JPH08143771A - 耐熱性ポリアニリンあるいはその誘導体及び固体電解コ ンデンサ並びにそれらの製造方法 - Google Patents
耐熱性ポリアニリンあるいはその誘導体及び固体電解コ ンデンサ並びにそれらの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱性を有するポリアニリンあるいはその誘
導体の開発と及びポリアニリンあるいはその誘導体を電
解質とする固体電解コンデンサの製造方法を提供するこ
とである。 【構成】 ポリアニリンあるいはその誘導体はスルホン
酸化合物をドーパントとし、そのドーパント濃度が２８
〜４０％である耐熱性ポリアニリン誘導体である。また
固体電解コンデンサはポリアニリンあるいはその誘導体
を固体電解質とする固体電解コンデンサであってドーパ
ント濃度が２８〜４０％である固体電解コンデンサ及び
その製造方法である。
導体の開発と及びポリアニリンあるいはその誘導体を電
解質とする固体電解コンデンサの製造方法を提供するこ
とである。 【構成】 ポリアニリンあるいはその誘導体はスルホン
酸化合物をドーパントとし、そのドーパント濃度が２８
〜４０％である耐熱性ポリアニリン誘導体である。また
固体電解コンデンサはポリアニリンあるいはその誘導体
を固体電解質とする固体電解コンデンサであってドーパ
ント濃度が２８〜４０％である固体電解コンデンサ及び
その製造方法である。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、耐熱性ポリアニリンあ
るいはその誘導体及びその製造方法、またこれを電解質
とする固体電解コンデンサ及びその製造方法に関する。
るいはその誘導体及びその製造方法、またこれを電解質
とする固体電解コンデンサ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】固体電解コンデンサは、タンタルあるい
はアルミニウムなどの弁作用金属の多孔質形成体を第１
の電極（陽極）、その表面酸化皮膜を誘電体、その上に
形成される固体電解質を第２の電極（陰極）の一部とす
る構造を有している。固体電解質は、多孔質成形体内部
の誘電体全面と電極リードを電気的に接続する役割を果
たしているので、この観点から、導電率の高い物質が好
ましい。
はアルミニウムなどの弁作用金属の多孔質形成体を第１
の電極（陽極）、その表面酸化皮膜を誘電体、その上に
形成される固体電解質を第２の電極（陰極）の一部とす
る構造を有している。固体電解質は、多孔質成形体内部
の誘電体全面と電極リードを電気的に接続する役割を果
たしているので、この観点から、導電率の高い物質が好
ましい。
【０００３】一方、固体電解質には、誘電体皮膜の欠陥
に起因する電気的短絡を修復する機能も必要とされる。
その結果、高導電率であるが、誘電体修復機能のない金
属は固体電解質として使用できず、短絡電流による熱な
どで絶縁体に転移する二酸化マンガン等が用いられてき
た。また、コンデンサとしてプリント基板に実装される
場合、２４０〜２６０℃での熱に曝されるので、少なく
とも２６０℃以上の耐熱性を有する物質（二酸化マンガ
ン等）が使用されてきた。
に起因する電気的短絡を修復する機能も必要とされる。
その結果、高導電率であるが、誘電体修復機能のない金
属は固体電解質として使用できず、短絡電流による熱な
どで絶縁体に転移する二酸化マンガン等が用いられてき
た。また、コンデンサとしてプリント基板に実装される
場合、２４０〜２６０℃での熱に曝されるので、少なく
とも２６０℃以上の耐熱性を有する物質（二酸化マンガ
ン等）が使用されてきた。
【０００４】以上のように、固体電解コンデンサの固体
電解質となる材料には、（イ）導電率が高い、（ロ）誘
電体修復機能を有する、（ハ）２６０℃以上の耐熱性を
有する、の３つの条件を満たすことが必要である。従
来、固体電解質として使用されてきた二酸化マンガン
は、誘電体修復機能及び耐熱性に関しては十分な特性を
有しているが、導電率（約０．１Ｓ／ｃｍ）に関しては
電解コンデンサの固体電解質としては必ずしも十分とは
いえない。そのため、最近では、導電率が１０〜１００
Ｓ／ｃｍと高く、室温で容易に形成できるポリピロー
ル、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子を
固体電解質とする電解コンデンサの開発が精力的に進め
られている。
電解質となる材料には、（イ）導電率が高い、（ロ）誘
電体修復機能を有する、（ハ）２６０℃以上の耐熱性を
有する、の３つの条件を満たすことが必要である。従
来、固体電解質として使用されてきた二酸化マンガン
は、誘電体修復機能及び耐熱性に関しては十分な特性を
有しているが、導電率（約０．１Ｓ／ｃｍ）に関しては
電解コンデンサの固体電解質としては必ずしも十分とは
いえない。そのため、最近では、導電率が１０〜１００
Ｓ／ｃｍと高く、室温で容易に形成できるポリピロー
ル、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子を
固体電解質とする電解コンデンサの開発が精力的に進め
られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般に、導電性高分子
は、導電率が十分高く誘電体修復機能を有しているが、
耐熱性にやや欠ける傾向があった。そこでポリピロール
の場合では、アルキル基の炭素数が２ないし１６のアル
キルベンゼンスルホン酸（特開平２−１１９２１３号公
報）や、芳香族スルホン酸（特開平２−５８８１７号公
報）をポリピロールのドーパントとして用いて耐熱性を
向上させる必要があった。しかしながら、このようにド
ーパントを選定した場合でも実用に十分耐える耐熱性を
有するまでには至っていない。
は、導電率が十分高く誘電体修復機能を有しているが、
耐熱性にやや欠ける傾向があった。そこでポリピロール
の場合では、アルキル基の炭素数が２ないし１６のアル
キルベンゼンスルホン酸（特開平２−１１９２１３号公
報）や、芳香族スルホン酸（特開平２−５８８１７号公
報）をポリピロールのドーパントとして用いて耐熱性を
向上させる必要があった。しかしながら、このようにド
ーパントを選定した場合でも実用に十分耐える耐熱性を
有するまでには至っていない。
【０００６】一方、ポリアニリンの場合、特開昭６２−
２９１２４に開示されているコンデンサは、固体電解質
ポリアニリンのドーパント濃度が低く，導電率も０．１
Ｓ／ｃｍ以下であるため、十分なコンデンサ特性が得ら
れていない。また、可溶性ポリアニリン溶液を使用して
電解質を形成する方法（特開平３−３５５１６号公報）
においては、可溶性ポリアニリン溶液粘度が高いため、
拡面化した誘電体表面を十分に被覆することができず設
計通りのコンデンサ容量が発現されないという問題があ
った。
２９１２４に開示されているコンデンサは、固体電解質
ポリアニリンのドーパント濃度が低く，導電率も０．１
Ｓ／ｃｍ以下であるため、十分なコンデンサ特性が得ら
れていない。また、可溶性ポリアニリン溶液を使用して
電解質を形成する方法（特開平３−３５５１６号公報）
においては、可溶性ポリアニリン溶液粘度が高いため、
拡面化した誘電体表面を十分に被覆することができず設
計通りのコンデンサ容量が発現されないという問題があ
った。
【０００７】さらに、ドーパントを選定した化学重合方
法（特開平６−２９１５９号公報）では、高周波特性に
優れ１２５℃での熱安定性にも優れているが、２３０〜
２６０℃以上で短時間においても特性が著しく低下し、
はんだ実装性に欠けるという問題点があり困難であっ
た。本発明の課題は、耐熱性を有するポリアニリンの開
発と、これを用いた固体電解コンデンサおよびその製造
方法を提供することである。
法（特開平６−２９１５９号公報）では、高周波特性に
優れ１２５℃での熱安定性にも優れているが、２３０〜
２６０℃以上で短時間においても特性が著しく低下し、
はんだ実装性に欠けるという問題点があり困難であっ
た。本発明の課題は、耐熱性を有するポリアニリンの開
発と、これを用いた固体電解コンデンサおよびその製造
方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記問題
点を解決するために鋭意検討を行った。その結果、ポリ
アニリン誘導体に含まれるドーパント濃度をある特定の
狭い範囲に制御されるときのみ前記課題を効果的に改善
されることを見いだし本発明に至ったものである。
点を解決するために鋭意検討を行った。その結果、ポリ
アニリン誘導体に含まれるドーパント濃度をある特定の
狭い範囲に制御されるときのみ前記課題を効果的に改善
されることを見いだし本発明に至ったものである。
【０００９】本発明は、スルホン酸化合物をドーパント
として含むポリアニリンあるいはその誘導体において、
ポリアニリンあるいはその誘導体繰り返し単位当たりの
スルホン酸基の数が２８〜４０％であることを特徴とす
る耐熱性ポリアニリンあるいはその誘導体である。ま
た、本発明は、前記スルホン酸化合物が、芳香族スルホ
ン酸であることを特徴とする耐熱性ポリアニリンあるい
はその誘導体である。
として含むポリアニリンあるいはその誘導体において、
ポリアニリンあるいはその誘導体繰り返し単位当たりの
スルホン酸基の数が２８〜４０％であることを特徴とす
る耐熱性ポリアニリンあるいはその誘導体である。ま
た、本発明は、前記スルホン酸化合物が、芳香族スルホ
ン酸であることを特徴とする耐熱性ポリアニリンあるい
はその誘導体である。
【００１０】また、本発明は、スルホン酸化合物をドー
パントとして含むポリアニリンあるいはその誘導体の製
造方法において、ポリアニリン誘導体をスルホン酸化合
物溶液へ浸漬することによりポリアニリンあるいはその
誘導体繰り返し単位当たりのスルホン酸基の数が２８〜
４０％へ調整することを特徴とする耐熱性ポリアニリン
あるいはその誘導体の製造方法である。また、本発明
は、前記スルホン酸化合物が、ポリアニリンあるいはそ
の誘導体をスルホン酸化合物溶液内で撹拌することによ
って導入された芳香族スルホン酸であることを特徴とす
る耐熱性ポリアニリンあるいはその誘導体の製造方法で
ある。また、本発明は、前記スルホン酸化合物溶液の濃
度が、０．０１〜０．５規定であることを特徴とする耐
熱性ポリアニリンあるいはその誘導体の製造方法であ
る。
パントとして含むポリアニリンあるいはその誘導体の製
造方法において、ポリアニリン誘導体をスルホン酸化合
物溶液へ浸漬することによりポリアニリンあるいはその
誘導体繰り返し単位当たりのスルホン酸基の数が２８〜
４０％へ調整することを特徴とする耐熱性ポリアニリン
あるいはその誘導体の製造方法である。また、本発明
は、前記スルホン酸化合物が、ポリアニリンあるいはそ
の誘導体をスルホン酸化合物溶液内で撹拌することによ
って導入された芳香族スルホン酸であることを特徴とす
る耐熱性ポリアニリンあるいはその誘導体の製造方法で
ある。また、本発明は、前記スルホン酸化合物溶液の濃
度が、０．０１〜０．５規定であることを特徴とする耐
熱性ポリアニリンあるいはその誘導体の製造方法であ
る。
【００１１】また、本発明は、スルホン酸化合物をドー
パントとして含むポリアニリンあるいはその誘導体を固
体電解質とする固体電解コンデンサにおいて、ポリアニ
リンあるいはその誘導体繰り返し単位当たりのスルホン
酸基の数が２８〜４０％であることを特徴とする固体電
解コンデンサである。また、本発明は、前記スルホン酸
化合物が、芳香族スルホン酸であることを特徴とする固
体電解コンデンサである。
パントとして含むポリアニリンあるいはその誘導体を固
体電解質とする固体電解コンデンサにおいて、ポリアニ
リンあるいはその誘導体繰り返し単位当たりのスルホン
酸基の数が２８〜４０％であることを特徴とする固体電
解コンデンサである。また、本発明は、前記スルホン酸
化合物が、芳香族スルホン酸であることを特徴とする固
体電解コンデンサである。
【００１２】また、本発明は、スルホン酸化合物をドー
パントとして含むポリアニリンあるいはその誘導体を固
体電解質とする固体電解コンデンサの製造方法におい
て、ポリアニリンあるいはその誘導体からなる固体電解
質を形成した後、スルホン酸化合物溶液へ浸漬すること
によりポリアニリンあるいはその誘導体繰り返し単位当
たりのスルホン酸基の数を２８〜４０％に調整すること
を特徴とする固体電解コンデンサの製造方法である。ま
た、本発明は、前記スルホン酸化合物が、ポリアニリン
あるいはその誘導体形成後スルホン酸化合物溶液へ浸漬
することによって導入された芳香族スルホン酸であるこ
とを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法である。
また、本発明は、前記スルホン酸化合物溶液の濃度が、
０．０１〜０．５規定であることを特徴とする固体電解
コンデンサの製造方法である。
パントとして含むポリアニリンあるいはその誘導体を固
体電解質とする固体電解コンデンサの製造方法におい
て、ポリアニリンあるいはその誘導体からなる固体電解
質を形成した後、スルホン酸化合物溶液へ浸漬すること
によりポリアニリンあるいはその誘導体繰り返し単位当
たりのスルホン酸基の数を２８〜４０％に調整すること
を特徴とする固体電解コンデンサの製造方法である。ま
た、本発明は、前記スルホン酸化合物が、ポリアニリン
あるいはその誘導体形成後スルホン酸化合物溶液へ浸漬
することによって導入された芳香族スルホン酸であるこ
とを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法である。
また、本発明は、前記スルホン酸化合物溶液の濃度が、
０．０１〜０．５規定であることを特徴とする固体電解
コンデンサの製造方法である。
【００１３】すなわち、本発明は、ポリアニリンあるい
はその誘導体は、スルホン酸化合物をドーパントとして
含みドーパント濃度（ポリアニリン繰り返し単位当たり
のドーパントの数）が２８〜４０％のものである。ま
た、これを固体電解質とする固体電解コンデンサであ
る。本発明において、ポリアニリンあるいはその誘導体
繰り返し単位当たりのスルホン酸基の数が２８〜４０％
であるとは、ポリアニリンあるいはその誘導体繰り返し
単位１００個に、スルホン酸化合物のスルホン酸基が２
８〜４０個含有されることである。
はその誘導体は、スルホン酸化合物をドーパントとして
含みドーパント濃度（ポリアニリン繰り返し単位当たり
のドーパントの数）が２８〜４０％のものである。ま
た、これを固体電解質とする固体電解コンデンサであ
る。本発明において、ポリアニリンあるいはその誘導体
繰り返し単位当たりのスルホン酸基の数が２８〜４０％
であるとは、ポリアニリンあるいはその誘導体繰り返し
単位１００個に、スルホン酸化合物のスルホン酸基が２
８〜４０個含有されることである。
【００１４】また、本発明において、ポリアニリンある
いはその誘導体としては、ポリアニリンそのもの、ま
た、ポリアニリン誘導体としては、例えばポリアニリ
ン、ポリ（Ｎ−メチルアニリン）、ポリ（２−メチルア
ニリン）、ポリ（３−メチルアニリン）、ポリ（２−ニ
トロアニリン）、ポリ（３−ニトロアニリン）がある。
その調整方法は、０．０１から０．５規定のスルホン酸
化合物溶液に浸漬することにより、ポリアニリン誘導体
繰り返し単位当たりのスルホン酸基の数を２８〜４０％
に調整された耐熱性ポリアニリン、または固体電解コン
デンサの製造方法である。
いはその誘導体としては、ポリアニリンそのもの、ま
た、ポリアニリン誘導体としては、例えばポリアニリ
ン、ポリ（Ｎ−メチルアニリン）、ポリ（２−メチルア
ニリン）、ポリ（３−メチルアニリン）、ポリ（２−ニ
トロアニリン）、ポリ（３−ニトロアニリン）がある。
その調整方法は、０．０１から０．５規定のスルホン酸
化合物溶液に浸漬することにより、ポリアニリン誘導体
繰り返し単位当たりのスルホン酸基の数を２８〜４０％
に調整された耐熱性ポリアニリン、または固体電解コン
デンサの製造方法である。
【００１５】本発明のポリアニリンあるいはその誘導体
のドーパントには、スルホン酸化合物が用いられ、これ
はスルホン酸が好ましい。例えば、エタンスルホン酸、
ブタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸などのアルキル
スルホン酸誘導体、アルキルベンゼンスルホン酸、アル
キルナフタレンスルホン酸などの芳香族スルホン酸、あ
るいはそれらの誘導体である。
のドーパントには、スルホン酸化合物が用いられ、これ
はスルホン酸が好ましい。例えば、エタンスルホン酸、
ブタンスルホン酸、ヘキサンスルホン酸などのアルキル
スルホン酸誘導体、アルキルベンゼンスルホン酸、アル
キルナフタレンスルホン酸などの芳香族スルホン酸、あ
るいはそれらの誘導体である。
【００１６】本発明のポリアニリンあるいはその誘導体
を形成するのに用いる酸化剤は特に限定されないが、ア
ニリンの酸化反応の結果、酸化剤が還元されて生成する
副生物のｐＫａ値がスルホン酸化合物のｐＫａ値以上で
ある酸化剤を用いることが好ましい。例えば、二クロム
酸カリウム、二クロム酸ナトリウム、二クロム酸アンモ
ニム、過酸化水素、マンガン酸カリウム、マンガン酸ナ
トリウム、マンガン酸アンモニム、スルホン酸第２鉄、
スルホン酸第２銅、酸化鉛等が使用できる。
を形成するのに用いる酸化剤は特に限定されないが、ア
ニリンの酸化反応の結果、酸化剤が還元されて生成する
副生物のｐＫａ値がスルホン酸化合物のｐＫａ値以上で
ある酸化剤を用いることが好ましい。例えば、二クロム
酸カリウム、二クロム酸ナトリウム、二クロム酸アンモ
ニム、過酸化水素、マンガン酸カリウム、マンガン酸ナ
トリウム、マンガン酸アンモニム、スルホン酸第２鉄、
スルホン酸第２銅、酸化鉛等が使用できる。
【００１７】本発明において弁作用金属とは、タンタ
ル、アルミニウム、ニオブ、チタン、ジルコニウム、マ
グネシウム、ケイ素などであり、圧延箔、微粉焼結物、
及び圧延箔のエッチング物などの形態で用いることがで
きる。本発明の固体電解コンデンサの製造時の導電性高
分子の形成方法も、特に限定されない。
ル、アルミニウム、ニオブ、チタン、ジルコニウム、マ
グネシウム、ケイ素などであり、圧延箔、微粉焼結物、
及び圧延箔のエッチング物などの形態で用いることがで
きる。本発明の固体電解コンデンサの製造時の導電性高
分子の形成方法も、特に限定されない。
【００１８】すなわち、反応開始温度以下に冷却したモ
ノマー、酸化剤及びスルホン酸化合物混合溶液を、表面
酸化皮膜を形成した弁作用金属の多孔質成形体に導入後
反応開始温度以上の雰囲気へ放置し反応させる方法、ポ
リアニリン誘導体とスルホン酸化合物を溶解した溶液を
塗布乾燥する方法、ポリアニリン誘導体を電解重合する
方法、酸化剤をそのまま、または適当な溶媒に溶解して
表面酸化皮膜を形成した弁作用金属の多孔質成形体に導
入した後、アニリン誘導体モノマーそのまま、その溶
液、またはそれを気化したガスに接触させる方法、アニ
リン誘導体モノマーを先に弁作用金属の多孔質成形体に
導入し、しかる後に酸化剤に接触させる方法等で行われ
る。
ノマー、酸化剤及びスルホン酸化合物混合溶液を、表面
酸化皮膜を形成した弁作用金属の多孔質成形体に導入後
反応開始温度以上の雰囲気へ放置し反応させる方法、ポ
リアニリン誘導体とスルホン酸化合物を溶解した溶液を
塗布乾燥する方法、ポリアニリン誘導体を電解重合する
方法、酸化剤をそのまま、または適当な溶媒に溶解して
表面酸化皮膜を形成した弁作用金属の多孔質成形体に導
入した後、アニリン誘導体モノマーそのまま、その溶
液、またはそれを気化したガスに接触させる方法、アニ
リン誘導体モノマーを先に弁作用金属の多孔質成形体に
導入し、しかる後に酸化剤に接触させる方法等で行われ
る。
【００１９】本発明のポリアニリンあるいはその誘導体
における、ドーパント濃度の制御方法は特に限定されな
いが、所定濃度、もしくは所定ｐＨのスルホン酸化合物
溶液に一定時間浸漬を行う方法が簡便な方法である。ド
ーパント濃度を所定のものとした後、メタノール等の有
機溶媒で洗浄し乾燥等の必要な操作を行い耐熱性ポリア
ニリンを得ることもできる。また同様に、弁作用金属上
に固体電解質としてポリアニリン誘導体を形成後、所定
のスルホン酸化合物溶液に浸漬した後、メタノール等の
有機溶媒で洗浄し乾燥等の必要な操作を行い通常の方法
で引き出し電極を設けてコンデンサに組み上げる。ま
た、前記重合操作及び組み上げの各工程を繰り返し行う
こともできる。
における、ドーパント濃度の制御方法は特に限定されな
いが、所定濃度、もしくは所定ｐＨのスルホン酸化合物
溶液に一定時間浸漬を行う方法が簡便な方法である。ド
ーパント濃度を所定のものとした後、メタノール等の有
機溶媒で洗浄し乾燥等の必要な操作を行い耐熱性ポリア
ニリンを得ることもできる。また同様に、弁作用金属上
に固体電解質としてポリアニリン誘導体を形成後、所定
のスルホン酸化合物溶液に浸漬した後、メタノール等の
有機溶媒で洗浄し乾燥等の必要な操作を行い通常の方法
で引き出し電極を設けてコンデンサに組み上げる。ま
た、前記重合操作及び組み上げの各工程を繰り返し行う
こともできる。
【００２０】本発明において、ポリアニリンあるいはそ
の誘導体繰り返し単位当たりのスルホン酸基の数を２８
〜４０％、すなわち、ポリアニリンあるいはその誘導体
に、ルホン酸化合物をドーパントとして含むドーパント
濃度（ポリアニリン繰り返し単位当たりのドーパントの
数）を２８〜４０％とするのは、このドーパント濃度範
囲内において、導電率及び熱分解開始温度で優れた特性
を合わせ持つので、ドーパント濃度が２８％以下では導
電性が十分発現されず、また、ドーパント濃度が４０％
以上では熱分解温度が著しく低下するので、このドーパ
ント濃度範囲とするものである
の誘導体繰り返し単位当たりのスルホン酸基の数を２８
〜４０％、すなわち、ポリアニリンあるいはその誘導体
に、ルホン酸化合物をドーパントとして含むドーパント
濃度（ポリアニリン繰り返し単位当たりのドーパントの
数）を２８〜４０％とするのは、このドーパント濃度範
囲内において、導電率及び熱分解開始温度で優れた特性
を合わせ持つので、ドーパント濃度が２８％以下では導
電性が十分発現されず、また、ドーパント濃度が４０％
以上では熱分解温度が著しく低下するので、このドーパ
ント濃度範囲とするものである
【００２１】本発明において、このドーパント濃度範囲
内において、コンデンサとして、等価直列抵抗が小さく
高周波数特性が良好であり、しかも２６０℃以上でのは
んだ浸漬処理においても特性の劣化がほとんどなく信頼
性の優れたものである。また、本発明において、スルホ
ン酸化合物溶液の濃度を０．０１〜０．５規定にするの
は、０．０１から０．５規定のスルホン酸化合物溶液に
浸漬することにより、ポリアニリン誘導体繰り返し単位
当たりのスルホン酸基の数を２８〜４０％に調整された
耐熱性ポリアニリン、または固体電解コンデンサが得ら
れるためである。
内において、コンデンサとして、等価直列抵抗が小さく
高周波数特性が良好であり、しかも２６０℃以上でのは
んだ浸漬処理においても特性の劣化がほとんどなく信頼
性の優れたものである。また、本発明において、スルホ
ン酸化合物溶液の濃度を０．０１〜０．５規定にするの
は、０．０１から０．５規定のスルホン酸化合物溶液に
浸漬することにより、ポリアニリン誘導体繰り返し単位
当たりのスルホン酸基の数を２８〜４０％に調整された
耐熱性ポリアニリン、または固体電解コンデンサが得ら
れるためである。
【００２２】
【作用】本発明においては、スルホン酸化合物をドーパ
ントとして含むポリアニリンあるいはその誘導体におい
て、ポリアニリンあるいはその誘導体繰り返し単位当た
りのスルホン酸基の数が２８〜４０％であることによ
り、耐熱性を有するポリアニリンあるいはその誘導体と
することができ、また固体電解コンデンサの固体電解質
となる材料として導電率が高く、誘電体修復機能を有
し、かつ２６０℃以上で耐熱性を有するという条件を満
たすことができるものである。
ントとして含むポリアニリンあるいはその誘導体におい
て、ポリアニリンあるいはその誘導体繰り返し単位当た
りのスルホン酸基の数が２８〜４０％であることによ
り、耐熱性を有するポリアニリンあるいはその誘導体と
することができ、また固体電解コンデンサの固体電解質
となる材料として導電率が高く、誘電体修復機能を有
し、かつ２６０℃以上で耐熱性を有するという条件を満
たすことができるものである。
【００２３】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。図２
は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法の全体構成
の工程の一例を示す。弁作用金属がアルミ箔の場合、ア
ルミ箔をエッチングして表面に多数の細孔を形成する。
弁作用金属がタンタル粉末の場合、タンタル粉末をプレ
スして焼結体とする。そして弁作用金属に陽極酸化を行
い誘電体となる酸化皮膜を形成した後、固体電解質とな
るポリアニリンを形成しさらに電解質のドーパント濃度
を所定のものとする。その後、カーボンペースト、銀ペ
ーストを塗布して焼き付け、リード線を接続して封止を
行い製品とする。
は、本発明の固体電解コンデンサの製造方法の全体構成
の工程の一例を示す。弁作用金属がアルミ箔の場合、ア
ルミ箔をエッチングして表面に多数の細孔を形成する。
弁作用金属がタンタル粉末の場合、タンタル粉末をプレ
スして焼結体とする。そして弁作用金属に陽極酸化を行
い誘電体となる酸化皮膜を形成した後、固体電解質とな
るポリアニリンを形成しさらに電解質のドーパント濃度
を所定のものとする。その後、カーボンペースト、銀ペ
ーストを塗布して焼き付け、リード線を接続して封止を
行い製品とする。
【００２４】ドーパント濃度は、元素分析から得られる
ポリアニリンのＳ／Ｎ比から計算した。コンデンサの周
波数特性は、横河・ヒューレット・パッカード株式会
社、インピーダンスアナライザ４１９４Ａを用いて測定
した。熱分析は、株式会社マック・サイエンス、ＴＧ−
ＤＴＡ２０００を用いて行なった。窒素雰囲気中におい
て、昇温速度が１０℃／ｍｉｎ、２５〜７００℃の温度
範囲において測定した。以下、実施例を挙げて本発明を
具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限
定されるものではない。
ポリアニリンのＳ／Ｎ比から計算した。コンデンサの周
波数特性は、横河・ヒューレット・パッカード株式会
社、インピーダンスアナライザ４１９４Ａを用いて測定
した。熱分析は、株式会社マック・サイエンス、ＴＧ−
ＤＴＡ２０００を用いて行なった。窒素雰囲気中におい
て、昇温速度が１０℃／ｍｉｎ、２５〜７００℃の温度
範囲において測定した。以下、実施例を挙げて本発明を
具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限
定されるものではない。
【００２５】［実施例１］アニリン２２ｍｍｏｌ、パラ
トルエンスルホン酸２２ｍｍｏｌを含んだ溶液６０ｍｌ
に、二クロム酸アンモニウム７ｍｍｏｌ、パラトルエン
スルホン酸４８ｍｍｏｌ溶液２０ｍｌを加え０℃に保持
しながら１時間撹拌した。この溶液を濾過後、水、エタ
ノールで洗浄及び減圧乾燥し黒色のポリアニリンを得
た。その後、０．０３規定のパラトルエンスルホン酸溶
液に３０分間室温で撹拌した。元素分析から、ドーパン
ト濃度は３０．５％、導電率は３．３（Ｓ／ｃｍ）であ
った。このポリアニリンを熱分析したところ熱分解開始
温度は３１５℃であった（表１）。
トルエンスルホン酸２２ｍｍｏｌを含んだ溶液６０ｍｌ
に、二クロム酸アンモニウム７ｍｍｏｌ、パラトルエン
スルホン酸４８ｍｍｏｌ溶液２０ｍｌを加え０℃に保持
しながら１時間撹拌した。この溶液を濾過後、水、エタ
ノールで洗浄及び減圧乾燥し黒色のポリアニリンを得
た。その後、０．０３規定のパラトルエンスルホン酸溶
液に３０分間室温で撹拌した。元素分析から、ドーパン
ト濃度は３０．５％、導電率は３．３（Ｓ／ｃｍ）であ
った。このポリアニリンを熱分析したところ熱分解開始
温度は３１５℃であった（表１）。
【００２６】［実施例２］実施例１と同様に黒色のポリ
アニリンを得た。その後０．０３規定のパラトルエンス
ルホン酸溶液に６０分間室温で撹拌した。元素分析から
ドーパント濃度は３４．７％、導電率は８．１（Ｓ／ｃ
ｍ）であった。このポリアニリンを熱分析したところ熱
分解開始温度は３０８℃であった（表１）。
アニリンを得た。その後０．０３規定のパラトルエンス
ルホン酸溶液に６０分間室温で撹拌した。元素分析から
ドーパント濃度は３４．７％、導電率は８．１（Ｓ／ｃ
ｍ）であった。このポリアニリンを熱分析したところ熱
分解開始温度は３０８℃であった（表１）。
【００２７】［実施例３］０．１Ｍアニリンの硫酸水溶
液を調整した。この溶液を使用して−０．１Ｖ〜１．２
Ｖ（対飽和カロメロ電極）を１Ｈｚの走査電位法で電解
重合しポリアニリン膜を得た。その後白金電極からポリ
アニリン膜をはがし、純水中で６０分間撹拌洗浄した。
さらにこのポリアニリンを０．０３規定のパラトルエン
スルホン酸溶液に３０分間室温で浸漬した。元素分析か
らドーパント濃度は３６．５％、導電率は９．３（Ｓ／
ｃｍ）であった。このポリアニリンを熱分析したところ
熱分解開始温度は３０３℃であった（表１）。
液を調整した。この溶液を使用して−０．１Ｖ〜１．２
Ｖ（対飽和カロメロ電極）を１Ｈｚの走査電位法で電解
重合しポリアニリン膜を得た。その後白金電極からポリ
アニリン膜をはがし、純水中で６０分間撹拌洗浄した。
さらにこのポリアニリンを０．０３規定のパラトルエン
スルホン酸溶液に３０分間室温で浸漬した。元素分析か
らドーパント濃度は３６．５％、導電率は９．３（Ｓ／
ｃｍ）であった。このポリアニリンを熱分析したところ
熱分解開始温度は３０３℃であった（表１）。
【００２８】［実施例４］０．０５Ｍアニリンのパラト
ルエンスルホン酸水溶液を調整した。この溶液を使用し
て実施例３と同様に電解重合しポリアニリン膜を得た。
その後白金電極からポリアニリン膜をはがし、純水中で
６０分間撹拌洗浄した。さらにこのポリアニリンを０．
０４規定のパラトルエンスルホン酸溶液に６０分間室温
で浸漬した。 元素分析からドーパント濃度は４０．７
％、導電率は１０．３（Ｓ／ｃｍ）であった。このポリ
アニリンを熱分析したところ熱分解開始温度は３０３℃
であった（表１）。
ルエンスルホン酸水溶液を調整した。この溶液を使用し
て実施例３と同様に電解重合しポリアニリン膜を得た。
その後白金電極からポリアニリン膜をはがし、純水中で
６０分間撹拌洗浄した。さらにこのポリアニリンを０．
０４規定のパラトルエンスルホン酸溶液に６０分間室温
で浸漬した。 元素分析からドーパント濃度は４０．７
％、導電率は１０．３（Ｓ／ｃｍ）であった。このポリ
アニリンを熱分析したところ熱分解開始温度は３０３℃
であった（表１）。
【００２９】［比較例１］実施例１と同様に黒色のポリ
アニリンを得た。その後水／エタノール＝１／１の溶液
で３０分間室温で撹拌した。元素分析からドーパント濃
度は２２．５％、導電率は０．１８（Ｓ／ｃｍ）であっ
た。このポリアニリンを熱分析したところ熱分解開始温
度は３２０℃であった（表１）。
アニリンを得た。その後水／エタノール＝１／１の溶液
で３０分間室温で撹拌した。元素分析からドーパント濃
度は２２．５％、導電率は０．１８（Ｓ／ｃｍ）であっ
た。このポリアニリンを熱分析したところ熱分解開始温
度は３２０℃であった（表１）。
【００３０】［比較例２］実施例１と同様に黒色のポリ
アニリンを得た。その後０．０５規定のパラトルエンス
ルホン酸溶液に３０分間室温で撹拌した。元素分析から
ドーパント濃度は４２．５％、導電率は１０．６（Ｓ／
ｃｍ）であった。このポリアニリンを熱分析したところ
熱分解開始温度は２３０℃であった（表１）。
アニリンを得た。その後０．０５規定のパラトルエンス
ルホン酸溶液に３０分間室温で撹拌した。元素分析から
ドーパント濃度は４２．５％、導電率は１０．６（Ｓ／
ｃｍ）であった。このポリアニリンを熱分析したところ
熱分解開始温度は２３０℃であった（表１）。
【００３１】［比較例３］実施例３と同様に電解重合に
よってポリアニリンを得た。元素分析からドーパント濃
度は４９．５％、導電率は１１．０（Ｓ／ｃｍ）であっ
た。このポリアニリンを熱分析したところ熱分解開始温
度は２２５℃であった（表１）。
よってポリアニリンを得た。元素分析からドーパント濃
度は４９．５％、導電率は１１．０（Ｓ／ｃｍ）であっ
た。このポリアニリンを熱分析したところ熱分解開始温
度は２２５℃であった（表１）。
【００３２】［実施例５］直径１．５ｍｍ、高さ２ｍ
ｍ、グラム当たりの粉末ＣＶ値（容量と化成電圧の積）
が３００００／ｇの円柱状タンタル微粉末焼結体ペレッ
トを０．０５ｗｔ％硝酸水溶液中で６０Ｖで陽極酸化
し、洗浄及び乾燥した。アニリン２２ｍｍｏｌ、パラト
ルエンスルホン酸２２ｍｍｏｌを含んだ溶液６０ｍｌ
に、二クロム酸アンモニウム７ｍｍｏｌ、パラトルエン
スルホン酸４８ｍｍｏｌ溶液２０ｍｌを加えた溶液を−
３℃に保持した後、この液にタンタルペレットを浸漬、
室温へ３０分放置して黒色のポリアニリンを形成した。
上記ポリアニリンの形成を５回繰り返した。その後、
０．０３規定のパラトルエンスルホン酸溶液に３０分間
処理した後、さらにエタノール溶液で洗浄した。そし
て、銀ペーストを付け陰極リードを引き出し、エポキシ
樹脂で封止してコンデンサを完成した。
ｍ、グラム当たりの粉末ＣＶ値（容量と化成電圧の積）
が３００００／ｇの円柱状タンタル微粉末焼結体ペレッ
トを０．０５ｗｔ％硝酸水溶液中で６０Ｖで陽極酸化
し、洗浄及び乾燥した。アニリン２２ｍｍｏｌ、パラト
ルエンスルホン酸２２ｍｍｏｌを含んだ溶液６０ｍｌ
に、二クロム酸アンモニウム７ｍｍｏｌ、パラトルエン
スルホン酸４８ｍｍｏｌ溶液２０ｍｌを加えた溶液を−
３℃に保持した後、この液にタンタルペレットを浸漬、
室温へ３０分放置して黒色のポリアニリンを形成した。
上記ポリアニリンの形成を５回繰り返した。その後、
０．０３規定のパラトルエンスルホン酸溶液に３０分間
処理した後、さらにエタノール溶液で洗浄した。そし
て、銀ペーストを付け陰極リードを引き出し、エポキシ
樹脂で封止してコンデンサを完成した。
【００３３】［実施例６］実施例５と同様にタンタルペ
レット上に誘電体を形成した。このタンタルペレットを
まず室温で、アニリンとパラトルエンスルホン酸が等モ
ルで、５ｗｔ％アニリンの水：エタノール＝１：１溶液
に３０秒浸漬した。３０分放置後に、二クロム酸アンモ
ニウムとパラトルエンスルホン酸のモル比が１：３で、
０℃に保持している２０ｗｔ％の酸化剤水溶液に３０秒
浸漬した。タンタルペレットを取り出し空気中でさらに
３０分間保持して重合を行った。その後、水、エタノー
ルで洗浄及び減圧乾燥したところ、黒色のポリアニリン
を誘電体表面にポリアニリンを形成できた。以上の操作
を５回繰り返し十分な厚さのポリアニリンを誘電体表面
に形成した後、０．０４規定のパラトルエンスルホン酸
溶液に３０分間処理した。そのほかは実施例５と同様な
方法で、エタノール洗浄、銀ペースト付けを行いリード
を引き出してコンデンサを完成させた。
レット上に誘電体を形成した。このタンタルペレットを
まず室温で、アニリンとパラトルエンスルホン酸が等モ
ルで、５ｗｔ％アニリンの水：エタノール＝１：１溶液
に３０秒浸漬した。３０分放置後に、二クロム酸アンモ
ニウムとパラトルエンスルホン酸のモル比が１：３で、
０℃に保持している２０ｗｔ％の酸化剤水溶液に３０秒
浸漬した。タンタルペレットを取り出し空気中でさらに
３０分間保持して重合を行った。その後、水、エタノー
ルで洗浄及び減圧乾燥したところ、黒色のポリアニリン
を誘電体表面にポリアニリンを形成できた。以上の操作
を５回繰り返し十分な厚さのポリアニリンを誘電体表面
に形成した後、０．０４規定のパラトルエンスルホン酸
溶液に３０分間処理した。そのほかは実施例５と同様な
方法で、エタノール洗浄、銀ペースト付けを行いリード
を引き出してコンデンサを完成させた。
【００３４】［比較例４］実施例５と同様にコンデンサ
誘電体表面にポリアニリンを形成した後、水／エタノー
ル＝１／１の溶液で３０分間洗浄した。そのほかは実施
例５と同様な方法で、銀ペースト付けを行いリードを引
き出してコンデンサを完成させた。
誘電体表面にポリアニリンを形成した後、水／エタノー
ル＝１／１の溶液で３０分間洗浄した。そのほかは実施
例５と同様な方法で、銀ペースト付けを行いリードを引
き出してコンデンサを完成させた。
【００３５】［比較例５］実施例６と同様にコンデンサ
誘電体表面にポリアニリンを形成した後、０．０５規定
のパラトルエンスルホン酸溶液に３０分間処理した。そ
のほかは実施例６と同様な方法で、エタノール洗浄、銀
ペースト付けを行いリードを引き出してコンデンサを完
成させた。
誘電体表面にポリアニリンを形成した後、０．０５規定
のパラトルエンスルホン酸溶液に３０分間処理した。そ
のほかは実施例６と同様な方法で、エタノール洗浄、銀
ペースト付けを行いリードを引き出してコンデンサを完
成させた。
【００３６】［実施例７］実施例５と同様にタンタルペ
レット上に誘電体を形成した。０．１Ｍアニリンの硫酸
水溶液にタンタルペレットを浸漬し、その表面に補助電
極を接触させたのち、−０．１〜１．２Ｖ（対飽和カロ
メロ電極）を１Ｈｚの走査電位法で電解重合しポリアニ
リンを誘電体上に形成した。その後６０分間純水中で撹
拌洗浄したのち、０．０４規定のパラトルエンスルホン
酸溶液に６０分間処理した後、さらにエタノール溶液で
洗浄した。そして、銀ペーストを付け陰極リードを引き
出し、エポキシ樹脂で封止してコンデンサを完成した。
レット上に誘電体を形成した。０．１Ｍアニリンの硫酸
水溶液にタンタルペレットを浸漬し、その表面に補助電
極を接触させたのち、−０．１〜１．２Ｖ（対飽和カロ
メロ電極）を１Ｈｚの走査電位法で電解重合しポリアニ
リンを誘電体上に形成した。その後６０分間純水中で撹
拌洗浄したのち、０．０４規定のパラトルエンスルホン
酸溶液に６０分間処理した後、さらにエタノール溶液で
洗浄した。そして、銀ペーストを付け陰極リードを引き
出し、エポキシ樹脂で封止してコンデンサを完成した。
【００３７】［実施例８］実施例５と同様にタンタルペ
レット上に誘電体を形成した。０．０５Ｍアニリンのパ
ラトルエンスルホン酸溶液にタンタルペレットを浸漬
し、その表面に補助電極を接触させたのち、−０．１〜
１．２Ｖ（対飽和カロメロ電極）を１Ｈｚの走査電位法
で電解重合しポリアニリンを誘電体上に形成した。その
後６０分間純水中で撹拌洗浄したのち、０．０３規定の
パラトルエンスルホン酸溶液に６０分間処理した後、さ
らにエタノール溶液で洗浄した。そして、銀ペーストを
付け陰極リードを引き出し、エポキシ樹脂で封止してコ
ンデンサを完成した。
レット上に誘電体を形成した。０．０５Ｍアニリンのパ
ラトルエンスルホン酸溶液にタンタルペレットを浸漬
し、その表面に補助電極を接触させたのち、−０．１〜
１．２Ｖ（対飽和カロメロ電極）を１Ｈｚの走査電位法
で電解重合しポリアニリンを誘電体上に形成した。その
後６０分間純水中で撹拌洗浄したのち、０．０３規定の
パラトルエンスルホン酸溶液に６０分間処理した後、さ
らにエタノール溶液で洗浄した。そして、銀ペーストを
付け陰極リードを引き出し、エポキシ樹脂で封止してコ
ンデンサを完成した。
【００３８】［実施例９］実施例５のパラトルエンスル
ホン酸に代えてベンゼンジスルホン酸をプロトン酸に使
用した。そのほかは実施例５と同様な方法で、エタノー
ル洗浄、銀ペースト付けを行いリードを引き出してコン
デンサを完成した。
ホン酸に代えてベンゼンジスルホン酸をプロトン酸に使
用した。そのほかは実施例５と同様な方法で、エタノー
ル洗浄、銀ペースト付けを行いリードを引き出してコン
デンサを完成した。
【００３９】［実施例１０］実施例６の二クロム酸アン
モニウムに代えて過酸化水素水を酸化剤に用いた。その
ほかは実施例６と同様な方法でコンデンサを完成した。
モニウムに代えて過酸化水素水を酸化剤に用いた。その
ほかは実施例６と同様な方法でコンデンサを完成した。
【００４０】［実施例１１］エッチングによって表面積
をほぼ２０倍に拡大した膜厚１５０μｍ、１×０．５ｃ
ｍ２のアルミニウム箔を５％ほう酸アンモニウム水溶液
中で１００Ｖで陽極酸化し、洗浄及び乾燥した。その後
に、実施例５と同様な方法でコンデンサを完成させた。
をほぼ２０倍に拡大した膜厚１５０μｍ、１×０．５ｃ
ｍ２のアルミニウム箔を５％ほう酸アンモニウム水溶液
中で１００Ｖで陽極酸化し、洗浄及び乾燥した。その後
に、実施例５と同様な方法でコンデンサを完成させた。
【表１】
【表２】
【００４１】表１に、実施例１〜４及び比較例１〜３に
ついて得られたポリアニリンのドーパント濃度（Ｓ／
Ｎ）、導電率（Ｓ／ｃｍ）及び熱分解開始温度を示す。
この結果、比較例と比べ本発明で得られるポリアニリン
は十分な導電率と耐熱性を有していることがわかる。す
なわち、ポリアニリン誘導体は上記狭いドーパント濃度
範囲内においてのみ優れた特性と信頼性を合わせ持つの
である。ドーパント濃度が２８％以下では導電性が十分
発現されず、また、ドーパント濃度が４０％以上では熱
分解温度が著しく低下する。これについては、図１のポ
リアニリンにおけるドーパント濃度と熱分解開始温度及
び導電率との関係を示すものからも明らかである。
ついて得られたポリアニリンのドーパント濃度（Ｓ／
Ｎ）、導電率（Ｓ／ｃｍ）及び熱分解開始温度を示す。
この結果、比較例と比べ本発明で得られるポリアニリン
は十分な導電率と耐熱性を有していることがわかる。す
なわち、ポリアニリン誘導体は上記狭いドーパント濃度
範囲内においてのみ優れた特性と信頼性を合わせ持つの
である。ドーパント濃度が２８％以下では導電性が十分
発現されず、また、ドーパント濃度が４０％以上では熱
分解温度が著しく低下する。これについては、図１のポ
リアニリンにおけるドーパント濃度と熱分解開始温度及
び導電率との関係を示すものからも明らかである。
【００４２】また、実施例５〜１１及び比較例４、５に
ついて得られたコンデンサ製造直後及び２６０℃１０秒
はんだ浸漬後の容量出現率（Ｃ／Ｃｏ、電解質溶液中に
おける容量をＣｏとする）、及び３０ＫＨｚでの等価直
列抵抗（ＥＳＲ）を表２に示す。合わせて電解質ポリア
ニリンのドーパント濃度を示す。その結果、比較例と比
べると本発明の実施例により得られたコンデンサは、等
価直列抵抗が小さく高周波数特性が良好であり、しかも
２６０℃１０秒のはんだ浸漬処理においても特性の劣化
がほとんどなく信頼性の優れたものであることがわか
る。
ついて得られたコンデンサ製造直後及び２６０℃１０秒
はんだ浸漬後の容量出現率（Ｃ／Ｃｏ、電解質溶液中に
おける容量をＣｏとする）、及び３０ＫＨｚでの等価直
列抵抗（ＥＳＲ）を表２に示す。合わせて電解質ポリア
ニリンのドーパント濃度を示す。その結果、比較例と比
べると本発明の実施例により得られたコンデンサは、等
価直列抵抗が小さく高周波数特性が良好であり、しかも
２６０℃１０秒のはんだ浸漬処理においても特性の劣化
がほとんどなく信頼性の優れたものであることがわか
る。
【００４３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、スルホン
酸化合物をドーパントとして含むポリアニリンあるいは
その誘導体において、０．０１〜０．５Ｍスルホン酸化
合物溶液に浸漬することによりポリアニリン誘導体繰り
返し単位当たりのスルホン酸基の数が２８〜４０％の範
囲へ調整された耐熱性ポリアニリン誘導体が得られる。
このポリアニリン誘導体は、導電率が２Ｓ／ｃｍ以上か
つ熱分解温度が３００℃以上という優れた特性を有する
という効果を奏するものである。また、この耐熱性ポリ
アニリンあるいはその誘導体をコンデンサへ形成するこ
とによって、十分ＥＳＲが小さく高周波特性が良好であ
り、かつ２６０℃はんだ浸漬処理においても特性劣化が
ほとんどなく信頼性の優れた固体電解コンデンサを得る
ことができるという効果を奏するものである。
酸化合物をドーパントとして含むポリアニリンあるいは
その誘導体において、０．０１〜０．５Ｍスルホン酸化
合物溶液に浸漬することによりポリアニリン誘導体繰り
返し単位当たりのスルホン酸基の数が２８〜４０％の範
囲へ調整された耐熱性ポリアニリン誘導体が得られる。
このポリアニリン誘導体は、導電率が２Ｓ／ｃｍ以上か
つ熱分解温度が３００℃以上という優れた特性を有する
という効果を奏するものである。また、この耐熱性ポリ
アニリンあるいはその誘導体をコンデンサへ形成するこ
とによって、十分ＥＳＲが小さく高周波特性が良好であ
り、かつ２６０℃はんだ浸漬処理においても特性劣化が
ほとんどなく信頼性の優れた固体電解コンデンサを得る
ことができるという効果を奏するものである。
【図１】 ポリアニリンにおけるドーパント濃度と熱分
解開始温度及び導電率との関係を示すものである。
解開始温度及び導電率との関係を示すものである。
【図２】 本発明の固体電解コンデンサの製造方法の全
体構成の一例を示すものである。
体構成の一例を示すものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 仁志 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 佐藤 正春 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 スルホン酸化合物をドーパントとして含
むポリアニリンあるいはその誘導体において、ポリアニ
リンあるいはその誘導体繰り返し単位当たりのスルホン
酸基の数が２８〜４０％であることを特徴とする耐熱性
ポリアニリンあるいはその誘導体。 - 【請求項２】 スルホン酸化合物が、芳香族スルホン酸
であることを特徴とする請求項１記載の耐熱性ポリアニ
リンあるいはその誘導体。 - 【請求項３】 スルホン酸化合物をドーパントとして含
むポリアニリンあるいはその誘導体の製造方法におい
て、ポリアニリンあるいはその誘導体をスルホン酸化合
物溶液へ浸漬することによりポリアニリンあるいはその
誘導体繰り返し単位当たりのスルホン酸基の数が２８〜
４０％へ調整することを特徴とする耐熱性ポリアニリン
あるいはその誘導体の製造方法。 - 【請求項４】 スルホン酸化合物が、ポリアニリンある
いはその誘導体をスルホン酸化合物溶液内で撹拌するこ
とによって導入された芳香族スルホン酸であることを特
徴とする請求項３記載の耐熱性ポリアニリンあるいはそ
の誘導体の製造方法。 - 【請求項５】 スルホン酸化合物溶液の濃度が、０．０
１〜０．５規定であることを特徴とする請求項３または
４記載の耐熱性ポリアニリンあるいはその誘導体の製造
方法。 - 【請求項６】 スルホン酸化合物をドーパントとして含
むポリアニリンあるいはその誘導体を固体電解質とする
固体電解コンデンサにおいて、ポリアニリンあるいはそ
の誘導体繰り返し単位当たりのスルホン酸基の数が２８
〜４０％であることを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項７】 スルホン酸化合物が、芳香族スルホン酸
であることを特徴とする請求項６記載の固体電解コンデ
ンサ。 - 【請求項８】 スルホン酸化合物をドーパントとして含
むポリアニリンあるいはその誘導体を固体電解質とする
固体電解コンデンサの製造方法において、ポリアニリン
あるいはその誘導体からなる固体電解質を形成した後、
スルホン酸化合物溶液へ浸漬することによりポリアニリ
ンあるいはその誘導体繰り返し単位当たりのスルホン酸
基の数を２８〜４０％に調整することを特徴とする固体
電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項９】 スルホン酸化合物が、ポリアニリンある
いはその誘導体形成後スルホン酸化合物溶液へ浸漬する
ことによって導入された芳香族スルホン酸であることを
特徴とする請求項８記載の固体電解コンデンサの製造方
法。 - 【請求項１０】 スルホン酸化合物溶液の濃度が、０．
０１〜０．５規定であることを特徴とする請求項８また
は９記載の固体電解コンデンサの製造方法。
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