JPH09115900A - 半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】放置により現像時間が変化せず、短時間現像可
能で、製造条件の容易な半導体素子を得る。 【解決手段】（ａ）一般式（１）で表される構造単位を
主成分とするポリマ−（Ａ）、（ｂ）エチレン性不飽和
二重結合および水素結合をカルボキシル基および／また
はアミド基と形成可能な基を有する化合物（Ｂ）、およ
び（ｃ）増感剤を含有する感光性ポリイミド前駆体組成
物の硬化膜を表面保護膜、層間絶縁膜、パッシベーショ
ン膜の少なくとも一つとして用いた半導体素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、放置安定性に優れ
た感光性ポリイミド前駆体組成物を用いた半導体素子に
関する。

【０００２】

【従来の技術】露光した部分が現像により残るネガ型の
感光性ポリイミド前駆体組成物としては次のものが知ら
れていた。

【０００３】（ａ）ポリアミド酸に化学線により２量化
又は重合可能な炭素−炭素二重結合およびアミノ基又は
その四級化塩を添加した組成物（例えば特公昭 ５９−
５２８２２号公報）。

【０００４】（ｂ）ポリアミド酸にアクリルアミド類を
添加した組成物（例えば特開平 ３−１７０５５５号公
報）。

【０００５】（ｃ）炭素−炭素二重結合基を有するポリ
イミド前駆体と、特定のオキシム化合物と、増感剤を含
有してなる組成物（例えば特開昭 ６１−１１８４２３
号公報、特開昭６２−１８４０５６号公報、特開昭 ６
２−２７３２５９号公報）。

【０００６】かかるこれらの従来の先行技術は、感光性
ポリイミド前駆体をシリコンウエハ−に塗布、プリベ−
クして放置した後に露光、現像処理を行う、あるいはプ
リベ−ク後、露光後放置して現像すると、現像時間が長
くなるという問題があった。

【０００７】そのため、かかる従来のポリイミドを半導
体素子の絶縁膜（表面保護膜、層間絶縁膜、パッシベー
ション膜等）に用いた場合には、現像時間が変化するた
め、放置した時間により現像時間を変化させる必要があ
るという問題があった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる問題
を解決せしめ、放置により現像時間が変化せず、さらに
短時間現像が可能なネガ型感光性ポリイミド前駆体組成
物を利用した半導体素子を提供することを目的とするも
のである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、 （ａ）一般式（１）で表される構造単位を主成分とする
ポリマー（Ａ）、

【化２】 （Ｒ1 は少なくとも２個以上の炭素原子を有する３価ま
たは４価の有機基、Ｒ2は、少なくとも２個以上の炭素
原子を有する２価の有機基、Ｒ3 は、−ＯＲ４、−ＮＨ
Ｒ４又は−Ｏ^- Ｎ⁺ Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７、ただし、Ｒ４は
少なくとも１個のエチレン性不飽和結合を有する基、Ｒ
５、Ｒ６、Ｒ７は、水素、炭素数１から１０までの炭化
水素基または少なくとも１個のエチレン性不飽和結合を
有する基を表す。ｎは１または２である。） （ｂ）エチレン性不飽和二重結合および水素結合をカル
ボキシル基および／またはアミド基と形成可能な基を有
する化合物（Ｂ）、および （ｃ）増感剤を含有する感光性ポリイミド前駆体組成物
の硬化膜を表面保護膜、層間絶縁膜、パッシベーション
膜の少なくとも一つとして用いたことを特徴とする半導
体素子により達成される。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明における半導体素子、すな
わち半導体装置の素子部分は周知の技術（例えば、日刊
工業新聞社刊“ＵＬＳＩのはなし”、社団法人電子通信
学会東京支部編“半導体集積回路技術”にしたがって構
成することができる。すなわち、代表的な半導体素子で
あるＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconduc
tor ）の場合、シリコン等の半導体基板上にＰウェル形
成→素子領域形成→ゲート酸化膜形成→ゲート電極形成
→ソース・ドレイン形成→配線工程の順で製造される。
また最近の集積度の大きなものは一層の配線で構成され
ず複数層の配線層が必要となる。感光性ポリイミドはこ
の配線工程の後のパッシベーション膜として、またパッ
シベーション膜に無機膜である三ケイ化四窒素膜等の場
合の表面保護膜として、さらに層間絶縁膜として使用さ
れる。これらの半導体装置を図１、図２、図３に示す。

【００１１】図１は表面保護膜にポリイミド系樹脂を使
用した例、図２はパッシベーション膜にポリイミド系樹
脂を使用した例、図３は層間絶縁膜にポリイミド系樹脂
を使用した例を示している。

【００１２】本発明においては、これらのポリイミド樹
脂として、（ａ）〜（ｃ）成分を含有する感光性ポリイ
ミド前駆体組成物の硬化膜を用いることを特徴とする。

【００１３】本発明における一般式（１）で表される構
造単位を主成分とするポリマー（Ａ）とは、加熱あるい
は適当な触媒により、イミド環や、その他の環状構造を
有するポリマー（以後、ポリイミド系ポリマーという）
となり得るものである。

【００１４】上記一般式（１）中、Ｒ1 は少なくとも２
個以上の炭素原子を有する３価または４価の有機基であ
る。耐熱性の面から、Ｒ¹ は芳香族環又は芳香族複素環
を含有し、かつ、炭素数６〜３０の３価または４価の基
が好ましい。具体的には、フェニル基、ビフェニル基、
タ−フェニル基、ナフタレン基、ペリレン基、ジフェニ
ルエ−テル基、ジフェニルスルホン基、ジフェニルプロ
パン基、ベンゾフェノン基、ビフェニルトリフルオロプ
ロパン基などが挙げられるが、これらに限定されない。

【００１５】上記一般式（１）中、Ｒ2 は少なくとも２
個以上の炭素原子を有する２価の有機基であるが、耐熱
性の面から、Ｒ2 は芳香族環又は芳香族複素環を含有
し、かつ炭素数６〜３０の２価の基が好ましい。具体的
には、フェニル基、ビフェニル基、タ−フェニル基、ナ
フタレン基、ペリレン基、ジフェニルエ−テル基、ジフ
ェニルスルホン基、ジフェニルプロパン基、ベンゾフェ
ノン基、ビフェニルトリフルオロプロパン基などが挙げ
られるが、これらに限定されない。

【００１６】さらに、基板との接着性を向上させるため
に、耐熱性を低下させない範囲でＲ1 、Ｒ2 にシロキサ
ン構造を有する脂肪族の基を共重合してもよい。具体的
には、ジアミン成分として、ビス（３−アミノプロピ
ル）テトラメチルジシロキサンなどを１〜１０モル％共
重合したものなどがあげられる。

【００１７】Ｒ3 は、−ＯＲ４、−ＮＨＲ４又は−Ｏ^-
Ｎ⁺ Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７である。ただし、Ｒ４は少なくと
も１種のエチレン性不飽和結合を有する基、Ｒ５、Ｒ
６、Ｒ７は、水素、または、炭素数１から１０までの炭
化水素基を表している。

【００１８】Ｒ³ の好ましい具体例としては、−ＯＲ４
で表されるエステル基である場合は、２−アクリロイル
オキシエチルカルボニル基、２−メタクロイルオキシエ
チルカルボニル基、２−（１−アクロイルオキシ）プロ
ピルオキシカルボニル基、２−（１−メタクロイルオキ
シ）プロピルオキシカルボニル基、２−メタクリルアミ
ノエチルオキシカルボニル基、３−メタクロイルオキシ
−２−ヒドロキシプロピルオキシカルボニル基、アクリ
ルアミノメチルオキシカルボニル基などのエチレン性不
飽和結合を有する基を含むことが必要であるが、これ以
外に、エトキシカルボニル基、２−メトキシエトキシカ
ルボニル基などのエチレン性不飽和結合を含まない基を
少量有することも可能である。

【００１９】−ＮＨＲ４で表されるアミド基である場
合、Ｎ−（２−アクロイルオキシエチル）−アミノカル
ボニル基、Ｎ−（２−メタクロイルオキシエチル）−ア
ミノカルボニル基などのエチレン性不飽和結合を含むこ
とが必要であるが、エチルアミノカルボニル基、Ｎ−
（２−エトキシエチル）アミノカルボニル基などのエチ
レン性不飽和結合を含まない基を少量有することも可能
である。

【００２０】−Ｏ^- Ｎ⁺ Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７で表される置
換アンモニウム付加塩型のカルボン酸残基である場合、
メタクロイルオキシエチル・トリメチルアンモニウム付
加塩型カルボン酸残基、アクロイルオキシエチル・ジメ
チルアンモニウム付加塩型カルボン酸残基、メタクロイ
ルオキシエチル・ジメチルアンモニウム付加塩型カルボ
ン酸残基、ビニルピリジニウム付加塩型カルボン酸残基
などのエチレン性不飽和結合を含むことが必要である
が、これ以外にＲ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７の全てが、水素あるい
は炭化水素基であるような基を少量有することも可能で
ある。

【００２１】ポリマー（Ａ）は、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 がこ
れらのうち各々１種から構成されていても良いし、各々
２種以上から構成される共重合体であつてもよい。

【００２２】ポリマー（Ａ）は、一般式（１）で表され
る構造単位のみからなるものであっても良いし、他の構
造単位との共重合体あるいはブレンド体であっても良
い。その際、一般式（１）で表される構造単位を９０モ
ル％以上含有していることが好ましい。共重合あるいは
ブレンドに用いられる構造単位の種類および量は最終加
熱処理によって得られるポリイミド系ポリマの耐熱性を
損なわない範囲で選択することが好ましい。

【００２３】ポリマー（Ａ）の具体的な例として、ピロ
メリット酸二無水物と４，４´−（または３，４´−）
ジアミノジフェニルエ−テル、３，３´，４，４´−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と４，４´−
（または３，４´−）ジアミノジフェニルエ−テル、
３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と４，４´−（または３，４´−）ジアミノジフェ
ニルエ−テル、３，３´，４，４´−ビフェニルヘキサ
フルオロプロパンテトラカルボン酸二無水物と４，４´
−（または３，４´−）ジアミノジフェニルエ−テル、
３，３´，４，４´−ビフェニルスルホンテトラカルボ
ン酸二無水物と４，４´−（または３，４´−）ジアミ
ノジフェニルエ−テル、ピロメリット酸二無水物と３，
３´−（または４，４´−）ジアミノジフェニルスルホ
ン、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物と３，３´−（または４，４´−）ジアミ
ノジフェニルスルホン、３，３´，４，４´−ビフェニ
ルテトラカルボン酸二無水物と３，３´−（または４，
４´−）ジアミノジフェニルスルホン、ピロメリット酸
二無水物と４，４´−ジアミノジフェニルスルフィド、
３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物と４，４´−ジアミノジフェニルスルフィド、
３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無
水物と４，４´−ジアミノジフェニルスルフィド、３，
３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
とパラフェニレンジアミン、３，３´，４，４´−ジフ
ェニルエ−テルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニ
レンジアミン、３，３´，４，４´−ビフェニルヘキサ
フルオロプロパンテトラカルボン酸二無水物とパラフェ
ニレンジアミン、３，３´，４，４´−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物とタ−フェニルジアミン、ピロメ
リット酸二無水物および３，３´，４，４´−ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物と３，３´−（または
４，４´）ジアミノジフェニルエ−テル、ピロメリット
酸二無水物および３，３´，４，４´−ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミン、３，
３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物と４，４´−ジアミノジフェニルエ−テルおよびビ
ス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、
ピロメリット酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェニ
ルエ−テルおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン、３，３´，４，４´−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェニ
ルエ−テルおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン、などから合成されたポリアミド酸お
よびそのエステル化合物が挙げられるが、これらに限定
されない。

【００２４】これらのポリアミド酸およびそのエステル
化合物は公知の方法によって合成される。すなわち、ポ
リアミド酸の場合はテトラカルボン酸二無水物とジアミ
ンを選択的に組み合わせ、これらをＮ−メチル−２−ピ
ロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
メチルホルムアミドなどを主成分とする極性溶媒や、γ
−ブチロラクトン中で反応させることにより合成され
る。ポリアミド酸のエステル化合物は例えば、特開昭６
１−７２０２２号公報、特開昭５５−３０２０７号公報
に記載されている方法などで合成される。

【００２５】本発明で用いられるエチレン性不飽和結合
および水素結合をカルボキシル基および／またはアミド
基と形成可能な基を有する化合物（Ｂ）としては、エチ
レン性不飽和結合および水酸基、ニトロ基などを含む炭
素数５〜４０の有機化合物が好ましい。さらに好ましく
は、エチレン性不飽和結合と水酸基を含む化合物がよ
い。より好ましくは、２個以上のエチレン性不飽和基と
２個以上の水酸基を含む化合物である。さらにはメタク
リル酸グリシジルと脂肪族アミンの縮合物がよい。

【００２６】通常、プリベ−クした膜を放置するとポリ
マ−鎖同志が接近して現像時の溶解速度が低下する。本
発明のエチレン性不飽和結合および水素結合をカルボキ
シル基および／またはアミド基と形成可能な基を有する
化合物を添加すると、ポリマ−のカルボキシル基やアミ
ド基と水素結合を形成し、ポリマ−鎖の間に挿入され
る。そのために、放置してもポリマ−鎖が接近すること
なく、現像速度の遅れを抑えることができる。しかし、
添加する化合物にエチレン性不飽和結合を有していない
と、ポリマ−鎖の距離が離れるために光による反応性も
低下する。これを補うためにエチレン性不飽和結合を有
することが必要である。

【００２７】このような化合物の具体的な例として、メ
タクリル酸グリシジルとメチルアミンの縮合物、メタク
リル酸グリシジルとプロピルアミンの縮合物、メタクリ
ル酸グリシジルとエタノ−ルアミンの縮合物、メタクリ
ル酸グリシジルとシクロヘキシルアミンの縮合物、メタ
クリル酸グリシジルとジエタノ−ルアミンの縮合物、メ
タクリル酸グリシジルとジメチルアミンの縮合物、メタ
クリル酸グリシジルとジエチルアミンの縮合物などが挙
げられる。

【００２８】これらは単独もしくは２種以上の混合物と
して使用される。

【００２９】化合物（Ｂ）はポリマの重量に対して１〜
３０％混合されているのが望ましい。さらに好ましくは
３〜２０％である。この範囲をはずれると感度が悪くな
ったり、現像への制約が多くなる。

【００３０】増感剤としては、芳香族２級または芳香族
３級アミン化合物が好ましい。好ましい具体例として
は、Ｎ−フェニルジエタノールアミン、Ｎ−（３−メチ
ルフェニル）ジエタノールアミン、Ｎ−（４−メチルフ
ェニル）ジエタノールアミン、Ｎ−フェニルモノエタノ
ールアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−メチル−モノエタノー
ルアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチル−モノエタノール
アミン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリ
ン、Ｎ−ベンジル−Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−アリール
グリシン化合物などをあげることができる。感度向上の
点からはＮ−アリールグリシン化合物が特に好ましい。
Ｎ−アリールグリシン化合物とはグリシンの窒素原子に
芳香族環が直接結合した化合物であって、ここでいう芳
香族環とは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン
環、ナフトキノン環、アントラキノン環などをさす。こ
れらの芳香族環は炭素数１〜６のアルキル基、アルコキ
シ基、ニトロ基、ハロゲン基、カルボキシル基、カルボ
キシルエステル基、２級または３級のアミノ基などで置
換されていても良い。また、グリシンのカルボキシル基
がエステル化されていても良い。Ｎ−アリールグリシン
化合物の好ましい具体例としては、Ｎ−フェニルグリシ
ン、Ｎ−ナフチルグリシン、Ｎ−フェニルグリシンのエ
チルエステル、Ｎ−ナフチルグリシンのエチルエステル
などがあげられるがこれに限定されない。

【００３１】これらの芳香族２級または芳香族３級アミ
ン化合物は単独もしくは２種以上の混合物として使用さ
れる。好ましい添加量はポリマに対して０．１重量％〜
２０重量％、さらに好ましくは０．２重量％〜１０重量
％である。

【００３２】さらに、ｇ線露光に対する感度を向上させ
るために、クマリン類を増感剤として添加してもよい。
好ましいクマリン類の具体例としては、３−（４−メト
キシベンゾイル）クマリン、３−ベンゾイルクマリン、
３−（４−シアノベンゾイル）クマリン、７−メトキシ
−３−（４−メトキシベンゾイル）クマリン、３−ベン
ゾイル−７−メトキシクマリン、３−（４−シアノベン
ゾイル）−７−メトキシクマリン、５，７−ジメトキシ
−３−（４−メトキシベンゾイル）クマリン、３−ベン
ゾイル−５，７−ジメトキシクマリン、３−（４−シア
ノベンゾイル）−５，７−ジメトキシクマリン、３−ベ
ンゾイル−７−ジエチルアミノクマリン、７−ジエチル
アミノ−３−（４−ジメチルアミノベンゾイル）クマリ
ン、３，３´−カルボニルビスクマリン、３，３´−カ
ルボニルビス（７−メトキシクマリン）、５，７−ジメ
トキシ−３，３´−カルボニルビスクマリン、５，７，
７´−トリメトキシ−３，３´−カルボニルビスクマリ
ン、３，３´−カルボニルビス（５，７−ジメトキシク
マリン）、７−ジエチルアミノ−３，３´−カルボニル
ビスクマリン、７−ジエチルアミノ−５´，７´−ジメ
トキシ−３，３´−カルボニルビスクマリン、３，３´
−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、９
−（７−ジエチルアミノ−３−クマリノイル）−１，
２，４，５−テトラヒドロ−３Ｈ，６Ｈ，１０Ｈ［ｌ］
ベンゾピラノ［９，９ａ，ｌ−ｇｈ］キノラジン−１０
−オン、９，９´−カルボニルビス（１，２，４，５−
テトラヒドロ−３Ｈ，６Ｈ，１０Ｈ［ｌ］ベンゾピラノ
［９，９ａ，ｌ−ｇｈ］キノラジン−１０−オン）、な
どがあげられるがこれに限定されない。

【００３３】これらのクマリン類は単独もしくは２種以
上の混合物として使用される。好ましい添加量はポリマ
に対して０．１重量％〜２０重量％、さらに好ましくは
０．２重量％〜１０重量％である。

【００３４】さらに、上記以外の増感剤を添加してもよ
い。具体例としてはミヒラーズケトン、フルオレノン、
ベンズアントロンなどの芳香族カルボニル化合物、３−
［４−（ジメチルアミノ）フェニル］−１−フェニル−
２−プロペン１−オン、１−（３−クロロフェニル）−
５−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］−１，４−ペ
ンタジエン３−オンなどのアミノ芳香族不飽和ケトン、
１−メチル−２−ベンゾイルメチレン−１，２−ジヒド
ロナフト［１，２，ｄ］チアゾールなどのメチレンチア
ゾール誘導体、１、３−ジフェニル−１、２、３−プロ
パントリオン−２−（ｏ−アセチル）オキシムなどのオ
キシム化合物、チタノセンなどの有機金属錯体、メロシ
アニン色素などが有効であるが、これらに限定されな
い。これらの増感剤は単独もしくは２種以上の混合物と
して使用される。好ましい添加量はポリマに対して０．
１重量％〜２０重量％、さらに好ましくは０．２重量％
〜１０重量％である。

【００３５】かかる感光性ポリイミド前駆体組成物に、
さらに、光反応性モノマとして、２−ヒドロキシエチル
メタクリレ−ト、トリメチロ−ルプロパントリアクリレ
−ト、トリメチロ−ルプロパントリメタクリレ−ト、エ
チレングリコ−ルジメタクリレ−トなどのモノマ−をポ
リマに対して１重量％〜２０重量％、添加してもさしつ
かえない。

【００３６】上記のポリマ（Ａ）、化合物（Ｂ）、増感
剤（Ｃ）、その他の増感剤や光反応性モノマを溶媒と混
合することにより感光性ポリイミド前駆体組成物を得
る。このとき用いられる溶媒としては、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ
−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホオキシド、な
どを主成分とする極性溶媒や、γ−ブチロラクトン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドなどの溶媒が単独もし
くは二種以上の混合物として好ましく用いられるが、こ
れらに限定されない。、また、必要に応じ、上記の前駆
体組成物に基板との濡れ性を向上させる界面活性剤や、
ＳｉＯ₂ ，ＴｉＯ₂ などの無機粒子、あるいはポリイミ
ドの粒子を添加してもよい。

【００３７】次にかかる感光性ポリイミド前駆体組成物
を用いて、半導体素子を製造する方法について説明す
る。

【００３８】該感光性ポリイミド前駆体組成物を半導体
基板上に塗布する。塗布方法としてはスピンナ−を用い
た回転塗布、スプレ−塗布、浸漬、ロ−ルコ−ティング
などの方法があげられるが、これらに限定されない。ま
た、塗布膜厚は、塗布手段、組成物の固形分濃度、粘度
等によって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が、０．１〜
１５０μｍになるように塗布される。

【００３９】次にポリイミド前駆体組成物を塗布した基
板を乾燥して、ポリイミド前駆体組成物被膜を得る。乾
燥は、オ−ブン、ホットプレ−ト、赤外線などを使用
し、５０〜１２０℃の範囲で１分〜数時間行なうのが好
ましい。

【００４０】次に、この被膜上に所望のパタ−ンを有す
るマスクを置き、それを介して化学線を照射し露光す
る。露光に用いられる化学線としては、紫外線、可視光
線、電子線、Ｘ線などがあげられる。とくに紫外線、可
視光線が好ましい。

【００４１】ポリイミドパタ−ンを形成するには、露光
後、現像液を用いて、未露光部を除去することによって
達成される。現像液としては、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルホルムアミドなどの極性溶媒と、メタノ−ル、エタノ
−ル、イソプロピルアルコ−ル、キシレン、乳酸エチ
ル、プロピレングリコ−ルモノエチルエ−テルアセテ−
ト、水などと組み合わせた現像液が、使用できる。現像
後、エタノ−ル、イソプロピルアルコ−ルなどのアルコ
−ル、乳酸エチル、プロピレングレコ−ルモノエチルエ
−テルアセテ−トなどのエステル類でリンスをする。

【００４２】現像後のキュアは温度を選び、段階的に昇
温するかある温度範囲を選び連続的に昇温しながら５分
〜５時間実施する。このキュアの最高温度は、２５０〜
５００℃、好ましくは、３００〜４５０℃で行うのがよ
い。例えば、１３０℃、２００℃、４００℃で各々３０
分熱処理する。また、室温から４００℃まで２時間かけ
て直線的に昇温してもよい。

【００４３】

【実施例】

合成例１ 窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに４，４´−ジアミ
ノジフェニルエ−テル１９．０ｇ（０．０９５モル）と
１、３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン１．２ｇ（０．００５モル）をＮ−メチル−２
−ピロリドン１００ｇに入れ溶解させた。ここに無水ピ
ロメリット酸１０．８ｇ（０．０５０モル）と３，３
´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸２無水
物１５．０ｇ（０．０４７モル）を加え、室温で６時間
反応を行いポリアミド酸（ポリイミド前駆体）を得た。
この溶液に、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレ
−ト３３ｇ（０．１８モル）、Ｎ−フェニルジエタノ−
ルアミン１．２５ｇ、Ｎ−フェニルグリシン１．２５ｇ
を加え感光性ポリイミドのワニスＡを得た。

【００４４】合成例２ 乾燥空気気流下、無水ピロメリット酸１０．９ｇ（０．
０５モル）をガンマブチロラクトン１００ｇに溶解させ
た。ここに１３ｇの２−ヒドロキシエチルメタクリレ−
ト（０．１モル）、ピリジン７ｇを加えて５０度で１時
間反応を行った。この溶液に氷冷下１０．５ｇのジシク
ロヘキシルカルボジイミド（０．０５モル）を１５分か
けてこの溶液に滴下した。さらに４，４´−ジアミノジ
フェニルエ−テル１０ｇ（０．０５モル）をガンマブチ
ロラクトン５０ｇに溶解させた溶液を１０分かけて滴下
した。この溶液を氷冷下３時間反応させ、次いで５０度
で１時間反応させた。反応終了後、析出した尿素化合物
を濾過で除いた。濾液を３ｌの水に投入してポリアミド
エステルの沈殿を生成した。この沈殿を集めて、水とメ
タノ−ルで洗浄の後に真空乾燥機で５０度で２４時間乾
燥した。このポリアミドエステルの粉体１５ｇと０．７
５ｇの２−メルカプトベンズイミダゾ−ル、１ｇのトリ
メチロ−ルプロパントリアクリレ−ト、２ｇのエチレン
グリコ−ルジメタクリレ−ト、０．０３ｇのｐ−ｔｅｒ
ｔ−ブチルカテコ−ル、０．５ｇのミヒラ−ケトン、
０．５ｇの３−メタクリロキシ−プロピル−ジメトキシ
シラン、０．５ｇの１−フェニル−プロパンジオン２−
（ｏ−ベンゾイル）オキシムを加えた感光性ポリイミド
ワニスＢを得た。

【００４５】合成例３ 窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに３、５−ジアミノ
安息香酸−２−ヒドロキシエチルメタクリリレ−トエス
テル（川崎化研製ＢＥＭ−Ｓ）２５．５ｇと１、３−ビ
ス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン
１．２ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン１００ｇに入れ
溶解させた。ここに３，３´，４，４´−ビフェニルテ
トラカルボン酸２無水物２９．０ｇを加え、室温で６時
間反応を行いポリアミド酸（ポリイミド前駆体）を得
た。この溶液にＮ−フェニルジエタノ−ルアミン１．２
５ｇ、Ｎ−フェニルグリシン１．２５ｇ、エチレングリ
コ−ルジメタクリレ−ト１０ｇを加え感光性ポリイミド
のワニスＣを得た。

【００４６】合成例４ 窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに４，４´−ジアミ
ノジフェニルエ−テル１９．０ｇ（０．０９５モル）と
１、３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン１．２ｇ（０．００５モル）をＮ−メチル−２
−ピロリドン１００ｇに入れ溶解させた。ここに無水ピ
ロメリット酸１０．８ｇ（０．０５０モル）と３，３
´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸２無水
物１５．０ｇ（０．０４７モル）を加え、室温で６時間
反応を行いポリアミド酸（ポリイミド前駆体）を得た。
ここにグリシジルメタクリレ−ト１３ｇを加え、室温で
１２時間反応させた。このワニスにエチレングリコ−ル
ジメタクリレ−ト５ｇとＮ−フェニルグリシン２．５
ｇ、０．２ｇの３，３´−カルボニルビス（７−ジエチ
ルアミノクマリン）を加え、感光性ポリイミドのワニス
Ｄを得た。

【００４７】合成例５ 窒素気流下、１ｌの４つ口フラスコに４，４´−ジアミ
ノジフェニルエ−テル１９．０ｇ（０．０９５モル）と
１、３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシ
ロキサン１．２ｇ（０．００５モル）をＮ−メチル−２
−ピロリドン１００ｇに入れ溶解させた。ここに無水ピ
ロメリット酸１０．８ｇ（０．０５０モル）と３，３
´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸２無水
物１５．０ｇ（０．０４７モル）を加え、室温で６時間
反応を行いポリアミド酸（ポリイミド前駆体）を得た。
ここに１５ｇのＮ−メチロ−ルメタクリルアミド、エチ
レングリコ−ルジメタクリレ−ト５ｇとＮ−フェニルグ
リシン２．５ｇ、０．２ｇの３，３´−カルボニルビス
（７−ジエチルアミノクマリン）を加え、感光性ポリイ
ミドのワニスＥを得た。

【００４８】合成例６ 窒素気流下、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル１
０．０１ｇ（０．０５モル）、３，３’−ジアミノジフ
ェニルスルホン１１．１８ｇ（０．０４５モル）と１，
３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキ
サン１．２ｇ（０．００５モル）をＮ−メチル−２−ピ
ロリドン１００ｇに入れ溶解させた。ここにビフェニル
テトラカルボン酸２８．８３ｇ（０．０９８モル）をＮ
−メチル−２−ピロリドン２０ｇと共に加え、室温で１
時間、５０℃で３時間反応させ、ポリアミド酸（ポリイ
ミド前駆体）の溶液を得た。ここにジエチルアミノエチ
ルメタクリレート３６．２６ｇ（０．１９６モル）、Ｎ
−メチル−２−ピロリドン３０ｇ、Ｎ−フェニルグリシ
ン２．５４ｇ、エチレングリコールジメタクリレート２
５．４ｇを加え混合し、感光性ポリイミド前駆体のワニ
スＦを得た。

【００４９】合成例７ エタノ−ルアミン３０．５ｇ（０．５モル）とメタクリ
ル酸グリシジル１４２ｇ（１モル）をトリエチルミン
０．３ｇ（０．００３モル）とともに、４０度の水浴中
で２時間、その後室温で４時間反応を行い粘性のある溶
液を得た。このものは、赤外スペクトルより１６５０ｃ
ｍ−１付近に現れるアミノ基由来の吸収が消え、グリシ
ジル基とアミノ基が縮合した化合物（１）であることが
判った。

【００５０】合成例８ プロピルアミン２９．５ｇ（０．５モル）とメタクリル
酸グリシジル１４２ｇ（１モル）をトリエチルミン０．
３ｇ（０．００３モル）とともに、４０度の水浴中で２
時間、その後室温で４時間反応を行い粘性のある溶液を
得た。このものは、赤外スペクトルより１６５０ｃｍ−
１付近に現れるアミノ基由来の吸収が消え、グリシジル
基とアミノ基が縮合した化合物（２）であることが判っ
た。

【００５１】合成例９ エチレンジアミン１５．０ｇ（０．２５モル）とメタク
リル酸グリシジル１４２ｇ（１モル）をトリエチルミン
０．３ｇ（０．００３モル）とともに、４０度の水浴中
で２時間、その後室温で４時間反応を行い粘性のある溶
液を得た。このものは、赤外スペクトルより１６５０ｃ
ｍ−１付近に現れるアミノ基由来の吸収が消え、グリシ
ジル基とアミノ基が縮合した化合物（３）であることが
判った。 合成例１０ アリルアミン２８．５ｇ（０．５モル）とメタクリル酸
グリシジル１４２ｇ（１モル）をトリエチルミン０．３
ｇ（０．００３モル）とともに、４０度の水浴中で２時
間、その後室温で４時間反応を行い粘性のある溶液を得
た。このものは、赤外スペクトルより１６５０ｃｍ−１
付近に現れるアミノ基由来の吸収が消え、グリシジル基
とアミノ基が縮合した化合物（４）であることが判っ
た。

【００５２】合成例１１ プロピルアミン２９．５ｇ（０．５モル）とグリシジル
メチルエ−テル８８ｇ（１モル）をトリエチルミン０．
３ｇ（０．００３モル）とともに、４０度の水浴中で２
時間、その後室温で４時間反応を行い粘性のある溶液を
得た。このものは、赤外スペクトルより１６５０ｃｍ−
１付近に現れるアミノ基由来の吸収が消え、グリシジル
基とアミノ基が縮合した化合物（５）であることが判っ
た。

【００５３】合成例１２ ２−メチル−２−ニトロ−１，３−プロパンジオール６
７．６ｇ（０．５モル）とメタクリル酸グリシジル１４
２ｇ（１モル）を６５℃の水浴中で２時間、その後４０
℃で６時間反応を行い、粘性のある溶液を得た。これ
は、グリシジル基と水酸基が縮合した化合物（６）であ
った。

【００５４】実施例１ 図１の半導体素子上に、感光性ポリイミド前駆体のワニ
スＡに合成例７の化合物（１）を１０重量％添加したワ
ニスをプリベ−ク後の膜厚が１０μｍとなるように塗布
し、ついでホットプレ−ト（大日本スクリ−ン製造社製
ＳＣＷ−６３６）を用いて、１００℃で３分プリベ−ク
することにより、感光性ポリイミド前駆体膜を得た。つ
いで、露光機（ニコン製ｇ線ステッパＮＳＲ−１５０５
Ｇ６Ｅ）に、パターンの切られたレチクルをセットし、
露光量３００mJ/cｍ² （４３６ｎｍの強度）で露光を行
った。同様の方法により合計３枚の試料を作製した。得
られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、１２
時間後に現像を行うもの、２日後に現像を行うものに分
けた。

【００５５】現像は、大日本スクリ−ン製造社製ＳＣＷ
−６３６の現像装置を用い、１００回転で現像液ＤＶ−
６０５（東レ製）を３秒間噴霧した。この後、６０秒静
止し、次いで１０００回転で５秒間現像液を噴霧、１０
００回転で５秒間イソプロピルアルコ−ルを噴霧してリ
ンス処理、３０００回転で８秒振り切り乾燥した。放置
時間によらず全てのウエハは６０秒の静止時間で現像が
行え、全てのウエハにおいて解像度も１５ミクロンのホ
−ルが解像していた。

【００５６】このようにして図１の半導体素子上に表面
保護膜が形成された。

【００５７】比較例１ 図１の半導体素子上に実施例１と全く同様な方法によ
り、感光性ポリイミド前駆体Ａに合成例１１の化合物
（５）を１０重量％添加したワニスの被膜を用意した。
得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、１
日後に現像を行うもの、３日後に現像を行うものに分け
た。

【００５８】現像は実施例１と全く同様である。露光後
すぐのものは６０秒の静止時間で現像を行ったところパ
ターンが全て消失した。また、１日後、３日後のものも
同様にパターンが消失した。

【００５９】実施例２ 図２の半導体素子上に実施例１と全く同様な方法によ
り、感光性ポリイミド前駆体Ｂに合成例８の化合物
（２）を５重量％添加したワニスの被膜を用意した。得
られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、１２
時間後に現像を行うもの、２日後に現像を行うものに分
けた。

【００６０】現像は、大日本スクリ−ン製造社製ＳＣＷ
−６３６の現像装置を用い、１０００回転でＮ−メチル
ピロリドン（ＮＭＰ）とキシレン（体積比７：３）の現
像液を２０秒間噴霧した。この後、１０００回転で５秒
間乳酸エチルを噴霧してリンス処理、３０００回転で８
秒振り切り乾燥した。放置時間によらず全てのウエハは
２０秒の噴霧時間で現像が行え、全てのウエハにおいて
解像度も２０ミクロンのホ−ルが解像していた。

【００６１】このようにして図２の半導体素子上にパッ
シベーション膜が形成された。

【００６２】比較例２ 図２の半導体素子上に実施例１と全く同様な方法によ
り、感光性ポリイミド前駆体Ｂの被膜を用意した。得ら
れた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、１２時
間後に現像を行うもの、２日後に現像を行うものに分け
た。

【００６３】現像は、大日本スクリ−ン製造社製ＳＣＷ
−６３６の現像装置を用い、１０００回転でＮＭＰとキ
シレン（体積比７：３）の現像液を所定時間噴霧した。
この後、１０００回転で５秒間乳酸エチルを噴霧してリ
ンス処理、３０００回転で８秒振り切り乾燥した。露光
後すぐのものは２０秒の現像時間で現像が行えず、４０
秒の現像が必要であった。１５ミクロンのホ−ルが解像
していたが、１２時間後のものは４０秒の現像時間で現
像が行えたものの、５０ミクロンまで解像度が低下し
た。２日後に現像を行ったものは４０秒の現像時間では
現像が終了していなかった。

【００６４】実施例３ 図３の半導体素子上に実施例１と全く同様な方法によ
り、感光性ポリイミド前駆体Ｃに合成例９の化合物
（３）を３重量％添加したワニスの被膜を用意した。得
られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、１２
時間後に現像を行うもの、２日後に現像を行うものに分
けた。

【００６５】現像は、大日本スクリ−ン製造社製ＳＣＷ
−６３６の現像装置を用い、１００回転でＮＭＰとエタ
ノ−ル（体積比８：２）の現像液を３秒間噴霧した。こ
の後、９０秒静止し、次いで１０００回転で５秒間現像
液を噴霧、１０００回転で５秒間メチルイソブチルケト
ン処理してリンス、３０００回転で８秒振り切り乾燥し
た。放置時間によらず全てのウエハは９０秒の静止時間
で現像が行え、全てのウエハにおいて解像度も２０ミク
ロンのホ−ルが解像していた。このようにして図３の半
導体素子上に層間絶縁膜が形成された。この後、アルミ
配線上に、Ｓｉ₃ Ｎ₄ のパッシベーション膜を公知の方
法で形成した。

【００６６】比較例３ 実施例１と全く同様な方法により、感光性ポリイミド前
駆体Ｃの被膜を用意した。得られた露光済みウエハを、
すぐに現像を行うもの、１２時間後に現像を行うもの、
２日後に現像を行うものに分けた。

【００６７】現像は、大日本スクリ−ン製造社製ＳＣＷ
−６３６の現像装置を用い、１００回転でＮＭＰとエタ
ノ−ル（体積比８：２）の現像液を３秒間噴霧した。こ
の後、所定時間静止した。１０００回転で５秒間乳酸エ
チルを噴霧してリンス処理、３０００回転で８秒振り切
り乾燥した。露光後すぐのものは９０秒の現像時間で現
像が行えず、１２０秒の現像で１５ミクロンのホ−ルが
解像していたが、１２時間後のものは１２０秒の現像時
間で現像が行えたものの、５０ミクロンまで解像度が低
下した。２日後に現像を行ったものは１２０秒の現像時
間では現像が終了していなかった。このように、実際の
採用に問題があることが判る。

【００６８】実施例４ 図１の半導体素子上に実施例１と全く同様な方法によ
り、感光性ポリイミド前駆体Ｄに合成例９の化合物
（３）を１０重量％添加したワニスの被膜を用意した。
得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、１
２時間後に現像を行うもの、２日後に現像を行うものに
分けた。

【００６９】現像は、大日本スクリ−ン製造社製ＳＣＷ
−６３６の現像装置を用い、１００回転でＮＭＰとプロ
ピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−トと水
（体積比７：２：１）の現像液を３秒間噴霧した。この
後、８０秒静止し、次いで１０００回転で５秒間現像液
を噴霧、１０００回転で５秒間プロピレングリコ−ルモ
ノメチルエ−テルアセテ−ト処理してリンス、３０００
回転で１５秒振り切り乾燥した。放置時間によらず全て
のウエハは８０秒の静止時間で現像が行え、全てのウエ
ハにおいて解像度も２０ミクロンのホ−ルが解像してい
た。

【００７０】このようにして図１の半導体素子上に表面
保護膜が形成された。

【００７１】比較例４ 図１の半導体素子上に実施例１と全く同様な方法によ
り、感光性ポリイミド前駆体Ｄの被膜を用意した。得ら
れた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、１２時
間後に現像を行うもの、２日後に現像を行うものに分け
た。

【００７２】現像は、大日本スクリ−ン製造社製ＳＣＷ
−６３６の現像装置を用い、１００回転でＮＭＰとプロ
ピレングリコ−ルモノメチルエ−テルアセテ−トと水
（体積比７：２：１）の現像液を３秒間噴霧した。この
後、所定時間静止し、次いで１０００回転で５秒間現像
液を噴霧、１０００回転で５秒間プロピレングリコ−ル
モノメチルエ−テルアセテ−ト処理してリンス、３００
０回転で１５秒振り切り乾燥した。露光後すぐのものは
８０秒の現像時間で現像が行えず、１２０秒の現像時間
で２０ミクロンのホ−ルが解像していたが、１２時間後
のものは１２０秒の現像時間で現像が行えたものの、５
０ミクロンまで解像度が低下した。２日後に現像を行っ
たものは１２０秒の現像時間では現像が終了していなか
った。

【００７３】実施例５ 図１の半導体素子上に実施例１と全く同様な方法によ
り、感光性ポリイミド前駆体Ｅに合成例１０の化合物
（４）を１５重量％添加したワニスの被膜を用意した。
得られた露光済みウエハを、すぐに現像を行うもの、１
２時間後に現像を行うもの、２日後に現像を行うものに
分けた。

【００７４】現像は、大日本スクリ−ン製造社製ＳＣＷ
−６３６の現像装置を用い、５０回転でＮＭＰと水（体
積比８：２）の現像液を３秒間噴霧した。この後、９０
秒静止し、次いで１０００回転で５秒間エタノ−ルを噴
霧してリンス処理、３０００回転で８秒振り切り乾燥し
た。放置時間によらず全てのウエハは９０秒の静止時間
で現像が行え、全てのウエハにおいて解像度も３０ミク
ロンのホ−ルが解像していた。

【００７５】このようにして図１の半導体素子上に表面
保護膜が形成された。

【００７６】比較例５ 実施例５と全く同様な方法により、感光性ポリイミド前
駆体Ｅの被膜を図１の半導体素子上に形成し、全く同様
な方法により露光を行った。得られた露光済みウエハ
を、すぐに現像を行うもの、１２時間後に現像を行うも
の、２日後に現像を行うものに分けた。

【００７７】現像は、大日本スクリ−ン製造社製ＳＣＷ
−６３６の現像装置を用い、５０回転でＮＭＰと水（体
積比８：２）の現像液を３秒間噴霧した。この後、所定
時間静止し、次いで１０００回転で５秒間エタノ−ルを
噴霧してリンス処理、３０００回転で８秒振り切り乾燥
した。露光後すぐのものは９０秒の静止時間で現像が行
えず、１２０秒の現像で２０ミクロンのホ−ルが解像し
ていたが、１２時間後のものは１２０秒の静止時間で現
像が行えたものの、５０ミクロンまで解像度が低下し
た。２日後に現像を行ったものは１２０秒の静止時間で
は現像が終了していなかった。

【００７８】実施例６ 図１の半導体素子上に実施例１と全く同様な方法によ
り、感光性ポリイミド前駆体Ｆにメタクリル酸グリシジ
ルとアクリル酸の縮合物（新中村化学製７０１Ａ）を２
０重量％添加したワニスの被膜を用意した。この露光は
ニコン製ｉ線ステッパＮＳＲ−１７５５ｉ７Ａを用い
て、パターンの切られたレチクルをセットして２００ｍ
Ｊの露光を行った。得られた露光済みウエハーを、すぐ
に現像を行うもの、１２時間後に行うもの、２日後に行
うものに分けた。

【００７９】現像は大日本スクリ−ン社製ＳＣＷ−６３
６の現像装置を用い、１００回転でＮＭＰとキシレン
（体積比７：３）の現像液を３秒間噴霧した。この後、
４０秒間静止し、次いで１０００回転で５秒間３−メト
キシ−３−メチルブタノールを噴霧した。この後、４５
００回転で１０秒振り切り乾燥した。放置時間によらず
全て４０秒の静止時間で現像が行え、全てのウエハにお
いて解像度も５ミクロンであった。

【００８０】このようにして図１の半導体素子上に表面
保護膜が形成された。

【００８１】実施例７ 図１の半導体素子上に実施例１と全く同様な方法により
感光性ポリイミド前駆体Ｆに合成例１２の化合物（６）
を３重量％添加したワニスの被膜を用意し、実施例６と
同様な条件で露光を行った。得られた露光済みウエハー
をすぐに現像を行うもの、１２時間後に行うもの、２日
後に行うものに分けた。

【００８２】現像は大日本スクリ−ン社製ＳＣＷ−６３
６の現像装置を用い、１００回転でＮＭＰとプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート（体積比８：
２）の現像液を３秒間噴霧した。この後、４０秒間静止
し、次いで１０００回転で５秒間プロピレングリコール
モノエチルエーテルアセテートを噴霧した。この後、４
０００回転で１０秒振り切り乾燥した。放置時間によら
ず全て４０秒の静止時間で現像が行え、全てのウエハに
おいて解像度は５ミクロンであった。

【００８３】このようにして図１の半導体素子上に表面
保護膜が形成された。

【００８４】比較例６ 図１の半導体素子上に実施例６と同様の方法な方法によ
り、感光性ポリイミド前駆体Ｆのみの被膜を形成し、全
く同様な方法によりｉ線ステッパで露光を行った。得ら
れた露光済みウエハを、実施例６と同様に現像を行った
が、静止時間が４０秒では現像が終了せず、６０秒必要
であった。また、１２時間放置したものは６０秒間の静
止時間で現像できたが、解像度が２０μｍと低下した。
２日後に現像を行っただけでは、６０秒の静止時間では
現像が行えなかった。

【００８５】

【発明の効果】本発明は上述したように構造単位［１］
を主成分とするポリマと、エチレン性不飽和二重結合お
よび水素結合をカルボキシル基および／またはアミド基
と形成可能な基を有する化合物（Ｂ）と増感剤とから構
成した感光性ポリイミド前駆体組成物を用いることで、
放置により現像時間が変化せず、短時間現像可能で、製
造条件の容易な半導体素子が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体素子の表面保護膜にポリイミド膜を使用
した例を示す。

【図２】半導体素子のパッシベーション膜にポリイミド
膜を使用した例を示す。

【図３】半導体素子の層間絶縁膜にポリイミド膜を使用
した例を示す。

【符号の説明】

１：半導体素子、基板 ２：パッシベーション膜 ３：ポリイミド膜 ４：アルミパッド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｒ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】（ａ）一般式（１）で表される構造単位を
   主成分とするポリマー（Ａ）、 【化１】 （Ｒ1 は少なくとも２個以上の炭素原子を有する３価ま
   たは４価の有機基、Ｒ2は、少なくとも２個以上の炭素
   原子を有する２価の有機基、Ｒ3 は、−ＯＲ４、−ＮＨ
   Ｒ４又は−Ｏ^- Ｎ⁺ Ｒ４Ｒ５Ｒ６Ｒ７、ただし、Ｒ４は
   少なくとも１個のエチレン性不飽和結合を有する基、Ｒ
   ５、Ｒ６、Ｒ７は、水素、炭素数１から１０までの炭化
   水素基または少なくとも１個のエチレン性不飽和結合を
   有する基を表す。ｎは１または２である。） （ｂ）エチレン性不飽和二重結合および水素結合をカル
   ボキシル基および／またはアミド基と形成可能な基を有
   する化合物（Ｂ）、および （ｃ）増感剤を含有する感光性ポリイミド前駆体組成物
   の硬化膜を表面保護膜、層間絶縁膜、パッシベーション
   膜の少なくとも一つとして用いたことを特徴とする半導
   体素子。
2. 【請求項２】化合物（Ｂ）における、水素結合をカルボ
   キシル基および／またはアミド基と形成可能な基が水酸
   基又はニトロ基であることを特徴とする請求項１記載の
   半導体素子。
3. 【請求項３】化合物（Ｂ）が、メタクリル酸グリシジル
   と脂肪族アミンの縮合物であることを特徴とする請求項
   １記載の半導体素子。