JPH09128752A - 磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁性薄膜を構成してなる磁性粒子の配向性の
向上を図り、良好な電磁変換特性を得る。 【解決手段】 冷却キャン５に対向する位置に永久磁石
１２が設置されてなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体の製
造装置の技術分野に属するもので、特に、非磁性支持体
上に成膜される磁性層を構成する磁性粒子の配向性を向
上させた磁気記録媒体を製造することができる磁気記録
媒体の製造装置及び磁気記録媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばビデオテープレコーダ等の磁気記
録の分野においては、高密度化が一層強く要求されてお
り、これに対応する磁気記録媒体として、金属、或いは
Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｏ等の強磁性
金属材料を、メッキや真空薄膜形成技術（真空蒸着法や
スパッタリング法、イオンプレーティング法等）によっ
てポリエステルフィルムやポリアミド、ポリイミドフィ
ルム等の非磁性支持体上に直接被着せしめて磁性層を形
成する、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案
され注目を集めている。

【０００３】この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、抗
磁力や角形比等に優れ、磁性層の厚みを極めて薄くでき
る為、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく短波
長での電磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層中に
非磁性材であるバインダーを混入する必要がないため磁
性材料の充填密度を高めることができる等、数々の利点
を有している。即ち、この金属磁性薄膜型の磁気記録媒
体は、磁気特性的な優位さ故に高密度磁気記録の主流に
なると考えられる。

【０００４】かかる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体にお
いて、中でも真空蒸着法によって磁性層が形成される蒸
着テープは、高生産効率と安定した特性が得られるため
に、既にハイバンド８ミリ用テープやディジタルマイク
ロテープ（ＮＴテープ）等として商品化されている。

【０００５】この蒸着テープにおいては、電磁変換特性
を向上させ、より高出力化を図るために、磁性層を形成
する際に、磁性層を構成する磁性材料を非磁性支持体の
表面に対して斜め方向から蒸着させる、いわゆる斜方蒸
着法が使用されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】かかる蒸着テープ等の
磁気記録媒体は、高密度記録用媒体として有望である
が、今後更なる出力の向上、ノイズの低減が求められて
いる。出力の向上やノイズの低減を図る方法としては、
例えば蒸着により形成された磁性層を構成してなる磁性
粒子の配向性を向上させる方法がある。

【０００７】しかしながら、現在の蒸着テープの磁気特
性の角形比は高くてもせいぜい８０％程度であり、より
一層の向上が望まれているが、従来の技術では著しい向
上は期待できない。

【０００８】そこで、本発明は、このような実情に鑑み
て提案されたものであって、磁性薄膜を構成してなる磁
性粒子の配向性の向上を図り、良好な電磁変換特性を得
ることが可能な磁気記録媒体の製造装置及び磁気記録媒
体の製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上述の目
的を達成せんものと鋭意研究の結果、磁性層が形成され
る非磁性支持体を搬送しながら冷却する冷却キャンに対
向する位置に、永久磁石が設置して成膜を行うことによ
り、磁性粒子の配向性に優れた磁性薄膜が形成され、媒
体としての出力特性が向上することを見い出し、本発明
を完成するに至ったものである。

【００１０】本発明にかかる磁気記録媒体の製造装置
は、磁性層が形成される非磁性支持体を搬送しながら冷
却する冷却キャンを備え、真空蒸着法により非磁性支持
体上に強磁性金属薄膜を磁性層として蒸着させる磁気記
録媒体の製造装置において、上記冷却キャンに対向する
位置に永久磁石が設置されてなることを特徴とする。

【００１１】そして、冷却キャンの外周表面と相対向す
るするように上記非磁性支持体の所定領域を覆う入射角
制限マスクが配された磁気記録媒体の製造装置におい
て、前記永久磁石が上記入射角制限マスクの冷却キャン
対向面側に設けられてなることを特徴とする。

【００１２】また、永久磁石の設置位置が上記入射角制
限マスクの先端の蒸着規制部から２００ｍｍ以内であ
り、印加する磁場の大きさが０．１ｍＴ以上であること
を特徴とする。

【００１３】また、永久磁石の設置位置が上記入射角制
限マスクの先端の蒸着規制部から１００ｍｍ以内であ
り、印加する磁場の大きさが０．５ｍＴ以上であること
を特徴とする。

【００１４】他方、本発明にかかる磁気記録媒体の製造
方法は、磁性層が形成される非磁性支持体を搬送しなが
ら冷却する冷却キャンを備え、真空蒸着法により非磁性
支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層として蒸着させる磁
気記録媒体の製造方法において、上記冷却キャンに対向
する位置に永久磁石を設置して、磁性層の成膜直後に非
磁性支持体の長手方向に対して磁場を印加することを特
徴とする。

【００１５】本発明においては、冷却キャンに対向する
位置に永久磁石が設置されてなることから、磁性層の成
膜直後に非磁性支持体の長手方向に対して磁場を印加す
ることができる。これにより、上記磁性層を構成する磁
性粒子の配向性が向上し、良好な出力特性が得られる。

【００１６】ここで、冷却キャンに対向する位置に永久
磁石は、磁性層の成膜直後に非磁性支持体の長手方向に
対して磁場を印加することができるものであれば、２つ
以上設けられてなるものでも良い。

【００１７】本発明が適用される磁気記録媒体として
は、非磁性支持体上に真空薄膜形成技術により強磁性金
属薄膜が磁性層として形成される、いわゆる金属磁性薄
膜型の磁気記録媒体が挙げられる。

【００１８】上記金属磁性薄膜型の磁気記録媒体におい
て、上記非磁性支持体や強磁性金属薄膜を構成する強磁
性材料等は従来よりこの種の磁気記録媒体において使用
されているものがいずれも使用可能であり、特に限定さ
れるものではない。

【００１９】上記磁性層は、これら強磁性材料からなる
強磁性金属薄膜の単層膜であっても良いし、多層膜であ
っても良い。

【００２０】また、上記非磁性支持体と上記強磁性金属
薄膜間、或いは多層膜の場合には、各層間の付着力の向
上、並びに抗磁力の制御等のために、下地層、又は中間
層を設けても良い。更に、例えば磁性層表面近傍が耐食
性の改善等のために酸化物となっていても良い。

【００２１】この強磁性金属薄膜を形成する手段として
は、真空下で上述の強磁性金属材料を加熱蒸発させ上記
非磁性支持体上に被着せしめる真空蒸着法が好適であ
る。

【００２２】上記永久磁石としては、サマリウムコバル
トが好適であるが、この他ネオジボロン等が使用可能で
あり、特に限定されるものではない。

【００２３】勿論、本発明が適用される磁気記録媒体の
構成としては、これに限定されるものではなく、本発明
の要旨を逸脱しない範囲での変更、例えば必要に応じて
バックコート層を形成したり、上記非磁性支持体上に下
塗り層を形成したり、潤滑剤層等の各種層を形成するこ
とはなんら差し支えない。この場合、上記バックコート
層に含まれる非磁性顔料、樹脂結合剤、或いは上記潤滑
剤層に含まれる材料等としては、従来公知のものがいず
れも使用可能である。

【００２４】

【実施例】以下、本発明を具体的な実施例により説明す
るが、本発明がこの実施例に限定されるものでないこと
は言うまでもない。

【００２５】（実施例１）先ず、本実施例において作製
した磁気テープの磁性層を形成する際に使用した連続巻
取り式真空蒸着装置の構成について説明する。

【００２６】この連続巻取り式真空蒸着装置は、図１に
示すように、内部が所定の真空度（ここでは、１０^-2Ｐ
ａ）に保たれた真空槽１内において、被処理体であるテ
ープ状の非磁性支持体４が、図１中の反時計回り方向に
定速回転する送りロール２から反時計回り方向に定速回
転する巻き取りロール３に向かって順次走行するように
なされている。

【００２７】これら送りロール２側から巻き取りロール
３側に亘って上記非磁性支持体４が走行する中途部に
は、該非磁性支持体４を図１中左方に引き出すように設
けられるとともに、上記各ロール２，３の径よりも大径
となされた冷却キャン５が図１中時計回り方向に定速回
転するように設けられている。

【００２８】この冷却キャン５は、内部に設けられた冷
却手段（図示せず。）により所定の温度（ここでは−２
０℃とした。）に冷却されるような構成を有しており、
該冷却キャン５の外周面に沿って走行される上記非磁性
支持体４が蒸着時の熱により変形するのを防止するよう
になされている。

【００２９】これら送りロール２、巻き取りロール３及
び冷却キャン５は、それぞれ上記非磁性支持体４の幅と
略同じ長さからなる円筒状をなすものである。

【００３０】従って、この真空蒸着装置においては、上
記非磁性支持体４が、上記送りロール２から順次送り出
され、上記冷却キャン５の外周面に沿って通過し、更に
上記巻き取りロール３に巻き取られていくようになされ
ている。

【００３１】また、上記冷却キャン５の下方には、内部
に強磁性材料７が充填されたるつぼ６が配設されてい
る。

【００３２】一方、上記真空槽１の頭部には、加熱手段
として電子銃１０が外付けされており、該電子銃１０よ
り発せられる電子ビーム１１が上記るつぼ６内の強磁性
材料（ここではＣｏ₁₀₀ を用いた。）７上に照射され加
熱溶融せしめられるようになされている。そして、この
るつぼ６より蒸発せしめられた蒸気流Ｘは、上記冷却キ
ャン５の外周面に沿って走行する非磁性支持体４上に蒸
着され、磁性層として形成されるようになされている。

【００３３】また、上記冷却キャン５とるつぼ６との間
で、上記冷却キャン５の近傍には、得られる強磁性金属
薄膜の粒子の微細化を図るために導入される酸素ガスの
酸素ガス導入口８が配設される。そして、この酸素ガス
導入口８の導入口より酸素ガスが上記磁性層上に供給さ
れる。

【００３４】なお、上記酸素ガス導入口８の下方には、
該酸素ガス導入口８が設けられた領域と該酸素ガス導入
口８の下方側の領域（上記るつぼ６が設けられた領域）
とを分断する如く入射角制限マスク９が配設されてお
り、上記酸素ガス導入口８から導入される酸素ガスが該
酸素ガス導入口８の下方側の領域に拡散するのを防止す
るようになされている。ここで、入射角制限マスク９の
先端が蒸着領域を規制する蒸着規制部１３となる。

【００３５】また、この入射角制限マスク９は、上記冷
却キャン５の外周面に沿って移動走行される上記非磁性
支持体４の巻き取りロール３側の一部を被う形で配設さ
れ、該入射角制限マスク９で被われる領域の上記非磁性
支持体４上には上記るつぼ６より蒸発せしめられた蒸気
流Ｘが被着しないようにされることで上記非磁性支持体
４に対する上記蒸気流Ｘの入射角が規制される。

【００３６】そして特に、図１及び図２に示すように、
上記冷却キャン５に対向する位置に、永久磁石１２が設
置されてなる。

【００３７】この永久磁石１２は、非磁性支持体４上に
強磁性金属薄膜からなる磁性層に対して、磁性層の成膜
直後に非磁性支持体４の長手方向に対して磁場を印加す
るもので、図３に示すように、上記入射角制限マスク９
の冷却キャン対向面側９ａに設けられてなる。この永久
磁石１２は、図示しない磁界発生装置により磁場が印加
される。

【００３８】そして、上記永久磁石１２は、図２に示す
ように、その中心が上記入射角制限マスク９の先端の蒸
着規制部１３から一定の距離Ｌをおいて設けられてい
る。

【００３９】このような永久磁石１２として、本実施例
ではサマリウムコバルトを使用したが、これに限定され
るものではなく、この他に例えばネオジボロン等が使用
可能である。

【００４０】したがって、永久磁石１２は、上記入射角
制限マスク９の冷却キャン対向面側９ａに設けられてな
ることから、磁性層の成膜直後に非磁性支持体４の長手
方向に対して磁場を印加することができる。

【００４１】次に、上記構成の磁気記録媒体の製造装置
を使用して、磁気記録媒体を製造した。

【００４２】本磁気記録媒体の製造装置により製造され
る磁気記録媒体は、非磁性支持体であるベースフィルム
４上に強磁性金属或いはその合金の薄膜からなる磁性層
が形成されるとともに、この磁性層の形成面とは反対側
の面にバックコート層が形成される磁気記録媒体であ
る。このバックコート層の塗布に際しては、潤滑剤とし
てパーフルオロポリエーテルを塗布して、８ミリ幅に裁
断していわゆる８ミリカセットに組み込んだ。このよう
な作製工程フローチャートを図４に示す。

【００４３】本実施例では、ポリエンエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）フィルムからなるベースフィルム４上
にＣｏを蒸着させた。

【００４４】なお、磁性層を形成する金属磁性材料は、
Ｃｏ膜の他に例えばＦｅ，Ｎｉ等の金属やＣｏ−Ｎｉ系
合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合
金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系合金、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ系合金等からなる面内磁化記録金属
磁性膜や、Ｃｏ−Ｃｒ系合金薄膜、Ｃｏ−Ｏ系薄膜等の
垂直磁化記録金属磁性薄膜を使用しても良い。

【００４５】そこで、このような構成を有するの真空蒸
着装置を用い、実際に、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）からなるベースフィルム上に下記の条件にて
斜め蒸着を行ってＣｏ膜を形成し、強磁性金属薄膜の単
層膜からなる磁性層を膜厚が２００ｎｍとなるように形
成した。

【００４６】＜蒸着時の条件＞ 蒸気流の入射角θ：非磁性支持体の法線方向から９０〜
４５゜ 非磁性支持体の送り速度：２５ｍ／分 磁性層の厚み：２００ｎｍ 酸素ガス導入量：５００ｃｃ／分 次いで、図２に示すように、上記ベースフィルム４の磁
性層形成面の反対面側にバックコート層を設けた。

【００４７】続いて、所定の防錆剤を用いて防錆処理を
施した後、上記磁性層表面に潤滑剤を塗布して潤滑剤層
を形成した。

【００４８】更に、得られた幅広のベースフィルム４を
８ｍｍ幅にスリットしてサンプルテープを作製した。

【００４９】このようにして作製された蒸着テープの保
磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒ、角形比Ｒｓ、再生出力Ｏ
ｕｔを測定し、これらを評価した。その結果を表１に示
す。

【００５０】この測定には、ソニー社製（商品名；ハイ
バンド８ミリビデオデッキＥＶ−Ｓ９００）を改造した
ものを使用した。相対速度は３．８ｍ／秒、記録周波数
７ＭＨｚとした時の再生出力を測定した。この時、記録
電流は、各サンプルテープについて最も高い再生出力が
得られる値に設定した。

【００５１】（実施例２）永久磁石１２の設置位置が入
射角制限マスクの先端の蒸着規制部からの距離Ｌが２０
ｍｍであり、印加する磁場の大きさが０．５ｍＴである
以外は、実施例１２と同様な装置を使用して磁気記録媒
体を製造した。そして、実施例１と同様、再生出力Ｏｕ
ｔ等を測定した。その結果を表１に示す。

【００５２】（実施例３）永久磁石１２の設置位置が入
射角制限マスクの先端の蒸着規制部からの距離Ｌが２０
ｍｍであり、印加する磁場の大きさが１．０ｍＴである
以外は、実施例１と同様な装置を使用して磁気記録媒体
を製造した。そして、実施例１と同様、再生出力Ｏｕｔ
等を測定した。その結果を表１に示す。

【００５３】（実施例４）永久磁石１２の設置位置が入
射角制限マスクの先端の蒸着規制部からの距離Ｌが５０
ｍｍであり、印加する磁場の大きさが１．０ｍＴである
以外は、実施例１と同様な装置を使用して磁気記録媒体
を製造した。そして、実施例１と同様、再生出力Ｏｕｔ
等を測定した。その結果を表１に示す。

【００５４】（実施例５）永久磁石１２の設置位置が入
射角制限マスクの先端の蒸着規制部からの距離Ｌが１０
０ｍｍであり、印加する磁場の大きさが１．０ｍＴであ
る以外は、実施例１と同様な装置を使用して磁気記録媒
体を製造した。そして、実施例１と同様、再生出力Ｏｕ
ｔ等を測定した。その結果を表１に示す。

【００５５】（実施例６）永久磁石１２の設置位置が入
射角制限マスクの先端の蒸着規制部からの距離Ｌが２０
０ｍｍであり、印加する磁場の大きさが１．０ｍＴであ
る以外は、実施例１と同様な装置を使用して磁気記録媒
体を製造した。そして、実施例１と同様、再生出力Ｏｕ
ｔ等を測定した。その結果を表１に示す。

【００５６】（比較例１）従来装置と同様、冷却キャン
５に対向する位置に永久磁石１２が設置されていない装
置を使用して磁気記録媒体を製造した。そして、実施例
１と同様、再生出力Ｏｕｔ等を測定した。その結果を表
１に示す。

【００５７】（比較例２）永久磁石１２の設置位置が入
射角制限マスクの先端の蒸着規制部からの距離Ｌが３０
０ｍｍであり、印加する磁場の大きさが１．０ｍＴであ
る以外は、実施例１と同様な装置を使用して磁気記録媒
体を製造した。

【００５８】

【表１】

【００５９】まず、表１から明らかなように、冷却キャ
ン５に対向する位置に永久磁石１２が設置されてなるも
のは（実施例１〜６のみならず比較例２も含む）、いず
れのものも再生出力Ｏｕｔが、永久磁石１２が設置され
ていない従来装置の比較例１よりも、高い値を示した。
これは、磁性層の成膜直後に非磁性支持体４の長手方向
に対して磁場を印加することにより、上記磁性層を構成
する磁性粒子の配向性が向上し、良好な出力特性が得ら
れるからである。

【００６０】したがって、磁性層の成膜直後に非磁性支
持体４の長手方向に対して磁場を印加することは、実用
上重要である電磁変換特性の効果は顕著である。

【００６１】ここで、永久磁石１２の設置位置が冷却キ
ャン５の表面から２００ｍｍ以内であり、印加する磁場
の大きさが０．１ｍＴ以上である場合は、再生出力Ｏｕ
ｔが＋０．２ｄＢ以上の良好な結果が得られた。

【００６２】そして、永久磁石１２の設置位置が冷却キ
ャン５の表面から１００ｍｍ以内であり、印加する磁場
の大きさが０．５ｍＴ以上である場合、いずれも再生出
力Ｏｕｔが＋１．０ｄＢ以上という顕著な効果が得られ
た。

【００６３】一方、蒸着テープの保磁力Ｈｃ、残留磁束
密度Ｂｒ、角形比Ｒｓといった静電気特性でも、上記範
囲のものは、僅かではあるが、良好な結果が得られた。

【００６４】ここで、本実施例では、磁性層としてＣｏ
膜を使用したが、上述のように蒸着直後に磁場を印加し
て磁性薄膜の配向性を向上させることは、これに限定さ
れるものではなく、Ｃｏ膜の他に例えばＦｅ，Ｎｉ等の
金属やＣｏ−Ｎｉ系合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系合金、Ｆ
ｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｂ系合金、Ｆｅ−
Ｃｏ−Ｂ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ系合金等からな
る面内磁化記録金属磁性膜や、Ｃｏ−Ｃｒ系合金薄膜、
Ｃｏ−Ｏ系薄膜等の垂直磁化記録金属磁性薄膜を使用し
た場合においても、極めて有効であることが容易に考え
られる。

【００６５】以上、上記実施例においては、冷却キャン
５に対向する位置に永久磁石１２が１つ設置されてなる
もので説明したが、磁性層の成膜直後に非磁性支持体４
の長手方向に対して磁場を印加することができるもので
あれば、２つ以上設けられなるものでも、本発明の技術
的範囲に含まれることは言うまでもない。

【００６６】なお、蒸着工程において磁石を用いること
は、既にいくつかの方法が知られているが、その目的は
上記入射角制限マスク９に付着した磁性金属の落下防
止、或いは、冷却キャン５表面の金属粉の除去であり、
それらの設置位置では本発明の効果である蒸着層の配向
性の向上は決して実現不可能であることが、本実施例か
らも明らかであり、本発明とは、その目的もその構成も
大きく相違するものである。

【００６７】

【発明の効果】本発明にかかる磁気記録媒体の製造装置
によれば、冷却キャンに対向する位置に永久磁石が設置
されてなることから、磁性層の成膜直後に非磁性支持体
の長手方向に対して磁場を印加することができ、磁性層
を構成する磁性粒子の配向性を向上させることができ
る。

【００６８】したがって、かかる製造装置を使用して、
磁性層の成膜直後に非磁性支持体の長手方向に対して磁
場を印加することにより、磁性層を構成する磁性粒子の
配向性を向上させることができ、良好な出力特性が得ら
れる電磁変換特性に優れた磁気記録媒体を製造すること
ができる。また、保磁力Ｈｃ、残留磁束密度Ｂｒ、角形
比Ｒｓといった静電気特性でも良好な結果が得られる磁
気記録媒体を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の製造装置の一構成例を
示す図である。

【図２】上記磁気記録媒体の製造装置の永久磁石の設置
位置を示す模式図である。

【図３】上記製造装置を使用して磁気記録媒体を製造す
る工程を示すフローチャートである。

【符号の説明】

４ 非磁性支持体（ベースフィルム） ５ 冷却キャン ９ 入射角制限マスク ９ａ 入射角制限マスクの冷却キャン対向面側 １２ 永久磁石 １３ 入射角制限マスクの先端の蒸着規制部 Ｌ 入射角制限マスクの先端の蒸着規制部からの距離

フロントページの続き (72)発明者 武田 勉 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁性層が形成される非磁性支持体を搬送
   しながら冷却する冷却キャンを備え、真空蒸着法により
   非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層として蒸着さ
   せる磁気記録媒体の製造装置において、 上記冷却キャンに対向する位置に永久磁石が設置されて
   なることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
2. 【請求項２】 冷却キャンの外周表面と相対向するする
   ように上記非磁性支持体の所定領域を覆う入射角制限マ
   スクが配されるとともに、 前記永久磁石が上記入射角制限マスクの冷却キャン対向
   面側に設けられてなることを特徴とする請求項１記載の
   磁気記録媒体の製造装置。
3. 【請求項３】 永久磁石の設置位置が上記入射角制限マ
   スクの先端の蒸着規制部から２００ｍｍ以内であり、印
   加する磁場の大きさが０．１ｍＴ以上であることを特徴
   とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造装置。
4. 【請求項４】 永久磁石の設置位置が上記入射角制限マ
   スクの先端の蒸着規制部から１００ｍｍ以内であり、印
   加する磁場の大きさが０．５ｍＴ以上であることを特徴
   とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造装置。
5. 【請求項５】 磁性層が形成される非磁性支持体を搬送
   しながら冷却する冷却キャンを備え、真空蒸着法により
   非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層として蒸着さ
   せる磁気記録媒体の製造方法において、 上記冷却キャンに対向する位置に永久磁石を設置して、
   磁性層の成膜直後に非磁性支持体の長手方向に対して磁
   場を印加することを特徴とする磁気記録媒体の製造方
   法。