、３は磁場コイ
ルである。
２はマイクロ波用の同軸円筒状アンテナ、３は磁場コイ
ルである。
蒸着源１は、同軸円筒状アンテナ２の内軸８と一体化
するように配置されており、蒸着源１から放出される蒸
着粒子の飛りゅう方向はマイクロ波（2.45GHz）の伝搬
方向９と一致している。また同軸円筒状アンテナ２より
伝搬されたマイクロ波の電界方向11に対して垂直方向す
なわち、蒸着粒子の飛りゅう方向と同方向に磁場（磁力
線11）を印加できるように磁場コイル３を同軸円筒状ア
ンテナ２の外周に配置した。また磁場の強度B0は、マイ
クロ波の周波数で決まる電子サイクロトロン共鳴条件
（2.45GHzの場合、B0＝0.08を満たすようにした。
するように配置されており、蒸着源１から放出される蒸
着粒子の飛りゅう方向はマイクロ波（2.45GHz）の伝搬
方向９と一致している。また同軸円筒状アンテナ２より
伝搬されたマイクロ波の電界方向11に対して垂直方向す
なわち、蒸着粒子の飛りゅう方向と同方向に磁場（磁力
線11）を印加できるように磁場コイル３を同軸円筒状ア
ンテナ２の外周に配置した。また磁場の強度B0は、マイ
クロ波の周波数で決まる電子サイクロトロン共鳴条件
（2.45GHzの場合、B0＝0.08を満たすようにした。
以上のような構成にして酸化インジウムの形成につい
て以下述べる。
て以下述べる。
真空槽４内に酸素を導入して、1.3×10-2Paにする。
そして蒸着物６（インジウム）を入れた蒸着源１よりイ
ンジウムを蒸発させて全体の圧力を３×10-2Paにした。
そして蒸着物６（インジウム）を入れた蒸着源１よりイ
ンジウムを蒸発させて全体の圧力を３×10-2Paにした。
そしてマイクロ波のパワーを200Wとし、蒸着源１付近
で電子サイクロトロン共鳴放電をつくった。このように
してインジウムと酸素の励起およびイオン化された粒子
によって基板５に酸化インジウムの膜を得た。
で電子サイクロトロン共鳴放電をつくった。このように
してインジウムと酸素の励起およびイオン化された粒子
によって基板５に酸化インジウムの膜を得た。
その結果10-4Ωcm台の良好な導電性の酸化インジウム
膜をうることができた。
膜をうることができた。
なお、実施例においては、酸化インジウムを蒸着物と
して用いたが、蒸発粒子をうるものであれば、何でもよ
く。また酸素を導入したが、その他のガスを導入しても
よくまた導入しなくてもよい。
して用いたが、蒸発粒子をうるものであれば、何でもよ
く。また酸素を導入したが、その他のガスを導入しても
よくまた導入しなくてもよい。
それから、マイクロ波の導入手段として同軸円筒状の
アンテナを用いたが、蒸着源１の周辺にヘリカルアンテ
ナや、導波管を配置してもよい。
アンテナを用いたが、蒸着源１の周辺にヘリカルアンテ
ナや、導波管を配置してもよい。
また、磁場を印加する手段として、ここでは磁場コイ
ルを用いたが、蒸着粒子とほぼ同じ方向に磁場を印加で
きる手段であれば何を用いてもよい。
ルを用いたが、蒸着粒子とほぼ同じ方向に磁場を印加で
きる手段であれば何を用いてもよい。
また、ここでは１つの蒸着源で構成しているが２以上
の蒸着源でもよい。
の蒸着源でもよい。
また、マイクロ波を導入する位置は、蒸着源の外周に
配置したが、位置や方法はマイクロ波を導入できれば何
でもよい。
配置したが、位置や方法はマイクロ波を導入できれば何
でもよい。
発明の効果 以上のように本発明は、少なくとも１つの蒸着源の周
辺にマイクロ波を導入する手段と磁場を印加する手段と
を有したことによって、イオン化が促進されるという優
れた効果を有し、さらに本発明の蒸着装置は、蒸着源か
ら放出される蒸着粒子の飛りゅう方向とマイクロ波の伝
搬方向および磁場の印加方向をほぼ一致させ、かつ磁場
の強度を前記マイクロ波の周波数で決まる電子サイクロ
トロン共鳴（ECR）条件以上にしているため、マイクロ
波電力は効率よく吸収され、高密度・高励起プラズマを
形成でき、その結果、蒸着粒子を効率よく基板に入射さ
せることができるとともに、形成される薄膜への不純物
の混入を防止することができる。
辺にマイクロ波を導入する手段と磁場を印加する手段と
を有したことによって、イオン化が促進されるという優
れた効果を有し、さらに本発明の蒸着装置は、蒸着源か
ら放出される蒸着粒子の飛りゅう方向とマイクロ波の伝
搬方向および磁場の印加方向をほぼ一致させ、かつ磁場
の強度を前記マイクロ波の周波数で決まる電子サイクロ
トロン共鳴（ECR）条件以上にしているため、マイクロ
波電力は効率よく吸収され、高密度・高励起プラズマを
形成でき、その結果、蒸着粒子を効率よく基板に入射さ
せることができるとともに、形成される薄膜への不純物
の混入を防止することができる。
第１図は本発明の蒸着装置の断面概略図、第２図は従来
のイオンプレーティング法の蒸着装置の断面概略図であ
る。 １……蒸着源、２……同軸円筒状アンテナ、３……磁場
コイル、４……真空層、５……基板、６……蒸着物、７
……グリッド電極。
のイオンプレーティング法の蒸着装置の断面概略図であ
る。 １……蒸着源、２……同軸円筒状アンテナ、３……磁場
コイル、４……真空層、５……基板、６……蒸着物、７
……グリッド電極。
Claims (3)
- 【請求項１】真空槽と、前記真空槽無いに設置された蒸
発源と、前記真空槽内に設置され前記蒸発源を蒸着させ
る基板と、前記真空槽内にマイクロ波を導入する手段
と、前記真空槽内に磁場を印加する手段とを有する蒸着
装置であって、前記磁場の強度を前記マイクロ波の周波
数で決まる電子サイクロトロン共鳴条件以上にし、か
つ、前記蒸発源から放出される励起された蒸発粒子の飛
りゅう方向と前記マイクロ波の伝搬方向を一致させたこ
とを特徴とする蒸着装置。 - 【請求項２】蒸着源の外周に設置された同軸円筒状のア
ンテナをマイクロ波の導入手段とすることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の蒸着装置。 - 【請求項３】蒸着源を同軸円筒状のアンテナの内軸と一
体化することを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61265937A JPH089773B2 (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61265937A JPH089773B2 (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63118064A JPS63118064A (ja) | 1988-05-23 |
| JPH089773B2 true JPH089773B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=17424151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61265937A Expired - Lifetime JPH089773B2 (ja) | 1986-11-07 | 1986-11-07 | 蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH089773B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2572270B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1997-01-16 | 新敏術事業団 | 超高純度成膜装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57123968A (en) * | 1981-01-26 | 1982-08-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Formation of zinc oxide film by plasma vapor phase method |
| JPS6187867A (ja) * | 1984-10-04 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS6187869A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-06 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
-
1986
- 1986-11-07 JP JP61265937A patent/JPH089773B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63118064A (ja) | 1988-05-23 |
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