JPH09148193A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポリアニリン、またはその誘導体を固体電解
質とする信頼性の高い固体電解コンデンサの製造方法を
提供する。 【解決手段】 本発明は、陽極となる皮膜形成金属の表
面に、陽極酸化によって形成された酸化皮膜を誘電体と
して、誘電体に形成されたポリアニリン、またはその誘
導体を含む層を陰極の一部とし、陰極の引き出しは、は
んだなどを介して表面実装端子に導き出される固体電解
コンデンサの製造方法において、酸化剤にペルオキソ二
硫酸塩を使用してアニリン、またはその誘導体を固体電
解コンデンサの酸化皮膜上において重合させ前記固体電
解質ポリアニリン、またはその誘導体を形成する際、遷
移金属イオンを導入してアニリン、またはその誘導体の
重合を行うことを特徴とする固体電解コンデンサの製造
方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導電性高分子を固
体電解質に利用し、高周波域でのインピーダンスが低く
信頼性に優れた固体電解コンデンサの製造方法を提供す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】ポリアニリン、またはその誘導体はプロ
トン酸をドーパントとすることにより高い導電性を発現
する導電性高分子であり、ポリピロール、ポリチオフェ
ンなどの他の導電性高分子に比較して大気中でより高い
安定性を示すことが知られている。

【０００３】プロトン酸として種々の無機酸（塩酸、硫
酸など）、有機酸（カルボン酸、スルホン酸、有機燐酸
など）が使用できることが知られているが、その中でも
スルホン酸誘導体が特に好ましいこと、さらに酸化剤と
してはアニリンを酸化する過程において強酸陰イオンを
発生しないような酸化剤、例えばニクロム酸塩、過酸化
水素等を用いることにより特に高導電性・高耐熱性のポ
リアニリンまたはその誘導体を得ることができることが
開示されている（特開平６−２３４８５２号公報）。

【０００４】一方、ペルオキソ二硫酸塩、ヨウ素酸塩等
も高分子量のポリアニリンの合成に有用な酸化剤であ
り、広く利用されている（プロンら（Ａ．Ｐｒｏｎ、
Ｆ．Ｇｅｎｏｕｄ、Ｃ．Ｍｅｎａｒｄｏ、ａｎｄ Ｍ．
Ｎｅｃｈｔｓｃｈｅｉｎ）、シンセティックメタルズ
（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｍｅｔａｌｓ）、１９８８年、
第２４巻、１９３〜２０１頁）。そのうち、特にペルオ
キソ二硫酸塩は扱いが簡単な上、安価な酸化剤である。

【０００５】ポリアニリンおよびその誘導体は優れた電
気特性を示すことから、工業的に広く利用できる可能性
があり、多くの研究報告が発表され、また多くの特許が
開示されている。そのうち、固体電解コンデンサの固体
電解質への応用研究が特に精力的に行われている。高導
電性・高信頼性のポリアニリン、またはその誘導体を固
体電解コンデンサの固体電解質に利用することにより小
型大容量で且つ高周波領域まで良好なコンデンサ特性を
保持でき、且つ耐熱性に優れた固体電解コンデンサが実
現できることが知られている。

【０００６】本発明者らはプロトン酸であるスルホン酸
誘導体（モノおよびジスルホン酸誘導体など）をドーパ
ントとし、化学重合により合成されるポリアニリン、ま
たはその誘導体を固体電解質とする固体電解コンデン
サ、及びその製造方法を開示している（特開平６−２３
４８５２号公報、特願平６−１９２３５３号明細書）。

【０００７】米国特許公報５５２３００２号には酸化剤
としてペルオキソ二硫酸アンモニウム、プロトン酸とし
て硫酸を用いて固体電解コンデンサの電解質ポリアニリ
ンを形成するという、電解コンデンサの製造方法が開示
されている。

【０００８】さらに、本発明者らはプロトン酸にスルホ
ン酸誘導体、酸化剤にペルオキソ二硫酸塩を用いてアニ
リンの重合を行う際、酸解離指数が４．６以上のアミン
塩を導入してアニリンの重合を行うという、高耐熱性・
高導電性のポリアニリン、またはその誘導体の製造方
法、並びにこのように製造されるポリアニリン、または
その誘導体を固体電解質とする固体電解コンデンサの製
造方法を開示している（特願平７−１１２８３８号明細
書）。その他に、ある一定濃度以上の、高い濃度のスル
ホン酸溶液中でアニリンの重合を行うことにより同様な
効果が得られることも確認している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ペルオキソ二硫酸塩は
高分子量のポリアニリンを合成するのに有用な酸化剤で
あるが、アニリンを酸化する際、酸化剤から強酸陰イオ
ンを生じ強酸陰イオンはポリアニリンのドーパントとな
り、得られたポリアニリンの導電率の耐熱性を低下させ
ることが明らかにされている。そこで、我々は硫酸など
の強酸陰イオンを生じない酸化剤を用い、スルホン酸誘
導体をドーパントとする高信頼性ポリアニリン及びその
誘導体、並びにこれらを固体電解質に利用したコンデン
サの製造方法を開発した（特開平６−２３４８５２号公
報）。特開平６−２３４８５２号公報に開示されている
好ましい酸化剤として、ニクロム酸塩、または過酸化水
素等を挙げている。しかしながら、ニクロム酸塩は重金
属であるクロムイオンを含むため、環境保全の観点から
好ましくない。また、過酸化水素を酸化剤に用いたポリ
アニリンの導電率はまだ必ずしも十分とはいえない。

【００１０】酸化剤として二硫酸アンモニウム、プロト
ン酸として硫酸を用いて固体電解コンデンサの電解質ポ
リアニリンを形成するという固体電解コンデンサの製造
方法が米国特許公報５５２３００２号に開示されている
が、硫酸をドーパントとする電解質ポリアニリンは熱安
定性が十分ではない。また、耐湿性及びコンデンサのプ
リント基板への実装に必要となるはんだ耐熱性（２３０
〜２６０℃での耐熱性）に関しても全く不十分であり、
実用性に乏しくさらに改善する必要がある（特開平６−
２３４８５２号公報）。

【００１１】また、固体電解コンデンサの製造方法にお
いては、拡面したアルミニウム箔の細孔内部、またはタ
ンタル焼結体の内部に導電性高分子を形成することが重
要な課題であるが、アルミニウム箔、またはタンタル焼
結体の外側表面に、均一でコントロールされた厚さを持
つ導電性高分子層を形成することも同様に重要な課題で
ある。しかしながら、導電性高分子層を電解重合、また
は化学重合で形成した場合、外側表面の電解質の膜厚及
びモルホロジーの制御が一般的に困難である。外側表面
の導電性高分子層が薄過ぎた場合、樹脂外装時の応力が
コンデンサに直接かかり、電解コンデンサのインピーダ
ンス特性及び漏れ電流特性の不良が多発する。一方、外
側表面の導電性高分子層が厚過ぎた場合、やはり樹脂外
装による導電性高分子自体の劣化が発生しやすい。ま
た、導電性高分子層をあまり厚く形成した場合では、表
面に割れ、または剥離が発生しやすいため、電極リード
を引き出すためのグラファイト層、または銀層が誘電体
皮膜に直接接触することが起こる。誘電体皮膜に欠陥が
生じた場合、これらの導電層はそれらの欠陥を修復する
作用がないため、漏れ電流が増大し信頼性が不十分であ
る。

【００１２】プロトン酸にスルホン酸誘導体、酸化剤に
ペルオキソ二硫酸塩を用いてアニリン、またはその誘導
体の重合を行う際、酸解離指数が４．６以上のアミン塩
を導入してアニリン、またはその誘導体の重合を行うこ
と、または、ある一定濃度以上の、高い濃度のスルホン
酸溶液中でアニリン、またはその誘導体の重合を行うこ
とにより、高耐熱性・高導電性のポリアニリン、または
その誘導体が得られ、これらを固体電解質とし、耐熱性
に優れた固体電解コンデンサ（特願平７−１１２８３８
号明細書）が得られるが、固体電解コンデンサを製造す
るに際してコンデンサの外側表面の均一な電解質形成に
更なる工夫が必要である。

【００１３】従って、これまで開示されたポリアニリン
を固体電解質とする電解コンデンサは高周波域でのイン
ピーダンスが低いという点では従来の二酸化マンガンを
固体電解質とする固体電解コンデンサに比べて優れてい
るが、インピーダンス及び漏れ電流特性の信頼性がまだ
十分とはいえないことが課題として残されている。

【００１４】本発明の課題は、ポリアニリン、またはそ
の誘導体を固体電解質とする高信頼性の固体電解コンデ
ンサを製造する方法を提供することであり、酸化剤にペ
ルオキソ二硫酸塩を用いた上、高導電性・高耐熱性のポ
リアニリン、またはその誘導体を固体電解コンデンサの
誘電皮膜上に密着して緻密に形成し、かつ固体電解コン
デンサの外側表面においても均一で密着性よく形成する
という、固体電解コンデンサの製造方法を提供すること
である。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは前記課題を
解決するために鋭意検討を行った。その結果、酸化剤に
ペルオキソ二硫酸塩を使用してアニリン、またはその誘
導体を固体電解コンデンサの酸化皮膜上において重合さ
せ電解質ポリアニリン、またはその誘導体を形成する
際、遷移金属イオンを導入してアニリン、またはその誘
導体の重合を行うことによって、信頼性などが飛躍的に
向上した固体電解コンデンサが得られることを見いだし
本発明に至った。

【００１６】すなわち、本発明は、陽極となる皮膜形成
金属の表面に、陽極酸化によって形成された酸化皮膜を
誘電体として、誘電体に形成されたポリアニリン、また
はその誘導体を含む層を陰極の一部とし、陰極の引き出
しは、はんだなどを介して表面実装端子に導き出される
固体電解コンデンサの製造方法において、酸化剤にペル
オキソ二硫酸塩を使用してアニリン、またはその誘導体
をプロトン酸の存在下、固体電解コンデンサの酸化皮膜
上において重合させ前記固体電解質ポリアニリン、また
はその誘導体を形成する際、遷移金属イオンを導入して
アニリン、またはその誘導体の重合を行うことを特徴と
する固体電解コンデンサの製造方法である。

【００１７】ここで、ペルオキソ二硫酸塩としてはペル
オキソ二硫酸アンモニウム、プロトン酸としてはスルホ
ン酸誘導体であることが好ましく、さらに遷移金属イオ
ンは鉄、銅、亜鉛イオンであり、その対イオンはスルホ
ン酸誘導体であることが好ましい。

【００１８】本発明において、ポリアニリン誘導体はポ
リアニリンのベンゼン骨格に種々の置換基を有するもの
を含む。置換基としてはアルキル基、フェニル基、アル
コキシ基、エステル基、チオエーテル基等が挙げられ
る。ポリアニリン誘導体はこれらの置換基の１置換体か
ら４置換体、または１置換体から４置換体までからなる
共重合体を含む。さらに、ポリアニリン誘導体はＮ位に
上記置換基で置換したものを含む。

【００１９】本発明の酸化剤は、ペルオキソ二硫酸塩で
あり、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸
カリウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等は挙げられ
る。そのうち、特にペルオキソ二硫酸アンモニウムが好
ましい。

【００２０】本発明のプロトン酸は特に限定されず、ス
ルホン酸誘導体、カルボン酸誘導体、リン酸誘導体等が
使用できる。そのうち、スルホン酸誘導体が特に好まし
い。例えば、メチルスルホン酸、エチルスルホン酸、ド
デシルスルホン酸等の脂肪族スルホン酸、ベンゼンスル
ホン酸、トルエンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホ
ン酸、ナフタレンスルホン酸、アントラセンスルホン酸
等の芳香族スルホン酸、またはこれらのジスルホン酸、
トリスルホン酸、及びその他のポリスルホン酸を挙げる
ことができる。

【００２１】本発明の遷移金属イオンとしては鉄、銅、
亜鉛イオンが好適に用いられる。また遷移金属イオンの
対イオンは特に限定されず、種々の有機及び無機の陰イ
オンが使用できるが、スルホン酸誘導体が特に好まし
い。特に、遷移金属塩の使用量が多い場合では、スルホ
ン酸誘導体の使用がより好ましい。

【００２２】本発明の固体電解コンデンサにおいて、皮
膜形成金属とは、タンタル、アルミニウム、ニオブ、チ
タン、ジルコニウム、マグネシウム、ケイ素などであ
り、圧延箔及び微粉末焼結物などの形態で用いることが
できる。

【００２３】本発明の固体電解コンデンサにおいて、皮
膜形成金属を電解質溶液中で陽極酸化し誘電体となる酸
化皮膜を形成するが、使用する電解質及び溶媒は特に限
定されず従来公知のものを使用できる。また、陽極酸化
の方法として定電圧法、あるいは定電流法を適用するこ
とができ、電圧・電流の上げ方、定電圧となった後の保
持時間、さらに温度等は限定されず必要に応じて設定す
ることができる。

【００２４】本発明の固体電解コンデンサにおいて、コ
ンデンサの容量出現率、等価直列抵抗等の特性を向上す
るために誘電体が設けられた皮膜金属を所定温度と所定
雰囲気において熱処理したり、また皮膜金属に種々の表
面処理を施したりすることもできる。

【００２５】本発明の固体電解コンデンサの製造方法に
おいて、誘電体となる酸化皮膜上でのアニリン、または
その誘導体の重合操作は特に限定されない。遷移金属塩
の導入の仕方も特に限定されない。例えば、プロトン
酸、アニリン、またはその誘導体、及び前記遷移金属塩
を適当な溶媒に所定量溶かしてモノマー溶液とし、酸化
剤を適当な溶媒に所定量溶かして酸化剤溶液とする。誘
電体皮膜を形成したアルミ箔、またはタンタル焼結体を
前記モノマー溶液と酸化剤溶液に交互に浸漬して、誘電
体皮膜上に電解質ポリアニリン、またはその誘導体を形
成することができる。また、プロトン酸、アニリン、ま
たはその誘導体を適当な溶媒に所定量溶かしてモノマー
溶液とし、酸化剤と前記遷移金属塩を適当な溶媒に溶か
して酸化剤溶液とする。誘電体皮膜を形成したアルミ
箔、またはタンタル焼結体を前記モノマー溶液と酸化剤
溶液に交互に浸漬して、誘電体皮膜上に電解質ポリアニ
リン、またはその誘導体を形成することもできる。さら
に、プロトン酸、アニリン、またはその誘導体を含むモ
ノマー溶液と酸化剤を含む酸化剤溶液のほかに、遷移金
属塩を含む第３の溶液を調製して遷移金属塩の導入を図
ることも可能である。

【００２６】本発明の固体電解コンデンサの製造方法に
おいて、電解質ポリアニリン、またはその誘導体を形成
する際に、アニリンまたはその誘導体を重合する溶媒は
特に限定されないが、極性の大きいものが好ましい。例
えば、水、アセトン、エタノール、メタノール、テトラ
ヒドロフラン、クロロホルム、ジクロロエタン、種々の
ハロゲン化エーテル、種々のハロゲン化エステル、クレ
ゾール等、あるいはそれらの混合物が用いられる。

【００２７】電解質ポリアニリン、またはその誘導体の
導電率及び信頼性はポリアニリン、またはその誘導体の
ドーパント濃度に強く依存する。高いドーパント濃度で
は電解質の導電率が高いが、耐湿性、特に固体電解コン
デンサ実装時のリフロー耐性が低下する恐れがある。ま
た、一方では低いドーパント濃度では電解質の導電率が
低下し、コンデンサの等価直列抵抗が上昇する。従っ
て、電解質ポリアニリン、またはその誘導体を形成した
後、コンデンサの規格等に応じて電解質ポリアニリンの
ドーパント濃度を調整することが出来る。ドーパント濃
度の調整方法は特に限定されないが、適当な濃度を有す
るプロトン酸溶液中で処理することが簡便な方法として
挙げられる（特願平６−３１５５７５号明細書）。

【００２８】本発明の固体電解コンデンサの製造方法に
おいて、コンデンサ外側表面の導電性高分子層の厚さは
通常２〜２０μm としているが、特に限定されず、固体
電解コンデンサの大きさ、種類等に応じて設定する。

【００２９】前記重合操作、洗浄等の各工程を繰り返し
行うこともできる。

【００３０】電解質ポリアニリン、またはその誘導体を
形成した後、必要に応じて乾燥を行いそしてグラファイ
ト層、銀層を形成し通常の方法で引き出し電極を設けて
コンデンサに組み上げる。尚、本発明において、グラフ
ァイト層及び銀層の形成に使用するグラファイトペース
ト及び銀ペーストは特に限定されず従来公知のものを使
用することができる。

【００３１】本発明の製造方法による固体電解コンデン
サは、耐熱性が良好であり、信頼性に優れることが確認
されている。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、実施例をあげて本発明を具
体的に説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定さ
れるものではない。

【００３３】

【実施例】実施例１〜７にはポリアニリンを固体電解質
とする固体電解コンデンサの実験結果を示す。参考例１
には遷移金属塩を導入しなかった場合の実験結果を示
す。

【００３４】固体電解コンデンサの容量及びインピーダ
ンス特性は横河・ヒューレット・パッカード株式会社、
インピーダンスアナライザ４１９４Ａを用いて測定し
た。

【００３５】固体電解コンデンサの漏れ電流特性はアド
バンテスト株式会社、超高抵抗測定計Ｒ８３４０Ａを使
って測定した。

【００３６】固体電解コンデンサの耐熱性は、１２５℃
に設定したオーブンに固体電解コンデンサを放置し所定
時間経過後、その特性を測定して評価した。

【００３７】固体電解コンデンサのはんだ耐熱性は、２
６０℃のはんだ浴に固体電解コンデンサを浸漬し所定時
間経過後、その特性を測定して評価した。

【００３８】（実施例１）直径１．５mm、高さ２mm、グ
ラム当たりの粉末ＣＶ値（容量と化成電圧の積）が３
０，０００／ｇの円柱状タンタル微粉末焼結体ペレット
を０．０５ｗｔ％硝酸水溶液中で６０Ｖで陽極酸化し、
洗浄及び乾燥した。

【００３９】室温でアニリンとｍ−キシリレンジスルホ
ン酸が等当量で、５ｗｔ％アニリンの水：エタノール＝
１：１溶液を調製した。それにトルエンスルホン酸鉄
（ＩＩ）が１ｗｔ％となるように加えてモノマー溶液と
した。一方、ペルオキソ二硫酸アンモニウムとｍ−キシ
リレンジスルホン酸（ペルオキソ二硫酸アンモニウム／
ｍ−キシリレンジスルホン酸のモル比が１：３で、ペル
オキソ二硫酸アンモニウム含有量が１０ｗｔ％）を含む
酸化剤水溶液を０℃に保持して酸化剤溶液とした。固体
電解質ポリアニリンの形成は以下のように行った。ま
ず、モノマー溶液に前記誘電体皮膜が形成されたタンタ
ルペレットを３０秒浸漬した後、大気中に引き上げて乾
燥させ固体電解コンデンサの誘電体皮膜上にアニリンと
ｍ−キシリレンジスルホン酸の塩を付着させた。そして
１５分後に、アニリンとｍ−キシリレンジスルホン酸の
塩を付着させたタンタルペレットを酸化剤溶液に３０秒
間浸漬した。その後、タンタルペレットを引き上げ室温
大気中でさらに３０分間保持して重合を行ったところ、
黒色のポリアニリンを誘電体表面に形成できた。その
後、水、エタノールで洗浄及び乾燥を行った。

【００４０】上記アニリンの充填、酸化剤とｍ−キシリ
レンジスルホン酸との混合溶液との接触、重合、洗浄及
び乾燥の一連の操作を１０回繰り返した。その後、０．
１Ｍのｍ−キシリレンジスルホン酸溶液に１０分間処理
した後、さらにエタノール溶液で洗浄してから８５℃、
大気中にて２時間乾燥した。

【００４１】上記電解質ポリアニリンを形成したタンタ
ルペレットに通常の方法でグラファイト層及び銀層を形
成した後、陰極リードを引き出しエポキシ樹脂で封止し
てコンデンサを完成した。

【００４２】（参考例１）実施例１において、モノマー
溶液にトルエンスルホン酸鉄（ＩＩ）を加えなかった。
それ以外は実施例１と全く同様な方法でコンデンサを完
成させた。

【００４３】（実施例２）実施例１と同様な方法で酸化
皮膜が形成されたタンタルペレットを調製した。

【００４４】室温でアニリンとｍ−キシリレンジスルホ
ン酸が等当量で、５ｗｔ％アニリンの水：エタノール＝
１：１溶液を調製し、モノマー溶液とした。一方、ペレ
オキソ二硫酸アンモニウムとｍ−キシリレンジスルホン
酸（ペルオキソ二硫酸アンモニウム／ｍ−キシリレンジ
スルホン酸のモル比が１：３で、ペルオキソ二硫酸アン
モニウム含有量が１０ｗｔ％）を含む酸化剤水溶液を０
℃に保持しながら、それにトルエンスルホン酸鉄（Ｉ
Ｉ）が１ｗｔ％となるように加えて酸化剤溶液とした。
その次に、実施例１と全く同様な方法でコンデンサを完
成した。

【００４５】（実施例３）実施例１と同様な方法で酸化
皮膜が形成されたタンタルペレットを調製した。

【００４６】室温でアニリンとｍ−キシリレンジスルホ
ン酸が等当量で、５ｗｔ％アニリンの水：エタノール＝
１：１溶液を調製し、モノマー溶液とした。一方、ペレ
オキソ二硫酸アンモニウムとｍ−キシリレンジスルホン
酸（ペルオキソ二硫酸アンモニウム／ｍ−キシリレンジ
スルホン酸のモル比が１：３で、ペルオキソ二硫酸アン
モニウム含有量が１０ｗｔ％）を含む酸化剤水溶液を０
℃に保持して酸化剤溶液とした。さらに、ドデシルベン
ゼンスルホン酸鉄（ＩＩＩ）を１０ｗｔ％含むメタノー
ル溶液を調製し、触媒溶液とした。まず、モノマー溶液
に前記誘電体皮膜が形成されたタンタルペレットを３０
秒浸漬した後、大気中に引き上げて乾燥させ固体電解コ
ンデンサの誘電体皮膜上にアニリンとｍ−キシリレンジ
スルホン酸の塩を付着させた。そして１５分後に、アニ
リンとｍ−キシリレンジスルホン酸の塩を付着させたタ
ンタルペレットを酸化剤溶液に３０秒間浸漬した。その
後、タンタルペレットを引き上げ室温大気中でさらに３
０分間保持して重合を行ったところ、黒色のポリアニリ
ンを誘電体表面に形成できた。その後、水、エタノール
で洗浄及び乾燥を行った。

【００４７】上記アニリンの充填、酸化剤とｍ−キシリ
レンジスルホン酸との混合溶液との接触、重合、洗浄及
び乾燥の一連の操作を５回繰り返した。

【００４８】その次に、前記電解質ポリアニリンが形成
されたタンタルペレットを触媒溶液に１０秒浸漬して大
気中に引き上げ３０分間保持して乾燥させた。その後、
さらにアニリンの充填、酸化剤とｍ−キシリレンジスル
ホン酸との混合溶液との接触、重合、洗浄及び乾燥の一
連の操作を５回繰り返した。

【００４９】最後に、このように電解質ポリアニリンが
形成されたタンタルペレットを０．１Ｍのｍ−キシリレ
ンジスルホン酸溶液に１０分間処理した後、さらにエタ
ノール溶液で洗浄してから８５℃、大気中にて２時間乾
燥した。その次に、実施例１と全く同様な方法でコンデ
ンサを完成した。

【００５０】（実施例４）実施例１において、遷移金属
がトルエンスルホン酸鉄（ＩＩ）の代わりにトルエンス
ルホン酸銅（ＩＩ）を使用した。その他は、実施例１と
全く同様な方法でコンデンサを完成した。

【００５１】（実施例５）実施例１において、遷移金属
がトルエンスルホン酸鉄（ＩＩ）の代わりにドデシルベ
ンゼンスルホン酸鉄（ＩＩ）を使用した。その他は、実
施例１と全く同様な方法でコンデンサを完成した。

【００５２】（実施例６）実施例１において、ｍ−キシ
リレンジスルホン酸の代わりに、ｍ−ベンゼンジスルホ
ン酸を使用した。その他は、実施例１と全く同様な方法
でコンデンサを完成した。

【００５３】（実施例７）エッチングによって表面積を
ほぼ２０倍に拡大した膜厚１５０μm のアルミニウム箔
（１cm×０．５cm角）を５％ほう酸アンモニウム水溶液
中で７０Ｖで陽極酸化し、洗浄及び乾燥した。実施例１
のタンタル微粉末焼結体ペレットに代えて前記アルミ箔
を用いた以外は全く同様な方法でコンデンサを完成させ
た。

【００５４】実施例１〜７及び参考例１について、得ら
れたコンデンサ素子、及びモールド後コンデンサにおけ
る漏れ電流特性（２５Ｖ印加、２分後値）及びインピー
ダンス（１００ｋＨｚ値）、さらに、２６０℃１０秒の
はんだ耐熱試験後における漏れ電流特性及びインピーダ
ンスの変化を表１に示す。これらの結果により、本発明
の実施例により得られた固体電解コンデンサは、高周波
数特性が良好であること、信頼性にも優れたものである
ことが認められた。

【００５５】

【表１】

【００５６】

【発明の効果】以上本発明によれば、高周波数特性が良
好であること、信頼性にも優れた固体電解コンデンサが
簡便なる方法にて得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明よるポリアニリンを固体電解質とする電
解コンデンサの製造方法を示すフロチャートである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 正春 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】陽極となる皮膜形成金属の表面に、陽極酸
   化によって形成された酸化皮膜を誘電体として、誘電体
   に形成されたポリアニリン、またはその誘導体を含む層
   を陰極の一部とし、陰極の引き出しは、はんだなどを介
   して表面実装端子に導き出される固体電解コンデンサの
   製造方法において、酸化剤にペルオキソ二硫酸塩を使用
   してアニリン、またはその誘導体をプロトン酸の存在
   下、固体電解コンデンサの酸化皮膜上において重合させ
   前記固体電解質ポリアニリン、またはその誘導体を形成
   する際、遷移金属イオンを導入してアニリン、またはそ
   の誘導体の重合を行うことを特徴とする固体電解コンデ
   ンサの製造方法。
2. 【請求項２】ペルオキソ二硫酸塩はペルオキソ二硫酸ア
   ンモニウムであり、プロトン酸はスルホン酸誘導体であ
   ることを特徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサ
   の製造方法。
3. 【請求項３】遷移金属イオンは鉄、銅、亜鉛イオンであ
   ることを特徴とする請求項１ないし２記載の固体電解コ
   ンデンサの製造方法。
4. 【請求項４】遷移金属イオンの対イオンはスルホン酸誘
   導体であることを特徴とする請求項１ないし３記載の固
   体電解コンデンサの製造方法。